JPH0425720B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0425720B2
JPH0425720B2 JP8612883A JP8612883A JPH0425720B2 JP H0425720 B2 JPH0425720 B2 JP H0425720B2 JP 8612883 A JP8612883 A JP 8612883A JP 8612883 A JP8612883 A JP 8612883A JP H0425720 B2 JPH0425720 B2 JP H0425720B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
film
laser device
active layer
present
Prior art date
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Expired
Application number
JP8612883A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59211292A (ja
Inventor
Kunio Ito
Masaru Wada
Juichi Shimizu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP58086128A priority Critical patent/JPS59211292A/ja
Publication of JPS59211292A publication Critical patent/JPS59211292A/ja
Publication of JPH0425720B2 publication Critical patent/JPH0425720B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体レーザ装置、特に高出力半導
体レーザ装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 第１図は、従来の半導体レーザ装置を示してお
り、１は活性層、２はキヤビテイ端面に形成した
SiO2膜、３はSiO2膜２の表面に形成したAu膜、
４，５は電極である。
このような従来の半導体レーザにおいて、高出
力を得る方法として、第１図に示すように、半導
体レーザの二つのキヤビテイ面の一方にのみ
SiO2膜２およびAuの膜３を附着する方法が行わ
れている。しかしながら、半導体レーザをCW発
振させるためには、活性領域１は薄くしなければ
ならないので、ある程度（〜0.2μｍ）までしか厚
くできず、従つて取り出せる出力には限度があ
る。
発明の目的 本発明は、前記欠点を除去し、高出力を容易に
取り出すことができる半導体レーザ装置を提供す
ることを目的とする。
発明の構成 前記目的を達成するために、本発明の半導体レ
ーザ装置は、活性層のキヤビテイ面および側面が
絶縁膜でおおわれ、さらにその上に金属膜が付着
されるとともに、前記キヤビテイ面の一方に付着
された金属膜の一部が除去されて構成されてい
る。
実施例の説明 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説
明する。なお、従来例を示す第１図と同一箇所に
は同一番号を付している。
第２図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例
の斜視図である。レーザ素子１０のキヤビテイ面
と側面にスパツタリングによりSiO2膜２を厚さ
2500〓だけ付着する。さらに一方のキヤビテイ面
のSiO2膜２の表面に、直径5μｍのワイアを載置
して、SiO2２の上にAuを蒸着する。蒸着後、前
記ワイアを取り除くと、キヤビテイ面の一方に窓
６が形成されたAu膜３が形成される。
この構造の半導体レーザ装置はキヤビテイ面お
よび側面の四面がAuでおおわれているので、光
は多重共振し、低しきい値で発振する。そしてそ
の発振光は一つの窓６を通してのみ取り出され
る。この構造によりしきい値を低くすることがで
きるので、活性層１の厚さを１〜2μｍにまで大
きくしても、容易にCW発振を得ることができ
る。したがつて、活性層の厚さを厚くすれば高密
度出力にも耐えられるので、高出力室温CW発振
が容易に得られる。
第３図は、活性層の厚さを2μｍとして構成さ
れた本発明のレーザ装置の電流−出力特性(a)を、
活性層の厚さが0.2μｍの第１図の構成の半導体レ
ーザ装置の特性(b)と比較して示した図である。し
きい値Ithはほとんど変らないが、最大出力は、
CW発振で500ｍＷ以上得ることができ、従来の
半導体レーザの10倍以上の出力が得られる。ま
た、本発明の半導体レーザは、50℃、300ｍＷで
500H以上のCW発振を再現性よく実現した。
発明の効果 本発明の半導体レーザ装置は、キヤビテイ面お
よび側面がAu膜で囲まれているので、光が多重
共振を起こし、しきい値電流がきわめて低くな
る。また活性層の厚さを大きくすることにより、
容易に高出力を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の半導体レーザ装置の側面図、
第２図は、本発明の実施例の半導体レーザ装置の
斜視図、第３図は本発明(a)と従来例(b)の電流−出
力特性を示す図である。 １……活性層、４，５……電極、２……SiO2
膜、３……Au膜、６……窓。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 活性層の側面およびキヤビテイ面が絶縁膜で
    おおわれ、前記キヤビテイ面の一方の面の前記絶
    縁膜上の一部を除いて、前記絶縁膜の上に金属膜
    が付着されたことを特徴とする半導体レーザ装
    置。
JP58086128A 1983-05-16 1983-05-16 半導体レ−ザ装置 Granted JPS59211292A (ja)

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JPS59211292A JPS59211292A (ja) 1984-11-30
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS64785A (en) * 1986-07-29 1989-01-05 Ricoh Co Ltd Manufacture of mask semiconductor laser
JPS63198390A (ja) * 1987-02-13 1988-08-17 Ricoh Co Ltd マスク半導体レ−ザ−の製作方法
JP2688897B2 (ja) * 1987-03-13 1997-12-10 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
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JPS59211292A (ja) 1984-11-30

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