JPH0445535A - 層間平坦化絶縁膜の形成方法 - Google Patents
層間平坦化絶縁膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH0445535A JPH0445535A JP15483990A JP15483990A JPH0445535A JP H0445535 A JPH0445535 A JP H0445535A JP 15483990 A JP15483990 A JP 15483990A JP 15483990 A JP15483990 A JP 15483990A JP H0445535 A JPH0445535 A JP H0445535A
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- Japan
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- insulating film
- layer
- interlayer
- film
- etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序に従って本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ０発明の概要
Ｃ０従来技術
り９発明が解決しようとする問題点
Ｅ１問題点を解決するための手段
１０作用
Ｇ、実施例［第１図］
Ｈ５発明の効果
（Ａ、産業上の利用分野）
本発明は層間平坦化絶縁膜の形成方法、特に絶縁膜を形
成し、該絶縁膜をエッチバックする層間平坦化絶縁膜の
形成方法に関する。
成し、該絶縁膜をエッチバックする層間平坦化絶縁膜の
形成方法に関する。
（Ｂ、発明の概要）
本発明は、エッチバックによる層間平坦化絶縁膜の形成
方法において、 表面にエツチングによるデポジション物がなく従って上
層との密着性を高（できる層間平坦化絶縁膜を高いスル
ーブツトで形成するため、絶縁膜形成後、それをＣＦ、
１０□系ガスによりエッチバックし、その後そのエッチ
バックにより生じたデポジション物をＮ Ｆ ＝ ／
Ｏｘ系ガスにより除去するものである。
方法において、 表面にエツチングによるデポジション物がなく従って上
層との密着性を高（できる層間平坦化絶縁膜を高いスル
ーブツトで形成するため、絶縁膜形成後、それをＣＦ、
１０□系ガスによりエッチバックし、その後そのエッチ
バックにより生じたデポジション物をＮ Ｆ ＝ ／
Ｏｘ系ガスにより除去するものである。
（Ｃ，従来技術）
ＬＳＩ、ＶＬＳ Ｉの高集積化、半導体素子の微細化が
進むに伴って層間絶縁膜の平坦化技術の重要性がきわめ
て高くなっている。
進むに伴って層間絶縁膜の平坦化技術の重要性がきわめ
て高くなっている。
層間平坦化絶縁膜の形成方法として現在用いられている
のは、ＳＯＧを用いる技術、バイアスＥＣＲＣＶＤによ
り絶縁膜を形成する技術、そして絶縁膜を形成した後こ
れをエッチバックする技術であるが、この中で最も実用
性の高い有効な技術は絶縁膜を形成した後これをエッチ
バックする技術であるといえる。なぜならば、平坦化特
性が良く、膜厚の安定性が良く、スルーブツトも高いか
らである。
のは、ＳＯＧを用いる技術、バイアスＥＣＲＣＶＤによ
り絶縁膜を形成する技術、そして絶縁膜を形成した後こ
れをエッチバックする技術であるが、この中で最も実用
性の高い有効な技術は絶縁膜を形成した後これをエッチ
バックする技術であるといえる。なぜならば、平坦化特
性が良く、膜厚の安定性が良く、スルーブツトも高いか
らである。
ところで、その絶縁膜の形成後エッチバックするという
層間平坦化絶縁膜の形成方法の一例として発明協会公開
技報公技番号８９−１６８４９により紹介されたものが
ある。この技術は、アルミニウム配線層間絶縁膜を平坦
に形成しようとするものである。具体的に説明すると、
アルミニウム配線層が形成された基板表面に層間平坦化
絶縁膜の第１層としてＰ Ｅ −Ｓ ｉ Ｏを膜を形成
し、第２層としてＯ，−ＴＥ０１膜を形成する６次いで
、ＣＦｘ系ガスにより層間平坦化絶縁膜を異方性エツチ
ングによりエッチバックし、その後、０、プラズマによ
ってアッシングするのである。
層間平坦化絶縁膜の形成方法の一例として発明協会公開
技報公技番号８９−１６８４９により紹介されたものが
ある。この技術は、アルミニウム配線層間絶縁膜を平坦
に形成しようとするものである。具体的に説明すると、
アルミニウム配線層が形成された基板表面に層間平坦化
絶縁膜の第１層としてＰ Ｅ −Ｓ ｉ Ｏを膜を形成
し、第２層としてＯ，−ＴＥ０１膜を形成する６次いで
、ＣＦｘ系ガスにより層間平坦化絶縁膜を異方性エツチ
ングによりエッチバックし、その後、０、プラズマによ
ってアッシングするのである。
そのＯ，プラズマによるアッシングは、ＣＦｘ系ガスに
より絶縁膜をエッチバックすると絶縁膜表面にカーボン
等のデポジション物が析出されるのでこのデポジション
物を除去すべく行われるものである。というのは、カー
ボン等のデポジション物は、層間平坦化絶縁膜上に形成
される膜との密着性を低下させるから除去する必要があ
るのである。
より絶縁膜をエッチバックすると絶縁膜表面にカーボン
等のデポジション物が析出されるのでこのデポジション
物を除去すべく行われるものである。というのは、カー
ボン等のデポジション物は、層間平坦化絶縁膜上に形成
される膜との密着性を低下させるから除去する必要があ
るのである。
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）ところで、発明
協会公開技報公技番号 ８９−１６８４９により紹介された層間平坦化絶縁膜の
形成方法には、デポジション物のアッシングに時間がか
かりスルーブツトが悪（なるという問題があった。
協会公開技報公技番号 ８９−１６８４９により紹介された層間平坦化絶縁膜の
形成方法には、デポジション物のアッシングに時間がか
かりスルーブツトが悪（なるという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、表面にエツチングによるデポジション物がなく従
って上層との密着性を高くできる層間平坦化絶縁膜を高
いスルーブツトで形−成することを目的とする。
あり、表面にエツチングによるデポジション物がなく従
って上層との密着性を高くできる層間平坦化絶縁膜を高
いスルーブツトで形−成することを目的とする。
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
本発明層間平坦化絶縁膜の形成方法は上記問題点を解決
するため、絶縁膜形成後、それをＣＦ４１０２系ガスに
よりエッチバックし、その後そのエッチバックにより生
じたデポジション物をＮＦ２／Ｏ２系ガスにより除去す
ることを特徴とする。
するため、絶縁膜形成後、それをＣＦ４１０２系ガスに
よりエッチバックし、その後そのエッチバックにより生
じたデポジション物をＮＦ２／Ｏ２系ガスにより除去す
ることを特徴とする。
（Ｆ 作用）
本発明層間平坦化絶縁膜の形成方法によれば、ＮＦ、１
０□系ガスによりエッチバックにょるデポジション物を
除去するので０２プラズマにより除去を行う場合に比較
して除去時間を短くすることができる。従って、スルー
ブツトの向上を図ることができる。
０□系ガスによりエッチバックにょるデポジション物を
除去するので０２プラズマにより除去を行う場合に比較
して除去時間を短くすることができる。従って、スルー
ブツトの向上を図ることができる。
（Ｇ、実施例）［第１図］
以下、本発明層間平坦化絶縁膜の形成方法を図示実施例
に従って詳細に説明する。
に従って詳細に説明する。
第１図（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明層間平坦化絶縁膜の形
成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。
成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。
（Ａ）下地１上にアルミニウム配線１１１２を形成した
後、層間平坦化絶縁膜の第１層としてＰＥ−５ｉＯ＝ｔ
ｆＪｌ［（プラズマＴＥＯ３ＣＶＤ膜）３を形成する。
後、層間平坦化絶縁膜の第１層としてＰＥ−５ｉＯ＝ｔ
ｆＪｌ［（プラズマＴＥＯ３ＣＶＤ膜）３を形成する。
この膜質は良好である。第１図（Ａ）はＰＥ−３ｉｎ２
膜３形成後の状態を示す。
膜３形成後の状態を示す。
（Ｂ）次に、層間平坦化絶縁膜の第２層として０、−Ｔ
ＥＯ３層４を形成する。同図（Ｂ）は０、−ＴＥＯ５層
４形成後の状態を示す。
ＥＯ３層４を形成する。同図（Ｂ）は０、−ＴＥＯ５層
４形成後の状態を示す。
（Ｃ）次に、ＣＦ、１０．ガスによる異方性エツチング
により同図（Ｃ）に示すようにＯ１−ＴＥＯＳ層４をエ
ッチバックする。
により同図（Ｃ）に示すようにＯ１−ＴＥＯＳ層４をエ
ッチバックする。
尚、この異方性エツチングにより表面に例えばカーボン
等のデポジション物（×印で示す）５が生じる。尚、こ
れは前述のとおりそのままにしておくと層間平坦化絶縁
膜の第３層となるところの次の工程（Ｅ）で形成される
絶縁膜との密着性が悪（なる。
等のデポジション物（×印で示す）５が生じる。尚、こ
れは前述のとおりそのままにしておくと層間平坦化絶縁
膜の第３層となるところの次の工程（Ｅ）で形成される
絶縁膜との密着性が悪（なる。
（Ｄ）次に、Ｎ Ｆ Ｓ ／ Ｏ＊ガスを用いたエツチ
ングにより同図（Ｄ）に示すように絶縁膜表面のデポジ
ション物５を除去する。このＮ Ｆ ＝ ／ Ｏｚガス
を用いたエツチングによれば、０２プラズマによりアッ
シングする場合に比較してデポジション物５を除去する
スピードが速くなり、デポジション物５の除去に要する
時間の短縮を図ることができる。
ングにより同図（Ｄ）に示すように絶縁膜表面のデポジ
ション物５を除去する。このＮ Ｆ ＝ ／ Ｏｚガス
を用いたエツチングによれば、０２プラズマによりアッ
シングする場合に比較してデポジション物５を除去する
スピードが速くなり、デポジション物５の除去に要する
時間の短縮を図ることができる。
（Ｅ）次に、同図（Ｅ）に示すように層間平坦化絶縁膜
の第３の層となるＰＥ−３ｉｎ、膜６を形成する。
の第３の層となるＰＥ−３ｉｎ、膜６を形成する。
このような層間平坦化絶縁膜の形成方法によれば、層間
平坦化絶縁膜の第２層である０３−ＴＥＯ３層４に対す
るエッチバック後、ＮＦ。
平坦化絶縁膜の第２層である０３−ＴＥＯ３層４に対す
るエッチバック後、ＮＦ。
１０、系ガスによりエツチングするので、エッチバック
により絶縁膜表面に生じたカーボン等のデポジション物
５を除去することができる。従って、第２層のＯ，−Ｔ
ＥＯＳ層４と第３層のＰＥ ＳｉＯ＊膜６との密着性
を高め、更には層間平坦化絶縁膜の安定性を高めること
ができる。
により絶縁膜表面に生じたカーボン等のデポジション物
５を除去することができる。従って、第２層のＯ，−Ｔ
ＥＯＳ層４と第３層のＰＥ ＳｉＯ＊膜６との密着性
を高め、更には層間平坦化絶縁膜の安定性を高めること
ができる。
そして、デポジション物５の除去を０２プラズマによる
アッシングによってではなくノンデポジションガスであ
るＮＦｓ１０Ｒ系ガスによるエツチングによって行うの
で、デポジション物５の除去を速い速度で行うことがで
きる。従って、スルーブツトの向上を図ることができる
。
アッシングによってではなくノンデポジションガスであ
るＮＦｓ１０Ｒ系ガスによるエツチングによって行うの
で、デポジション物５の除去を速い速度で行うことがで
きる。従って、スルーブツトの向上を図ることができる
。
尚、ＮＦ、１０２系ガスによってデポジション物５の除
去だけでなく、Ｏ，−ＴＥＯＳ＠４のエッチバックをも
行うことも考えられなくはない。しかし、０．−ＴＥＯ
３層４に対してのＮ Ｆ ａ ／ Ｏ□系によるエツチ
ングのレートは、均一性が高い条件下ではＣＦ４１０．
ガスによるエツチングレートより３０％程度低い。従っ
て、スルーブツトの向上の面からＯ，−ＴＥＯＳ層４に
対すエッチバックはＣＦ −／ Ｏ＊ガスにより行い、
デポジション物５の除去のみＮ Ｆ −／ Ｏｓ系ガス
で行うのが得策なのである。
去だけでなく、Ｏ，−ＴＥＯＳ＠４のエッチバックをも
行うことも考えられなくはない。しかし、０．−ＴＥＯ
３層４に対してのＮ Ｆ ａ ／ Ｏ□系によるエツチ
ングのレートは、均一性が高い条件下ではＣＦ４１０．
ガスによるエツチングレートより３０％程度低い。従っ
て、スルーブツトの向上の面からＯ，−ＴＥＯＳ層４に
対すエッチバックはＣＦ −／ Ｏ＊ガスにより行い、
デポジション物５の除去のみＮ Ｆ −／ Ｏｓ系ガス
で行うのが得策なのである。
（Ｈ，発明の効果）
以上に述べたように、本発明層間平坦化絶縁膜の形成方
法は、絶縁膜を形成し、該絶縁膜に対してＣＦ２／Ｏ２
系のガスを用いてエッチバックし、その後、ＮＦ、１０
□系のガスを用いて絶縁膜表面に存在しているエツチン
グによるデポジション物を除去することを特徴とするも
のである。
法は、絶縁膜を形成し、該絶縁膜に対してＣＦ２／Ｏ２
系のガスを用いてエッチバックし、その後、ＮＦ、１０
□系のガスを用いて絶縁膜表面に存在しているエツチン
グによるデポジション物を除去することを特徴とするも
のである。
従って、本発明層間平坦化絶縁膜の形成方法によれば、
ＮＦＩｌｏ、系ガスによりエッチバックによるデポジシ
ョン物を除去するので０２プラズマにより除去を行う場
合に比較して除去時間を短（することができる。従って
、スルーブツトの向上を図ることができる。
ＮＦＩｌｏ、系ガスによりエッチバックによるデポジシ
ョン物を除去するので０２プラズマにより除去を行う場
合に比較して除去時間を短（することができる。従って
、スルーブツトの向上を図ることができる。
第１図（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明層間平坦化絶縁膜の形
成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。 符号の説明 ３、４、 ・層間平坦化絶縁膜。
成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。 符号の説明 ３、４、 ・層間平坦化絶縁膜。
Claims (1)
- （１）絶縁膜を形成し、上記絶縁膜に対してＣＦ＿４／
Ｏ＿２系のガスを用いてエッチバックし、その後、ＮＦ
＿２／Ｏ＿２系のガスを用いて絶縁膜表面に存在してい
るエッチングによるデポジション物を除去することを特
徴とする層間平坦化絶縁膜の形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15483990A JPH0445535A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 層間平坦化絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15483990A JPH0445535A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 層間平坦化絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445535A true JPH0445535A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15593015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15483990A Pending JPH0445535A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 層間平坦化絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445535A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7264192B1 (en) | 1999-09-22 | 2007-09-04 | Nara Machinery Co., Ltd. | Particulate matter vibro-fluidizing apparatus |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP15483990A patent/JPH0445535A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7264192B1 (en) | 1999-09-22 | 2007-09-04 | Nara Machinery Co., Ltd. | Particulate matter vibro-fluidizing apparatus |
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