JPH0449274A - 新規テトラセレノテトラセンとこれを成分とする錯体 - Google Patents

新規テトラセレノテトラセンとこれを成分とする錯体

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JPH0449274A
JPH0449274A JP15844390A JP15844390A JPH0449274A JP H0449274 A JPH0449274 A JP H0449274A JP 15844390 A JP15844390 A JP 15844390A JP 15844390 A JP15844390 A JP 15844390A JP H0449274 A JPH0449274 A JP H0449274A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は高導電性の電荷移動錯体及びその成分である電
子供与体に関する。
(従来技術と発明が解決しようとする課!り有機高導電
性物質は銅やアルミニウム等の金属材料に比べ軽量であ
り腐蝕性がないこと等から近年特に注目されつつある。
一般に有機物質は電気絶縁性であるが、これに導電性を
付与するには電荷移動錯体を形成させるのがよく、これ
までに種々の電子供与体と電子受容体が合成され、これ
らの組合せから多数の導電性電荷移動錯体が提出されて
いる。
これらの中で電子供与体成分としてはテトラチアフルバ
レン(TTF)、テトラセレノテトラセン(TSeT)
等が効果的な電子供与体としてしばしば利用されている
しかしTSeTはその錯体の導電性の点で末だ充分とは
言えないだけでなく、溶解性の点でも問題があり、錯体
を合成する際に溶剤の選択、濃度等で一定の制約を受け
ていた。
(課題を解決するための手段) 本発明者らは、上記の点に鑑み、導電性に優れた電荷移
動錯体を与え、しかも優れた溶解性を有する電子供与性
を得る目的で鋭意検討した。その結果、TSeTのセレ
ンの結合位置を変え、非対称の電子供与体とすることに
より、TTFより溶解性が改善されるだけでなく、これ
と他成分の電子受容体で形成される電荷移動錯体が高導
電性を有することを見出し本発明を完成させるに至った
ものである。
すなわち本発明は下記式(I)で表わされるナフタセン
 [1,12−cd : 4,5−’c’ d’コビス
[1,2]ジセレノール及び化合物(I)と他成分の電
子受容体で形成された電荷移動錯体、更に化合物(1)
の合成中間体である下記式(It)で表わされる1、4
,5.12−テトラクロロナフタセン。
下記式(I[I)で表わされる1、4,5,5.12.
12−へキサクロロ−5,12−ジヒドロナフタセン及
び下記式(IV)で表わされる2、3−ジヒドロ−5,
12−ジヒドロキシ−1,4 するものである。
ナフタセンキノンを提供 本発明の化合物(1)〜(■)は下記のようにして公知
の反応によって合成することができる。
 OH = (■)→ (I) a)化合物(IV)の合成 1.4−ジヒドロキシ−5,12−ナフタセンキノン(
イ)を水溶性有機溶媒中、水の存在下アルカリ金属炭酸
塩とナトリウム又はカリウムハイドロサルファイドで処
理することによって、2,3−ジヒドロ−5,12−ジ
ヒドロキシ−1,4−ナフタセンキノン(化合物(■)
)が得られる。
水溶性有機溶媒としてはアセトン、N−N−ジメチルホ
ルムアルデヒド、ジメチルスルホキシド等が挙げられる
。アルカリ金属炭酸塩としては炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム等が挙げられる0反応部度は0〜100℃、反応
時間は0.5〜10時間の範囲が適当であ2.。
b)化合物(III)の合成 化合物(IV)を有機溶媒中五塩化リンで処理すること
によって、1,4,5,5,12.12−ヘキサクロロ
−5,12−ジヒドロナフタセン(化合物(■))が得
られる。有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、1−クロロ
ナフタレン等が挙げられる。反応温度は50〜160℃
、反応時間は0.5〜50時間の範囲が適当である。
C)化合物(If)の合成 化合物(III)を酢酸溶媒中濃塩酸の存在下二塩化ス
ズで処理すると、1.4.5.12〒テトラクロロナフ
タセン(化合物(■))が得られる0反応部度は80〜
160℃、反応時間は0.5〜10時間が適当である。
d)化合物(I)の合成 化合物(II)をN、N−ジメチルホルムアミド中で、
ナトリウム及びセレンで処理するとナフタセン [1,
12−c d : 4,5−c’ d’ ] ビス[1
゜2コジセレノール(化合物(I))が得られる0反応
部度は80〜160℃、反応時間は0.5〜50時間が
適当である。化合物(1)はまた化合物(III)から
直接合成することもできる。すなわち化合物(III)
をN、N−ジメチルホルムアミド中でナトリウム及びセ
レンで処理すると化合物(1)が得られる。反応温度は
80〜160℃、反応時間は0.5〜50時間が適当で
ある。
e)  lft荷移動錯体の合成 化合物(1)を電子供与体とする電荷移動錯体は、化合
物(I)及び電子受容体をそれぞれ室温又は加熱下で溶
媒に溶解した溶液を混合するか、又は化合物(1)と電
子受容体を加熱上溶媒に溶解した溶液を冷却することに
よって得られる0組成比は化合物(I)に対する電子受
容体のモル比で0.25〜5が適当である。
電子受容体としては、7.7.8.8−テトラシアノキ
ノジメタン、  2,3,5.6−テトラフルオロ−7
.7゜8.8−テトラシアノキノジメタン、2,5−ジ
メチル−7、7,8,8−テトラシアノキノジメタン、
11゜11.12.12−テトラシアノ−2,6−ナフ
トキノジメタン、2.3−ジクロロ−5,6−ジシアツ
ベンゾキノン、  1.1.2.3.4.4−ヘキサシ
アノブタジェン、テトラシアノエチレン、ジクロロジシ
アノベンソt−ノン、クロラニル、ブロモアニル、 塩
8゜臭素、ヨウ素、トリヨーダイド等が挙げられる。
有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素、四塩化炭素、ジクロロメタン、塩化メ
チレン、1.2−ジクロロエタン。
1.1.2−)ジクロロエタン。1,1.1−トリクロ
ロエタン、ブロモホルム、1.2−ジブロモエタン等の
ハロゲン化炭化水素或いは二硫化炭素等が挙げられる。
(発明の効果) +11  本発明のナフタセン[1,12−cd : 
4,5C′d′]ビス[1,2]ジセレノールはTTF
より優れた電子供与性を有する電子供与体である。
(2)本発明の新規電子供与体はTSeTより優れた溶
解性を有するだけでなく、これと他成分の電子受容体で
形成される電荷移動錯体は高い導電性を有する。
このように本発明は工業的価値の大きいものということ
ができる。
(実施例) 以下本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
実施例1 化合物(イ)21g、無水炭酸ナトリウム17.5g、
アセトン350ml及び水350mAの混合物を1時間
撹拌した後、ナトリウムハイドロサルファイ)35gを
加え、室温で1時間、更に還流下1時間反応させる。水
500mfを加え、生成した沈澱を集めて乾燥する。得
られた沈澱をクロロホルム600mA!に溶解し、短い
シリカゲルカラムを通した後沖液を約100mlにまで
濃縮し、これをヘキサン200mlで希釈すると黄色針
状結晶として化合物(IV)が得られる(17.0g。
収率80%)。
化合物(IV)の物性値 融点 230〜232℃ IR1620cm−’(C=O) ’H−NMR(τ) 3.062 (4H,s、  CHz)、  7.60
〜7.70 (2H,m、芳香族H)。
8.04〜8.15 (2H,m、芳香族H)。
8.965 (2H,s、芳香族H)。
14.122 (2H,s、OH) 元素分析 実測値 C73,89,H4,00% C+sH+tO4としての計算値 C73,97,H4,14% 実施例2 化合物(IV)10g、五塩化リン42.7 g及び0
−クロロベンゼン16mj!の混合物を140℃で24
時間反応させる。生じた沈澱を堀遇し、沈澱を石油エー
テルで洗浄すると白色プリズム状の結晶として化合物(
III)が得られる(7.37g。
収率49%)。
化合物(DI)の物性値 融点 163℃(分解) IR1560,1590cm−’ ’H−NMR(τ) 6.750 (2H,s、芳香族H)。
7.40〜7.70 (4H,m、芳香族H)。
7.623 (2H,s、芳香族H) MS (m/z)   436 (M”)、401元素
分析 実測値 C49,44,Hl、77% CI @ Hs C1bとしての計算値C49,48%
、Hl、85% 実施例3 化合物Cm)1.31g、二塩化スズ水和物26.6g
、濃塩酸32.7 m j!及び酢酸43.6 m I
tの混合物を2時間撹拌する。水200mlを加え、生
じた沈澱を集め、これをアルミナカラムクロマトグラフ
ィーでクロロホルムを溶離液として精製した後クロロベ
ンゼンで再結晶すると針状結晶として化合物(n)が得
られる(4.90g、収率79%)。
化合物(II)の物性値 融点 257〜259℃ IR1595,1290,880cm−’’H−NMR
(τ) 7.408 (2H,s、芳香族H)。
7.50〜7.61(2H,芳香族H)。
8.07〜8.18 (2H,m、芳香族H)。
9.307  (2H,s、芳香族H)元素分析 実測値 C59,06,H2,26% Cl* Hs Cj! 4としての計算値C59,06
,H2,20% 実施例4 N、N−ジメチルホルムアミド50 m l中ナトリウ
ム0.202gとセレン0.695 gのサスペンショ
ンを130℃で2時間撹拌する。温度を80℃まで下げ
た後化合物(n)0.732gを加えその温度で200
時間反応続ける。室温に冷却した後生じた沈澱を集め、
水及びアセトンで洗浄し0、lmmHgの減圧下100
℃で乾燥する。
この沈澱を二硫化炭素を用いてソックスレー抽出を行な
い、抽出物を集め二硫化炭素で再結晶すると深緑色の結
晶として化合物(1)が得られる(0.329g、収率
30%)。
化合物(1)の物性値 融点 300℃ MS (m/z)  542 (M”)元素分析 実測値 C40,28,Hl、42% C+++HsSe4とシテ(D計算glC40,03,
Hl、49% 化合物(1)は塩化メチレン、二硫化炭素の溶媒に対し
、TSeTより5倍以上の溶解性を示す。
実施例5 実施例4と同様にして化合物(II[)1.09gをN
、N−ジメチルホルムアミド75mj!中ナトジナトリ
ウム075 gとセレン0.896 gを用いて80℃
で20時間処理すると化合物(I)が得られる(0.2
75g、収率20%)。
実施例6  参考例 化合物(1)についてサイクリックボルタメトリーを行
ない、半波酸化電位を求めた結果を第1表に示した。
サイクリックボルタメトリーは支持電解質として0.I
Mのテトラブチルアンモニウムバークロレートを含むベ
ンゾニトリル溶液で行い、白金作用電極とAg/AgC
1参照電極を用いた。スキャン速度は100mV/se
cである。
参考例として上記と同様にして’rseT。
TTFの半波酸化電位を求めた結果を第1表に併せて示
した。
化合物(1)+ 0.27    +0.60参考例 TS eT     +0.21    +0.56実
施例7 化合物(1)と第2表に示した電子受容体を加熱下1,
1.2−トリクロロエタンの飽和溶液とした後冷却して
析出した沈澱を集めて電荷移動錯体を得た。用いた電子
受容体と得られた電荷移動錯体の物性値を第2表に示し
た。表中電子受容体の略号の意味は次のとおりである。
TCNQ :テトラシアノキノジメタン。
TCNQF、: 2,3.5.6−テトラフルオロ−7
.7゜8.8〜テトラシアノキノジメタン、DMTCN
Q:2,5〜ジメチル−7、7,8,8−テトラシアノ
キノジメタン、 TNAP : 11,11,12.1
2−テトラシアノ−2,6−ナフトキノジメタン、TC
NE:テトラシアノエチレン、DDQ:ジシアノジクロ
ロベンゾキノン、I3 :テトラブチルアンモニウムト
リョーダイドから調製したもの。
以上の結果より、化合物(1)を電子供与体としこれと
他成分の電子受容体で形成される電荷移動錯体がTSe
Tを電子供与体とするものより優れた導電性を有するこ
とが分る。
(以下余白)

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下記式( I )で表わされるナフタセノ[1,1
    2−cd:4,5−c′d′]ビス[1,2]ジセレノ
    ール。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I )
  2. (2)下記式(II)で表わされる1,4,5,12−テ
    トラクロロナフタセン。 ▲数式、化学式、表等があります▼(II)
  3. (3)下記式(III)で表わされる1,4,5,5,1
    2,12−ヘキサクロロ−5,12−ジヒドロナフタセ
    ン。 ▲数式、化学式、表等があります▼(III)
  4. (4)下記式(IV)で表わされる2,3−ジヒドロ−5
    ,12−ジヒドロキシ−1,4−ナフタセンキノン。 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV)
  5. (5)請求項1記載のナフタセノ[1,12−cd:4
    ,5−c′d′]ビス[1,2]ジセレノールを電子供
    与体とし、他成分の電子受容体とから導かれた電荷移動
    錯体。
  6. (6)電子受容体が7,7,8,8−テトラシアノキノ
    ジメタン、2,3,5,6−テトラフルオロ−7、7,
    8,8−テトラシアノキノジメタン、2,5−ジメチル
    −7、7,8,8−テトラシアノキノジメタン、11,
    11,12,12−テトラシアノ−2、6−ナフトキノ
    ジメタン、2,3−ジクロロ−5、6−ジシアノベンゾ
    キノン、1,1,2,3,4,4−ヘキサシアノブタジ
    エン、テトラシアノエチレン、ジクロロジシアノベンゾ
    キノン、クロラニル、ブロモアニル、塩素、臭素、ヨウ
    素又はトリヨーダイドのいずれかである請求項5記載の
    電荷移動錯体。
  7. (7)電子供与体と電子受容体のモル比が1:0.25
    〜5である請求項5又は6記載の電荷移動錯体。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5624510A (en) * 1992-02-25 1997-04-29 Cca Inc. Method for producing patterned shaped article
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CN102295562A (zh) * 2011-07-01 2011-12-28 中国科学院微生物研究所 抗肿瘤化合物及其制备方法与应用

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