JPH02177015A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH02177015A JPH02177015A JP20713888A JP20713888A JPH02177015A JP H02177015 A JPH02177015 A JP H02177015A JP 20713888 A JP20713888 A JP 20713888A JP 20713888 A JP20713888 A JP 20713888A JP H02177015 A JPH02177015 A JP H02177015A
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- recording medium
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Links
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特に垂直磁気記録用として好適な磁気記録媒
体及びその製造方法に関する。
体及びその製造方法に関する。
磁気ディスク等の磁気記録媒体（以下単に「媒体」とも
記す）に磁性材料として用いられるＣ。
記す）に磁性材料として用いられるＣ。
系合金〈例えばＣｏＣｒ）においては、添加物（ＣｏＣ
ｒの場合はＣｒ）の量が変化すると、磁性膜の特性は次
のように変化する。
ｒの場合はＣｒ）の量が変化すると、磁性膜の特性は次
のように変化する。
（第１表）
垂直磁気記録媒体としては、飽和磁化Ｍｓが大きく（高
出力化のため）且つＣ軸分散角４θ印が小さい（高記録
密度化のため）ものが望ましいが、第１表のように相反
する関係にあるため、両者を同時に満足させるのは困難
である。そこで、これを解決しようとして、従来は例え
ば、特開昭５９−７７６２０号公報「垂直磁気記録媒体
」等に見られるように、非磁性ＣＯ系合金膜の上に垂直
磁化膜を形成する方法が試られな、ここで述べられてい
る技術内容は、下地として添加量が大きく、乙θ別の小
さな膜を設けると、その上に形成する膜の添加量が少な
くても下地にエピタキシャル成長するために４θ印は大
きくならない。これによって飽和磁化が高く且つＣ軸分
散角が小さい媒体が出来るというものである。
出力化のため）且つＣ軸分散角４θ印が小さい（高記録
密度化のため）ものが望ましいが、第１表のように相反
する関係にあるため、両者を同時に満足させるのは困難
である。そこで、これを解決しようとして、従来は例え
ば、特開昭５９−７７６２０号公報「垂直磁気記録媒体
」等に見られるように、非磁性ＣＯ系合金膜の上に垂直
磁化膜を形成する方法が試られな、ここで述べられてい
る技術内容は、下地として添加量が大きく、乙θ別の小
さな膜を設けると、その上に形成する膜の添加量が少な
くても下地にエピタキシャル成長するために４θ印は大
きくならない。これによって飽和磁化が高く且つＣ軸分
散角が小さい媒体が出来るというものである。
マタ、日本応用磁気学会、ｉｌｔ Ｖｏｌ、１１Ｎｏ、
２，１９８７ｒＣｏ−Ｃｒスパッタ膜の連続作成におけ
る垂直磁気異方性の改善法」等には、上記方法を更に進
めて、添加量を膜の厚み方向で連続的に変化させた媒体
が提案されている。
２，１９８７ｒＣｏ−Ｃｒスパッタ膜の連続作成におけ
る垂直磁気異方性の改善法」等には、上記方法を更に進
めて、添加量を膜の厚み方向で連続的に変化させた媒体
が提案されている。
上記後者の従来方法では、下地Ｍ ２００人の薄さで、
Ｃ軸分散角Ａｅｃｔｈ＝４°の膜を得ているが、理想的
には更に小さい方が良い、Ｃｏ系合金ではｇ厚が厚いほ
ど４θ父は小さくなるが、媒体の機械的特性（反り、う
ねり、クラック等）を良好に保つためには薄い方が望ま
しい、特に、従来例のような２層膜では媒体全体として
の膜厚が厚くなってしまうので、機械的特性を良好に保
つのが困難になってくるという問題点があった。
Ｃ軸分散角Ａｅｃｔｈ＝４°の膜を得ているが、理想的
には更に小さい方が良い、Ｃｏ系合金ではｇ厚が厚いほ
ど４θ父は小さくなるが、媒体の機械的特性（反り、う
ねり、クラック等）を良好に保つためには薄い方が望ま
しい、特に、従来例のような２層膜では媒体全体として
の膜厚が厚くなってしまうので、機械的特性を良好に保
つのが困難になってくるという問題点があった。
〔課顕を解決するための手段〕
本発明は、基板の表面にスバ・ｙりにより成膜されると
共に、所望の厚さだけ残るようエツチングを施されて形
成されるＣｏ系金属薄膜からなる下地膜を有する磁気記
録媒体と、その製造方法を提供することにより上記問題
点を解決した。
共に、所望の厚さだけ残るようエツチングを施されて形
成されるＣｏ系金属薄膜からなる下地膜を有する磁気記
録媒体と、その製造方法を提供することにより上記問題
点を解決した。
磁気記録ａ木の作製に当って、これに用いるガラス基板
をＡ、Ｂ、Ｃの３種類用意し、夫々次のような処理を行
なった。
をＡ、Ｂ、Ｃの３種類用意し、夫々次のような処理を行
なった。
基板Ａ：溶剤洗浄のみ。
基板Ｂ ： Ａｒガスによる逆スバｙりのみ。
基板Ｃ： Ａｒガスによる逆スパツタ後に溶剤洗浄。
これらの基板Ａ〜Ｃに種々の膜厚で、Ｃｒ ２（ｈｖｔ
％のＣｏＣｒ膜を、ＤＣマグネトロンスバヅタ法により
成膜し、Ｘ線回折装置によりＣ軸分散角乙θ別を測定し
た。その測定結果を第１図に示す。
％のＣｏＣｒ膜を、ＤＣマグネトロンスバヅタ法により
成膜し、Ｘ線回折装置によりＣ軸分散角乙θ別を測定し
た。その測定結果を第１図に示す。
第１図中、■、ム、・が夫々基板Ａ、Ｂ、Ｃの測定値で
ある。第１図から明らかなように、逆スパツタと溶剤洗
浄の両方を施した基板Ｃが４θ５ｏの値が最も小さい、
また、同一種類の基板では、その上に形成するＣｏＣｒ
ｆｌｉ厚が小さいほどＣ軸分散角４θ（資）の値は大き
くなる傾向にある。
ある。第１図から明らかなように、逆スパツタと溶剤洗
浄の両方を施した基板Ｃが４θ５ｏの値が最も小さい、
また、同一種類の基板では、その上に形成するＣｏＣｒ
ｆｌｉ厚が小さいほどＣ軸分散角４θ（資）の値は大き
くなる傾向にある。
次に各基板Ａ−Ｃ上にＣｏＣｒ膜を厚さ０．５μｍで成
膜したサンプルを用意し、Ａｒガスを用いて以下の条件
でスパッタエツチングを行なった。
膜したサンプルを用意し、Ａｒガスを用いて以下の条件
でスパッタエツチングを行なった。
Ａｒガス圧 ： ４Ｘ１０°’ ＴｏｒｒＲＦパ
ワー ： ０．４ Ｗ／ｃｄエッチングレ−−ト
：３０人／ｎｉｎ エツチング後の残りの膜厚とＣ軸分数角ｄθ旬との関係
を第１図に併記して示す、第１図中、口。
ワー ： ０．４ Ｗ／ｃｄエッチングレ−−ト
：３０人／ｎｉｎ エツチング後の残りの膜厚とＣ軸分数角ｄθ旬との関係
を第１図に併記して示す、第１図中、口。
Δ、０が夫々基板Ａ、Ｂ、Ｃの測定値である。この図か
ら明らかなように、同一基板、同一膜厚で比較すると、
エツチングを行なった膜の方がいずれもΔθ５ｏの値が
小さくなっている。特に、基板Ｃでは膜厚２００人の薄
さで、Ｃ軸分散角４θ５０→３゛という、従来の媒体で
は得られなかった、結晶配向性に優れた下地膜が得られ
た。
ら明らかなように、同一基板、同一膜厚で比較すると、
エツチングを行なった膜の方がいずれもΔθ５ｏの値が
小さくなっている。特に、基板Ｃでは膜厚２００人の薄
さで、Ｃ軸分散角４θ５０→３゛という、従来の媒体で
は得られなかった、結晶配向性に優れた下地膜が得られ
た。
次に、基板Ｃと同様の方法で処理した基板を３種類用意
しく夫々ＣＩ 、Ｃ２、Ｃ３とする）、各々の基板に夫
々次の２種類の下地膜を設けた。
しく夫々ＣＩ 、Ｃ２、Ｃ３とする）、各々の基板に夫
々次の２種類の下地膜を設けた。
■ＣｏＣｒ（２０ｗｔ％Ｃｒ 、 Ｍ ｓ ＝３５０ｅ
ｍｕ／ｃｃ）５００＾をスパッタ（スパッタリング）し
たもの。
ｍｕ／ｃｃ）５００＾をスパッタ（スパッタリング）し
たもの。
■ＣｏＣｒ（２０ｗｔ％Ｃｒ）を０．５μｍスパッタし
た後Ａｒガスでエツチングを施し、残りの膜厚を５００
八としたもの。
た後Ａｒガスでエツチングを施し、残りの膜厚を５００
八としたもの。
これら下地膜を設けた基板と下地膜を設けない基板の上
に、ＣｏＣｒ膜（１５ｗｔ％Ｃｒ、Ｍｓ＝７１ｏｅＩｌ
ｕ、’ ＣＣ）０．５μｍをスパッタして、Δθ５ｏの
測定を行なった。なお、比較のために、下地膜のみの４
θ父の測定も行なった。その結果を第２表に示す。
に、ＣｏＣｒ膜（１５ｗｔ％Ｃｒ、Ｍｓ＝７１ｏｅＩｌ
ｕ、’ ＣＣ）０．５μｍをスパッタして、Δθ５ｏの
測定を行なった。なお、比較のために、下地膜のみの４
θ父の測定も行なった。その結果を第２表に示す。
（第２表 ）
Ｃ軸分散角４θ５ｏの測定値
との表に示した測定結果から、下地膜のみの場合も、１
５ｖｔ％ＣｒのＣｏＣｒ（１，５μｍ成膜後の場合のい
ずれも、下地のエツチングを施した■の媒体の方が、Ｃ
軸分成力２θ父は小さくなっていることがわかる。
５ｖｔ％ＣｒのＣｏＣｒ（１，５μｍ成膜後の場合のい
ずれも、下地のエツチングを施した■の媒体の方が、Ｃ
軸分成力２θ父は小さくなっていることがわかる。
本発明の磁気記録！体は、上記のような方法で製造する
ので、Ｃ軸分数句４θ５ｏを小さくでき、従って磁気記
録媒体の高記録密度化が達成でき、しかも同時に飽和磁
化Ｍｓを大きくできるので、−〇印を小さくできると共
に高配Ｂ密度化を実現できるという優れた特長を有する
。
ので、Ｃ軸分数句４θ５ｏを小さくでき、従って磁気記
録媒体の高記録密度化が達成でき、しかも同時に飽和磁
化Ｍｓを大きくできるので、−〇印を小さくできると共
に高配Ｂ密度化を実現できるという優れた特長を有する
。
第１図は本発明の磁気記録媒体の各実施例におけるＣｏ
Ｃｒ膜厚とＣ軸分数句の値との関係を示す測定図である
。 特許出願人 日本ビクター株式会社 代表者 埋木 邦人 第 図 手続補正書
Ｃｒ膜厚とＣ軸分数句の値との関係を示す測定図である
。 特許出願人 日本ビクター株式会社 代表者 埋木 邦人 第 図 手続補正書
Claims (2)
- （１）基板の表面にスパッタにより成膜されると共に、
所望の厚さだけ残るようエッチングを施されて形成され
るＣｏ系金属薄膜からなる下地膜を少なくとも有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - （２）基板の表面にＣｏ系金属薄膜をスパッタにより成
膜し、該Ｃｏ系金属薄膜に対してこれが所望の厚さだけ
残るようエッチングを施して下地膜を作り、該下地膜に
用いたＣｏ系金属薄膜よりも飽和磁化が高いＣｏ系金属
薄膜を該下地膜上に成膜させることを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20713888A JPH02177015A (ja) | 1988-08-20 | 1988-08-20 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20713888A JPH02177015A (ja) | 1988-08-20 | 1988-08-20 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177015A true JPH02177015A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=16534830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20713888A Pending JPH02177015A (ja) | 1988-08-20 | 1988-08-20 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177015A (ja) |
-
1988
- 1988-08-20 JP JP20713888A patent/JPH02177015A/ja active Pending
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