JPH0529702A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH0529702A JPH0529702A JP17839891A JP17839891A JPH0529702A JP H0529702 A JPH0529702 A JP H0529702A JP 17839891 A JP17839891 A JP 17839891A JP 17839891 A JP17839891 A JP 17839891A JP H0529702 A JPH0529702 A JP H0529702A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体レーザに関し、半導体レーザ
の共振器長が短くなった場合にも、上面電極や下面電極
が保護膜で覆われることなく、良好なワイヤボンディン
グやダイボンディングを行うことができる半導体レーザ
を提供することを目的とする。 【構成】半導体基板１２上に形成された共振器１４の端
面が劈開面である半導体レーザ１０において、共振器１
４の端面における活性層１３の近傍のみが保護膜２０、
２２により覆われるように構成する。
の共振器長が短くなった場合にも、上面電極や下面電極
が保護膜で覆われることなく、良好なワイヤボンディン
グやダイボンディングを行うことができる半導体レーザ
を提供することを目的とする。 【構成】半導体基板１２上に形成された共振器１４の端
面が劈開面である半導体レーザ１０において、共振器１
４の端面における活性層１３の近傍のみが保護膜２０、
２２により覆われるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板上に形成され
た共振器の端面に反射防止膜、高反射率膜、保護膜等が
形成された半導体レーザ及びその製造方法に関する。
た共振器の端面に反射防止膜、高反射率膜、保護膜等が
形成された半導体レーザ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザの発振しきい値電流
を小さくして消費電力を低減させるために、共振器の長
さを短くして半導体レーザの両端面に高反射率の保護膜
を形成する試みがなされている。半導体レーザの両端面
に保護膜を形成する従来の方法について図９を用いて説
明する。
を小さくして消費電力を低減させるために、共振器の長
さを短くして半導体レーザの両端面に高反射率の保護膜
を形成する試みがなされている。半導体レーザの両端面
に保護膜を形成する従来の方法について図９を用いて説
明する。
【０００３】半導体レーザ１００では、半導体基板１０
２上に活性層１０３を含む共振器１０４が形成され、共
振器１０４上面には上面電極１０６が形成され、半導体
基板１００底面には下面電極１０８が形成されている。
保護膜形成用治具１２０の中央には半導体レーザ１００
を載置するＵ溝１２２が形成されている。Ｕ溝１２２の
幅は、半導体レーザ１００を収納できるように半導体レ
ーザ１００の全体の厚さより少し大きく形成され、Ｕ溝
１２２の深さは、収納時に半導体レーザ１００の端部が
僅かに突出するように形成されている。
２上に活性層１０３を含む共振器１０４が形成され、共
振器１０４上面には上面電極１０６が形成され、半導体
基板１００底面には下面電極１０８が形成されている。
保護膜形成用治具１２０の中央には半導体レーザ１００
を載置するＵ溝１２２が形成されている。Ｕ溝１２２の
幅は、半導体レーザ１００を収納できるように半導体レ
ーザ１００の全体の厚さより少し大きく形成され、Ｕ溝
１２２の深さは、収納時に半導体レーザ１００の端部が
僅かに突出するように形成されている。
【０００４】保護膜形成用治具１２０のＵ溝１２２に半
導体レーザ１００を載置した後、ＣＶＤ法により上方か
ら保護膜材料を堆積させることにより、半導体レーザ１
００の一方の端面に保護膜１１０を付着させる。同様に
して、半導体レーザ１００の他方の端面に保護膜１１２
を付着させる。
導体レーザ１００を載置した後、ＣＶＤ法により上方か
ら保護膜材料を堆積させることにより、半導体レーザ１
００の一方の端面に保護膜１１０を付着させる。同様に
して、半導体レーザ１００の他方の端面に保護膜１１２
を付着させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、半導体レーザ１００の共振器１０４長が短く
なると、半導体レーザ１００の端面だけでなく上面電極
１０６、下面電極１０８の一部が絶縁性の保護膜１１
０、１１２により覆われてしまい、ワイヤボンディング
時に上面電極１０６との導通不良が生じたり、ダイボン
ディング時にヒートシンク（図示せず）と下面電極１０
８が導通不良になっらたりするという問題があった。
方法では、半導体レーザ１００の共振器１０４長が短く
なると、半導体レーザ１００の端面だけでなく上面電極
１０６、下面電極１０８の一部が絶縁性の保護膜１１
０、１１２により覆われてしまい、ワイヤボンディング
時に上面電極１０６との導通不良が生じたり、ダイボン
ディング時にヒートシンク（図示せず）と下面電極１０
８が導通不良になっらたりするという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、半導体レーザの共振器長
が短くなった場合にも、上面電極や下面電極が保護膜で
覆われることなく、良好なワイヤボンディングやダイボ
ンディングを行うことができる半導体レーザ及びその製
造方法を提供することにある。
が短くなった場合にも、上面電極や下面電極が保護膜で
覆われることなく、良好なワイヤボンディングやダイボ
ンディングを行うことができる半導体レーザ及びその製
造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の原理を図１乃至
図４を用いて説明する。図１に示す半導体レーザ１０は
両端面が劈開面である。半導体基板１２上に活性層１３
を含む共振器１４が形成され、共振器１４上面には上面
電極１６が形成され、半導体基板１０底面には下面電極
１８が形成されている。保護膜２０、２２は共振器１４
の活性層１３近傍のみに形成されている。半導体レーザ
１０の端面には全体ではなく共振器１４の活性層１３近
傍のみに保護膜２０、２２が形成され、上面電極１６上
には端の僅かな部分のみが保護膜２０、２２により覆わ
れている。
図４を用いて説明する。図１に示す半導体レーザ１０は
両端面が劈開面である。半導体基板１２上に活性層１３
を含む共振器１４が形成され、共振器１４上面には上面
電極１６が形成され、半導体基板１０底面には下面電極
１８が形成されている。保護膜２０、２２は共振器１４
の活性層１３近傍のみに形成されている。半導体レーザ
１０の端面には全体ではなく共振器１４の活性層１３近
傍のみに保護膜２０、２２が形成され、上面電極１６上
には端の僅かな部分のみが保護膜２０、２２により覆わ
れている。
【０００８】図１の半導体レーザ１０の製造方法を図２
に示す。保護膜形成用治具２４は、約９０度の角度をな
す第１の接触面２６と第２の接触面２８を有し、第１の
接触面２６と第２の接触面２８の端縁によりスリット形
状の隙間２９が形成されている。このように形成された
保護膜形成用治具２４に対して、第１の接触面２６に半
導体レーザ１０の一方の端面が接し、第２の接触面２８
に半導体レーザ１０の上面電極１６が接し、半導体レー
ザ１０の共振器１４の端面における活性層１３近傍が隙
間２９から露出するように半導体レーザ１０を載置す
る。
に示す。保護膜形成用治具２４は、約９０度の角度をな
す第１の接触面２６と第２の接触面２８を有し、第１の
接触面２６と第２の接触面２８の端縁によりスリット形
状の隙間２９が形成されている。このように形成された
保護膜形成用治具２４に対して、第１の接触面２６に半
導体レーザ１０の一方の端面が接し、第２の接触面２８
に半導体レーザ１０の上面電極１６が接し、半導体レー
ザ１０の共振器１４の端面における活性層１３近傍が隙
間２９から露出するように半導体レーザ１０を載置す
る。
【０００９】下方から飛来するように保護膜材料を蒸着
することにより、保護膜形成用治具２４の隙間２９から
露出した共振器１４端面の活性層１３近傍のみに保護膜
２０を形成する。半導体レーザ１０の反対側の端面に保
護膜２２を形成する場合には、保護膜形成用治具２４の
第１の接触面２６に半導体レーザ１０の他方の端面が接
し、第２の接触面２８に半導体レーザ１０の上面電極１
６が接し、半導体レーザ１０の共振器１４の他方の端面
における活性層１３近傍が隙間２９から露出するように
半導体レーザ１０を載置し、下方から飛来するように保
護膜材料を蒸着することにより、保護膜形成用治具２４
の隙間２９から露出した共振器１４の他方の端面の活性
層１３近傍のみに保護膜２２を形成する。
することにより、保護膜形成用治具２４の隙間２９から
露出した共振器１４端面の活性層１３近傍のみに保護膜
２０を形成する。半導体レーザ１０の反対側の端面に保
護膜２２を形成する場合には、保護膜形成用治具２４の
第１の接触面２６に半導体レーザ１０の他方の端面が接
し、第２の接触面２８に半導体レーザ１０の上面電極１
６が接し、半導体レーザ１０の共振器１４の他方の端面
における活性層１３近傍が隙間２９から露出するように
半導体レーザ１０を載置し、下方から飛来するように保
護膜材料を蒸着することにより、保護膜形成用治具２４
の隙間２９から露出した共振器１４の他方の端面の活性
層１３近傍のみに保護膜２２を形成する。
【００１０】図３に示す半導体レーザ３０は一方の端面
が劈開面で他方の端面がエッチング面である。半導体基
板３２上には一部がエッチング除去されたＬ字型の共振
器３４が形成されている。エッチングすることにより通
常の劈開技術では得られないような短い共振器３４が実
現されている。共振器３４上面にはＬ字型の上面電極３
６が形成され、半導体基板３０底面には下面電極３８が
形成されている。保護膜４０、４２は共振器３４の活性
層３３近傍のみに形成されている。
が劈開面で他方の端面がエッチング面である。半導体基
板３２上には一部がエッチング除去されたＬ字型の共振
器３４が形成されている。エッチングすることにより通
常の劈開技術では得られないような短い共振器３４が実
現されている。共振器３４上面にはＬ字型の上面電極３
６が形成され、半導体基板３０底面には下面電極３８が
形成されている。保護膜４０、４２は共振器３４の活性
層３３近傍のみに形成されている。
【００１１】半導体レーザ３０の劈開端面では、図１に
示す半導体レーザと同様に、端面全体ではなく共振器３
４の活性層３３近傍のみに保護膜４０が形成されてい
る。半導体レーザ３０のエッチング端面では、上面電極
３６上の端の僅かな部分のみが保護膜４２により覆われ
ている。図３の半導体レーザ３０の製造方法を図４に示
す。
示す半導体レーザと同様に、端面全体ではなく共振器３
４の活性層３３近傍のみに保護膜４０が形成されてい
る。半導体レーザ３０のエッチング端面では、上面電極
３６上の端の僅かな部分のみが保護膜４２により覆われ
ている。図３の半導体レーザ３０の製造方法を図４に示
す。
【００１２】保護膜形成用治具４４の中央には、約９０
度の角度をなす第１の接触面４６及び第２の接触面４７
を有する凹部４８が形成されている。この凹部４８の第
２の接触面４７中の所定位置には隙間４９が形成されて
いる。このように形成された保護膜形成用治具４４に対
して、第１の接触面４６に半導体基板３２の端面が接
し、第２の接触面４７に共振器３４の上面電極３６が接
し、隙間４９から共振器３４のエッチング面における活
性層３３の近傍が臨くように半導体レーザ３０を載置す
る。
度の角度をなす第１の接触面４６及び第２の接触面４７
を有する凹部４８が形成されている。この凹部４８の第
２の接触面４７中の所定位置には隙間４９が形成されて
いる。このように形成された保護膜形成用治具４４に対
して、第１の接触面４６に半導体基板３２の端面が接
し、第２の接触面４７に共振器３４の上面電極３６が接
し、隙間４９から共振器３４のエッチング面における活
性層３３の近傍が臨くように半導体レーザ３０を載置す
る。
【００１３】下方から飛来するように保護膜材料を蒸着
することにより、保護膜形成用治具４４の隙間４９から
臨いた、半導体レーザ３０の共振器３４のエッチング端
面における活性層３３近傍のみに保護膜４２を形成す
る。なお、半導体レーザ３０の反対側の端面には、図３
に示す保護膜形成用治具２４を用いて保護膜４０を形成
する。
することにより、保護膜形成用治具４４の隙間４９から
臨いた、半導体レーザ３０の共振器３４のエッチング端
面における活性層３３近傍のみに保護膜４２を形成す
る。なお、半導体レーザ３０の反対側の端面には、図３
に示す保護膜形成用治具２４を用いて保護膜４０を形成
する。
【００１４】
【作用】本発明によれば、半導体レーザの共振器の端面
における活性層の近傍のみが保護膜により覆われ、上面
電極や下面電極は保護膜で覆われることなく露出してい
るので、良好なワイヤボンディングやダイボンディング
を行うことができる。
における活性層の近傍のみが保護膜により覆われ、上面
電極や下面電極は保護膜で覆われることなく露出してい
るので、良好なワイヤボンディングやダイボンディング
を行うことができる。
【００１５】
【実施例】本発明の第１の実施例による半導体レーザを
図５を用いて説明する。本実施例の半導体レーザ５０は
両端面が劈開面である。ｎ型ＩｎＰ基板５２上にｎ型Ｉ
ｎＰクラッド層５４と、ＩｎＧａＡｓＰ活性層５６と、
ｐ型ＩｎＰクラッド層５８とが順次積層されて共振器６
０を構成している。本実施例の共振器６０の長さは約２
００μｍである。ｐ型ＩｎＰクラッド層５８上には、ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層６２を介してＴｉ／Ｐｔ
／Ａｕのｐ側電極６４が形成されている。ｎ型ＩｎＰ基
板５２下面にはＡｕＧｅ／Ａｕのｎ側電極６６が形成さ
れている。
図５を用いて説明する。本実施例の半導体レーザ５０は
両端面が劈開面である。ｎ型ＩｎＰ基板５２上にｎ型Ｉ
ｎＰクラッド層５４と、ＩｎＧａＡｓＰ活性層５６と、
ｐ型ＩｎＰクラッド層５８とが順次積層されて共振器６
０を構成している。本実施例の共振器６０の長さは約２
００μｍである。ｐ型ＩｎＰクラッド層５８上には、ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層６２を介してＴｉ／Ｐｔ
／Ａｕのｐ側電極６４が形成されている。ｎ型ＩｎＰ基
板５２下面にはＡｕＧｅ／Ａｕのｎ側電極６６が形成さ
れている。
【００１６】半導体レーザ５０の端面には、全面ではな
く共振器６０のＩｎＧａＡｓＰ活性層５６近傍のみに保
護膜６８、７０が形成されている。ｐ側電極６４上には
端の僅かな部分のみが保護膜６８、７０により覆われて
いる。本実施例の保護膜６８、７０は、約２２０厚のＳ
ｉＯ2 層上に約２２０厚のＳｉＯ2 層が積層された多層
高反射膜である。ＩｎＧａＡｓＰ活性層５６から発生し
たレーザ光を高反射率により反射する。
く共振器６０のＩｎＧａＡｓＰ活性層５６近傍のみに保
護膜６８、７０が形成されている。ｐ側電極６４上には
端の僅かな部分のみが保護膜６８、７０により覆われて
いる。本実施例の保護膜６８、７０は、約２２０厚のＳ
ｉＯ2 層上に約２２０厚のＳｉＯ2 層が積層された多層
高反射膜である。ＩｎＧａＡｓＰ活性層５６から発生し
たレーザ光を高反射率により反射する。
【００１７】図５の半導体レーザの製造方法を図６を用
いて説明する。本実施例による保護膜形成用治具７２
は、加工性がよく洗浄しやすいジルコニア（ＺｒＯ2 ）
により作られ、図６（ａ）に示すように、約９０度の角
度をなすＶ溝７４が複数箇所に形成され、Ｖ溝７４の底
にはスリット状の隙間７６が開口している。
いて説明する。本実施例による保護膜形成用治具７２
は、加工性がよく洗浄しやすいジルコニア（ＺｒＯ2 ）
により作られ、図６（ａ）に示すように、約９０度の角
度をなすＶ溝７４が複数箇所に形成され、Ｖ溝７４の底
にはスリット状の隙間７６が開口している。
【００１８】図６（ｂ）に示すように、半導体レーザ５
０の一方の端面がＶ溝７４を形成する接触面７４ａに接
し、半導体レーザ５０のｐ側電極６４の上面がＶ溝７４
を形成する接触面７４ｂに接し、半導体レーザ５０の共
振器６０の端面におけるＩｎＧａＡｓＰ活性層５６近傍
がＶ溝７４底の隙間７６から露出するように半導体レー
ザ５０を載置する。
０の一方の端面がＶ溝７４を形成する接触面７４ａに接
し、半導体レーザ５０のｐ側電極６４の上面がＶ溝７４
を形成する接触面７４ｂに接し、半導体レーザ５０の共
振器６０の端面におけるＩｎＧａＡｓＰ活性層５６近傍
がＶ溝７４底の隙間７６から露出するように半導体レー
ザ５０を載置する。
【００１９】保護膜形成用治具７２下方からＳｉ及びＳ
ｉＯ2 を蒸着し、隙間７６から露出した半導体レーザ５
０の共振器６０のＩｎＧａＡｓＰ活性層５６近傍のみに
保護膜６８を形成する。同様にして、半導体レーザ５０
の反対側の端面に保護膜７０を形成する。このように本
実施例によれば、共振器の活性層近傍のみに保護膜が形
成され、ｐ側電極やｎ側電極上には保護膜が形成される
ことなく露出しているので、良好なワイヤボンディング
やダイボンディングを行うことができる。
ｉＯ2 を蒸着し、隙間７６から露出した半導体レーザ５
０の共振器６０のＩｎＧａＡｓＰ活性層５６近傍のみに
保護膜６８を形成する。同様にして、半導体レーザ５０
の反対側の端面に保護膜７０を形成する。このように本
実施例によれば、共振器の活性層近傍のみに保護膜が形
成され、ｐ側電極やｎ側電極上には保護膜が形成される
ことなく露出しているので、良好なワイヤボンディング
やダイボンディングを行うことができる。
【００２０】本発明の第２の実施例による半導体レーザ
を図７を用いて説明する。図５に示す半導体レーザと同
種の構成要素には同一の符号を付して説明を簡略にす
る。本実施例の半導体レーザ５０は一方の端面が劈開面
であり、他方の端面がエッチング面である。ｎ型ＩｎＰ
基板５２上にｎ型ＩｎＰクラッド層５４と、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層５６と、ｐ型ＩｎＰクラッド層５８とが積層
されて共振器６０を構成している。本実施例では共振器
６０の一部をｎ型ＩｎＰ基板５２の上部に達するまでエ
ッチング除去することにより最短１０μｍ程度までの短
い共振器長が実現できる。共振器６０の一方の端面はエ
ッチング面となる。なお、共振器６０の他方の端面は第
１の実施例と同様に劈開面である。
を図７を用いて説明する。図５に示す半導体レーザと同
種の構成要素には同一の符号を付して説明を簡略にす
る。本実施例の半導体レーザ５０は一方の端面が劈開面
であり、他方の端面がエッチング面である。ｎ型ＩｎＰ
基板５２上にｎ型ＩｎＰクラッド層５４と、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層５６と、ｐ型ＩｎＰクラッド層５８とが積層
されて共振器６０を構成している。本実施例では共振器
６０の一部をｎ型ＩｎＰ基板５２の上部に達するまでエ
ッチング除去することにより最短１０μｍ程度までの短
い共振器長が実現できる。共振器６０の一方の端面はエ
ッチング面となる。なお、共振器６０の他方の端面は第
１の実施例と同様に劈開面である。
【００２１】一部がエッチング除去されたＬ字型の共振
器６０のｐ型ＩｎＰクラッド層５８上には、ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰコンタクト層６２を介してＬ字型のＴｉ／Ｐｔ
／Ａｕのｐ側電極６４が形成されている。ｎ型ＩｎＰ基
板５２下面にはＡｕＧｅ／Ａｕのｎ側電極６６が形成さ
れている。半導体レーザ５０の劈開端面では、全面では
なく共振器６０のＩｎＧａＡｓＰ活性層５６近傍のみに
保護膜６８が形成されている。ｐ側電極６４上には端の
僅かな部分のみが保護膜６８により覆われている。半導
体レーザ５０のエッチング端面でも、活性層５６近傍の
みに保護膜７８が形成されている。ｐ側電極６４上には
端の僅かな部分のみが保護膜７０により覆われている。
器６０のｐ型ＩｎＰクラッド層５８上には、ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰコンタクト層６２を介してＬ字型のＴｉ／Ｐｔ
／Ａｕのｐ側電極６４が形成されている。ｎ型ＩｎＰ基
板５２下面にはＡｕＧｅ／Ａｕのｎ側電極６６が形成さ
れている。半導体レーザ５０の劈開端面では、全面では
なく共振器６０のＩｎＧａＡｓＰ活性層５６近傍のみに
保護膜６８が形成されている。ｐ側電極６４上には端の
僅かな部分のみが保護膜６８により覆われている。半導
体レーザ５０のエッチング端面でも、活性層５６近傍の
みに保護膜７８が形成されている。ｐ側電極６４上には
端の僅かな部分のみが保護膜７０により覆われている。
【００２２】本実施例の保護膜６８、７０は、約２２０
厚のＳｉＯ2 膜上に約９０ｎｍ厚のアモルファスシリコ
ン膜が積層された多層高反射膜である。ＩｎＧａＡｓＰ
活性層５６において発生したレーザ光を高反射率により
反射する。図７の半導体レーザの製造方法を図８を用い
て説明する。本実施例による保護膜形成用治具８０は、
加工性がよく洗浄しやすいジルコニア（ＺｒＯ2 ）によ
り作られ、図８（ａ）に示すように、凹部８２が複数箇
所に形成され、凹部８２の底中央にはスリット状の隙間
８４が開口している。スリット状の隙間８４は、凹部８
２の底側からＶ溝８６を加工することにより形成され
る。
厚のＳｉＯ2 膜上に約９０ｎｍ厚のアモルファスシリコ
ン膜が積層された多層高反射膜である。ＩｎＧａＡｓＰ
活性層５６において発生したレーザ光を高反射率により
反射する。図７の半導体レーザの製造方法を図８を用い
て説明する。本実施例による保護膜形成用治具８０は、
加工性がよく洗浄しやすいジルコニア（ＺｒＯ2 ）によ
り作られ、図８（ａ）に示すように、凹部８２が複数箇
所に形成され、凹部８２の底中央にはスリット状の隙間
８４が開口している。スリット状の隙間８４は、凹部８
２の底側からＶ溝８６を加工することにより形成され
る。
【００２３】図８（ｂ）に示すように、半導体レーザ５
０の一方の端面が凹部８２を形成する接触面８２ａに接
し、半導体レーザ５０のｐ側電極６４の上面が凹部８２
を形成する接触面８２ｂに接し、半導体レーザ５０の共
振器６０のエッチング端面におけるＩｎＧａＡｓＰ活性
層５６近傍が凹部８２の底部に開口したスリット状の隙
間８４から臨くように半導体レーザ５０を載置する。
０の一方の端面が凹部８２を形成する接触面８２ａに接
し、半導体レーザ５０のｐ側電極６４の上面が凹部８２
を形成する接触面８２ｂに接し、半導体レーザ５０の共
振器６０のエッチング端面におけるＩｎＧａＡｓＰ活性
層５６近傍が凹部８２の底部に開口したスリット状の隙
間８４から臨くように半導体レーザ５０を載置する。
【００２４】保護膜形成用治具８０下方からＳｉ及びＳ
ｉＯ2 を蒸着し、隙間８４から覗いた半導体レーザ５０
の共振器６０のエッチング端面のＩｎＧａＡｓＰ活性層
５６近傍のみに保護膜６８を形成する。なお、半導体レ
ーザ５０の劈開端面に保護膜７０を形成するには、図６
に示す保護膜形成用治具７２を用いて第１の実施例と同
様に行う。
ｉＯ2 を蒸着し、隙間８４から覗いた半導体レーザ５０
の共振器６０のエッチング端面のＩｎＧａＡｓＰ活性層
５６近傍のみに保護膜６８を形成する。なお、半導体レ
ーザ５０の劈開端面に保護膜７０を形成するには、図６
に示す保護膜形成用治具７２を用いて第１の実施例と同
様に行う。
【００２５】このように本実施例によれば、共振器の活
性層近傍のみに保護膜が形成され、ｐ側電極やｎ側電極
上には保護膜が形成されることなく露出しているので、
良好なワイヤボンディングやダイボンディングを行うこ
とができる。本発明は上記実施例に限らず種々の変形が
可能である。例えば、上記実施例では保護膜として、ア
モルファスシリコン層とＳｉＯ2 層が積層された多層高
反射膜を用いたが、Ｓｉ3 Ｎ4 層からなる反射防止膜
や、Ａｌ2 Ｏ3 層からなる保護膜等を用いてもよい。
性層近傍のみに保護膜が形成され、ｐ側電極やｎ側電極
上には保護膜が形成されることなく露出しているので、
良好なワイヤボンディングやダイボンディングを行うこ
とができる。本発明は上記実施例に限らず種々の変形が
可能である。例えば、上記実施例では保護膜として、ア
モルファスシリコン層とＳｉＯ2 層が積層された多層高
反射膜を用いたが、Ｓｉ3 Ｎ4 層からなる反射防止膜
や、Ａｌ2 Ｏ3 層からなる保護膜等を用いてもよい。
【００２６】また、上記実施例では保護膜材料を蒸着に
より形成したが、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）Ｃ
ＶＤにより付着させるようにしてもよい。更に、上記実
施例では保護膜形成用治具をジルコニアにより形成した
が、加工性がよく、蒸着した保護膜材料を除去する際の
耐エッチング性（例えば耐フッ酸性）を有していれば、
ジルコニア以外のセラミック材料や、ステンレス材料等
により保護膜形成用治具を形成してもよい。
より形成したが、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）Ｃ
ＶＤにより付着させるようにしてもよい。更に、上記実
施例では保護膜形成用治具をジルコニアにより形成した
が、加工性がよく、蒸着した保護膜材料を除去する際の
耐エッチング性（例えば耐フッ酸性）を有していれば、
ジルコニア以外のセラミック材料や、ステンレス材料等
により保護膜形成用治具を形成してもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、半導体レ
ーザの共振器の端面における活性層の近傍のみが保護膜
により覆われ、上面電極や下面電極は保護膜で覆われる
ことなく露出しているので、良好なワイヤボンディング
やダイボンディングを行うことができる。
ーザの共振器の端面における活性層の近傍のみが保護膜
により覆われ、上面電極や下面電極は保護膜で覆われる
ことなく露出しているので、良好なワイヤボンディング
やダイボンディングを行うことができる。
【図１】本発明による半導体レーザを示す図である。
【図２】図１に示す半導体レーザの製造方法を示す図で
ある。
ある。
【図３】本発明による半導体レーザを示す図である。
【図４】図３に示す半導体レーザの製造方法を示す図で
ある。
ある。
【図５】本発明の第１の実施例による半導体レーザを示
す図である。
す図である。
【図６】図５に示す半導体レーザの製造方法を示す図で
ある。
ある。
【図７】本発明の第２の実施例による半導体レーザを示
す図である。
す図である。
【図８】図７に示す半導体レーザの製造方法を示す図で
ある。
ある。
【図９】従来の半導体レーザ及びその製造方法を示す図
である。
である。
１０…半導体レーザ
１２…半導体基板
１３…活性層
１４…共振器
１６…上面電極
１８…下面電極
２０、２２…保護膜
２４…保護膜形成用治具
２６…第１の接触面
２８…第２の接触面
２９…隙間
３０…半導体レーザ
３２…半導体基板
３３…活性層
３４…共振器
３６…上面電極
３８…下面電極
４０、４２…保護膜
４４…保護膜形成用治具
４６…第１の接触面
４７…第２の接触面
４８…凹部
４９…隙間
５０…半導体レーザ
５２…ｎ型ＩｎＰ基板
５４…ｎ型ＩｎＰクラッド層
５６…ＩｎＧａＡｓＰ活性層
５８…ｐ型ＩｎＰクラッド層
６０…共振器
６２…ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
６４…ｐ側電極
６６…ｎ側電極
６８、７０…保護膜
７２…保護膜形成用治具
７４…Ｖ溝
７４ａ、７４ｂ…接触面
７６…隙間
８０…保護膜形成用治具
８２…凹部
８２ａ、８２ｂ…接触面
８４…隙間
８６…Ｖ溝
１００…半導体レーザ
１０２…半導体基板
１０３…活性層
１０４…共振器
１０６…上面電極
１０８…下面電極
１１０、１１２…保護膜
１２０…保護膜形成用治具
１２２…Ｕ溝
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された共振器の端面
が劈開面である半導体レーザにおいて、 前記共振器の端面における活性層の近傍のみが保護膜に
より覆われていることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成された共振器の端面
の少なくとも一方がエッチング面である半導体レーザに
おいて、 前記共振器の端面における活性層の近傍のみが保護膜に
より覆われていることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項３】 半導体基板上に形成された共振器の両端
面が劈開面である直方体形状の半導体レーザの製造方法
において、 約９０度の角度をなす第１の接触面及び第２の接触面を
有し、第１の接触面及び第２の接触面の端縁により隙間
が形成されている保護膜形成用治具を用い、 前記第１の接触面に前記半導体レーザの端面が接し、前
記第２の接触面に前記半導体レーザの上面が接し、前記
隙間から前記半導体レーザの共振器の端面における活性
層の近傍が露出するように、前記保護膜形成用治具に前
記半導体レーザを載置し、 前記隙間から露出した、前記半導体レーザの共振器の劈
開端面における活性層近傍のみに保護膜を付着させるこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板上に形成された共振器の端面
の少なくとも一方が、前記半導体基板の端面より内側に
位置するエッチング面である半導体レーザの製造方法に
おいて、 約９０度の角度をなす第１の接触面及び第２の接触面を
有し、第２の接触面中の所定位置に隙間が形成されてい
る保護膜形成用治具を用い、 前記第１の接触面に前記半導体基板の端面が接し、前記
第２の接触面に前記共振器の上面が接し、前記隙間から
前記共振器のエッチング面における活性層の近傍が臨く
ように、前記保護膜形成用治具に前記半導体レーザを載
置し、 前記隙間から臨いた、前記半導体レーザの共振器のエッ
チング端面における活性層近傍のみに保護膜を付着させ
たことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17839891A JPH0529702A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17839891A JPH0529702A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529702A true JPH0529702A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16047806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17839891A Pending JPH0529702A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529702A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068782A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2003142774A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2003198044A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法、並びに、レーザバー固定装置 |
| JP2004327637A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2005136080A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子、その製造方法及び光ピックアップ素子 |
| JP2005166945A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子 |
| JP2008205171A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP2008218523A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2008227002A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP2008294265A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Nichia Corp | 半導体レーザ素子 |
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| US8599895B2 (en) | 2011-01-27 | 2013-12-03 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
| JP2015088517A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ |
| JP2019009346A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ |
| JP2019009225A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ |
| CN110854668A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-02-28 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 一种激光巴条的封装治具及封装方法 |
-
1991
- 1991-07-18 JP JP17839891A patent/JPH0529702A/ja active Pending
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| US8446927B2 (en) | 2011-01-27 | 2013-05-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
| US8599895B2 (en) | 2011-01-27 | 2013-12-03 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
| US8611386B2 (en) | 2011-01-27 | 2013-12-17 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
| US8923355B2 (en) | 2011-01-27 | 2014-12-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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