JPH0445031B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体撮像装置の信号読み出し方法に関
するもので、さらに詳しくは、SITイメージセン
サにおいて、静電誘導ホトトランジスタ（SIPT）
の主電極の全てがアドレスライン又は信号読み出
しラインとなる固体撮像装置に、特に微弱光検出
感度に優れ、より安定で均一に画像を検出し、低
消費電力、高速な信号読み出し方法を与えるもの
である。

本発明では、放送局用のテレビカメラ、家庭向
ビデオカメラ、電子スチルカメラなどの他、高感
度なことを利用した天体観測器や高速なことを利
用した理化学測定器に応用できる。

〔従来の技術〕

従来の静電誘導ホトトランジスタ（以下SIPT
と称す。）を用いたゲート蓄積方式による２次元
固体撮像装置において、SIPTのソース及びドレ
インがそれぞれ信号読み出しライン又はアドレス
ラインとなる２次元固体撮像装置の構成及び信号
読み出し方法については特開昭60−199277号「２
次元固体撮像装置」に開示されているものなど、
各種提案されている。

第４図ａに従来の２次元固体撮像装置の構成及
び信号読み出し方法の１例を上げる。第４図ｂに
はその読み出しパルスのタイミングチヤートを示
す。

２次元マトリクス状に並べられたｎ×ｍ個の画
素の一つC_ijは、一つのSIPTとキヤパシタから成
る。画素C_ijのSIPTのドレインは信号読み出しラ
インSL_iに、ソースは埋め込みラインBL_jに、ゲ
ートはキヤパシタを通して垂直アドレスライン
GL_jに接続されている。信号読み出しラインSL_i
にはプリチヤージトランジスタQ_Pが接続され、
このQ_Pを通してプリチヤージ電源に接続されて
いる。このQ_Pはゲートが全て共通になされ、プ
リチヤージパルスφ_Pが印加される。さらにSL_iは
トランスフアートラジスタQ_Tを通してスイツチ
トランジスタQ_Sに接続され、Q_Sはさらに、共通
な負荷抵抗R_Lを通してビデオ電源Vvに接続さ
れ、Q_SがR_Lに接続している点が出力端子V_putとな
つている。Q_Tはゲートが全て共通になされ、ト
ランスフアーパルスφ_Tが印加される。Q_Sのゲー
トは水平シフトレジスタ４２に導かれている。出
力はQ_TとQ_Sに共通して接続されたトランスフア
ーキヤパシタC_Tを、Q_Sを導通状態にしてVvによ
り充電することによるR_Lの電圧降下によつて得
られる。さらに、埋め込みラインBL_jは埋め込み
ライン選択トランジスタQ_Bを通して接地され、
BL_jに接続されたQ_BのゲートはGL_jに接続され、
GL_jは垂直シフトレジスタ４１に導かれている。

第４図ｂを参照して、読み出し方法を説明す
る。まず時刻t₁においてトランスフアーパルスφ_T
によつてトランスフアートランジスタQ_Tが導通
状態となり、信号読み出しラインSL_iはトランス
フアーキヤパシタC_Tと接続される。時刻t₂におい
てプリチヤージパルスによつてプリチヤージトラ
ンジスタQ_Pを通して、信号読み出しラインSL_iと
トランスフアーキヤパシタC_TをV_Pによつて充電
する。次に時刻t₃で、垂直シフトレジスタ３１か
ら垂直アドレスパルスφ_Gjが出力され、これによ
つて垂直アドレスラインGL_jに接続された画素
C_1j〜C_ojは入射光量に応じた放電をする。このと
き、埋め込みライン選択トランジスタQ_Bは選択
されたBL_jに接続されたもののみが導通状態とな
り、他は全て遮断状態となつている。時刻t₄で
φ_Gjとφ_Tが同時に切れることで、画素C_1j，……，
C_ojの光情報はトランスフアーキヤパシタC_Tの放
電量として記憶される。t₅，t₆，t₇，……，t₈で
水平シフトレジスタ４２からの読み出しパルス
φ_S1，……，φ_SoによつてV_put端子から順次、一水
平ラインの出力が得られる。次に別の水平ライン
を読み出すべく、同様の手順が繰り返される。

第４図ｃに従来の２次元固体撮像装置の構成及
び信号読み出し方法の別の例を上げる。第４図ｄ
にはその読み出しパルスのタイミングチヤートを
示す。

２次元マトリクス状に並べられたｎ×ｍ個の画
素の一つC_ijは一つのSIPTとキヤパシタから成
る。画素C_ijのSIPTのソースは信号読み出しライ
ンSL_iに、ドレインは埋め込みラインBL_jに、ゲ
ートはキヤパシタを通して垂直アドレスライン
GL_jに接続している。信号読み出しラインSL_iは
リセツトトランジスタQ_Rを通して接地され、Q_R
のゲートは全て共通になされリセツトパルスφ_R
が印加される。さらにSL_iはトランスフアートラ
ンジスタQ_Tを通して、スイツチトランジスタQ_S
に接続され、Q_Sはさらに共通な負荷抵抗R_Lを通
してビデオ電源Vvに接続され、Q_SがR_Lに接続し
ている点が出力端子V_putとなつている。Q_Tはゲー
トが全て共通になされ、トランスフアーパルス
φ_Tが印加される。Q_Sのゲートは水平シフトレジ
スタ４２に導かれている。出力はQ_TとQ_Sに共通
して接続されたトランスフアーキヤパシタC_Tを、
Q_Sを導通状態にしてR_Lを通して放電するときに、
R_Lの電圧降下によつて得られる。さらに埋め込
みラインBL_jは埋め込みライン選択トランジスタ
Q_Bを通して電源V_DDに接続されている。Q_Bのゲー
トはGL_jに接続され、GL_jは垂直シフトレジスタ
３１に導かれ、垂直アドレスパルスφ_Gjが印加さ
れる。

第４図ｄを参照して、読み出し方法を説明す
る。まず時刻t₁においてトランスフアーパルスに
よつてトランスフアートランジスタQ_Tが導通状
態となり、信号読み出しラインSL_iはトランスフ
アーキヤパシタC_Tと接続される。時刻t₂において
リセツトパルスφ_Rによつて、リセツトトランジ
スタQ_Rを通して、信号読み出しラインSL_iとトラ
ンスフアーキヤパシタC_Tを接地電位にする。次
に時刻t₃で、垂直シフトレジスタ３１から垂直ア
ドレスパルスφ_Gjが出力され、これによつて垂直
アドレスラインGL_jに接続された画素C_1j，……，
C_ojは埋め込みラインBL_jに接続された埋め込み
ライン選択トランジスタQ_Bを通してV_DDによつて
バイアスされ、入射光量に応じて、C_Tを充電す
る。時刻t₄でφ_Gjとφ_Tが同時に切れることで、画
素C_ij，……，C_ojの光情報はトランスフアーキヤ
パシタC_Tの充電量として記憶される。t₅，t₆，t₇，
……，t₈で水平シフトレジスタ４２からの読み出
しパルスφ_S1，……，φ_SoによつてV_put端子から順
次、一水平ラインの出力が得られる。次に別の水
平ラインを読み出すべく、同様の手順が繰り返さ
れる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述のSIPTを用いた２次元固体撮像装置は、
SIPTが本来持つている高い光感度を利用できる
もので、微弱光検出感度に優れた、高速、低消費
電力、大容量の固体撮像装置である。それは画素
を構成するSIPTの３つの主電極の３つ全てがア
ドレスライン又は信号読み出しラインとなつてい
るからである。このアドレスラインの一つである
埋め込みラインBL_jに注目するとこのBL_jに接続
された埋め込みライン選択トランジスタQ_Bのゲ
ートは垂直アドレスラインGL_jに接続されてい
る。この様子を第５図に示す。ａは第４図ａに示
した読み出し方法の例に対応し、ｂは第４図ｃに
示した読み出し方法の例に対応する。第５図にお
いてC_BLは一列の埋め込みラインの接地に対して
持つ容量を表わしている。第５図ａ，ｂのいずれ
の場合も、垂直アドレスラインGL_jには、ｃに示
すような垂直アドレスパルスφ_Gjが加えられる。
φ_Gjが加わるとSIPTは、ゲートが光励起によるホ
ールの蓄積によつてある電位になつているところ
へφ_Gjがゲートキヤパシタを通して加わり、入射
光量に応じた電流がソース−ドレイン間に流れ
る。同時にφ_Gjによつて、Q_Bも導通状態となるが、
SIPTの動作にくらべてQ_Bの動作速度は遅い。さ
らに埋め込みラインBL_jが接地に対して持つ容量
C_BLの影響による遅延もある。つまりφ_Gjによる選
択の時、ａではC_BLを放電してBL_jの電位を接地
電位としなければならなく、ｂではC_BLを充電し
なければならない。またｂの場合、Q_Bの電位は
基板バイアス効果もあつて、V_Gを大きくしなけ
れば十分バイアスされない。一画素のSIPTの特
性上からV_Gは1.5Vから3Vが最適であるから、Q_B
のしきい値を1Vとすると、SIPTへのバイアス電
圧V_DSはV_DDが十分大きくても、1V程度でしかな
い。SIPTの動作はゲートへのアドレスパルスと
バイアス電圧V_DSとに大きく依存しており、
SIPTを最適条件で動作できないという問題があ
つた。つまり、V_Gの値を大きくとり過ぎると暗
状態での出力が増大し、ダイナミツクレンジを大
きくとれなくなり、V_DSが小さくても同様であ
る。さらにSIPTの電流増幅率はV_DSに従つて大
きくなる。

〔問題点を解決するための手段〕

上述の問題点、埋め込みライン選択トランジス
タQ_Bと埋め込みラインが接地に対して持つ容量
C_BLによるSIPTの動作に対する遅れと、SIPTが
十分にバイアスされないこと、＝を解決するため
に、垂直アドレスラインと埋め込みライン選択ト
ランジスタQ_Bのゲートアドレスを分離して行う。

第２図を参照して、動作の方法を説明する。第
２図ａは第４図ａに対応し、第２図ｂは第４図ｂ
に対応している。垂直アドレスラインGL_jには垂
直アドレスパルスφ_Gjが印加され、埋め込みライ
ン選択トランジスタQ_Bのゲートにはφ_Bjが印加さ
れる。このときφ_BjはQ_Bの遅延に対して補償する
分τだけφ_Gjより早く入力する。この様子を第４
図ｃに示す。さらにφ_Gjのパルス高さV_Gと、φ_Bjの
パルス高さV_Bとをそれぞれ適当に決めてある。
特にｂの場合、SIPTのゲートへのアドレスパル
スのパルス高さV_Gとバイアス電圧V_DSとを独立し
て制御できる。

〔作用〕

本発明の固体撮像装置の信号読み出し方法で
は、従来のものに比べて、読み出し回路が複雑と
なるものの、画素を構成するSIPTを最適の条件
で動作させることができ、特に第２図ｂでは
SIPTのゲートへ入力されるパルスφ_GjとSIPTの
バイアス電圧V_DSが独立して行なえる。従つてよ
り高感度な固体撮像装置を提供し得るものであ
る。

〔実施例〕

本発明の固体撮像装置の信号読み出し方法の実
施例を第１図に示す。

第１図ａは実施例の一つで、ｂに読み出しのパ
ルスのタイミングチヤートを示す。まずこの固体
撮像装置の構成について説明する。２次元マトリ
クス状に並べられたｎ×ｍ個の画素の一つC_ijは
一つのSIPT１とゲートキヤパシタ２から成る。
この画素C_ijのSIPTのドレインは信号読み出しラ
インSL_iに、ソースは埋め込みラインBL_jに、ゲ
ートはゲートキヤパシタを通して垂直アドレスラ
インGL_jに接続している。BL_jとGL_jは並行でSL_i
に直交している。信号読み出しラインSL_iはプリ
チヤージトランジスタQ_Piが接続され、このQ_Piを
通してプリチヤージ電源V_Pに接続されている。
Q_Piはゲートが共通になされ、プリチヤージパル
スQ_Pが印加される。さらにSL_iはトランスフアー
トランジスタQ_Tiを通して、スイツチトランジス
タQ_Siに接続されている。Q_Tiのゲートは全て共通
になされ、トランスフアーパルスφ_Tが印加され
る。Q_TiとQ_Siの接続部には適当なキヤパシタC_Tiが
設けられ、Q_Siは共通の負荷抵抗R_Lを通してビデ
オ電源Vvに接続されている。Q_Sゲートは水平シ
フトレジスタ１２に導びかれ、読み出しパルス
φ_Siが印加される。出力はC_TiをQ_Siを導通状態にし
てVvによつて充電するときにR_Lの電圧降下によ
つてV_put端子から得られる。埋め込みラインBL_j
は埋め込みライン選択トランジスタQ_Bjを通して
接地されている。Q_Bjのゲートは垂直シフトレジ
スタ１２に導かれ、埋め込みライン選択パルス
φ_Bjが印加される。垂直アドレス線GL_jは垂直シ
フトレジスタ１１に導かれ、垂直アドレスパルス
φ_Gjが印加される。

次に、第１図ｂを参照して、動作について説明
する。垂直シフトレジスタ１１は垂直アドレスパ
ルスφ_G1，……，φ_Gnを順次出力するが、第１図ｂ
ではちようどφ_Gjとそれにつづくφ_Gj+1のところを
示している。時刻t₁で、トランスフアーパルスφ_T
が入り、トランスフアートランジスタQ_Tiが導通
状態になつた後、時刻t₂で、プリチヤージパルス
φ_PによつてプリチヤージトランジスタQ_Pを通し
て信号読み出しラインSL_i及びトランスフアーキ
ヤパシタC_TiをV_Pによつて充電する。次に、時刻
t₃でまず埋め込みライン選択パルスφ_Bjによつて
埋め込みラインBL_jだけが接地電位となる。それ
につづいてすぐに時刻t₄において垂直アドレスパ
ルスφ_Gjによつて垂直アドレスラインGL_jに接続
された画素C_1j〜C_ojの各SIPTは入射光量に応じ
た放電をする。ここでt₃とt₄の間隔はBL_jがφ_Bjに
よつて接地となる時間程度とする。時刻t₅にφ_Gj，
φ_Bj，φ_Tが同時に切れることによつて画素C_1j〜
C_ojの光情報はそれぞれに対応するトランスフア
ーキヤパシタC_T1〜C_Tnにその放電量として記憶さ
れる。その後時刻t₆，t₇，t₈……，t₉、に水平シ
フトレジスタ１３は読み出しパルスφ_S1，φ_S2，
φ_S3……，φ_Soを順次発生させ、Q_S1，……，Q_Soを
順次導通させて、C_Tiを負荷抵抗R_Lを通してビデ
オ電源Vvにより充電することで、V_put端子から
順次出力が得られる。このように水平一列の光情
報が出力し終ると、次にC_1j+1，……，C_oj+1の光
情報を読み出すべく、同様の手順が繰返される。

第１図ｃに別の実施例を示す。ｄはその読み出
しのパルスのタイミングチヤートを示す。まずこ
の固体撮像装置の構成について説明する。２次元
マトリクス状に並べられたｎ×ｍ個の画素の一つ
C_ijは一つのSIPT１とゲートキヤパシタ２から成
る。この画素C_ijのSIPTのソースは信号読み出し
ラインSL_iに、ドレインは埋め込みラインBL_jに、
ゲートはゲートキヤパシタを通して垂直アドレス
ラインGL_jに接続している。BL_jとGL_jは平行で、
SL_iに直交している。信号読み出しラインSL_iはリ
セツトトランジスタQ_Riを通して接地され、Q_Riの
ゲートは全て共通になされリセツトパルスφ_Rが
印加される。さらにSL_iはトランスフアートラン
ジスタQ_Tiを通して、スイツチトランジスタQ_Siに
接続されている。Q_Tiのゲートは全て共通になさ
れ、トランスフアーパルスφ_Tが印加される。Q_Ti
とQ_Siの接続部には適当なキヤパシタC_Tiが設けら
れ、Q_Siはさらに全てのQ_Siに共通して適当な負荷
抵抗R_Lによつて接地され、この負荷抵抗が全て
のQ_Siに接続している点が出力端子V_putとなる。
スイツチトランジスタQ_Siのゲートには水平シフ
トレジスタ１３に導かれ、読み出しパルスφ_Siが
印加される。埋め込みラインBL_jは埋め込みライ
ン選択トランジスタQ_Bjを通して、電源V_DDに接続
されている。Q_Bjのゲートは垂直シフトレジスタ
１２に導かれ、埋め込みライン選択パルスφ_Bjが
印加される。垂直アドレス線GL_jは垂直シフトレ
ジスタ１１に導かれ、垂直アドレスパルスφ_Gjが
印加される。

第１図ｄに読み出しのパルスのタイミングチヤ
ートを参照して、動作について説明する。垂直シ
フトレジスタ１１は垂直アドレスパルスφ_G1，…
…，φ_Gnを順次出力するが、第１図ｄではちよう
どφ_Gjとそれにつづくφ_Gj+1のところを示してい
る。時刻t₁で、トランスフアーパルスφ_Tiによつて
トランスフアートランジスタQ_Tiが導通状態にな
つた後、時刻t₂でリセツトパルスφ_Rによつてリセ
ツトトランジスタQ_Riを通して信号読み出しライ
ンSL_iとC_Tiはともに接地電位となる。時刻t₃でま
ず埋め込みライン選択パルスφ_BjによつてBL_jだ
けがV_DDによつてQ_Bjを通してバイアスされる。こ
のとき、BL_jの電位が所定の値となるようにφ_Bj
の値及びV_DDが決められる。それにつづいてすぐ
に時刻t₄において垂直アドレスパルスφ_Gjによつ
て垂直アドレスラインGL_jに接続された画素C_1j
〜C_ojの各SIPTは入射光量に応じた放電をする。
ここでt₃とt₄の間隔はBL_jの電位が前述の所定の
値に充電されるのに要する時間程度とする。時刻
t₅にφ_Gj，φ_Bj，φ_Tが同時に切れることによつて画
素C_1j〜C_ojの光情報はそれぞれに対応するC_T1，
……，C_Toに記憶される。その後、t₆，t₇，t₈…
…，t₉に水平シフトレジスタ１３は読み出しパル
スφ_S1，φ_S2，φ_S3……，φ_Soを順次発生させ、Q_S1，
……，Q_Soを順次導通させて、C_Tiに蓄えられた電
荷をR_Lを通して放電させることによつてC_1j，…
…，C_ojの光情報が出力される。このように水平
一列の光情報が出力し終ると、次にC_1j+1，……，
C_oj+1の光情報を読み出すべく、同様の手順が繰
返される。

第１図ａ，ｄにおいて、Q_Pi，Q_Ri，Q_Ti，Q_Si，
Q_Bjは全てMOSトランジスタと表示してあるが、
これらはいずれも全てMOSトランジスタである
必要はなく、SIT、バイポーラトランジスタ、
JFETなどのスイツチングトランジスタであつて
もよいことはもちろんである。

第３図にこの固体撮像装置を構成する一画素の
構造を示す一例を上げる。ａはその表面構造を、
ｂはａにおいてＡ−A′で示される線での断面構
造を、それぞれ模式的に現わしている。ここに示
した構造の例では、ｐ型Si基板318上に作られた
ｎチヤンネルSIPTと、ドープトポリシリコンな
どの導電性透明電極３１１とSiO₂などの透明絶
縁膜３１２とSIPTのp⁺ゲート３１６によつて構
造されるMOSキヤパシタによつて一画素が構成
されている。

第３図ａにおいて、垂直アドレスラインGL_j３
５はSL_i３９と直交しているので、SL_i３９が信号
読み出しラインとなる。従つてこの構成例では、
第１図ａに示した実施例ではSIPTは倒立動作、
第１図ｃに示した実施例ではSIPTは正立動作と
なる。GL_jが埋め込みラインに直交するような構
成をとれば、逆に、第１図ａに示した実施例では
SIPTは正立動作、第１図ｃに示した実施例では
SIPTは倒立動作となる。このときは、もちろん、
埋め込みラインが信号読み出しラインとなる。

以下、SIPTは正立動作として説明する。

第３図ａは画素C_ijを中心に一画素の表面構造
を示している。図中一点鎖線で囲まれた部分がそ
れに相当する。３５は垂直アドレスラインGL_j、
３４は埋め込みラインBL_j、３９は信号読み出し
ラインSL_iを表す。BL_j３４とGL_j３５は平行に、
そしてSL_i３９には直交している。それぞれの交
差部分はSiO₂やPSGなどの絶縁物によつて、互
いに絶縁されている。さらに図中には信号読み出
しラインSL_i-1３１、埋め込みラインBL_j-1３３、
垂直アドレスラインGL_j+1３７も示されている。
３２，３６，３８，３１０はAl−Siのような高
い導通性の物質で、それぞれSL_i-1３１、GL_j３
５、GL_j+1３７、SL_i３９の抵抗を減少させるた
めに設けてある。

第３図ｂにおいて、n⁺領域３１４はSIPTのソ
ース領域で、n⁺領域３１５はドレイン領域、n⁺
領域３１７はチヤンネル領域、領域３１３は分離
領域で隣り合う画素を互いに分離している。図に
は示されないが、第３図ａにおいて縦に隣り合う
画素も同様に分離領域が設けられている。ソース
領域３１４はドープトポリシリコンなどの導電性
透明電極３１９によつて電極がとられ信号読み出
しライン３９へと接続される。埋め込まれたドレ
イン領域３１５は図中紙面に垂直な方向に連続し
ていて、埋め込みラインとなつているが、表面か
らAl−Siのような高い導電性の電極３４をつけ
ることによつて、この埋め込みラインの抵抗を小
さくしている。ゲートキヤパシタの電極３１１
は、これと同一の物質で構成される垂直アドレス
ライン３５に接続されている。

画素の構成が上で説明したように、全ての配線
が表面で取られているので、読み出しの為に設け
られるスイツチトランジスタを同一チツプ上に製
作することは容易にできる。スイツチトランジス
タをｐウエル上にｎチヤンネルMOSトランジス
タとして構成する場合、ｐウエルの電位はｐ基板
３１８と同じになる。ｐ基板には基板深くへ侵入
する長波長光によつて励起されたホールを拡散さ
せない為に、逆バイアスがかけられることもあ
る。このような場合も、本発明ではφ_Bのパルス
電圧によつて基板バイアス効果を補償できる。

〔発明の効果〕

本発明の固体撮像装置の信号読み出し方法は、
埋め込みライン選択トランジスタのアドレスパル
スを、垂直アドレスラインとは独立にすることに
よつて、アドレスパルスに対する埋め込みライン
選択トランジスタと埋め込みラインの持つ容量に
よる遅れを補償し、さらに基板バイアスの効果を
補償することができる。これによつてSIPTを最
適な条件で利用でき、高感度で広いダイナミツク
レンジの読み出し方法である。

第６図は発明の効果を示すための図で、第３図
に示した構造のものを第１図ｃ及び第４図ｃに示
した読み出し方法で動作させたときの、一画素の
光電変換特性の例を示している。一画素の寸法は
65μｍ×65μｍで、電源電圧V_DD＝3V、負荷抵抗
R_L＝10kΩ、光積分時間（アドレスから次のアド
レスまでの周期）T_LI＝11msで、波長655nm（赤）
の光を照射しており、横軸はその入射光量Pi
〔μW／cm²〕、たて軸は暗状態との出力電圧V_putの
差ΔV_put〔mV〕を示している。本発明の読み出し
方法ではさらにφ_B＝5Vとしφ_Gに対して100ns速く
入力する。φ_G＝3Vのときは従来例に対して本発
明では飽和出力で２倍以上大きい出力が得られて
いる。さらに従来例でφ_G＝5Vとすると、感度が
約0.7倍と小さくなつてしまい、SIPTが最適動作
となつていないことがわかる。埋め込みライン選
択トランジスタのしきい値電圧は、この例では
1Vであるが、強い入射光による誤動作を防ぐ為
にも、しきい値電圧はある程度大きいことが望ま
しい。このように本発明ではSIPTの持つ高い光
感度を利用でき、この例では10^-2μw／cm²の微弱
光から10μw／cm²以上の光まで直線性よく読み出
すことができている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例で、ａは構成の一例
を、ｂはその読み出しの動作波形を示し、ｃは別
の例で、ｄはその読み出しの動作波形を示す図、
第２図は本発明の動作を説明するための図で、ａ
は第１図ａに相当し、ｂは第１図ｃに相当し、ｃ
は垂直アドレスパルスを示す図、第３図は一画素
の構成例で、ａは表面構造、ｂは断面構造を示す
図、第４図は従来の技術を説明するための図で、
ａは構成例、ｂはその読み出しの動作波形を示
し、ｃは別の構成例で、ｄはその読み出しの動作
波形を示す図、第５図は従来の技術の持つ問題点
を説明するための図で、ａは第４図ａに相当し、
ｂは第４図ｃに相当し、ｃは垂直アドレスパルス
を示す図、第６図は本発明の効果を示すための図
で、試作及び実験で確かめられたものである。 １……静電誘導ホトトランジスタ、２……ゲー
トキヤパシタ、C_ij（ｉ＝１〜ｎ、ｊ＝１〜ｍ）…
…画素、GL_j（ｊ＝１〜ｍ）……垂直アドレスラ
イン、SL_i（ｉ＝１〜ｎ）……信号読み出しライ
ン、BL_j（ｊ＝１〜ｍ）……埋め込みライン、Q_Bj
（ｊ＝１〜ｍ）……埋め込みライン選択トランジ
スタ、Q_Pi（ｉ＝１〜ｎ）……プリチヤージトラン
ジスタ、V_P……プリチヤージ電源、Q_Ti（ｉ＝１
〜ｎ）……トランスフアートランジスタ、Q_Si（ｉ
＝１〜ｎ）……スイツチトラジスタ、V_put……出
力端子、R_L……負荷抵抗、Vv……ビデオ電源、
φ_Bj（ｊ＝１〜ｍ）……埋め込みライン選択パル
ス、φ_Gj（ｊ＝１〜ｍ）……垂直アドレスパルス、
Q_Ri（ｉ＝１〜ｎ）……リセツトトランジスタ、
V_DD……電源。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 静電誘導ホトトランジスタとゲートキヤパシ
   タから構成された画素C_ijをｎ×ｍのマトリクス
   に構成し、垂直アドレスラインGL_j（ｊ＝１〜ｍ）
   は前記画素C_ij（ｉ＝１〜ｎ）を構成する前記静電
   誘導トランジスタのゲートに前記ゲートキヤパシ
   タを介して共通に接続され、信号読み出しライン
   SL_i（ｉ＝１〜ｎ）は前記画素C_ij（ｊ＝１〜ｍ）を
   構成する前記静電誘導ホトトランジスタのドレイ
   ンに共通に接続され、埋め込みラインBL_j（ｊ＝
   １〜ｍ）は前記画素C_ij（ｉ＝１〜ｎ）を構成する
   前記静電誘導ホトトランジスタのソースに共通に
   接続され、前記埋め込みラインBL_j（ｊ＝１〜ｍ）
   はスイツチトランジスタQ_Bjを通して接地され、
   前記信号読み出しラインSL_i（ｉ＝１〜ｎ）はスイ
   ツチトランジスタQ_Piを通して共通にプリチヤー
   ジ電源に接続され、前記スイツチトランジスタ
   Q_Piのゲートは共通になされ、さらに前記信号読
   み出しラインSL_i（ｉ＝１〜ｎ）は二つの直列に接
   続されたスイツチトランジスタQ_Ti及びスイツチ
   トランジスタQ_Siを介して共通に出力端子に接続
   され、前記出力端子は接地との間に一つの負荷抵
   抗及びビデオ電源が接続され、前記スイツチトラ
   ンジスタQ_Ti（ｉ＝１〜ｎ）はゲートが全て共通に
   なされた固体撮像装置において、垂直アドレスの
   ときにまず前記埋め込みラインBL_j（ｊ＝１〜ｍ）
   に接続された前記スイツチトランジスタQ_Bjへの
   アドレスパルスが前記垂直アドレスラインGL_jへ
   のアドレスパレスとは独立してかつ所定の時間だ
   け早く入力することを特徴とする固体撮像装置の
   信号読み出し方法。 ２ 静電誘導ホトトランジスタとゲートキヤパシ
   タから構成された画素C_ijをｎ×ｍのマトリクス
   に構成し、垂直アドレスラインGL_j（ｊ＝１〜ｍ）
   は前記画素C_ij（ｉ＝１〜ｎ）を構成する前記静電
   誘導ホトトランジスタのゲートに前記ゲートキヤ
   パシタを介して共通に接続され、信号読み出しラ
   インSL_i（ｉ＝１〜ｎ）は前記画素C_ij（ｊ＝１〜
   ｍ）を構成する前記静電誘導ホトトランジスタの
   ソースに共通に接続され、埋め込みラインBL_j
   （ｊ＝１〜ｍ）は前記画素C_ij（ｉ＝１〜ｎ）を構
   成する前記静電誘導ホトトランジスタのドレイン
   に共通に接続され、前記埋め込みラインBL_j（ｊ
   ＝１〜ｍ）はスイツチトランジスタQ_Bjを通して
   共通して所定の電源に接続され、前記信号読み出
   しラインSL_i（ｉ＝１〜ｎ）はスイツチトランジス
   タQ_Riを通して接地され、前記スイツチトランジ
   スタQ_Riのゲートは共通になされ、さらに前記信
   号読み出しラインSL_i（ｉ＝１〜ｎ）は二つの直列
   に接続されたスイツチトランジスタQ_Ti及びスイ
   ツチトランジスタQ_Siを介して共通に出力端子に
   接続され、前記出力端子は接地との間に一つの負
   荷抵抗が接続され、前記スイツチトランジスタ
   Q_Ti（ｉ＝１〜ｎ）はゲートが全て共通になされた
   固体撮像装置において、垂直アドレスのときにま
   ず前記埋め込みラインBL_j（ｊ＝１〜ｍ）に接続
   された前記スイツチトランジスタQ_Bjへのアドレ
   スパルスが前記垂直アドレスラインGL_jへのアド
   レスパルスとは独立してかつ所定の時間だけ早く
   入力することを特徴とする固体撮像装置の信号読
   み出し方法。