JPH0447979Y2 - - Google Patents
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- JPH0447979Y2 JPH0447979Y2 JP600486U JP600486U JPH0447979Y2 JP H0447979 Y2 JPH0447979 Y2 JP H0447979Y2 JP 600486 U JP600486 U JP 600486U JP 600486 U JP600486 U JP 600486U JP H0447979 Y2 JPH0447979 Y2 JP H0447979Y2
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- reflection film
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- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
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- VLCQZHSMCYCDJL-UHFFFAOYSA-N tribenuron methyl Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1S(=O)(=O)NC(=O)N(C)C1=NC(C)=NC(OC)=N1 VLCQZHSMCYCDJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は高出力型半導体レーザに関する。
(ロ) 従来の技術
現在、高出力型半導体レーザとしては、１対の
共振器端面の一方を高反射膜で被覆し、他方を低
反射膜で被覆してなる構成のものである。
共振器端面の一方を高反射膜で被覆し、他方を低
反射膜で被覆してなる構成のものである。
例えば、アイイーイーイー・ジヤーナル・オ
ブ・クウオンタム・エレクトロニクス（IEEE
JOURNAL OF QUANTUM
ELECTRONICS）、VOL.QE−21、NO.6、
JUNE 1985 P623−P628には一方の共振器端面
をAl2O3（酸化アルミニウム）層とSi（シリコン）
層とを交互に複数層積層してなる反射率96％の高
反射膜で被覆し、他方の共振器端面をAl2O3から
なる反射率４％の低反射膜で被覆した高出力型半
導体レーザが開示されている。
ブ・クウオンタム・エレクトロニクス（IEEE
JOURNAL OF QUANTUM
ELECTRONICS）、VOL.QE−21、NO.6、
JUNE 1985 P623−P628には一方の共振器端面
をAl2O3（酸化アルミニウム）層とSi（シリコン）
層とを交互に複数層積層してなる反射率96％の高
反射膜で被覆し、他方の共振器端面をAl2O3から
なる反射率４％の低反射膜で被覆した高出力型半
導体レーザが開示されている。
また、上記高反射膜の他の例としては端面上に
SiO2（二酸化シリコン）、Al2O3，Si3N4（窒化シリ
コン）等からなる絶縁膜を形成し、かつ斯る絶縁
膜上にAu（金）膜を形成してなるものがある。
SiO2（二酸化シリコン）、Al2O3，Si3N4（窒化シリ
コン）等からなる絶縁膜を形成し、かつ斯る絶縁
膜上にAu（金）膜を形成してなるものがある。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
然るに、前者の高反射膜は各層の膜厚を精度良
く制御する必要があり、再現性の点で問題があ
り、またこの構造では放熱が悪いため発熱が大な
る高出力型半導体レーザには不適当である。
く制御する必要があり、再現性の点で問題があ
り、またこの構造では放熱が悪いため発熱が大な
る高出力型半導体レーザには不適当である。
一方、後者の構造ではAu膜が導電性であるた
め電気的短絡の惧れがある。
め電気的短絡の惧れがある。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は斯る点に鑑みてなされたものでその構
成的特徴は、共振器端面の一方をTiN（窒化チタ
ン）膜で被覆したことにある。
成的特徴は、共振器端面の一方をTiN（窒化チタ
ン）膜で被覆したことにある。
(ホ) 作用
TiN膜は熱伝導率が高く、かつ光反射率が高
いため、高出力型半導体レーザの高反射膜として
最適である。
いため、高出力型半導体レーザの高反射膜として
最適である。
(ヘ) 実施例
第１図は本考案の実施例を示し、１はＰ型
GaAsからなる基板、２は該基板の一主面上に積
層されたＮ型GaAsからなる電流狭窄層であり、
該狭窄層表面より基板１に達するＶ字溝が第１図
ａ中紙面垂直方向に延在している。３は上記狭窄
層２及び溝上に積層された第１クラツド層であ
り、該クラツド層はキヤリア濃度がある５×1017
〜３×1018／cm3のＰ型Ga0.5Al0.5Asからなり、そ
の層厚は上記溝上部で１〜2μm、その他の部分で
0.1〜0.3μmである。４は上記第１トラツド層３上
に積層された活性層であり、該活性層はキヤリア
濃度が1015〜1016／cm3のノンドープGa0.85Al0.15As
からなり、その層厚は0.05〜0.1μmである。５は
上記活性層４上に積層された第２クラツド層であ
り、該クラツド層はキヤリア濃度が１〜３×
1018／cm3のＮ型Ga0.5Al0.5Asからなりその層厚は
１〜2μmである。６は上記第２クラツド層５上に
積層されたキヤツプ層であり、該キヤツプ層はキ
ヤリア濃度が1017／cm3以上のＮ型GaAsからなる。
７は一方の共振器端面Ｐ上に形成された低反射膜
であり、該低反射膜はλ／４（λは発振レーザ光
の波長）の整数倍の層厚を有するAl2O3からなり
その反射率は約４％である。８は他方の共振器端
面Ｑ上に形成された高反射膜であり、該高反射膜
はTiNからなる。
GaAsからなる基板、２は該基板の一主面上に積
層されたＮ型GaAsからなる電流狭窄層であり、
該狭窄層表面より基板１に達するＶ字溝が第１図
ａ中紙面垂直方向に延在している。３は上記狭窄
層２及び溝上に積層された第１クラツド層であ
り、該クラツド層はキヤリア濃度がある５×1017
〜３×1018／cm3のＰ型Ga0.5Al0.5Asからなり、そ
の層厚は上記溝上部で１〜2μm、その他の部分で
0.1〜0.3μmである。４は上記第１トラツド層３上
に積層された活性層であり、該活性層はキヤリア
濃度が1015〜1016／cm3のノンドープGa0.85Al0.15As
からなり、その層厚は0.05〜0.1μmである。５は
上記活性層４上に積層された第２クラツド層であ
り、該クラツド層はキヤリア濃度が１〜３×
1018／cm3のＮ型Ga0.5Al0.5Asからなりその層厚は
１〜2μmである。６は上記第２クラツド層５上に
積層されたキヤツプ層であり、該キヤツプ層はキ
ヤリア濃度が1017／cm3以上のＮ型GaAsからなる。
７は一方の共振器端面Ｐ上に形成された低反射膜
であり、該低反射膜はλ／４（λは発振レーザ光
の波長）の整数倍の層厚を有するAl2O3からなり
その反射率は約４％である。８は他方の共振器端
面Ｑ上に形成された高反射膜であり、該高反射膜
はTiNからなる。
第２図はTiN膜、Al2O3とSiとを交互に積層し
てなる膜及びAl2O3上にAuを積層してなる膜の
各々の光反射率、熱伝導率及びピツカース硬度を
示す。
てなる膜及びAl2O3上にAuを積層してなる膜の
各々の光反射率、熱伝導率及びピツカース硬度を
示す。
第２図より明らかな如く、TiN膜の反射率は
Al2O3とSiとを交互に積層してなる膜及びAl2O3
上にAuを積層してなる膜に較べてやや低いが、
80％という高反射率を有し、かつ比抵抗も
250μΩ・cmと高いため単層で高反射膜が得られ、
従つて量産に適しており、またTiN膜の熱伝導
率は他の膜に比べて高いため高出力型半導体レー
ザに好適である。更にピツカース硬度も他の膜に
比べて高いため、端面も傷つき難い。
Al2O3とSiとを交互に積層してなる膜及びAl2O3
上にAuを積層してなる膜に較べてやや低いが、
80％という高反射率を有し、かつ比抵抗も
250μΩ・cmと高いため単層で高反射膜が得られ、
従つて量産に適しており、またTiN膜の熱伝導
率は他の膜に比べて高いため高出力型半導体レー
ザに好適である。更にピツカース硬度も他の膜に
比べて高いため、端面も傷つき難い。
尚、このようなTiN膜は例えばスパツタガ
ス：Ar、入力電力：200〜300W、スパツタ圧
力：２〜４×10-2（Torr）、ターゲツト：TiN粉
末、基板温度：〜200℃という条件の下でスパツ
タリングすることにより形成できる。
ス：Ar、入力電力：200〜300W、スパツタ圧
力：２〜４×10-2（Torr）、ターゲツト：TiN粉
末、基板温度：〜200℃という条件の下でスパツ
タリングすることにより形成できる。
第３図に本実施例装置の光出力−電流特性Ａと
高反射膜としてAl2O3とSiとを交互に多層積層し
てなる膜を用いた従来装置の光出力−電流特性Ｂ
とを示す。
高反射膜としてAl2O3とSiとを交互に多層積層し
てなる膜を用いた従来装置の光出力−電流特性Ｂ
とを示す。
第３図より明らかなように最大光出力は本実施
例装置の方が高い。
例装置の方が高い。
また、第４図に本実施例装置の寿命特性Ａ及び
従来装置の寿命特性Ｂを示す。尚、斯る寿命特性
は60℃の高温雰囲気中で低反射膜側より40mWの
連続出力を行なつた際の駆動電流の経時変化を測
定したものである。
従来装置の寿命特性Ｂを示す。尚、斯る寿命特性
は60℃の高温雰囲気中で低反射膜側より40mWの
連続出力を行なつた際の駆動電流の経時変化を測
定したものである。
第４図より明らかな如く、従来装置では1200時
間以上経過するとその駆動電流が上昇するのに対
して、本実施例装置では2000時間経過しても駆動
電流の変化は見られない。
間以上経過するとその駆動電流が上昇するのに対
して、本実施例装置では2000時間経過しても駆動
電流の変化は見られない。
(ト) 考案の効果
本考案の如く、高出力型半導体レーザの一共振
器端面を被覆する高反射膜をTiN膜で形成する
ことにより高出力化、高寿命化がはかれると共
に、単層で高反射膜が得られるため量産化に適し
ている。
器端面を被覆する高反射膜をTiN膜で形成する
ことにより高出力化、高寿命化がはかれると共
に、単層で高反射膜が得られるため量産化に適し
ている。
第１図は本考案の実施例を示し、第１図ａは同
図ｂのＡ−A′線断面図、第１図ｂは同図ａのＢ
−B′線断面図、第２図は各高反射膜の物理的特
性を示す図、第３図及び第４図は夫々光出力−電
流特性及び寿命特性を示す特性図である。 ８……TiN膜、Ｐ，Ｑ……共振器端面。
図ｂのＡ−A′線断面図、第１図ｂは同図ａのＢ
−B′線断面図、第２図は各高反射膜の物理的特
性を示す図、第３図及び第４図は夫々光出力−電
流特性及び寿命特性を示す特性図である。 ８……TiN膜、Ｐ，Ｑ……共振器端面。
Claims (1)
- １対の共振器端面の一方をTiN膜で被覆した
ことを特徴とする高出力型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP600486U JPH0447979Y2 (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP600486U JPH0447979Y2 (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62118469U JPS62118469U (ja) | 1987-07-28 |
| JPH0447979Y2 true JPH0447979Y2 (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=30788109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP600486U Expired JPH0447979Y2 (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0447979Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3699842B2 (ja) * | 1998-12-04 | 2005-09-28 | 三菱化学株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
| JP4236840B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2009-03-11 | 富士フイルム株式会社 | 半導体レーザ素子 |
-
1986
- 1986-01-20 JP JP600486U patent/JPH0447979Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62118469U (ja) | 1987-07-28 |
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