JPH0451554A - リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型の半導体装置に使用されるリード
フレームに関する。

近年、製品の小型化より、使用される半導体装置のパッ
ケージ厚が薄化していると共に、高密度化に伴い消費電
力が増加してきている。従って、半導体装置の製造にあ
たり、パッケージ用樹庸とリードフレームの密着性、高
熱伝導性か要求される。

〔従来の技術〕

従来、樹脂封止型の半導体装置に使用されるリードフレ
ームは、単一系素材で単層構造で形成されているのか一
般的である。素材には、例えば、Ｆｅ−４２％Ｎｉ（以
下、「鉄系」という）やＣｕ−２，０％５ｎ−０，２％
Ｎｉ（以下、「銅系」という）が使用される。鉄系のも
のは熱による酸化がしにくく封止樹脂との密着性に優れ
、銅系のものは熱伝導性に優れるという特性を有する。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、鉄系のリードフレームは熱伝導性に劣る。一方
、銅系のリードフレームは熱伝導性には優れるが封止樹
脂とリードフレームとの密着性に劣るという難点かある
。すなわち、パッケージ樹脂の厚さか薄く、密着性が悪
いと、半田デイツプ等の実装時に熱衝撃で樹脂中の水分
により、リードフレームにおけるステージの角部分でク
ラック（ひひ）を生じたりしている。

すなわち、上記密着性、熱伝導性の両方に優れたリード
フレームか得られず高信頼の半導体装置の製造か困難で
あるという問題かある。

そこて、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、封止
樹脂への密着性及び熱伝導性に優れ、半導体製造の高信
頼を図るリードフレームを提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題は、半導体チップを載置するダイパッドと、該
半導体チップとボンディング接続される内リードと、外
部端子としての外リードとから構成され、樹脂封止され
るリードフレームにおいて、前記ダイパッド、内リード
及び外リードを高熱伝導部材により一体に形成すると共
に、該ダイパッド及び内リードの高熱伝導部材に耐酸化
部材の薄膜を形成することにより解決される。

〔作用〕

上述のように本発明のリードフレームは、一体に高熱伝
導部材により形成し、そのうちダイパッド及び内リード
の高熱伝導部材に耐酸化部材の薄膜が形成される。そし
て、このダイパッド及び内リードの部分が樹脂封止され
る。

すなわち、耐酸化部材は熱工程で酸化膜が付着しにくい
ため、封止樹脂との密着性が良好である。

一方、内部の高熱伝導部材で熱抵抗か低減され、放熱が
良好となる。

これにより、密着性及び熱伝導性の両方に優れ、高信頼
の半導体装置の製造が可能となる。

〔実施例〕

第１図に本発明の一実施例の構成図を示す。第１図は半
導体装置の断面図であり、リードフレームｌは半導体チ
ップ２を載置するダイパッド３と、該半導体チップ２と
ボンディングされる内リード４と、外部端子としての外
リード５とにより構成される。

そして、リードフレームＩは、まず全体を、例えば銅系
（前述のＣｕ−２，０％　５ｎ−０，２％Ｎｉ）等の高
熱伝導部材１ａで形成される。また、リードフレームｌ
のダイパッド３及び内リード４部分には、該銅系の高熱
伝導部材の上下に、例えば鉄系（前述のＦｅ−４２％Ｎ
ｉ）素材の耐酸化部材６の薄膜が圧着等により形成され
る。すなわち、当該部分を３層構造とするものである。

ここで、第２図にリードフレームの一部拡大断面図を示
す。リードフレーム１の厚さｔは、例えば１００〜２０
０μｍとすると、銅系の高熱伝導部材１ａは、該リード
フレーム１の厚さｔより数１０〜１００μｍ程度薄く成
形される。

そして、第１図に戻って説明するに、このように高熱伝
導部材１ａに耐酸化部材６が形成されたダイパッド３及
び内リード４部分が封止樹脂にょリパッケージングされ
るものである。

二のようなリードフレームｌは、ダイパッド３及び内リ
ード４部分に耐酸化部材６を形成することから、熱工程
等で酸化膜か形成されず、封止樹脂７との密着性か向上
する。これにより、熱衝撃等で該封止樹脂７にクラック
を生しることか回避される。また、リードフレーム１の
基礎部材が銅系の高熱伝導部材１ａて形成されているこ
とから、熱抵抗が低減され放熱か良好となる。すなわち
、密着性と熱伝導性との両方に優れたリードフレーム１
を得ることができる。

なお、外リード５は、実装等を考慮して銅系の高熱伝導
部材１ａのみで形成される。これは、耐酸化部材６を形
成した場合に実装時の外リード５へのストレスにより、
該耐酸化部材６の薄膜か剥離する可能性を回避すると共
に、例えばＪリード等で折曲する場合に銅系素材のみの
方が折曲し易いことによる。

〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、一体に形成された高熱伝
導部材のダイパッド及び内リート部分に耐酸化部材の薄
膜を形成することにより、封止樹脂への密着性及び熱伝
導性の両方に優れたり一トフレームを得ることかでき、
半導体製造の高信頼性を図ることかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成図、 第２図は第１図のリードフレームの一部拡大断面図であ
る。 図において、 はり一ドフレーム、 ａは高熱伝導部材、 ま半導体チップ、 まダイパッド、 ま内リード、 ま外リード、 よ耐酸化部材、 ま封止樹脂 を示す。 特許出願人　富　士　通　株式会社 同 富士通ヴイエルエスアイ株式会社 第１図 リードフレームの一嘲ηを入ｅ１石ｂδ第２１１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　半導体チップ（２）を載置するダイパッド（３）と、
   該半導体チップ（２）とボンディング接続される内リー
   ド（４）と、外部端子としての外リード（５）とから構
   成され、樹脂封止されるリードフレームにおいて、 前記ダイパッド（３）、内リード（４）及び外リード（
   ５）を高熱伝導部材（１ａ）により一体に形成すると共
   に、 該ダイパッド（３）及び内リード（４）の高熱伝導部材
   （１ａ）に耐酸化部材（６）の薄膜を形成することを特
   徴とするリードフレーム。