JPH0448738A - ダイボンド装置 - Google Patents

ダイボンド装置

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Publication number
JPH0448738A
JPH0448738A JP15785190A JP15785190A JPH0448738A JP H0448738 A JPH0448738 A JP H0448738A JP 15785190 A JP15785190 A JP 15785190A JP 15785190 A JP15785190 A JP 15785190A JP H0448738 A JPH0448738 A JP H0448738A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
atmosphere
gas
temperature
bonding
lead frame
Prior art date
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Pending
Application number
JP15785190A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukihiro Tomita
富田 至洋
Ryuichiro Mori
隆一郎 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP15785190A priority Critical patent/JPH0448738A/ja
Publication of JPH0448738A publication Critical patent/JPH0448738A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はダイボンド装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来のダイボンド装置の一部を示すものであり
、因において、(1)は雰囲気カバー、(2)はボンデ
ィング点開口部、(3)は雰囲気カバー(1)に設ケラ
れた雰囲気ガス径路、14)dリードフレーム、(5)
はリードフレーム(4)上に塗布されたロー材&(6)
はリードフレーム(4)を搬送するレール、17)はリ
ードフレーム(4)を加熱するヒートブロックである。
次に動作について説明する。雰囲気ガスは雰囲気カバー
(1)の雰囲気ガス径路(3)中を図示矢印の方向に吹
き込まれ、ボンディング点開口部(2)に到達し、リー
ドフレーム(4)上のロー材(5)の酸化を防ぐように
している。
この時、リードフレーム(4)は、レール(6ンによっ
てボンディング開O部+2)まで搬送され、ヒートブロ
ック(7)によって加熱されるが、ボンディング点開口
部(2)に到達時に雰囲気ガスを吹きつけられることに
工つて、ロー材(5)の温度が低下する。
4 次% M 7 フイング点の雰囲気も冷却されるた
め、ボンディング直前にチップ裏面の温度が上がらない
〔発明が解決しょうとする課題〕
従来のダイボンド装置は以上のように構成されて−るの
で、雰囲気温度、フレーム温度の昇温が損なわれるため
、チップ裏面を昇温させるために。
グリヒート時間を長く設けなければならず、ま几ヒート
ブロックの設定温度を高く設定しても、ロー材が冷却さ
れるため、ロー材の溶は方が不安定になり、品質上にバ
ラツキが生じるという問題点かあつ九つ この発明は上記の工うな問題点を解消する交めになされ
たもので、ボンディング点において、高い雰囲気温度が
得らn、品質を向上できるダイボンド装置を得ることを
目的とする。
〔課題を解決する九めの手段〕
この発明に係るダイポンド装置は、雰囲気ガスをホット
ガスとする工うな雰囲気カバーを備えることに工りボン
ディング点において高い雰囲気温度を得られるようにし
たものである。
〔作用〕 この発明におけるダイポンド装置は、ボンディング点開
口部に所定の温度の雰囲気ガスを供給するようにしたの
で、ボンディング点雰囲気温度が高くなり、品質が向上
する。
〔実施例〕
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第1図(a)〜(C)において、(4)〜(7)は従来
のものと同様のため説明を省略する。
(l&)は雰囲気カバー (2a)に雰囲気カバー(I
m)に設けられtボンディング点開口部、  r3a)
に雰囲気カバー(la)に設けられ穴雰囲気ガス径路、
(8)はホントトーチ、 (9)、  (9a)はホン
トトーチ(8)の取付ブロック、Q(Iri雰囲気カバ
ー(1a)と取付ブロック(9a)の中に設けられ几ガ
ス径路でボンディング点開口部(2a)へガスを供給す
る径路c以下ホントガス径路と呼ぶ)を構成している。
次に動作について説明する。雰囲気ガスはボンディング
点以外ri、雰囲気ガバー(1a)のガス径路(3a)
に工や供給されるが、ボンディング点開口部(2a)に
は、ホントトーチ(8)を通してホットガス径路α〔に
1夛加熱され几雰囲気ガスが供給される。
1って、リードフレーム(4)が、ボンディング点に到
達した時でも、ロー材(5)にホットガスが吹き付けら
れるため、ロー材(5)が冷却されることはない0 ま九、ボンディング点の雰囲気も冷却されない几め、ボ
ンディング直前に十分チップ裏面を昇温させることがで
きる。
この発明においては、雰囲気ガスを加熱する手段として
ホントトーチを用いたが、加熱する手段は他の機構に工
っででも工く、例えば、雰囲気カバーそのものをヒート
ブロックとして吃良い。
ま几、この実施例でにロー材を溶かす几めの雰囲気ガス
を加熱する動作を説明し九が、例えば、ロー材を熱硬化
させるためのキュアとして用いることも可能である0 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、ボンディング点開口部
に所定の温度の雰囲気ガスを供給するようにし九ので、
ボンディング点の雰囲気温度が高くすることができ、フ
レーム上のロー材の温度が低下することがなく、まt、
チップ裏面の昇温が十分に成されるため、品質の高い製
品が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるダイポンド装置の一
部を示す図で、第1図(a)に正面図、第1図(b)は
上面図、第1図(c) try断面図、第2図は従来の
ダイポンド装置の一部を示す図で、82図(a) td
正面図、第2図fb)は上面図、第2図fc)は断面図
である。 図において、(la)に雰囲気カバー、  (2a)は
ボンディングく開口部i  r3a)はガス径路、(4
)はリードフレーム、(5)はロー材、(6)はレール
、(7)はヒートブロック、(8)はホットトーチ= 
(9)、  (9a)は取付ブロック、C1(DI;t
ホントガス径路である。 なお、図中、同一符号は同一、ま7tri相当部分を示
す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体素子をリードフレーム上に固着するダイボンド
    装置において、半導体素子をリードフレームに固着する
    ボンディング点までリードフレームを搬送するレール、
    および、前記ボンディング点に雰囲気ガスを案内するよ
    うに前記レールに取付けられたカバーの所定の位置に上
    記雰囲気ガスの温度より高い温度のガスを供給するよう
    にしたことを特徴とするダイボンド装置。
JP15785190A 1990-06-15 1990-06-15 ダイボンド装置 Pending JPH0448738A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15785190A JPH0448738A (ja) 1990-06-15 1990-06-15 ダイボンド装置

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JP15785190A JPH0448738A (ja) 1990-06-15 1990-06-15 ダイボンド装置

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JPH0448738A true JPH0448738A (ja) 1992-02-18

Family

ID=15658759

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JP15785190A Pending JPH0448738A (ja) 1990-06-15 1990-06-15 ダイボンド装置

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