JPH0248639A - 透過型アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents

透過型アクティブマトリクス液晶表示装置

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JPH0248639A
JPH0248639A JP63200782A JP20078288A JPH0248639A JP H0248639 A JPH0248639 A JP H0248639A JP 63200782 A JP63200782 A JP 63200782A JP 20078288 A JP20078288 A JP 20078288A JP H0248639 A JPH0248639 A JP H0248639A
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liquid crystal
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    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は薄膜トランジスタ（以下、ｒＴＦＴ。
と称す）を非線型素子として用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に関し、特に各絵素に電荷蓄積用付加
容量が接続されたものに関する。
〈従来の技術） 第３図に従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
説明するための平面図を示す、また、第３図のＩＶ−Ｉ
Ｖ線に沿う断面図を第４図に示す。
この従来の液晶表示装置では、絶縁性基板７−１−に、
複数本のゲートパスライン、２とソースパスライン３．
３とが縦横に配置されている。これらのゲートパスライ
ン、２とソースパスライン３．３とで囲まれた各領域に
絵素電極４が形成されている。この絵素を極４上には、
絵素として、図示しない液晶セルが配置されている。そ
して、各絵素を駆動するために、ＴＦＴ５が構成されて
いる。絵素電極４の下方には、後述する電荷蓄積用付加
容量を構成するための付加容量用電極６のパターンが形
成されている。
絶縁性基板７の上面にはＴＰＴ５のゲート電極８が形成
されているが、このゲート電極８は上述したゲートパス
ライン２の一部として形成されている。ゲート電極８と
同時に、付加容量用電極６が、該ゲート電８ｉ！８と同
一材料で、且つ同一平面上に形成されている。
ゲート電極８上には、陽極酸化膜９及びゲート絶縁膜１
０が形成されている。この陽極酸化膜９及びゲート絶縁
膜１０は、ＴＰＴ５が構成されている領域以外にも形成
されている。即ち、付加容量用電極６上にも積層されて
いる。
更に、ＴＰＴ５を構成するために、ゲート電極８の上方
のゲート絶縁膜１０上には、ｉ−アモルファスシリコン
（ａ”ｓｉ）膜１１、絶縁膜１２、ｎ”−ａ−Ｓｉ膜１
３、ソース電極１４ａ、及びドレイン電極１４ｂが積層
されている。ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂ
は、前述のソースパスライン３．３と同一材料により、
且つ同時に形成されている。更に、絵素電極４がドレイ
ン電極１４ｂと電気的に接続されるように積層されてい
る。絵素電極４及びＴＰＴ５上には保護絶縁膜１５が形
成されている。
この構造では、絵素電極４と付加容量用電極６との間に
、上述した陽極酸化膜９及びゲート絶縁膜１０の２層か
らなる誘電体層が介在されている。
従って、絵素電極４と付加容量用電極６とによって電荷
蓄積用付加容量が構成される。この付加容量は、絵素に
よる容量と並列に形成されることになり、これにより電
荷保持特性の改善が図られている。
（発明が解決しようとする課題） 上述のような従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置では、付加容量部分４ｉ＋６上の、２層の絶縁膜によ
り、即ち陽極酸化膜９及びゲート絶縁膜１０により誘電
体層が構成されている。しかしながら、この誘電体層に
、何らかの異物が混入することにより、或いはその他の
原因により、ピンホールが生じた場合、その上に形成さ
れた絵素電極４と、下方に形成された付加容量用電極６
とが導通することになる。その結果、絵素電極４に接続
されなＴＰＴ５が選択された場合、該当の絵素電極４か
ら付加容量用型８ｉ６側に電流がリークし、表示欠陥を
生じさせる。従って、絵素電極４と付加容量用電極６と
の間に介在する２屑の絶縁膜中のピンホールの存在が、
表示装置の製造歩留の低下の原因となっていた。
よって、本発明の目的は、付加容量部分における電流リ
ークに基づく表示欠陥を低減することが可能な構造を備
えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を提供する
ことにある。
（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、マト
リクス状に配列された絵素電極と、該絵素を極を駆動す
るために該絵素電極の各々の近傍に配された薄膜トラン
ジスタと、該絵素電極の各々の少なくとも一部分と対向
して付加容量を形成するための付加容量用電極とを備え
、該薄膜トランジスタのゲート電極と該付加容量用電極
とが絶縁性基板上に形成され、少なくとも該ゲート電極
及び該付加容量用電極の上方にゲート絶縁膜が形成され
、少なくとも該薄膜トランジスタ及び該ゲート絶縁膜の
上方に保護絶縁膜が形成されているアクティブマトリク
ス型液晶表示装置であって、該絵素電極が該保護絶縁膜
の上方に形成されており、該絵素電極と該付加容量用電
極との間に該保護絶縁膜と該ゲート絶縁膜とが介設され
ており、そのことにより上記目的が達成される。
（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。
第２図は本発明アクティブマトリクス型液晶表示装置の
一実施例の平面図であり、第１図は第２図のＩ−ｒ線に
沿う断面図である。
絶縁性基板２７上にマトリクス状にゲートパスライン２
、２２及びソースパスライン２３．２３が配置されてい
る。これらのゲートパスライン２２及びソースパスライ
ン２３で区画された各領域に絵素電極２４が形成されて
おり、該絵素電極２４上に図示しない液晶セルが配置さ
れる。また、２５はＴＰＴが構成されている部分を示し
、２６は付加容量を形成するための付加容量用電極を示
ず、ここまでは、第３図に示した従来例と同様である。
本実施例の特徴は、上述の付加容量用を極２６上に構成
される積Ｎ誘電体層にある。
以下、第］、図を参照しつつ、ＴＰＴ部分及び付加容量
部分の構造を明らかにする。絶縁性基板２７上には、ゲ
ート電極２８及び付加容量用；極２６が形成されている
。ゲート電極２８は、上述したゲートパスライン２２の
一部どして形成され、ゲートパスライン２２と同時に形
成されるや　また、本実施例では、付加容量用を極２６
も、ゲート電極２８と同一材料により、同一平面上に形
成されている。
ゲート電極２８及び容重形成用ＩＮ？）ｉ２６の上には
陽極酸化膜２９が形成されており、その上方にはゲート
絶縁膜３０が積層されている。そしてＴＰＴ２５の構成
されている領域では、ゲート絶縁膜３０の上方に、ａ−
３ｉ絶縁腹３１、ＳｉＮｘ絶縁［３２、及びｎ”−ａ−
８ｉ膜３３が積層されており、更にソース［１３４ａ、
ドレイン電極３３４ｂが形成されている。
本実施例では、ソースＫ１３４ａ及びドレイン電極３４
ｂを被覆する保護絶縁膜３５が、付加容量を構成する部
分に於いてゲート絶縁膜３０を覆うように形成されてお
り、絵素電極２４は５　この保護絶縁膜３５の上側に形
成されている。
従って、付加容量は、絵素電極２４と付加容量形成用電
８ｉ２６との間に介在された陽極酸化膜２９、ゲート絶
縁膜３０及び保護絶縁膜３５からなる３屑構造の積層誘
電体層により構成されることになる。
このように、本実施例では３Ｎの誘電体層に基づく付加
容量が構成されているので、従来の２ｆｔ１構造の誘電
体層のものに比べ、画電極２４．２６間に絶縁不良が発
生ずる可能性が極めて少なくなり、ピンホールによる絵
素電極と容量形成用電極との間の導通の可能性が効果的
に低減される。
本実施例の具体的な製造工程の一例を説明することによ
り、その構造をより詳細に説明する。
先ず、ガラスからなる絶縁性基板２７上に、スパッタリ
ング或いは電子ビーム蒸着により、Ｔａ、Ａ１．Ｔｉ等
の金属薄膜を２０００〜４０００人の厚さに形成する。
この金属薄膜をパターン化して、ゲーＹ・パスライン２
２、ゲート電極２８及び付加容量用電極２６を同時に形
成する０次に、ゲート電極２８及び付加容量用電極２６
の表面を陽極酸化することにより、膜厚１０００〜３０
００人の陽極酸化膜２９を形成する。その後、プラズマ
ＣＶＤ法により、Ｓ　ｉＮｘからなるゲート絶縁膜３０
を形成する。このようにして、付加容量用を極２６の上
に、陽極酸化Ｍ２９及びゲート絶縁膜３０からなる２Ｎ
の誘電体層が積層される。
更に、連続して、ａ−８ｔからなる半導体膜と、ＳｉＮ
ｘからなる絶縁膜とを形成し、フォトエツチングにより
バターニングすることによりａ−Ｓｉ　Ｍ　３１及び５
ｉＮｘａ３２を形成する０次に、プラズマＣＶＤ法によ
り、ｎ”−ａ−８ｉからなる半導体膜を形成し、フォト
エツチングによりバターニングすることにより、ｎｏ　
ａ　　Ｓｉ膜３３を形成する。更に、スパッタリング或
いは電子ビーム蒸着により、Ｔｉ、Ｍｏ・、Ｗ等を付与
し、フォトエツチングによりバターニングし、ソースｔ
ｉ３４ａ及びドレイン電極３４ｂを形成する。
次に、プラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮｘからなる保護
絶縁膜３５を形成し、これをフォトエツチングによりバ
ターニングし、絵素電極２４とトレイン電１３４ｂとの
電気的接触のためのコンタクトホール４０を形成する。
更に、スパッタリング又は電子ビーム蒸着により、酸化
インジウムを主成分とする透明導電膜を形成し、該透明
導電膜をフォトエツチングによりバターニングすること
により、絵素電極２４を形成する。この絵素電極２４は
、コンタクトホール４０に於いてドレイン電極３４ｂと
電気的に接続される。
上述のようにして、本実施例では、（１加容量用電極２
６と絵素電極２４との間に、陽極酸化膜２９、ゲート絶
縁膜３０及び保護絶縁膜３５からなる３層の積層誘電体
層が形成され、それによって液晶セルの容量と並列に接
続される蓄積付加容量が構成される。
尚、保護絶縁膜は、上述したＳｉＮｘの他、５ｉ０２等
適宜の絶縁材料により構成することができる。
（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、付加容量用電極と絵素
電極との間にはゲート絶縁膜に加えて保護絶縁膜が介在
しているので、各絶縁膜又は誘電体層のピンホールに基
づく絵素電極と付加容量用電極との間の絶縁不良の可能
性を効果的に低減させることができる。よって、付加容
量用部分の絶縁不良に起因する表示欠陥を効果的に低減
することができ、且つアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造歩留を飛躍的に改善することが可能となる。
ｙ’−５ 第１図は本発明の一実施例の要部を説明するための第２
図の１−１線に沿う断面図、第２図はその実施例の概略
平面図、第３図は従来のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の一例を示す概略平面図、第４図は第３図のＩＶ
−ＩＶ線に沿う断面図である。
２４・・・絵素電極、２５・・・ＴＰＴ、２６・・・付
加容量用電極、２７・・・絶縁性基板、２８・・・ゲー
ト電極、２９・・・陽極酸化膜、３０・・・ゲート絶縁
膜、３５・・・保護絶縁膜。
以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、マトリクス状に配列された絵素電極と、該絵素電極
    を駆動するために該絵素電極の各々の近傍に配された薄
    膜トランジスタと、該絵素電極の各々の少なくとも一部
    分と対向して付加容量を形成するための付加容量用電極
    とを備え、該薄膜トランジスタのゲート電極と該付加容
    量用電極とが絶縁性基板上に形成され、少なくとも該ゲ
    ート電極及び該付加容量用電極の上方にゲート絶縁膜が
    形成され、少なくとも該薄膜トランジスタ及び該ゲート
    絶縁膜の上方に保護絶縁膜が形成されているアクティブ
    マトリクス型液晶表示装置であって、該絵素電極が該保
    護絶縁膜の上方に形成されており、該絵素電極と該付加
    容量用電極との間に該保護絶縁膜と該ゲート絶縁膜とが
    介設されているアクティブマトリクス型液晶表示装置。
JP20078288A 1988-08-10 1988-08-10 透過型アクティブマトリクス液晶表示装置 Expired - Lifetime JPH0816756B2 (ja)

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