JPH0448002Y2 - - Google Patents
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- JPH0448002Y2 JPH0448002Y2 JP4797986U JP4797986U JPH0448002Y2 JP H0448002 Y2 JPH0448002 Y2 JP H0448002Y2 JP 4797986 U JP4797986 U JP 4797986U JP 4797986 U JP4797986 U JP 4797986U JP H0448002 Y2 JPH0448002 Y2 JP H0448002Y2
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- magnetic
- pole pieces
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、磁気共鳴素子を有する強磁性薄膜フ
イルタ等のデバイスに磁界を与え、その磁界を調
整できるようにした磁気装置に関する。
イルタ等のデバイスに磁界を与え、その磁界を調
整できるようにした磁気装置に関する。
本考案は磁気装置に関し、一対のポールピース
を有する磁気ヨークの、その一対のポールピース
のギヤツプ内にデバイスを配し、一方のポールピ
ースにはコイルを巻装し、他方のポールピースに
は調整ねじを設け、この調整ねじを回動すること
により、デバイスに与える磁界を調整するように
したことにより、調整ねじによる磁界の調整の精
度を向上させ、その調整を容易にすると共に、調
整ねじ及びそのねじ孔の形成を容易にすることが
できるようにしたものである。
を有する磁気ヨークの、その一対のポールピース
のギヤツプ内にデバイスを配し、一方のポールピ
ースにはコイルを巻装し、他方のポールピースに
は調整ねじを設け、この調整ねじを回動すること
により、デバイスに与える磁界を調整するように
したことにより、調整ねじによる磁界の調整の精
度を向上させ、その調整を容易にすると共に、調
整ねじ及びそのねじ孔の形成を容易にすることが
できるようにしたものである。
従来のYIG等の強磁性薄膜を用いたフイルタ
(例えば、特開昭59−103403号公報)では、その
強磁性薄膜に、永久磁石や電磁石を用いてバイア
ス磁界を与える必要がある。このための磁気装置
は、特願昭59−44244号、特願昭59−180941号等
に記載されている。
(例えば、特開昭59−103403号公報)では、その
強磁性薄膜に、永久磁石や電磁石を用いてバイア
ス磁界を与える必要がある。このための磁気装置
は、特願昭59−44244号、特願昭59−180941号等
に記載されている。
先ず、第2図を参照して、磁気装置の従来例に
ついて説明する。3は磁気ヨークを示し、これは
上部磁気ヨーク1及び下部磁気ヨーク2から成つ
ている。これら上部及び下部磁気ヨーク1,2
は、その各鍔部1a,1bで接合されて、磁気ヨ
ーク3を構成するように成されている。
ついて説明する。3は磁気ヨークを示し、これは
上部磁気ヨーク1及び下部磁気ヨーク2から成つ
ている。これら上部及び下部磁気ヨーク1,2
は、その各鍔部1a,1bで接合されて、磁気ヨ
ーク3を構成するように成されている。
上部及び下部磁気ヨーク1,2の内側には
夫々、ポールピース1A,2Aが一体に設けられ
ている。これらポールピース1A,2Aは、上部
及び下部磁気ヨーク1,2が接合されたとき、そ
の対向端部間にギヤツプGが形成されるようにさ
れる。そして、このギヤツプG内に、上述のフイ
ルタの如きデバイス7を配する。
夫々、ポールピース1A,2Aが一体に設けられ
ている。これらポールピース1A,2Aは、上部
及び下部磁気ヨーク1,2が接合されたとき、そ
の対向端部間にギヤツプGが形成されるようにさ
れる。そして、このギヤツプG内に、上述のフイ
ルタの如きデバイス7を配する。
ポールピース1A,2Aには、夫々コイル4
A,4Bが巻装される。これらコイル4A,4B
は直列又は並列接続されて、これに直流電流(そ
の電流は可変できる)が流される。この場合、ポ
ールピース1A,2Aの対向端部が、互いに異な
る極性に着磁されるように成される。
A,4Bが巻装される。これらコイル4A,4B
は直列又は並列接続されて、これに直流電流(そ
の電流は可変できる)が流される。この場合、ポ
ールピース1A,2Aの対向端部が、互いに異な
る極性に着磁されるように成される。
例えば、上部磁気ヨーク1のポールピース1A
に、例えば、2本の調整ねじ5,6が設けられ
る。即ち、ポールピース1Aの部分に、所定間隔
を有し、軸線が互いに平行と成るように、2本の
ねじ孔を穿設し、これらねじ孔に調整ねじ(雄ね
じ)5,6を夫々螺入する。
に、例えば、2本の調整ねじ5,6が設けられ
る。即ち、ポールピース1Aの部分に、所定間隔
を有し、軸線が互いに平行と成るように、2本の
ねじ孔を穿設し、これらねじ孔に調整ねじ(雄ね
じ)5,6を夫々螺入する。
これら調整ねじ5,6の遊端が、デバイス7と
してのフイルタの2個の強磁性薄膜に各別に対向
するように、調整ねじ5,6の位置が設定され
る。
してのフイルタの2個の強磁性薄膜に各別に対向
するように、調整ねじ5,6の位置が設定され
る。
かかる磁気装置では、調整ねじ5,6を各別に
回動することによつて、フイルタの各強磁性薄膜
に与える磁界を独立に調整し、この場合はその膜
厚が異つていても、その磁界が等しく成るように
して、その共鳴周波数を等しくする。即ち、ポー
ルピース1A,2Aの対向端部間のギヤツプ長を
設定することによつて、そのギヤツプGの磁気抵
抗をある値に設定し、調整ねじ5,6を回動する
ことによつて、その磁気抵抗を微調整することに
成る。
回動することによつて、フイルタの各強磁性薄膜
に与える磁界を独立に調整し、この場合はその膜
厚が異つていても、その磁界が等しく成るように
して、その共鳴周波数を等しくする。即ち、ポー
ルピース1A,2Aの対向端部間のギヤツプ長を
設定することによつて、そのギヤツプGの磁気抵
抗をある値に設定し、調整ねじ5,6を回動する
ことによつて、その磁気抵抗を微調整することに
成る。
ところで、かかる従来の磁気装置は、磁気ヨー
ク3の両ポールピース1A,2Aにコイル4A,
4Bが巻装され、その長さは共に15〜20mmと長い
ため、その一方のポールピース1Aに設けられた
調整ねじ5,6は、それに略匹敵する長さと成
る。
ク3の両ポールピース1A,2Aにコイル4A,
4Bが巻装され、その長さは共に15〜20mmと長い
ため、その一方のポールピース1Aに設けられた
調整ねじ5,6は、それに略匹敵する長さと成
る。
このため、かかる従来の磁気装置では、調整ね
じ5,6による磁界の調整の精度が低く、調整に
要する時間が長く成つて、調整が面倒と成り、
又、調整ねじ5,6及びそのねじ孔の形成が困難
であるという欠点があつた。
じ5,6による磁界の調整の精度が低く、調整に
要する時間が長く成つて、調整が面倒と成り、
又、調整ねじ5,6及びそのねじ孔の形成が困難
であるという欠点があつた。
斯かる点に鑑み、本考案は、調整ねじによる磁
界の調整の精度を向上させ、その調整を容易にす
ると共に、調整ねじ及びそのねじ孔の形成を容易
にすることのできる磁気装置を提案しようとする
ものである。
界の調整の精度を向上させ、その調整を容易にす
ると共に、調整ねじ及びそのねじ孔の形成を容易
にすることのできる磁気装置を提案しようとする
ものである。
本考案による磁気装置は、互いに対向する長さ
の異なる一対のポールピース1A,2Aを有する
磁気ヨーク3と、一対のポールピース1A,2A
間のギヤツプG内に配された強磁性物質を用いた
デバイス7と、一対のポールピース1A,2Aの
内のより長い方のポールピース2Aに巻装された
コイル4と、一対のポールピース1A,2Aの内
のより短い方のポールピース1Aに貫通する如く
穿設されたねじ孔と、そのねじ孔に螺入された調
整ねじ5,6とを有し、その調整ねじ5,6を回
動することによつて強磁性物質を用いたデバイス
7に与える磁界を調整するようにして成るもので
ある。
の異なる一対のポールピース1A,2Aを有する
磁気ヨーク3と、一対のポールピース1A,2A
間のギヤツプG内に配された強磁性物質を用いた
デバイス7と、一対のポールピース1A,2Aの
内のより長い方のポールピース2Aに巻装された
コイル4と、一対のポールピース1A,2Aの内
のより短い方のポールピース1Aに貫通する如く
穿設されたねじ孔と、そのねじ孔に螺入された調
整ねじ5,6とを有し、その調整ねじ5,6を回
動することによつて強磁性物質を用いたデバイス
7に与える磁界を調整するようにして成るもので
ある。
かかる本考案によれば、調整ねじ5,6を回動
することによつて、デバイス7に与える磁界を調
整するができる。
することによつて、デバイス7に与える磁界を調
整するができる。
以下に、第1図を参照して、本考案の一実施例
を詳細に説明しよう。3は磁気ヨークを示し、こ
れは上部磁気ヨーク1及び下部磁気ヨーク2から
成つている。これら上部及び下部磁気ヨーク1,
2は、その各鍔部1a,1bで接合されて、磁気
ヨーク3を構成するように成されている。
を詳細に説明しよう。3は磁気ヨークを示し、こ
れは上部磁気ヨーク1及び下部磁気ヨーク2から
成つている。これら上部及び下部磁気ヨーク1,
2は、その各鍔部1a,1bで接合されて、磁気
ヨーク3を構成するように成されている。
上部及び下部磁気ヨーク1,2の内側には
夫々、ポールピース1A,2Aが一体に設けられ
ている。これらポールピース1A,2Aは、上部
及び下部磁気ヨーク1,2が接合されたとき、そ
の対向端部間にギヤツプGが形成されるようにさ
れる。そして、このギヤツプG内に、上述のフイ
ルタの如きデバイス7を配する。
夫々、ポールピース1A,2Aが一体に設けられ
ている。これらポールピース1A,2Aは、上部
及び下部磁気ヨーク1,2が接合されたとき、そ
の対向端部間にギヤツプGが形成されるようにさ
れる。そして、このギヤツプG内に、上述のフイ
ルタの如きデバイス7を配する。
ポールピース1A,2Aは、その一方1Aが短
く、他方2Aが長く成るように設定されている。
ポールピース2Aにのみコイル4が巻装される。
このコイル4に直流電流(その電流は可変でき
る)が流される。この場合、ポールピース1A,
2Aの対向端部が、互いに異なる極性に着磁され
るように成される。
く、他方2Aが長く成るように設定されている。
ポールピース2Aにのみコイル4が巻装される。
このコイル4に直流電流(その電流は可変でき
る)が流される。この場合、ポールピース1A,
2Aの対向端部が、互いに異なる極性に着磁され
るように成される。
そして、上部磁気ヨーク1のポールピース1A
に、例えば、2本の調整ねじ5,6が設けられ
る。即ち、ポールピース1Aの部分に、所定間隔
を有し、軸線が互いに平行と成るように、貫通す
る2本のねじ孔を穿設し、これらねじ孔に調整ね
じ(雄ねじ)5,6を夫々螺入する。
に、例えば、2本の調整ねじ5,6が設けられ
る。即ち、ポールピース1Aの部分に、所定間隔
を有し、軸線が互いに平行と成るように、貫通す
る2本のねじ孔を穿設し、これらねじ孔に調整ね
じ(雄ねじ)5,6を夫々螺入する。
これら調整ねじ5,6の遊端が、デバイス7と
してのフイルタの2個の強磁性薄膜に格別に対向
するように、調整ねじ5,6の位置が設定され
る。
してのフイルタの2個の強磁性薄膜に格別に対向
するように、調整ねじ5,6の位置が設定され
る。
かかる磁気装置では、調整ねじ5,6を格別に
回動することによつて、フイルタの各強磁性薄膜
に与える磁界を独立に調整し、この場合はその磁
界が等しく成るようにして、その共鳴周波数を等
しくする。即ち、ポールピース1A,2Aの対向
端部間のギヤツプ長を設定することによつて、磁
気ヨーク3の磁気抵抗をある値に設定し、調整ね
じ5,6を回動することによつて、その磁気抵抗
を微調整することに成る。
回動することによつて、フイルタの各強磁性薄膜
に与える磁界を独立に調整し、この場合はその磁
界が等しく成るようにして、その共鳴周波数を等
しくする。即ち、ポールピース1A,2Aの対向
端部間のギヤツプ長を設定することによつて、磁
気ヨーク3の磁気抵抗をある値に設定し、調整ね
じ5,6を回動することによつて、その磁気抵抗
を微調整することに成る。
かかる実施例の磁気装置によれば、磁気ヨーク
3の一対のポールピース1A,2Aのうち、一方
2Aだけにコイル4が巻装され、他方1Aには巻
装されないので、その他方のポールピース1Aを
大幅に短くすることができる。従つて、このポー
ルピース1Aに設ける調整ねじ5,6の長さをか
なり短くすることができる。
3の一対のポールピース1A,2Aのうち、一方
2Aだけにコイル4が巻装され、他方1Aには巻
装されないので、その他方のポールピース1Aを
大幅に短くすることができる。従つて、このポー
ルピース1Aに設ける調整ねじ5,6の長さをか
なり短くすることができる。
次ぎに、デバイス7の一例について第3図及び
第4図を参照して説明する。これは強磁性薄膜と
してYIG薄膜を用いた2段フイルタである。11
は誘電体基板としての石英基板で、その裏面には
接地導電層12が全面に亘り被着形成されてい
る。この石英基板11の表面上の両側付近に互い
に平行で、互いに逆向きの第1及び第2の方向に
延在する入力及び出力側マイクロストリツプライ
ン(導電層)13,14が被着形成され、その互
いに反対向きの各一旦は開放される。13A,1
4Aはマイクロストリツプライン13,14の各
開放端部である。17はGGG(ガドリウム・ガリ
ウム・ガーネツト)板で、その上に液相エピタキ
シヤル法により成長させたYIG薄膜により、フオ
トリソグラフイを用いて円板状のYIG薄膜15,
16を形成し、各々のYIG薄膜15,16を入力
及び出力側マイクロストリツプライン13,14
の上の開放端部13A,14Aより後述する特性
の距離だけ離れた位置に密着して置く。この
GGG板17の他方の主面上に、YIG薄膜15,
16に対向し、入力及び出力側マイクロストリツ
プライン13,14と交叉する如く連結用マイク
ロストリツプライン18を被着形成し、その両端
は開放される。18A,18Bはマイクロストリ
ツプライン18の両開放端部である。そして、第
3図及び第4図に示すフイルタを、第1図の磁気
装置のギヤツプG内に配し、YIG薄膜15,16
に、そのフエリ磁性共鳴のために、その膜面に垂
直で一様なバイアス直流磁界を与えて、固定又は
可変フイルタ装置を得るようにする。
第4図を参照して説明する。これは強磁性薄膜と
してYIG薄膜を用いた2段フイルタである。11
は誘電体基板としての石英基板で、その裏面には
接地導電層12が全面に亘り被着形成されてい
る。この石英基板11の表面上の両側付近に互い
に平行で、互いに逆向きの第1及び第2の方向に
延在する入力及び出力側マイクロストリツプライ
ン(導電層)13,14が被着形成され、その互
いに反対向きの各一旦は開放される。13A,1
4Aはマイクロストリツプライン13,14の各
開放端部である。17はGGG(ガドリウム・ガリ
ウム・ガーネツト)板で、その上に液相エピタキ
シヤル法により成長させたYIG薄膜により、フオ
トリソグラフイを用いて円板状のYIG薄膜15,
16を形成し、各々のYIG薄膜15,16を入力
及び出力側マイクロストリツプライン13,14
の上の開放端部13A,14Aより後述する特性
の距離だけ離れた位置に密着して置く。この
GGG板17の他方の主面上に、YIG薄膜15,
16に対向し、入力及び出力側マイクロストリツ
プライン13,14と交叉する如く連結用マイク
ロストリツプライン18を被着形成し、その両端
は開放される。18A,18Bはマイクロストリ
ツプライン18の両開放端部である。そして、第
3図及び第4図に示すフイルタを、第1図の磁気
装置のギヤツプG内に配し、YIG薄膜15,16
に、そのフエリ磁性共鳴のために、その膜面に垂
直で一様なバイアス直流磁界を与えて、固定又は
可変フイルタ装置を得るようにする。
そして、入力及び出力側マイクロストリツプラ
イン13,14の互いに対向する部分の長さ(物
理長)fを、通過帯域の信号の伝播波長λの略
1/2の整数倍、ここではλ/2に選定する。更
に、マイクロストリツプライン13,14及び1
8の各開放端部13A,14A及び18A,18
Bの夫々の円板状のYIG薄膜15,16の中心か
らの長さ(物理長)a,b,c,dを、共に通過
帯域の信号の伝播波長λの略1/4の奇数倍、こ
こではλ/4に選定する。
イン13,14の互いに対向する部分の長さ(物
理長)fを、通過帯域の信号の伝播波長λの略
1/2の整数倍、ここではλ/2に選定する。更
に、マイクロストリツプライン13,14及び1
8の各開放端部13A,14A及び18A,18
Bの夫々の円板状のYIG薄膜15,16の中心か
らの長さ(物理長)a,b,c,dを、共に通過
帯域の信号の伝播波長λの略1/4の奇数倍、こ
こではλ/4に選定する。
更に、入力及び出力側マイクロストリツプライ
ン13,14間の距離e(円板状YIG薄膜15,
16の中心間距離と実質的に等しい)を通過帯域
の信号の伝播波長λの略1/2以下(望ましくは
略λ/4以下)、ここでは略λ/4に選定する。
この場合、両YIG薄膜15,16間の直接結合が
生じない限りに於いて、距離eは短い方が望まし
い。
ン13,14間の距離e(円板状YIG薄膜15,
16の中心間距離と実質的に等しい)を通過帯域
の信号の伝播波長λの略1/2以下(望ましくは
略λ/4以下)、ここでは略λ/4に選定する。
この場合、両YIG薄膜15,16間の直接結合が
生じない限りに於いて、距離eは短い方が望まし
い。
次に、このフイルタの動作を説明しよう。入力
側マイクロストリツプライン13に伝播波長λの
高周波信号を供給すると、その高周波信号はその
開放端部13Aに伝播するが、その開放端では、
電圧最大、電流最小(零)、磁界最小(零)と成
る。一方、開放端部13AからYIG薄膜15まで
の長さは上述のように選定されているので、YIG
薄膜15の中心位置では逆に、電圧最小(零)、
電流最大、磁界最大となる。従つて、このYIG薄
膜15の中心位置では、マイクロストリツプライ
ン13とYIG薄膜15との間の磁界による高周波
結合効率は最大と成り、入力側マイクロストリツ
プライン13と連結用マイクロストリツプライン
18との間の電圧分による容量結合度は最小と成
り、アイソレーシヨンが採られることに成る。
側マイクロストリツプライン13に伝播波長λの
高周波信号を供給すると、その高周波信号はその
開放端部13Aに伝播するが、その開放端では、
電圧最大、電流最小(零)、磁界最小(零)と成
る。一方、開放端部13AからYIG薄膜15まで
の長さは上述のように選定されているので、YIG
薄膜15の中心位置では逆に、電圧最小(零)、
電流最大、磁界最大となる。従つて、このYIG薄
膜15の中心位置では、マイクロストリツプライ
ン13とYIG薄膜15との間の磁界による高周波
結合効率は最大と成り、入力側マイクロストリツ
プライン13と連結用マイクロストリツプライン
18との間の電圧分による容量結合度は最小と成
り、アイソレーシヨンが採られることに成る。
又、入力側マイクロストリツプライン13に波
長がλとは異なる高周波信号が供給されたとき
は、マイクロストリツプライン13と、YIG薄膜
15及び連結用マイクロストリツプライン18と
の間には共にある値の磁気結合度及び容量結合度
を有するので、アイソレーシヨンは採られないこ
とに成る。
長がλとは異なる高周波信号が供給されたとき
は、マイクロストリツプライン13と、YIG薄膜
15及び連結用マイクロストリツプライン18と
の間には共にある値の磁気結合度及び容量結合度
を有するので、アイソレーシヨンは採られないこ
とに成る。
しかして、YIG薄膜15に、その膜面に垂直な
バイアス直流磁界を与えれば、ある周波数でフエ
リ磁性共鳴を起こし、その周波数がアイソレーシ
ヨンの採れているとき、この周波数を帯域中心周
波数とするバンドパスフイルタが得られる。尚、
マイクロストリツプライン18と、YIG薄膜18
及び出力側マイクロストリツプライン14との間
の関係についても、上述と同様なことが言える。
バイアス直流磁界を与えれば、ある周波数でフエ
リ磁性共鳴を起こし、その周波数がアイソレーシ
ヨンの採れているとき、この周波数を帯域中心周
波数とするバンドパスフイルタが得られる。尚、
マイクロストリツプライン18と、YIG薄膜18
及び出力側マイクロストリツプライン14との間
の関係についても、上述と同様なことが言える。
尚、磁気装置のデバイス7は、かかる強磁性薄
膜フイルタに限らず、他のデバイスも可能であ
る。
膜フイルタに限らず、他のデバイスも可能であ
る。
上述せる本考案によれば、調整ねじの設けられ
るポールピースには、コイルが巻装されないので
そのポールピースを短くすることができ、調整ね
じによる磁界の調整の精度を向上させ、その調整
を容易にすると共に、調整ねじ及びそのねじ孔の
形成を容易にすることのできる磁気装置を得るこ
とができる。
るポールピースには、コイルが巻装されないので
そのポールピースを短くすることができ、調整ね
じによる磁界の調整の精度を向上させ、その調整
を容易にすると共に、調整ねじ及びそのねじ孔の
形成を容易にすることのできる磁気装置を得るこ
とができる。
第1図は本考案の一実施例を示す断面図、第2
図は従来例を示す断面図、第3図及び第4図は夫
夫デバイスとしてのフイルタの平面図及び断面図
である。 1A,2Aはポールピース、3は磁気ヨーク、
4はコイル、5,6は調整用ねじ、7はデバイス
(フイルタ)である。
図は従来例を示す断面図、第3図及び第4図は夫
夫デバイスとしてのフイルタの平面図及び断面図
である。 1A,2Aはポールピース、3は磁気ヨーク、
4はコイル、5,6は調整用ねじ、7はデバイス
(フイルタ)である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 互いに対向する長さの異なる一対のポールピー
スを有する磁気ヨークと、 上記一対のポールピース間のギヤツプ内に配さ
れた強磁性物質を用いたデバイスと、 上記一対のポールピースの内のより長い方のポ
ールピースに巻装されたコイルと、 上記一対のポールピースの内のより短い方のポ
ールピースに貫通する如く穿設されたねじ孔と、 該ねじ孔に螺入された調整ねじとを有し、 該調整ねじを回動することによつて上記強磁性
物質を用いたデバイスに与える磁界を調整するよ
うにして成る磁気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4797986U JPH0448002Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4797986U JPH0448002Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159003U JPS62159003U (ja) | 1987-10-08 |
| JPH0448002Y2 true JPH0448002Y2 (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=30869086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4797986U Expired JPH0448002Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448002Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP4797986U patent/JPH0448002Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62159003U (ja) | 1987-10-08 |
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