JPH0447912B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0447912B2 JPH0447912B2 JP60192937A JP19293785A JPH0447912B2 JP H0447912 B2 JPH0447912 B2 JP H0447912B2 JP 60192937 A JP60192937 A JP 60192937A JP 19293785 A JP19293785 A JP 19293785A JP H0447912 B2 JPH0447912 B2 JP H0447912B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- track
- center hole
- guide track
- disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明は、光ビーム照射により情報の記録、再
生、消去の少くとも１つの動作を行う光メモリ素
子の製造の改良に関するものであり、更に詳細に
は光メモリ素子のガイドトラツク、トラツク番地
等の形成に使用するマスクの改良に関するもので
ある。
生、消去の少くとも１つの動作を行う光メモリ素
子の製造の改良に関するものであり、更に詳細に
は光メモリ素子のガイドトラツク、トラツク番地
等の形成に使用するマスクの改良に関するもので
ある。
〈発明の技術的背景とその問題点〉
近年光メモリ素子は高密度大容量のメモリ素子
として注目されている。この光メモリ素子はその
使用形態により、再生専用メモリ、追加記録可能
メモリ及び書き換え可能メモリの３種に分けるこ
とができる。
として注目されている。この光メモリ素子はその
使用形態により、再生専用メモリ、追加記録可能
メモリ及び書き換え可能メモリの３種に分けるこ
とができる。
このうち、追加記録可能メモリ及び書き換え可
能メモリとして使用する光メモリ素子の場合は情
報の記録、再生を行う光ビームのスポツトを光メ
モリ素子の所定の位置に案内するためにガイドト
ラツクやトラツク番号部分等を通常備えている。
特に光メモリ素子が第３図に示すごとき光デイス
クである時はその基板１にガイドトラツク３およ
びトラツク番号部分２（トラツクが多くのセクタ
ーに分かれる場合はセクター番地も同様に形成さ
れる）が同心円状もしくは螺旋状に形成されてい
る。なお第３図においては簡略化して１本のトラ
ツク３および１個所の番地２のみを示している。
能メモリとして使用する光メモリ素子の場合は情
報の記録、再生を行う光ビームのスポツトを光メ
モリ素子の所定の位置に案内するためにガイドト
ラツクやトラツク番号部分等を通常備えている。
特に光メモリ素子が第３図に示すごとき光デイス
クである時はその基板１にガイドトラツク３およ
びトラツク番号部分２（トラツクが多くのセクタ
ーに分かれる場合はセクター番地も同様に形成さ
れる）が同心円状もしくは螺旋状に形成されてい
る。なお第３図においては簡略化して１本のトラ
ツク３および１個所の番地２のみを示している。
さて、このトラツクや番地をそなえたデイスク
基板の製法には種々のものがあるが、たとえば特
願昭59−51977に記載したようにガラス円板にレ
ジスト材を塗布し、ガイドトラツクや番地の入つ
たマスクを密着して、露光し、レジスト材を現像
後、ドライやウエツト等のエツチングでガラス円
板に直接トラツクや番地を溝やピツト形で形成す
る方法では、ガイドトラツクの中心とガラス円板
の中心穴の中心とをできるだけ一致させる必要が
ある。もしガイドトラツクとガラス円板の中心穴
との同心度が悪いと、第４図に示すように記録、
再生、消去時にガラス中心穴を回転軸４に固定
し、ガラス円板を回転させた時ガイドトラツク
が、記録、再生、消去用レーザ光５に対して大き
く振れまわるため、レンズの位置制御を行うトラ
ツクサーボが困難になつた。以上の点よりガイド
トラツク露光時にガイドトラツクとガラス円板中
心穴の同心度を精度よく（好ましくは20μm以内）
合わす必要がある。
基板の製法には種々のものがあるが、たとえば特
願昭59−51977に記載したようにガラス円板にレ
ジスト材を塗布し、ガイドトラツクや番地の入つ
たマスクを密着して、露光し、レジスト材を現像
後、ドライやウエツト等のエツチングでガラス円
板に直接トラツクや番地を溝やピツト形で形成す
る方法では、ガイドトラツクの中心とガラス円板
の中心穴の中心とをできるだけ一致させる必要が
ある。もしガイドトラツクとガラス円板の中心穴
との同心度が悪いと、第４図に示すように記録、
再生、消去時にガラス中心穴を回転軸４に固定
し、ガラス円板を回転させた時ガイドトラツク
が、記録、再生、消去用レーザ光５に対して大き
く振れまわるため、レンズの位置制御を行うトラ
ツクサーボが困難になつた。以上の点よりガイド
トラツク露光時にガイドトラツクとガラス円板中
心穴の同心度を精度よく（好ましくは20μm以内）
合わす必要がある。
〈発明の目的〉
本発明はマスクを用いることによりガイドトラ
ツクや番地部をデイスク上に塗布されたレジスト
膜に転写する際にデイスク穴中心とトラツク中心
との一致を容易にするマスクを提供することを目
的とする。
ツクや番地部をデイスク上に塗布されたレジスト
膜に転写する際にデイスク穴中心とトラツク中心
との一致を容易にするマスクを提供することを目
的とする。
〈発明の実施例〉
以下本発明に係る光メモリ素子製造用マスクの
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係る光デイスク基板用マスク
の一実施例の平面図である。本マスクはたとえば
石英ガラス円板上にCrやCrOの膜を形成し、第１
図に示すようなパターンが残るようにCrやCrOを
エツチングしてマスクを形成したものである。図
中の斜線部分はCrやCrOが残されている部分であ
る。ａの領域が情報領域であり、この領域の一部
にトラツク３、番地２がらせん状もしくは同心円
状に形成されている。マスクの内部にはCrもし
くはCrOが除去された部分ｂがあり、そのｂの領
域内に一ケ所位置決め用の基準マーカＣを設けて
いる。この基準マーカＣをマスクのガイドトラツ
ク記録時に同一記録装置を用いて記録しておけば
トラツク部との同心度は補償される。たとえばマ
ーカＣの直径を第３図のガラスデイスクの中心穴
径とほゞ等しくしておくと、マスクによりガラス
デイスクにパターンを転写する際デイスク中心穴
とこのマーカＣとを一致させることで容易にデイ
スク穴中心とトラツク中心とを一致し得る。
の一実施例の平面図である。本マスクはたとえば
石英ガラス円板上にCrやCrOの膜を形成し、第１
図に示すようなパターンが残るようにCrやCrOを
エツチングしてマスクを形成したものである。図
中の斜線部分はCrやCrOが残されている部分であ
る。ａの領域が情報領域であり、この領域の一部
にトラツク３、番地２がらせん状もしくは同心円
状に形成されている。マスクの内部にはCrもし
くはCrOが除去された部分ｂがあり、そのｂの領
域内に一ケ所位置決め用の基準マーカＣを設けて
いる。この基準マーカＣをマスクのガイドトラツ
ク記録時に同一記録装置を用いて記録しておけば
トラツク部との同心度は補償される。たとえばマ
ーカＣの直径を第３図のガラスデイスクの中心穴
径とほゞ等しくしておくと、マスクによりガラス
デイスクにパターンを転写する際デイスク中心穴
とこのマーカＣとを一致させることで容易にデイ
スク穴中心とトラツク中心とを一致し得る。
尚、マーカは必ずしも上記実施例に限らず、た
とえばマーカＣを第２図のごとく２本設け、その
間隔をたとえば10〜20μmとし、その間にガラス
デイスクの中心穴が入るような径にしてもよい。
すなわちガラスデイスクの中心穴の径が15mmとす
るとマーカＣの一本の直径は14.09mm、他の一本
の値径は15.01mmとすれば、ガラスデイスクの中
心穴との位置あわせが容易である。ここで通常ガ
ラスデイスクの中心穴は真円度が良いが直径は製
作工程により変化があるのでたとえば15±0.5mm
のように幅を持つことが多い。その時はマーカＣ
を複数個設け同心円を形成する様にその径を少し
ずつ変えておくと１板のマスクで、中心穴径の異
つたデイスクに対応でき便利である。また第１図
のｃをはぶき、ｂの領域をせばめてｂの部分をマ
ーカとすることも可能である。さらに上記実施例
においては斜線部分をCrやCrOの膜としたが、
Ni，Ti，Ta等他の金属膜でも良いことはもちろ
んである。
とえばマーカＣを第２図のごとく２本設け、その
間隔をたとえば10〜20μmとし、その間にガラス
デイスクの中心穴が入るような径にしてもよい。
すなわちガラスデイスクの中心穴の径が15mmとす
るとマーカＣの一本の直径は14.09mm、他の一本
の値径は15.01mmとすれば、ガラスデイスクの中
心穴との位置あわせが容易である。ここで通常ガ
ラスデイスクの中心穴は真円度が良いが直径は製
作工程により変化があるのでたとえば15±0.5mm
のように幅を持つことが多い。その時はマーカＣ
を複数個設け同心円を形成する様にその径を少し
ずつ変えておくと１板のマスクで、中心穴径の異
つたデイスクに対応でき便利である。また第１図
のｃをはぶき、ｂの領域をせばめてｂの部分をマ
ーカとすることも可能である。さらに上記実施例
においては斜線部分をCrやCrOの膜としたが、
Ni，Ti，Ta等他の金属膜でも良いことはもちろ
んである。
〈発明の効果〉
以上のように、本発明のマスクを用いれば光デ
イスク基板のガイドトラツクと中心穴との同心度
を良くすることができ、情報の記録、再生、消去
時にガイドトラツクの振れまわりが少くなり、レ
ーザ光を集光する対物レンズのサーボが容易にな
る利点がある。
イスク基板のガイドトラツクと中心穴との同心度
を良くすることができ、情報の記録、再生、消去
時にガイドトラツクの振れまわりが少くなり、レ
ーザ光を集光する対物レンズのサーボが容易にな
る利点がある。
第１図は本発明に係る光デイスク用マスクの一
実施例の平面図、第２図は他の実施例の一部平面
図、第３図は光デイスクの斜視図、第４図は光デ
イスク装置の一部断面図を示す。 図中、１……基板、２……番地、３……トラツ
ク、４……回転軸、５……レーザ光。
実施例の平面図、第２図は他の実施例の一部平面
図、第３図は光デイスクの斜視図、第４図は光デ
イスク装置の一部断面図を示す。 図中、１……基板、２……番地、３……トラツ
ク、４……回転軸、５……レーザ光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 中心穴を有するガラス円板にレジスト材を塗
布し、ガイドトラツク等のパターンが記録された
光デイスク基板用マスクを密着し、露光して現像
した後エツチングすることによつて、前記ガラス
円板に直接ガイドトラツク等を形成して光デイス
ク基板を得るための光デイスク基板用マスクにお
いて、 前記ガラス円板の中心穴と略々同半径であり、
かつ、前記ガイドトラツク等のパターンと同心の
マーカを有することを特徴とする光デイスク基板
用マスク。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19293785A JPS6252741A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光ディスク基板用マスク |
| CA000516113A CA1298728C (en) | 1985-08-30 | 1986-08-15 | Optical memory element and manufacturing method thereof |
| DE3689593T DE3689593T2 (de) | 1985-08-30 | 1986-08-29 | Element für optische Speicherung und Verfahren zu dessen Herstellung. |
| DE8686306711T DE3682985D1 (de) | 1985-08-30 | 1986-08-29 | Verfahren zur herstellung eines optischen verzeichniselementes. |
| EP19860306711 EP0214824B1 (en) | 1985-08-30 | 1986-08-29 | Manufacturing method for an optical memory element |
| EP90203177A EP0434114B1 (en) | 1985-08-30 | 1986-08-29 | Optical memory element and manufacturing method thereof |
| US07/229,753 US4925776A (en) | 1985-08-30 | 1988-08-08 | Optical memory element and manufacturing method thereof |
| US08/074,272 US5470694A (en) | 1985-08-30 | 1993-06-10 | Optical memory element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19293785A JPS6252741A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光ディスク基板用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252741A JPS6252741A (ja) | 1987-03-07 |
| JPH0447912B2 true JPH0447912B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=42116049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19293785A Granted JPS6252741A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光ディスク基板用マスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6252741A (ja) |
| CA (1) | CA1298728C (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814336A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | Toshiba Corp | 情報記憶媒体およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP19293785A patent/JPS6252741A/ja active Granted
-
1986
- 1986-08-15 CA CA000516113A patent/CA1298728C/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6252741A (ja) | 1987-03-07 |
| CA1298728C (en) | 1992-04-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |