JPH0449628A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0449628A JPH0449628A JP16020590A JP16020590A JPH0449628A JP H0449628 A JPH0449628 A JP H0449628A JP 16020590 A JP16020590 A JP 16020590A JP 16020590 A JP16020590 A JP 16020590A JP H0449628 A JPH0449628 A JP H0449628A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- -1 silicon ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にＧａＡｓの
ＭＥＳＦＥＴの製造方法に関する。
ＭＥＳＦＥＴの製造方法に関する。
第２図に示す断面図を用いて、従来のＧａＡｓのＭＥＳ
ＦＥＴの製造方法を説明する。
ＦＥＴの製造方法を説明する。
従来のＭＥＳＦＥＴにおいては、半絶縁性ＧａＡｓ基板
５に、直接ベリリウムをイオン注入し、ｐ型注入層６を
形成する０次に、シリコンをイオン注入してｎ型注入層
４を形成し、スパッタ法により形成した金属膜をエツチ
ング加工してゲート電極１を形成する。続いて、ゲート
電極１をマスクにして、再度シリコンをイオン注入し、
ｎ°型注入層４ａを形成する。
５に、直接ベリリウムをイオン注入し、ｐ型注入層６を
形成する０次に、シリコンをイオン注入してｎ型注入層
４を形成し、スパッタ法により形成した金属膜をエツチ
ング加工してゲート電極１を形成する。続いて、ゲート
電極１をマスクにして、再度シリコンをイオン注入し、
ｎ°型注入層４ａを形成する。
次に、真空蒸着による金属膜をエツチング加工してトレ
イン電極２．ソース電極３を形成し、眉間絶縁膜８を堆
積し、これにスルーホールを設け、オーミック電極９を
形成し、半導体装置の形成が完了する。
イン電極２．ソース電極３を形成し、眉間絶縁膜８を堆
積し、これにスルーホールを設け、オーミック電極９を
形成し、半導体装置の形成が完了する。
上述の半導体装置は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１の絶縁性
が十分良いという前提に立ついる。
が十分良いという前提に立ついる。
しかし、従来のＭＥＳＦＥＴ構造では、素子を集積化す
ると、個々のＭＥＳＦＥＴの間隔が狭くなり、これに伴
なってサイドゲート効果が顕著になる。これにより、隣
接するＭＥＳＦＥＴに印加された電圧によるリーク電流
が大きくなり、そのためＭＥＳＦＥＴの動作特性が劣化
する。
ると、個々のＭＥＳＦＥＴの間隔が狭くなり、これに伴
なってサイドゲート効果が顕著になる。これにより、隣
接するＭＥＳＦＥＴに印加された電圧によるリーク電流
が大きくなり、そのためＭＥＳＦＥＴの動作特性が劣化
する。
この現象は、ＧａＡｓによるＭＥＳＦＥＴの集積化の妨
げの原因となっている。
げの原因となっている。
本発明の半導体装置の製造方法は、半絶縁性ＧａＡｓ基
板の素子形成領域を内包した領域に、プロトンおよびボ
ロンの少なくとも一方を用いたイオン注入により絶縁層
を形成し、前記素子形成領域に素子を形成する工程を有
している。
板の素子形成領域を内包した領域に、プロトンおよびボ
ロンの少なくとも一方を用いたイオン注入により絶縁層
を形成し、前記素子形成領域に素子を形成する工程を有
している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための断面図であ
る。本実施例における半導体装置は、ＧａＡｓによるＭ
ＥＳＦＥＴである。
る。本実施例における半導体装置は、ＧａＡｓによるＭ
ＥＳＦＥＴである。
まず、半絶縁性ＧａＡｓ基板５に、プロトン（Ｈ＋）を
イオン注入し、絶縁層７を形成する。
イオン注入し、絶縁層７を形成する。
絶縁層７は、素子形成領域を内包した領域に形成される
。
。
なお、プロトンおよびボロンのイオン注入あるいはボロ
ンのイオン注入により絶縁層７を形成してもよい。
ンのイオン注入により絶縁層７を形成してもよい。
次に、フォトレジスト膜をマスクにしてベリリウムをイ
オン注入し、ｎ型注入層６を形成する。
オン注入し、ｎ型注入層６を形成する。
Ｐ型注入層６は、底面および側面において絶縁層７に内
包された形状で形成される。
包された形状で形成される。
次に、フォトレジスト膜をマスクにしてシリコンをイオ
ン注入し、ｎ型注入層４をｎ型注入層６内に形成する。
ン注入し、ｎ型注入層４をｎ型注入層６内に形成する。
次に、スパッタ法により形成した金属膜をエツチング加
工し、ｎ型注入層４上を横断してゲート電極１を形成す
る。続いて、ｎ型注入層４を形成したときと同じパター
ンのフォトレジスト膜およびゲート電極１をマスクにし
て、再度シリコンをイオン注入し、ソース、トレイン領
域となるｎ′″型注入層４ａを形成する。
工し、ｎ型注入層４上を横断してゲート電極１を形成す
る。続いて、ｎ型注入層４を形成したときと同じパター
ンのフォトレジスト膜およびゲート電極１をマスクにし
て、再度シリコンをイオン注入し、ソース、トレイン領
域となるｎ′″型注入層４ａを形成する。
その後、真空蒸着による金属膜をエツチング加工してｎ
＋型注入層４ａ上にトレイン電＆＋２．ソース電極３を
形成する。続いて、眉間絶縁膜８を堆積し、これにドレ
イン電極２．ソース電極３に達するスルーホールを設け
る。更に、堆積した金属膜をエツチング加工してオーミ
ック電極９を形成し、半導体装置の形成が完了する。
＋型注入層４ａ上にトレイン電＆＋２．ソース電極３を
形成する。続いて、眉間絶縁膜８を堆積し、これにドレ
イン電極２．ソース電極３に達するスルーホールを設け
る。更に、堆積した金属膜をエツチング加工してオーミ
ック電極９を形成し、半導体装置の形成が完了する。
以上説明したように本発明の半導体装置の製造方法は、
Ｇ ａ Ａ ｓによるＭＥ Ｓ Ｆ ＥＴの形成に先立
ち、半絶縁性ＧａＡｓ基板における素子形成領域に絶縁
層を形成し、その後、素子形成領域にＭＥＳＦＥＴの形
成を行なっている。
Ｇ ａ Ａ ｓによるＭＥ Ｓ Ｆ ＥＴの形成に先立
ち、半絶縁性ＧａＡｓ基板における素子形成領域に絶縁
層を形成し、その後、素子形成領域にＭＥＳＦＥＴの形
成を行なっている。
このため、形成された個々のＭＥＳＦＥＴは、絶縁層に
より囲まれることになり、ＭＥＳＦＥＴと半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板との間、および個々のＭＥＳＦＥＴの間は絶縁
層により絶縁分離される。
より囲まれることになり、ＭＥＳＦＥＴと半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板との間、および個々のＭＥＳＦＥＴの間は絶縁
層により絶縁分離される。
その結果、隣接するＭＥＳＦＥＴからのリーク電流によ
る影響、すなわちサイドゲート効果は、大幅に低減され
る。これにより、ＧａＡｓによるＭＥＳＦＥＴの集積化
の妨げの原因が解消されることになる。
る影響、すなわちサイドゲート効果は、大幅に低減され
る。これにより、ＧａＡｓによるＭＥＳＦＥＴの集積化
の妨げの原因が解消されることになる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための断面図、第
２図は従来の半導体装置の製造方法を説明するための断
面図である。
２図は従来の半導体装置の製造方法を説明するための断
面図である。
１・・・ゲート電極、２・・・ドレインを極、３ソース
電極、４・・・ｎ型注入層、４ａ・・・ｎ＋型注入層、
５・・・半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、６・・・ｐ型注
入層、７・・・絶縁層、８・・・層間絶縁膜、９・・・
オーミック電極。
電極、４・・・ｎ型注入層、４ａ・・・ｎ＋型注入層、
５・・・半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、６・・・ｐ型注
入層、７・・・絶縁層、８・・・層間絶縁膜、９・・・
オーミック電極。
Claims (1)
- 半絶縁性ＧａＡｓ基板の素子形成領域を内包した領域
に、プロトンおよびボロンの少なくとも一方を用いたイ
オン注入により絶縁層を形成し、前記素子形成領域に素
子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16020590A JPH0449628A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16020590A JPH0449628A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0449628A true JPH0449628A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15710048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16020590A Pending JPH0449628A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0449628A (ja) |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP16020590A patent/JPH0449628A/ja active Pending
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