JPH0448644U - - Google Patents
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- JPH0448644U JPH0448644U JP9094890U JP9094890U JPH0448644U JP H0448644 U JPH0448644 U JP H0448644U JP 9094890 U JP9094890 U JP 9094890U JP 9094890 U JP9094890 U JP 9094890U JP H0448644 U JPH0448644 U JP H0448644U
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- Japan
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- semiconductor layer
- conductivity type
- predetermined
- predetermined region
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- Prior art date
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 55
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- Thyristors (AREA)
Description
第１図Ａは、本考案の一実施例の半導体装置の
平面図、第１図Ｂは、同実施例の半導体装置のＢ
−Ｂ線に沿う断面図、第２図は、同実施例の半導
体装置の作用を示す説明図、第３図Ａは、本考案
の他の実施例の半導体装置の平面図、第３図Ｂは
、同他の実施例の半導体装置のＢ−Ｂ線に沿う断
面図、第４図は、従来の半導体装置を示す断面図
、第５図は、同従来の半導体装置の問題点を示す
断面図である。 １０……ＮＢ層、１１……Ｐガードリング層、
１２……Ｐガードリング層、１３，１４……ＰＢ
層、１５，１６……ＮＥ層、１７……Ｔ２電極、
１８……Ｔ１電極、２０，３０……半導体装置、
２１，２２……ＰＢ層、２１ａ……ＰＢ層の凸状
部。
平面図、第１図Ｂは、同実施例の半導体装置のＢ
−Ｂ線に沿う断面図、第２図は、同実施例の半導
体装置の作用を示す説明図、第３図Ａは、本考案
の他の実施例の半導体装置の平面図、第３図Ｂは
、同他の実施例の半導体装置のＢ−Ｂ線に沿う断
面図、第４図は、従来の半導体装置を示す断面図
、第５図は、同従来の半導体装置の問題点を示す
断面図である。 １０……ＮＢ層、１１……Ｐガードリング層、
１２……Ｐガードリング層、１３，１４……ＰＢ
層、１５，１６……ＮＥ層、１７……Ｔ２電極、
１８……Ｔ１電極、２０，３０……半導体装置、
２１，２２……ＰＢ層、２１ａ……ＰＢ層の凸状
部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 一導電型の第１の半導体層と、該第１半導体
層の一方の主面の所定領域に導電型を異にして所
定の拡散深さで該第１半導体層内に向かつて延在
する第２半導体層と、該第１半導体層の他方の主
面に前記第２半導体層に対向して該第１半導体層
と導電型を異にして所定の拡散深さで該第１半導
体内に向かつて延在する第３半導体層と、前記第
２半導体層内の所定領域に導電型を異にして所定
の拡散深さで延在する第４半導体層と、前記第３
半導体層内の所定領域に導電型を異にして所定の
拡散深さで延在する第５半導体層とを具備する半
導体装置において、前記第２半導体層と同じ第６
半導体層を有し、該第６半導体層が、第４半導体
層に近接した第２半導体層の一側端部の所定領域
を残して該第２半導体層の周辺領域を略コ字に囲
むように形成され、前記第３半導体層と同じ導電
型の第７半導体層を有し、該第７半導体層が、第
５半導体層に近接した第３半導体層の一側端部の
所定領域を残して該第３半導体層の周辺領域を略
コ字に囲むように形成されたことを特徴とする半
導体装置。 ２ 一導電型の第１の半導体層と、該第１半導体
層の一方の主面の所定領域に導電型を異にして所
定の拡散深さで該第１半導体層内に向かつて延在
する第２半導体層と、該第１半導体層の他方の主
面に前記第２半導体層に対向して該第１半導体層
と導電型を異にして所定の拡散深さで該第１半導
体内に向かつて延在する第３半導体層と、前記第
２半導体層内の所定領域に導電型を異にして所定
の拡散深さで延在する第４半導体層と、前記第３
半導体層内の所定領域に導電型を異にして所定の
拡散深さで延在する第５半導体層とを具備する半
導体装置において、第４半導体層に近接した第２
半導体層の一側端部の所定領域に曲率半径の小さ
い屈曲面を備えた凸状部を設けると共に、第５半
導体層に近接した第３半導体層の一側端部の所定
領域に曲率半径の小さい屈曲面を備えた凸状部を
設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9094890U JP2537899Y2 (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9094890U JP2537899Y2 (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448644U true JPH0448644U (ja) | 1992-04-24 |
| JP2537899Y2 JP2537899Y2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=31826144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9094890U Expired - Lifetime JP2537899Y2 (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2537899Y2 (ja) |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP9094890U patent/JP2537899Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2537899Y2 (ja) | 1997-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |