JPH0412665U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0412665U JPH0412665U JP5320590U JP5320590U JPH0412665U JP H0412665 U JPH0412665 U JP H0412665U JP 5320590 U JP5320590 U JP 5320590U JP 5320590 U JP5320590 U JP 5320590U JP H0412665 U JPH0412665 U JP H0412665U
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- JP
- Japan
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- transistor
- semiconductor device
- incorporating
- types
- conductivity type
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は、本考案の一実施例を示す半導体装置
におけるプロセス評価用素子部分の平面図、第２
図はそのＡ−Ａ線の断面図、第３図はＢ−Ｂ線の
断面図である。 １……Ｎ型導電領域、２，３…Ｐ＋拡散層、４
，５……Ｎ＋拡散層、６……基板コンタクト、７
……アイソレーシヨン、８……酸化膜。
におけるプロセス評価用素子部分の平面図、第２
図はそのＡ−Ａ線の断面図、第３図はＢ−Ｂ線の
断面図である。 １……Ｎ型導電領域、２，３…Ｐ＋拡散層、４
，５……Ｎ＋拡散層、６……基板コンタクト、７
……アイソレーシヨン、８……酸化膜。
Claims (1)
- 素子基板に形成された単一の所定導電型領域に
、少なくともＶ−ＮＰＮトランジスタ、Ｌ−ＰＮ
ＰトランジスタおよびＶ−ＰＮＰトランジスタの
３種のトランジスタ素子が作り込まれていること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5320590U JPH0412665U (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5320590U JPH0412665U (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412665U true JPH0412665U (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=31574192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5320590U Pending JPH0412665U (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0412665U (ja) |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP5320590U patent/JPH0412665U/ja active Pending