JPH0445254Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0445254Y2 JPH0445254Y2 JP1984193258U JP19325884U JPH0445254Y2 JP H0445254 Y2 JPH0445254 Y2 JP H0445254Y2 JP 1984193258 U JP1984193258 U JP 1984193258U JP 19325884 U JP19325884 U JP 19325884U JP H0445254 Y2 JPH0445254 Y2 JP H0445254Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- common contact
- regions
- common
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は分周回路等の抵抗比を使用した装置に
おける半導体抵抗装置の改良に関する。
おける半導体抵抗装置の改良に関する。
(ロ) 従来の技術
半導体集積回路においては、通常Ｐ型半導体基
板の上にｎ型半導体層をエピタキシヤル成長さ
せ、このエピタキシヤル層にP+型アイソレーシ
ヨン領域を部分拡散することにより他領域と電気
的に分離した島領域を形成し、この島領域内にト
ランジスタ等の素子を形成している。
板の上にｎ型半導体層をエピタキシヤル成長さ
せ、このエピタキシヤル層にP+型アイソレーシ
ヨン領域を部分拡散することにより他領域と電気
的に分離した島領域を形成し、この島領域内にト
ランジスタ等の素子を形成している。
ところで第２図イに示すような分周回路でトラ
ンジスタQ1、Q2のようにコレクタを共通とし、
しかも付随する抵抗R1，R2が高抵抗値である回
路を具現化する場合、第２図ロに示すようなパタ
ーンで形成していた。同図において１１はP+型
アイソレーシヨン領域により島状に分離されたｎ
型島領域、１２ａ，１２ｂはトランジスタQ1、
Q2のn+型コレクタコンタクト領域、１３は抵抗
R1，R2のn+型共通コンタクト領域、１４は共通
コンタクト領域１３上に設けられたコンタクトホ
ールであり、これらが同一の島領域１１内に左右
対称に配置され、R1，R2はエピタキシヤル層の
高シート抵抗を用いて高抵抗値を実現している。
ンジスタQ1、Q2のようにコレクタを共通とし、
しかも付随する抵抗R1，R2が高抵抗値である回
路を具現化する場合、第２図ロに示すようなパタ
ーンで形成していた。同図において１１はP+型
アイソレーシヨン領域により島状に分離されたｎ
型島領域、１２ａ，１２ｂはトランジスタQ1、
Q2のn+型コレクタコンタクト領域、１３は抵抗
R1，R2のn+型共通コンタクト領域、１４は共通
コンタクト領域１３上に設けられたコンタクトホ
ールであり、これらが同一の島領域１１内に左右
対称に配置され、R1，R2はエピタキシヤル層の
高シート抵抗を用いて高抵抗値を実現している。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
このような回路でマスク合せの段階でマスクず
れが生じた時共通コンタクト領域１３が左右にず
れる場合がある。このような時、コレクタコンタ
クト領域１２ａ，１２ｂと共通コンタクト領域１
３との距離、つまりR1とR2の長さに微妙な差が
生じる。シート抵抗が低い場合は問題ないが、高
シート抵抗であるためにこれが大きな抵抗値の差
として表れ、Q1、Q2のドライブがアンバランス
となり、結果として第２図イのトランジスタQ3
もしくはQ4をONできず、分周不能になる。
れが生じた時共通コンタクト領域１３が左右にず
れる場合がある。このような時、コレクタコンタ
クト領域１２ａ，１２ｂと共通コンタクト領域１
３との距離、つまりR1とR2の長さに微妙な差が
生じる。シート抵抗が低い場合は問題ないが、高
シート抵抗であるためにこれが大きな抵抗値の差
として表れ、Q1、Q2のドライブがアンバランス
となり、結果として第２図イのトランジスタQ3
もしくはQ4をONできず、分周不能になる。
このように従来のものではマスクずれによる微
妙な変化が結果として回路の正常な動作を妨げ、
歩留りを著しく悪くするという欠点があつた。
妙な変化が結果として回路の正常な動作を妨げ、
歩留りを著しく悪くするという欠点があつた。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は斯上した欠点に鑑みてなされ、共通コ
ンタクト領域をマスクずれによる変化がR1とR2
の長さの差として生じないようにそのコンタクト
ホールより十分大きくすることにより従来の欠点
を除去した。
ンタクト領域をマスクずれによる変化がR1とR2
の長さの差として生じないようにそのコンタクト
ホールより十分大きくすることにより従来の欠点
を除去した。
(ホ) 作用
本考案によりマスクずれによる変化がR1，R2
の長さの差として表れないので、R1，R2の抵抗
値がアンバランスにならない。
の長さの差として表れないので、R1，R2の抵抗
値がアンバランスにならない。
(ヘ) 実施例
第１図イに本考案による一実施例を示す。同図
において、１はP+型アイソレーシヨン領域によ
り他領域とは電気的に分離されたｎ型島領域、２
ａ，２ｂは第１コンタクト領域で且つトランジス
タQ1，Q2のコレクタ取出しであるn+型コレクタ
コンタクト領域、３は第２コンタクト領域で且つ
抵抗R1，R2の共通取出しであるn+型共通コンタ
クト領域、４は共通コンタクト領域３に設けられ
たコンタクト孔である。同図から明らかな如く、
これらが同一の島領域１内に左右対称に配置さ
れ、R1，R2はエピタキシヤル層の高シート抵抗
を用いて共通コンタクト領域３とコレクタコンタ
クト領域２ａ，２ｂ間にそれぞれ設けられ、R1，
R2および共通コンタクト領域３でコの字状に設
けられている。（実施例１） 本考案の最も特徴とする点は、共通コンタクト
領域３をそのコンタクト孔４より左右に十分大き
くした点にある。この構造によれば、共通コンタ
クト領域３と各コレクタコンタクト領域２ａ，２
ｂとの最短距離を結ぶライン、つまり実質的に
R1，R2として動作する領域は完全に平行になる。
従つてマスクずれにより共通コンタクト領域３が
左右にずれたとしても最短距離は変化しないので
R1，R2の抵抗値がアンバランスになることはな
い。
において、１はP+型アイソレーシヨン領域によ
り他領域とは電気的に分離されたｎ型島領域、２
ａ，２ｂは第１コンタクト領域で且つトランジス
タQ1，Q2のコレクタ取出しであるn+型コレクタ
コンタクト領域、３は第２コンタクト領域で且つ
抵抗R1，R2の共通取出しであるn+型共通コンタ
クト領域、４は共通コンタクト領域３に設けられ
たコンタクト孔である。同図から明らかな如く、
これらが同一の島領域１内に左右対称に配置さ
れ、R1，R2はエピタキシヤル層の高シート抵抗
を用いて共通コンタクト領域３とコレクタコンタ
クト領域２ａ，２ｂ間にそれぞれ設けられ、R1，
R2および共通コンタクト領域３でコの字状に設
けられている。（実施例１） 本考案の最も特徴とする点は、共通コンタクト
領域３をそのコンタクト孔４より左右に十分大き
くした点にある。この構造によれば、共通コンタ
クト領域３と各コレクタコンタクト領域２ａ，２
ｂとの最短距離を結ぶライン、つまり実質的に
R1，R2として動作する領域は完全に平行になる。
従つてマスクずれにより共通コンタクト領域３が
左右にずれたとしても最短距離は変化しないので
R1，R2の抵抗値がアンバランスになることはな
い。
第１図ロに他の実施例を示す。同図から明らか
な如く、第１図イの共通コンタクト領域３とコレ
クタコンタクト領域２ａ，２ｂに突出部を設けて
いる。本実施例も実施例１と同様に、R1，R2お
よび共通コンタクト領域３でコの字状に設けら
れ、実施例１と全く同様の効果が得られる。（実
施例２） なお、本考案はマスクずれが左右方向に生じる
という観点で考えられているが、マスクずれは他
に上下方向に生じるものと斜めに生じるものが考
えられる。上下方向については左右の抵抗値が同
様に変化するので全く問題ないのは自明である
が、斜めにずれるものについては効果を期待でき
ない。しかしながら、露光器の性質上マスクずれ
が斜めに生じることはほとんど無いのでこの点に
ついても全く問題ない。
な如く、第１図イの共通コンタクト領域３とコレ
クタコンタクト領域２ａ，２ｂに突出部を設けて
いる。本実施例も実施例１と同様に、R1，R2お
よび共通コンタクト領域３でコの字状に設けら
れ、実施例１と全く同様の効果が得られる。（実
施例２） なお、本考案はマスクずれが左右方向に生じる
という観点で考えられているが、マスクずれは他
に上下方向に生じるものと斜めに生じるものが考
えられる。上下方向については左右の抵抗値が同
様に変化するので全く問題ないのは自明である
が、斜めにずれるものについては効果を期待でき
ない。しかしながら、露光器の性質上マスクずれ
が斜めに生じることはほとんど無いのでこの点に
ついても全く問題ない。
(ト) 考案の効果
本考案によればマスクずれによるR1，R2の抵
抗値の差を防止しているので、これに伴うトラン
ジスタのドライブがアンバランスになることを防
ぎ、結果としてマスクずれによる回路の動作不良
等の不良を無くして歩留りを向上させる効果を有
する。さらに、マスク合せの際に高い精度合せが
不要になるという効果も有する。
抗値の差を防止しているので、これに伴うトラン
ジスタのドライブがアンバランスになることを防
ぎ、結果としてマスクずれによる回路の動作不良
等の不良を無くして歩留りを向上させる効果を有
する。さらに、マスク合せの際に高い精度合せが
不要になるという効果も有する。
第１図イ〜ロは本考案による半導体抵抗装置を
示す平面図、第２図イは一般的な分周回路の回路
図、第２図ロは従来の半導体抵抗装置を示す平面
図である。 主な図番の説明、２ａ，２ｂはコレクタコンタ
クト領域、３は共通コンタクト領域、Q1，Q2は
トランジスタ、R1，R2は抵抗である。
示す平面図、第２図イは一般的な分周回路の回路
図、第２図ロは従来の半導体抵抗装置を示す平面
図である。 主な図番の説明、２ａ，２ｂはコレクタコンタ
クト領域、３は共通コンタクト領域、Q1，Q2は
トランジスタ、R1，R2は抵抗である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板表面に形成され他領域と電気的に隔
離された１つの島領域内に、その一端は共通コン
タクト領域となる拡散領域に共通に接続され、他
端は分離された２つのコンタクト領域となる拡散
領域にそれぞれ接続され、この共通コンタクト領
域を間にしてコの字状に成るよう同一方向に延在
され隣接して設けられた２つの抵抗と、 前記共通コンタクト領域および前記コンタクト
領域上の絶縁膜にそれぞれ設けられたコンタクト
ホールとを具備した半導体装置において、 前記共通コンタクト領域と前記コンタクト領域
とを結ぶ最短距離のラインが平行となるように、
前記抵抗体の延在方向と交差する方向に、前記共
通コンタクト領域のコンタクトホールより十分に
長く前記共通コンタクト領域を設け、前記共通コ
ンタクト領域がこの延在方向にずれたとしても前
記２つの抵抗として実質的に動作する領域の長さ
が変化しないようにしたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984193258U JPH0445254Y2 (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984193258U JPH0445254Y2 (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61106047U JPS61106047U (ja) | 1986-07-05 |
| JPH0445254Y2 true JPH0445254Y2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=30750677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984193258U Expired JPH0445254Y2 (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445254Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5867058A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-21 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS59101859A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-12-19 JP JP1984193258U patent/JPH0445254Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61106047U (ja) | 1986-07-05 |
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