JPH0447801A - 可変位相器 - Google Patents
可変位相器Info
- Publication number
- JPH0447801A JPH0447801A JP15681290A JP15681290A JPH0447801A JP H0447801 A JPH0447801 A JP H0447801A JP 15681290 A JP15681290 A JP 15681290A JP 15681290 A JP15681290 A JP 15681290A JP H0447801 A JPH0447801 A JP H0447801A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- variable capacitance
- high frequency
- variable
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は可変位相器に関し、特に高周波用に使用され、
電圧制御型可変容量ダイオードを用いて高周波信号の位
相を変化させる可変位相器に関する。
電圧制御型可変容量ダイオードを用いて高周波信号の位
相を変化させる可変位相器に関する。
従来、この種の可変位相器は第６図の回路図に示すよう
に高周波入力端子１１、高周波出力端子１２、高周波入
力および出力端子１１．１２間のアイソレーションを行
うサーキュレータ１６、直流遮断用のコンデンサ１４、
可変容量ダイオード１７、この可変容量ダイオード１７
に高周波に対する高インピーダンス回路１５を介して直
流電圧を供給する直流印加用の端子１３から構成されて
いる。
に高周波入力端子１１、高周波出力端子１２、高周波入
力および出力端子１１．１２間のアイソレーションを行
うサーキュレータ１６、直流遮断用のコンデンサ１４、
可変容量ダイオード１７、この可変容量ダイオード１７
に高周波に対する高インピーダンス回路１５を介して直
流電圧を供給する直流印加用の端子１３から構成されて
いる。
第６図に示した従来例の動作は、カソード電極又はアノ
ード電極のどちらか一方を接地した可変容量ダイオード
１７の接地されていない側と電極に直流電圧と端子１３
から印加し可変する事で可変容量ダイオード１７の容量
を制御し、ダイオードの反射インピーダンスを変化させ
て高周波の反射位相を変化させていた。また、可変位相
器として使用する場合に高周波電力入力端子１１と出力
端子１２を独立させるなめに、サーキュレータ１６また
はハイブリッドを用いている。ここで、可変容量ダイオ
ードの容量変化Ｃｖに対するダイオードからの反射減衰
量の特性は第５図（ａ）の特性図の従来特性に示すよう
に大幅に反射減衰量が変化していた。
ード電極のどちらか一方を接地した可変容量ダイオード
１７の接地されていない側と電極に直流電圧と端子１３
から印加し可変する事で可変容量ダイオード１７の容量
を制御し、ダイオードの反射インピーダンスを変化させ
て高周波の反射位相を変化させていた。また、可変位相
器として使用する場合に高周波電力入力端子１１と出力
端子１２を独立させるなめに、サーキュレータ１６また
はハイブリッドを用いている。ここで、可変容量ダイオ
ードの容量変化Ｃｖに対するダイオードからの反射減衰
量の特性は第５図（ａ）の特性図の従来特性に示すよう
に大幅に反射減衰量が変化していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の可変位相器は高周波入力端子から入力さ
れた高周波電力が可変容量ダイオードに入力され直流印
が電圧に応じたダイオードの容量変化により反対される
高周波電力が大幅に変化するので、位相器としての出力
レベルが変動するとともに損失も増大する欠点がある。
れた高周波電力が可変容量ダイオードに入力され直流印
が電圧に応じたダイオードの容量変化により反対される
高周波電力が大幅に変化するので、位相器としての出力
レベルが変動するとともに損失も増大する欠点がある。
本発明の可変位相器は、可変容量ダイオードと、この可
変容量ダイオードの容量を変化させるために直流電圧を
印加する直流電圧端子と、前記可変容量ダイオードに高
周波電力を入力し、前記直流電圧の変化に応じて高周波
反射電力を出力する高周波入出力端子とを有する可変位
相器において、前記可変容量ダイオードと並列に接続さ
れる抵抗の抵抗値ＲＡが可変位相器本体の特性インピー
ダンスをＺｏとし、前記可変容量ダイオードの等価直列
抵抗をＲとすると、 なる抵抗値になっている。
変容量ダイオードの容量を変化させるために直流電圧を
印加する直流電圧端子と、前記可変容量ダイオードに高
周波電力を入力し、前記直流電圧の変化に応じて高周波
反射電力を出力する高周波入出力端子とを有する可変位
相器において、前記可変容量ダイオードと並列に接続さ
れる抵抗の抵抗値ＲＡが可変位相器本体の特性インピー
ダンスをＺｏとし、前記可変容量ダイオードの等価直列
抵抗をＲとすると、 なる抵抗値になっている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の回路図、第１図（ｂ
）は可変容量ダイオードの等価回路図である。高周波入
力端子１から入力された高周波電力は、直流しゃ断のた
めのコンデンサ４を介して可変容量ダイオード７に入力
される。可変容量ダイオード７のアノードには直流印加
端子３がら印加された負の電圧が高周波チョークである
高インピーダンス線路５を介して印加される。
）は可変容量ダイオードの等価回路図である。高周波入
力端子１から入力された高周波電力は、直流しゃ断のた
めのコンデンサ４を介して可変容量ダイオード７に入力
される。可変容量ダイオード７のアノードには直流印加
端子３がら印加された負の電圧が高周波チョークである
高インピーダンス線路５を介して印加される。
可変容量ダイオード７に入力される高周波電力は、この
印加電圧により変化するダイオード７の容量に応じた反
射位相で反射され高周波入力端子１から出力される。ま
た、可変容量ダイオード７と並列に抵抗６と高周波接地
用コンデンサ８とが接続されているが、抵抗６の抵抗値
ＲＡはダイオード７の等価直列抵抗をＲとし、この位相
器の特性インピーダンスをＺ。とすると（３〉式で表さ
れる値となるように選択される。
印加電圧により変化するダイオード７の容量に応じた反
射位相で反射され高周波入力端子１から出力される。ま
た、可変容量ダイオード７と並列に抵抗６と高周波接地
用コンデンサ８とが接続されているが、抵抗６の抵抗値
ＲＡはダイオード７の等価直列抵抗をＲとし、この位相
器の特性インピーダンスをＺ。とすると（３〉式で表さ
れる値となるように選択される。
今、この抵抗６（抵抗値ＲＡ）が接続された場合には、
接続されない場合に比して可変容量ダイオード７の反射
係数の変化をほぼ一定に保つことができる。この状態を
第５図の本実施例になるインピーダンスチャート、すな
わち抵抗６を接続した場合と第４図の従来例になるイン
ピーダンスチャート、すなわち抵抗６を接続しない場合
とで比較して説明する。可変容量ダイオード７の容量最
小の点Ａの反射係数１「Ａ１と容量最大の点Ｂの反射係
数１「Ｂ １の変化は第３図のインピーダンスチャート
上の等リアクタンス円上を動くため、容量に応じて反射
係数、すなわち反射減衰量が変化してしまう。すなわち
、可変容量ダイオードを見込む反射インピーダンスの容
量を変化させた場合の軌跡は容量最小の点Ａの反射係数
１ｒ’ＡＩと容量最大の点Ｂの反射係数ＩＴ”ｉｔとが
異なる。ここで抵抗ＲＡを追加する事により、第４図に
示すごとく容量最小の点ＡのインピーダンスＡ′に移動
し、位相可変時の反射係数をほぼ一定値に保つことがで
きる。このような動作を行う可変位相器の可変容量ダイ
オードの容量変化Ｃｖをパラメータとして反射減衰量と
反射位相の計算例を従来例と対比して第５図（ａ）、（
ｂ）の特性図に示す、また、このような可変位相器の応
用例として第２図に示すように３ｄＢ分岐形のハイブリ
ット回路９に可変位相器を２個接続することにより、高
周波入力端子１から入力された信号は可変容量ダイオー
ド７Ａと可変容量７Ｂによりそれぞれ移相された高周波
がお互いに損失偏差なく同相に合成されて出力端子２か
ら取り出すことができる。
接続されない場合に比して可変容量ダイオード７の反射
係数の変化をほぼ一定に保つことができる。この状態を
第５図の本実施例になるインピーダンスチャート、すな
わち抵抗６を接続した場合と第４図の従来例になるイン
ピーダンスチャート、すなわち抵抗６を接続しない場合
とで比較して説明する。可変容量ダイオード７の容量最
小の点Ａの反射係数１「Ａ１と容量最大の点Ｂの反射係
数１「Ｂ １の変化は第３図のインピーダンスチャート
上の等リアクタンス円上を動くため、容量に応じて反射
係数、すなわち反射減衰量が変化してしまう。すなわち
、可変容量ダイオードを見込む反射インピーダンスの容
量を変化させた場合の軌跡は容量最小の点Ａの反射係数
１ｒ’ＡＩと容量最大の点Ｂの反射係数ＩＴ”ｉｔとが
異なる。ここで抵抗ＲＡを追加する事により、第４図に
示すごとく容量最小の点ＡのインピーダンスＡ′に移動
し、位相可変時の反射係数をほぼ一定値に保つことがで
きる。このような動作を行う可変位相器の可変容量ダイ
オードの容量変化Ｃｖをパラメータとして反射減衰量と
反射位相の計算例を従来例と対比して第５図（ａ）、（
ｂ）の特性図に示す、また、このような可変位相器の応
用例として第２図に示すように３ｄＢ分岐形のハイブリ
ット回路９に可変位相器を２個接続することにより、高
周波入力端子１から入力された信号は可変容量ダイオー
ド７Ａと可変容量７Ｂによりそれぞれ移相された高周波
がお互いに損失偏差なく同相に合成されて出力端子２か
ら取り出すことができる。
以上説明したように本発明は、可変容量ダイオードに並
列に抵抗値ＲＡの抵抗を接続する事により位相可変時の
反射減衰量をほぼ一定に保つことができる効果がある。
列に抵抗値ＲＡの抵抗を接続する事により位相可変時の
反射減衰量をほぼ一定に保つことができる効果がある。
このような可変位相器を３ｄＢハイブリツドに２個組み
込むことにより、移相時における損失偏差の少ない可変
位相器を実現できる効果がある。
込むことにより、移相時における損失偏差の少ない可変
位相器を実現できる効果がある。
第１図および第２図は本発明の一実施例の回路図、第３
図、第４図は本実施例を従来例と対比した説明図、第５
図（ａ）、（ｂ）は本実施例および従来例の特性図、第
６図は従来の可変位相器の回路図である。 １・・・高周波入力端子、２・・・（高周波）出力端子
、３・・・直流印加端子、４，４Ａ、４Ｂ、８．８Ａ。 ８Ｂ・・・コンデンサ、５．５Ａ、５Ｂ・・・高インピ
ーダンス線路、６．６Ａ、６Ｂ・・・抵抗、７，７Ａ。 ７Ｂ・・・可変容量ダイオード、９・・・ハイブリッド
回路。
図、第４図は本実施例を従来例と対比した説明図、第５
図（ａ）、（ｂ）は本実施例および従来例の特性図、第
６図は従来の可変位相器の回路図である。 １・・・高周波入力端子、２・・・（高周波）出力端子
、３・・・直流印加端子、４，４Ａ、４Ｂ、８．８Ａ。 ８Ｂ・・・コンデンサ、５．５Ａ、５Ｂ・・・高インピ
ーダンス線路、６．６Ａ、６Ｂ・・・抵抗、７，７Ａ。 ７Ｂ・・・可変容量ダイオード、９・・・ハイブリッド
回路。
Claims (2)
- １．可変容量ダイオードと、この可変容量ダイオードの
容量を変化させるために直流電圧を印加する直流電圧端
子と、前記可変容量ダイオードに高周波電力を入力し前
記直流電圧の変化に応じて高周波反射電力を出力する高
周波入出力端子とを有する可変位相器において、前記可
変容量ダイオードと並列に接続される抵抗の抵抗値Ｒ＿
Ａが可変位相器本体の特性インピーダンスをＺ＿０とし
、前記可変容量ダイオードの等価直列抵抗をＲとすると
、 Ｒ＿Ａ＝Ｚ＿０｛１＋√（１＋４（Ｒ／Ｚ＿０）＾２）
／（２Ｒ／Ｚ＿０）｝なる抵抗値であることを特徴とす
る可変位相器。 - ２．第１および第２の可変容量ダイオードと、前記第１
および第２の可変容量ダイオードのそれぞれに並列に接
続される前記抵抗値Ｒ＿Ａを有する抵抗と、前記第１お
よび第２の可変容量ダイオードに直流電圧を供給する共
通の制御端子と、前記第１および第２の可変容量ダイオ
ードをそれぞれ設置する２つのアームならびに高周波電
力を入力するアームならびに前記第１および第２の可変
容量ダイオードからの高周波反射電力を同相で出力する
アームを有するハイブリッド回路とを有することを特徴
とする請求項１記載の可変位相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15681290A JPH0447801A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 可変位相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15681290A JPH0447801A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 可変位相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0447801A true JPH0447801A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15635870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15681290A Pending JPH0447801A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 可変位相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0447801A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6286504B1 (en) | 1999-07-01 | 2001-09-11 | Koh Suginobu | Apparatus for capturing light energy |
| US6630874B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-10-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Phase shifter and communication device using the same |
| US7289001B2 (en) | 2004-12-06 | 2007-10-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric substrate for oscillator |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP15681290A patent/JPH0447801A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6286504B1 (en) | 1999-07-01 | 2001-09-11 | Koh Suginobu | Apparatus for capturing light energy |
| US6630874B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-10-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Phase shifter and communication device using the same |
| US7289001B2 (en) | 2004-12-06 | 2007-10-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric substrate for oscillator |
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