JPH0445425A - 液晶パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、平面的に７レイ状に多数配置された順スタガ
ー型及び逆スタガー型薄膜トランジスタを具備する液晶
パネルに関し、特にゲート用半導体とドレイン用導電体
等との層間短絡不良によって発生する十字線状の線欠陥
表示不良を低減させることのできる液晶パネルの製造方
法に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の液晶パネルに用いる薄膜トランジスタは
例えば逆スタガー型薄膜トランジスタの構造を有し、第
３図に模式的平面図及び第４図に模式的断面図を示すよ
うに、以下の方法により製造されていた。即ちガラス基
板１上にゲート電極２としてのＩＴＯやクロム等の膜を
所望の形状に付着形成させ、次にゲート絶縁膜としての
二酸化シリコンや窒化シリコン等の層間絶縁膜３を所望
の厚みに付着形成させ、しかる後に能動素子４として機
能する非晶質シリコンあるいは多結晶シリコン、更には
次に形成されるドレイン５やソース６等の電極とオーミ
ックコンタクトを得るための高濃度のリンやボロン等を
含むシリコン（図示省略）膜を所望の形状に付着形成さ
せて薄膜トランジスタを製造していた。ドレイン電極や
ソース電極のための金属材料は一般に不透明なアルミニ
ウムやクロム金属が用いられ、液晶を表示するためのビ
クセル電極７は、例えばＩＴ○膜、酸化スズ等の透明導
電膜で構成され、ソース電極６と電気的に接続されるも
のであった。

薄膜トランジスタの動作によってドレイン電極からソー
ス電極へ注入された電荷を長時間ビクセル電極上に保存
するためには、所望により層間絶縁膜の下層に下部電極
８及び下部電極パスライン８′を形成し、ピクセル電極
７との間に蓄積容量を形成するものであった。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した液晶パネル用薄膜トランジスタは、ゲート電極
２あるいはゲート電極パスライン２′とドレイン電極５
あるいはドレイン電極パスライン５′との交差配線部（
第２図斜線部）にて層間絶縁膜の欠陥等に起因する層間
短絡不良を引き起こす確率が高く、製造される液晶パネ
ルは低歩留りとなるものであった。

即ち薄膜トランジスタは単一の基板上に数万〜数百万素
子形成されるが、これに伴って上記の交差配線部は数万
〜数百万箇所にもなる。これらの交差配線部の層間絶縁
膜中に唯一箇所欠陥があっても、下層のゲート電極パス
ライン上層のドレイン電極パスラインとは層間短絡を引
き起こし、結果的に製造される液晶パネルはこの層間短
絡したドレイン電極パスラインとゲート電極パスライン
とに相対応した十字状の線欠陥表示を示し、実用には耐
えないものであった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の液晶パネルの製造方法は、ドレイン（ソース）
電極あるいはシリコン薄膜に被覆されていない領域のゲ
ート電極を所望によってレーザ光線によって切断し、も
ってパネルの表示面に十字状に発生する前記の線欠陥表
示不良を視認性の低い点欠陥表示不良に変換して液晶パ
ネルの製造歩留りを高めることにある。

あるいはまた、前記下部電極のパスラインの少なくとも
一つをレーザ光線によって切断するものである。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の液晶パネルの製造方法に用いる薄膜ト
ランジスタアレイの模式的平面図である。

蓄積容量のための下部電極８及び下部電極パスライン８
′として厚み１０００人のＩＴＯ膜をガラス基板上に所
望の形状に付着形成させ、次にゲト電極２及びゲート電
極パスライン２′として厚み２０００人のクロムを所望
の形状に付着形成させる。ここにおいてゲート電極２は
スリット部９を具備する形状に形成される。しかる後に
ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜として厚み２０００人の二
酸化シリコンと厚み５００　ＱＡの窒化シリコンを積層
させて所望の形状に付着形成させるＣ図示省略）。能動
素子領域には厚み５０００人の非晶質シリコン薄膜４．
並びに次工程で形成されるドレイン電極とソース電極と
のコンタクト用としてのリンを含有する厚み１０００人
のシリコン薄膜（図示省略）を付着させ所望の形状に形
成する。

次にトレイン電極５及びドレイン電極パスライン５′、
ソース電極６として厚み２０００人のりｐムを所望の形
状に付着形成させ、更に厚み１０００人のＩＴＯ膜をソ
ース電極と一部積層させて所望の形状に付着形成させピ
クセル電極７を構成する。

さて第１図において、ゲート電極２上においてゲート電
極とソースあるいはドレイン電極とが層間短絡している
場合（第１図斜線部）には、矢印で示すゲート電極部に
レーザ光を照射して破線部で示すゲート電極を切断する
。この操作によって、十字状に線表示される液晶パネル
は、層間短絡現象が解消されたために、視認性の低い点
欠陥状を示す表示±−トに変換される。

第２図は本発明の第２の実施例を示す図である。

図においてドレイン電極パスライン５′と下部電極パス
ライン８′との交差部である斜線部において、前記両パ
スラインが層間短絡している場合には、第２図に矢印で
示す２箇所において下部電極バスラインヘレーザ光を照
射し、この領域のパスライン２箇所を切断させるもので
ある。本実施例においては、下部電極パスラインは図の
切断部左右両端２箇所において外部から同一の電気信号
が供給されるべきものであり、本切断によって図に示す
薄膜トランジスタの下部電極の機能は実効的に無効とな
り、該トランジスタによる液晶ピクセルは半点灯の点状
の欠陥表示を示すことになる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、薄膜トランジスタのゲー
ト上部で層間短絡し、結果として十字線状の表示不良を
引き起こしている薄膜トランジスタのゲート電極を切断
し、もってこの薄膜トランジスタの機能を停止さセて層
間短絡現象を実効的に解消するものである。これはとり
も直さず十字状に忍められる線欠陥表示不良が、僅かに
０．１〜０．３Ｍ程度の視認性の低い点状の欠陥表示へ
変換されたことを意味する。本発明が上記の効果を呈す
る以上、本発明は薄膜トランジスタの形状や材質あるい
はその配置数量等のよって何ら規制されるものではなく
、また用途も特に限定されるべきものではないことは論
を待たない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の液晶パネル製造方法に用いる薄膜トラ
ンジスタの模式的平面図、第２図は第２の実旅例を示す
薄膜トランジスタの平面図、第３図は層間短絡を１起す
る領域を斜線部で示す薄膜トランジスタの平面図、第４
図は第３図のＡ−Ａ’線断面図である。 ２・・・・・・ゲート電極、２′・・・・・・ゲート電
極パスライン、３・・・・・・ゲート絶縁膜２層間絶縁
膜、４・・団・非晶質シリコン、５・・・・・・ドレイ
ン１１Ｅ極、５’・・・・・・ドレイン電極、パスライ
ン、６・・・・・・ソース電極、７・・・・・・ピクセ
ル電極、８・・・・・・下部電極、８′・・・・・・下
部電極パスライン、９・・・・・・切断部。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 第３図 第４区

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）蓄積容量用下部電極と、ゲート電極と、層間絶縁
   膜と、非晶質シリコン層と、ソース及びドレイン電極と
   、ソース電極に接続されたピクセル電極とを具備する順
   スタガー型及び逆スタガー型構造の薄膜トランジスタを
   用いた液晶パネルにおいて、該トランジスタの一部へレ
   ーザ光を照射することによって、十字線状の線欠陥表示
   を点状の欠陥表示へ変換することを特徴とする液晶パネ
   ルの製造方法。
2. （２）請求項１記載の液晶パネルの製造方法において、
   前記ゲート電極の少なくとも一つあるいは蓄積容量用下
   部電極の少なくとも２箇所を切断することを特徴とする
   液晶パネルの製造方法。