JPH0448738A - Die bonding device - Google Patents
Die bonding deviceInfo
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- JPH0448738A JPH0448738A JP15785190A JP15785190A JPH0448738A JP H0448738 A JPH0448738 A JP H0448738A JP 15785190 A JP15785190 A JP 15785190A JP 15785190 A JP15785190 A JP 15785190A JP H0448738 A JPH0448738 A JP H0448738A
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- Japan
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- atmosphere
- gas
- temperature
- bonding
- lead frame
- Prior art date
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- Pending
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はダイボンド装置に関するものである。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] This invention relates to a die bonding device.
第2図は従来のダイボンド装置の一部を示すものであり
、因において、(1)は雰囲気カバー、(2)はボンデ
ィング点開口部、(3)は雰囲気カバー(1)に設ケラ
れた雰囲気ガス径路、14)dリードフレーム、(5)
はリードフレーム(4)上に塗布されたロー材&(6)
はリードフレーム(4)を搬送するレール、17)はリ
ードフレーム(4)を加熱するヒートブロックである。Figure 2 shows a part of the conventional die bonding equipment, in which (1) is the atmosphere cover, (2) is the bonding point opening, and (3) is the atmosphere cover (1). Atmospheric gas path, 14) d lead frame, (5)
is the brazing material applied on the lead frame (4) & (6)
17) is a rail that conveys the lead frame (4), and 17) is a heat block that heats the lead frame (4).
次に動作について説明する。雰囲気ガスは雰囲気カバー
(1)の雰囲気ガス径路(3)中を図示矢印の方向に吹
き込まれ、ボンディング点開口部(2)に到達し、リー
ドフレーム(4)上のロー材(5)の酸化を防ぐように
している。Next, the operation will be explained. Atmospheric gas is blown into the atmosphere gas path (3) of the atmosphere cover (1) in the direction of the arrow shown, reaches the bonding point opening (2), and oxidizes the brazing material (5) on the lead frame (4). I try to prevent this.
この時、リードフレーム(4)は、レール(6ンによっ
てボンディング開O部+2)まで搬送され、ヒートブロ
ック(7)によって加熱されるが、ボンディング点開口
部(2)に到達時に雰囲気ガスを吹きつけられることに
工つて、ロー材(5)の温度が低下する。At this time, the lead frame (4) is transported to the bonding opening O part +2 by the rail (6) and heated by the heat block (7), but when it reaches the bonding point opening (2), it is blown with atmospheric gas. The temperature of the brazing material (5) decreases as it is heated.
4 次% M 7 フイング点の雰囲気も冷却されるた
め、ボンディング直前にチップ裏面の温度が上がらない
。Quaternary % M 7 Since the atmosphere at the flying point is also cooled, the temperature on the back surface of the chip does not rise just before bonding.
従来のダイボンド装置は以上のように構成されて−るの
で、雰囲気温度、フレーム温度の昇温が損なわれるため
、チップ裏面を昇温させるために。Since the conventional die bonding apparatus is configured as described above, raising the temperature of the atmosphere and the frame temperature is impaired, so it is necessary to raise the temperature of the back surface of the chip.
グリヒート時間を長く設けなければならず、ま几ヒート
ブロックの設定温度を高く設定しても、ロー材が冷却さ
れるため、ロー材の溶は方が不安定になり、品質上にバ
ラツキが生じるという問題点かあつ九つ
この発明は上記の工うな問題点を解消する交めになされ
たもので、ボンディング点において、高い雰囲気温度が
得らn、品質を向上できるダイボンド装置を得ることを
目的とする。It is necessary to allow a long time to heat the material, and even if the temperature of the heat block is set high, the brazing material will be cooled down, making the melting of the brazing material unstable and causing variations in quality. This invention was made to solve the above-mentioned problems, and aims to provide a die bonding device that can obtain a high ambient temperature at the bonding point and improve quality. shall be.
この発明に係るダイポンド装置は、雰囲気ガスをホット
ガスとする工うな雰囲気カバーを備えることに工りボン
ディング点において高い雰囲気温度を得られるようにし
たものである。The die bonding device according to the present invention is equipped with an atmosphere cover that uses hot gas as the atmosphere gas to obtain a high ambient temperature at the bonding point.
〔作用〕
この発明におけるダイポンド装置は、ボンディング点開
口部に所定の温度の雰囲気ガスを供給するようにしたの
で、ボンディング点雰囲気温度が高くなり、品質が向上
する。[Function] Since the die bonding device according to the present invention is configured to supply atmospheric gas at a predetermined temperature to the bonding point opening, the bonding point atmospheric temperature is increased and quality is improved.
以下この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図(a)〜(C)において、(4)〜(7)は従来
のものと同様のため説明を省略する。In FIGS. 1(a) to 1(C), (4) to (7) are the same as the conventional ones, and therefore their explanations will be omitted.
(l&)は雰囲気カバー (2a)に雰囲気カバー(I
m)に設けられtボンディング点開口部、 r3a)
に雰囲気カバー(la)に設けられ穴雰囲気ガス径路、
(8)はホントトーチ、 (9)、 (9a)はホン
トトーチ(8)の取付ブロック、Q(Iri雰囲気カバ
ー(1a)と取付ブロック(9a)の中に設けられ几ガ
ス径路でボンディング点開口部(2a)へガスを供給す
る径路c以下ホントガス径路と呼ぶ)を構成している。(l&) is atmosphere cover (2a) and atmosphere cover (I
T bonding point opening provided in m), r3a)
A hole atmosphere gas path provided in the atmosphere cover (LA),
(8) is the real torch, (9) and (9a) are the mounting block of the real torch (8), and the bonding point opening is provided in the Q (Iri atmosphere cover (1a) and the mounting block (9a) with the gas path) A path c (hereinafter referred to as a real gas path) for supplying gas to the section (2a) is constituted.
次に動作について説明する。雰囲気ガスはボンディング
点以外ri、雰囲気ガバー(1a)のガス径路(3a)
に工や供給されるが、ボンディング点開口部(2a)に
は、ホントトーチ(8)を通してホットガス径路α〔に
1夛加熱され几雰囲気ガスが供給される。Next, the operation will be explained. Atmosphere gas flows through the gas path (3a) of the atmosphere cover (1a) other than the bonding point.
The bonding point opening (2a) is heated once and a cold atmosphere gas is supplied to the hot gas path α through the real torch (8).
1って、リードフレーム(4)が、ボンディング点に到
達した時でも、ロー材(5)にホットガスが吹き付けら
れるため、ロー材(5)が冷却されることはない0
ま九、ボンディング点の雰囲気も冷却されない几め、ボ
ンディング直前に十分チップ裏面を昇温させることがで
きる。1. Even when the lead frame (4) reaches the bonding point, hot gas is blown onto the brazing material (5), so the brazing material (5) will not be cooled down. Since the atmosphere is not cooled, the backside of the chip can be sufficiently heated just before bonding.
この発明においては、雰囲気ガスを加熱する手段として
ホントトーチを用いたが、加熱する手段は他の機構に工
っででも工く、例えば、雰囲気カバーそのものをヒート
ブロックとして吃良い。In this invention, a real torch is used as a means for heating the atmospheric gas, but the heating means may also be constructed in another mechanism, for example, the atmosphere cover itself may be used as a heat block.
ま几、この実施例でにロー材を溶かす几めの雰囲気ガス
を加熱する動作を説明し九が、例えば、ロー材を熱硬化
させるためのキュアとして用いることも可能である0
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ボンディング点開口部
に所定の温度の雰囲気ガスを供給するようにし九ので、
ボンディング点の雰囲気温度が高くすることができ、フ
レーム上のロー材の温度が低下することがなく、まt、
チップ裏面の昇温が十分に成されるため、品質の高い製
品が得られる効果がある。In this embodiment, we will explain the operation of heating the atmospheric gas to melt the brazing material.9 However, it is also possible to use it as a cure for thermosetting the brazing material, for example.0 [Effects of the Invention] ] As described above, according to the present invention, atmospheric gas at a predetermined temperature is supplied to the bonding point opening.
The atmospheric temperature at the bonding point can be raised, the temperature of the brazing material on the frame will not drop, and
Since the temperature on the back side of the chip is sufficiently raised, it has the effect of producing high quality products.
第1図はこの発明の一実施例によるダイポンド装置の一
部を示す図で、第1図(a)に正面図、第1図(b)は
上面図、第1図(c) try断面図、第2図は従来の
ダイポンド装置の一部を示す図で、82図(a) td
正面図、第2図fb)は上面図、第2図fc)は断面図
である。
図において、(la)に雰囲気カバー、 (2a)は
ボンディングく開口部i r3a)はガス径路、(4
)はリードフレーム、(5)はロー材、(6)はレール
、(7)はヒートブロック、(8)はホットトーチ=
(9)、 (9a)は取付ブロック、C1(DI;t
ホントガス径路である。
なお、図中、同一符号は同一、ま7tri相当部分を示
す。FIG. 1 is a diagram showing a part of a diepond device according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1(a) is a front view, FIG. 1(b) is a top view, and FIG. 1(c) is a try cross-sectional view. , FIG. 2 is a diagram showing a part of a conventional die pound device, and FIG. 82(a) td
The front view, FIG. 2 fb) is a top view, and FIG. 2 fc) is a sectional view. In the figure, (la) is the atmosphere cover, (2a) is the bonding opening i, (r3a) is the gas path, (4
) is lead frame, (5) is brazing material, (6) is rail, (7) is heat block, (8) is hot torch =
(9), (9a) is the mounting block, C1(DI;t
It's really a gas route. In addition, in the figure, the same reference numerals indicate the same parts or parts corresponding to 7tri.
Claims (1)
装置において、半導体素子をリードフレームに固着する
ボンディング点までリードフレームを搬送するレール、
および、前記ボンディング点に雰囲気ガスを案内するよ
うに前記レールに取付けられたカバーの所定の位置に上
記雰囲気ガスの温度より高い温度のガスを供給するよう
にしたことを特徴とするダイボンド装置。In a die bonding device that fixes a semiconductor element onto a lead frame, a rail that transports the lead frame to a bonding point where the semiconductor element is attached to the lead frame;
and a die bonding apparatus, characterized in that a gas having a temperature higher than the temperature of the atmospheric gas is supplied to a predetermined position of a cover attached to the rail so as to guide the atmospheric gas to the bonding point.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15785190A JPH0448738A (en) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Die bonding device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15785190A JPH0448738A (en) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Die bonding device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448738A true JPH0448738A (en) | 1992-02-18 |
Family
ID=15658759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15785190A Pending JPH0448738A (en) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Die bonding device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448738A (en) |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP15785190A patent/JPH0448738A/en active Pending
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