JPH0241009A - Ｈｙｂ反射型位相器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、分布定数回路を用いたＨＹＢ反射型位相器に
関し、特に、可変容量素子に逆バイアス電圧をかけるこ
とにより、前記可変容量素子の接合容量が変化すること
を利用したＨＹＢ反射型位相器に関する。

［従来の技術］ 従来のＨＹＢ反射型位相器としては、第４図に示すよう
なものがある０図中８が分布定数回路で構成した９０　
＠３ｄＢハイブリッドで、この９０°３ｄＢハイブリッ
ド８は、入力ポート１、アイソレーションポート２、カ
ー２プリングポート３、通過ポート４からなる。カップ
リングポート３及び通過ポート４には、一端がグランド
９に接続された小容量のバラクタダイオード７ａ、７ｂ
が取付けである０図中５は抵抗からなるバイアス回路で
ある。

９０°３ｄＢハイブリッド８のカップリングポート３及
び通過ポート４のそれぞれの一端と、接地されたそれぞ
れの可変容量素子となるパラクタダイオード７ａ、７ｂ
とは、インダクタンスが無視できる極めて短いワイヤで
接続しである。なお、可変容量素子としてビームタイプ
を使う場合は、ワイヤは不要でカップリングポート３及
び通過ポート４のそれぞれの一端にビームリードのアン
ード側と取付け、他方のカソード側は接地面に取付けて
いる。バラクタダイオード７ａ、７ｂのインピーダンス
変化を、第２図に示すスミスチャート上で示すと、Ａ点
及びＢ点がバラクタダイオード７ａ、７ｂに逆電圧を印
加し、変化させたときのバラクタダイオードのインピー
ダンスの変化範囲である。

Ａ点、Ｂ点での容量をそれぞれＣ＾、ＣＢとすると各点
でのインピーダンスは、 この従来例の動作を説明すると、入力ポート１から入力
された高周波信号は９０　”３ｄＢハイブリッド８によ
りカップリングポート３と通過ポート４に分割され、そ
れぞれノくラクタダイオード７ａ、７ｂで反射され、再
び９０”３ｄＢｚ＼イブリツド８で合成されてアイソレ
ーションポート２より出力される。このとき、バラクタ
ダイオード７ａ、７ｂに逆バイアス電圧を印加し、／ヘ
ラクタダイオード７ａ、７ｂの接合容、ｌｔＣ」を変化
させることにより出力で位相を動かしている。

［解決すべき課題］ 上述した従来のＨＹＢ反射型位相器では、バラクタダイ
オード等の可変容量素子の容置変化でしか位相を変化さ
せることができないため、可変位相量が小さいという問
題点があった。

本発明は上述した問題点にかんがみてなされたもので、
可変容量素子に逆バイアス電圧をかけて接合容量を変化
させることにより、可変位相量を大きくしたＨＹＢ反射
型位相器の提供を目的とする。

［課題の解決手段］ 本発明は可変容量が小さいという欠点を解決するために
、入力ポート及びアイソレージ震ンポートを入力端子と
した分布定数回路で構成した９０　’３ｄＢハイブリッ
ドと、前記９０　＠３ｄＢハイブリッドのカップリング
ボート及び通過ポートのそれぞれの一端とグランドとの
間に接続した可変容量素子とで構成したＨＹＢ反射型位
相器において、前記可変容量素子の容量値の最小リアク
タンスと最大リアクタンスの相乗平均値をラインインピ
ーダンスより高くし、かつこの可変容量素子に、インダ
クタンスの値が前記容量素子の最小リアクタンスとほぼ
共振する値に選んだワイヤを直列に接続し、可変位相量
を大きくした構成としである。

［実施例］ 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の一実施例の回路図である。

ｇＯ’３ｄＢハイブリッド８は、入力ポート１、アイソ
レーションポート２、カップ１ノングポート３、通過ポ
ート４で構成されており、カップ１ノングポート３及び
通過ポート４には一端力（グランド９と接続された容量
の小さい／くラクタダイオード７ａ、７ｂが取付けられ
ている。／＜ラクタタ゛イオード７ａ、７ｂにはそれぞ
れ直夕１にインダクタンスとなるワイヤ６ａ、６ｂ　（
以下、インダクタンス６ａ、６ｂという、）が接続され
てｌ、Ｎる。

また、抵抗器からなるバイアス回路５が設けられている
。

次に、前記一実施例の動作を説明する。入カポ−）１か
ら入力された高周波信号は、９０３ｄＢハイブリッド８
によりカップリングポート３と通過ポート４に分割され
、それぞれバラクタダイオード７ａ、７ｂで反射され、
再び９０３ｄＢハイブリッド８で合成され、アイソレー
ジョンポート？より出力される。このとき、バラクタダ
イオード７ａ、７ｂに逆バイアス電圧を印加し、バラク
タダイオードの接合容量ｃｊを変化させることにより出
力で位相を動かしているが。

ここで容量変化に対するバラクタダイオードのみのイン
ピーダンス変化を、インダクタンスＬを入れた場合とそ
うでない場合とをスミスチャート上で比較すると第２図
のようになる。

Ａ点及びＢ点は、バラクタダイオードに逆電圧を印加し
、変化させたときのバラクタダイオードのインピーダン
スの変化範囲、Ｃ，Ｄは直列にインダクタンス６ａ、６
ｂを加えたときのインピーダンスの変化範囲である。Ａ
点、Ｂ点、０点、Ｄ点での容量をそれぞれＣ＾＊　ＣＢ
　＋　ｃｃ　ｌ　ｃｏとし、インダクタンス６ａ、６ｂ
の直列インダクタンスをＬとすると、各点でのインピー
ダンスは、である。

よって、インダクタンス６ａ、６ｂを直列に入れると、
スミスチャート上でいえばωＬだけインピーダンスが変
化するので、その分位相変化量が大きくなる。

ここで第３図に示すように、バラクタダイオード単体の
容量変化範囲が使用する周波数で逆バイアス電圧Ｏｖの
ときは領域アあるいは領域イにあり、また使用電源を最
大にした接合容ＮＣｊＴ４＾Ｘのときは領域イにあるよ
うな容量の小さいバラクタダイオードを選べば、インダ
クタンスＬの大きさにより、誘導性の領域までインピー
ダンスを変化させることができるので、いままでの位相
器より位相量を大きくすることが可能である。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、可変容量素子に直
列にインダクタンスとなるワイヤを入れることにより、
従来と同じバラクタダイオードを使用しても位相変化量
が従来のものより大きくでき、バラクタダイオードのみ
で容量変化範囲の広いバラクタダイオードは選ばなくて
も大きな位相変化のもてる位相器が構成できるという効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図はバラクタ
ダイオードのインピーダンス変化範囲を示すスミスチャ
ート図、第３図は本発明に使用できる容量の小さい可変
容量素子の接合容量Ｃｊｏ及びＣＪＭ＾Ｘの時の条件を
示すスミスチャート図、第４図は従来のＨＹＢ反射型位
相器の回路図である。 ！：入力ポート ２：フイソレーシ璽ンボート ３：カップリングポート ４：通過ポート ５：バイアス回路 ６ａ、６ｂ：インダクタンス ７ａ、７ｂ：バラクタダイオード ８：９０”３ｄＢハイブリッド ９ニゲランド

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　入力ポート及びアイソレーションポートを入力端子と
   した分布定数回路で構成した９０゜３ｄＢハイブリッド
   と前記９０゜３ｄＢハイブリッドのカップリングポート
   及び通過ポートのそれぞれの一端とグランドとの間に接
   続した可変容量素子とで構成したＨＹＢ反射型位相器に
   おいて、前記可変容量素子に、インダクタンスの値が前
   記可変容量素子の最小リアクタンスとほぼ共振する値の
   ワイヤを直列に接続したことを特徴としたＨＹＢ反射型
   位相器。