JPH0451976B2 - - Google Patents
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- JPH0451976B2 JPH0451976B2 JP1086911A JP8691189A JPH0451976B2 JP H0451976 B2 JPH0451976 B2 JP H0451976B2 JP 1086911 A JP1086911 A JP 1086911A JP 8691189 A JP8691189 A JP 8691189A JP H0451976 B2 JPH0451976 B2 JP H0451976B2
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- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、樹脂封止形半導体装置、特に短絡
事故が少なくかつ製造が容易な樹脂封止形半導体
装置の製造方法に関連する。
事故が少なくかつ製造が容易な樹脂封止形半導体
装置の製造方法に関連する。
従来の技術
従来、一般的な電力用樹脂封止形半導体装置に
おいては、半導体チツプが接着された支持板の裏
面には封止樹脂が形成されていない。このため、
この半導体装置を外部放熱体に取付けるに際して
は、外部放熱体との間に絶縁シートを介在させな
ければならず、取付作業が煩雑になつた。そこ
で、支持板の裏面にも封止樹脂を形成する方法が
提案された。このような樹脂封止技術は、例え
ば、特開昭57−178352号公報や特開昭58−143538
号公報で開示されている。すなわち、リードフレ
ームの一部を構成する支持板上に半導体チツプを
電気伝導可能に接着したのち、半導体チツプは細
線で外部リードと接続される。次に、リードフレ
ームは金型に装着され、キヤビテイ内に融解樹脂
が圧入される。このとき、キヤビテイ内で支持板
が移動しないように、支持板の各側部に連結され
た外部リードと細条が金型で把持される。融解樹
脂が固化したのち、リードフレームが金型から取
外され、リードフレームの所定部分が切断され
る。特開昭57−178352号では、細条を折り曲げて
切断するために、封止樹脂の外面をまたぐように
して細条に小断面部を形成している。
おいては、半導体チツプが接着された支持板の裏
面には封止樹脂が形成されていない。このため、
この半導体装置を外部放熱体に取付けるに際して
は、外部放熱体との間に絶縁シートを介在させな
ければならず、取付作業が煩雑になつた。そこ
で、支持板の裏面にも封止樹脂を形成する方法が
提案された。このような樹脂封止技術は、例え
ば、特開昭57−178352号公報や特開昭58−143538
号公報で開示されている。すなわち、リードフレ
ームの一部を構成する支持板上に半導体チツプを
電気伝導可能に接着したのち、半導体チツプは細
線で外部リードと接続される。次に、リードフレ
ームは金型に装着され、キヤビテイ内に融解樹脂
が圧入される。このとき、キヤビテイ内で支持板
が移動しないように、支持板の各側部に連結され
た外部リードと細条が金型で把持される。融解樹
脂が固化したのち、リードフレームが金型から取
外され、リードフレームの所定部分が切断され
る。特開昭57−178352号では、細条を折り曲げて
切断するために、封止樹脂の外面をまたぐように
して細条に小断面部を形成している。
発明が解決しようとする課題
しかし、細条の切断面が封止樹脂の外面に露出
することには変わりない。そこで、特開昭58−
143538号では、第１２図に示す通り、切断後の封
止樹脂の外面５０から突出した細条端部を化学エ
ツチング等の方法により除去し、封止樹脂の外面
５０から窪む位置５１に細条の先端を形成してい
た。しかしこの方法は、細条の一部を除去する付
加的な工程が必要となり、コストアツプを招い
た。しかも所望の化学エツチング等を量産的に行
うこと自体に新たな技術を要するので、実用的と
は言い難い。
することには変わりない。そこで、特開昭58−
143538号では、第１２図に示す通り、切断後の封
止樹脂の外面５０から突出した細条端部を化学エ
ツチング等の方法により除去し、封止樹脂の外面
５０から窪む位置５１に細条の先端を形成してい
た。しかしこの方法は、細条の一部を除去する付
加的な工程が必要となり、コストアツプを招い
た。しかも所望の化学エツチング等を量産的に行
うこと自体に新たな技術を要するので、実用的と
は言い難い。
そこで、本発明は上記問題点を解決する樹脂封
止形半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
止形半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
課題を解決するための手段
本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法
によれば、支持板と、支持板の一端に連結された
外部リードと、支持板の他端に連結された細条と
を有し、支持板側で先細となるテーパ部及び該テ
ーパ部の先端部分から外側に張出す肩部が細条の
両側面に形成され、支持板上に半導体チツプが電
気的導通可能に装着されたリードフレームを準備
する工程と、細条の肩部及び前記テーパ部の少な
くとも一部が金型内のキヤビテイ形成面から実質
的に所定距離だけ内側に配置されるようにリード
フレームを金型に装着する工程と、金型のキヤビ
テイ内に融解樹脂を圧入する工程と、融解樹脂の
固化後、リードフレームを金型から取出す工程
と、細条にその導出方向への引張力を作用させ
て、細条の小断面部で細条を切断する工程とを含
む。
によれば、支持板と、支持板の一端に連結された
外部リードと、支持板の他端に連結された細条と
を有し、支持板側で先細となるテーパ部及び該テ
ーパ部の先端部分から外側に張出す肩部が細条の
両側面に形成され、支持板上に半導体チツプが電
気的導通可能に装着されたリードフレームを準備
する工程と、細条の肩部及び前記テーパ部の少な
くとも一部が金型内のキヤビテイ形成面から実質
的に所定距離だけ内側に配置されるようにリード
フレームを金型に装着する工程と、金型のキヤビ
テイ内に融解樹脂を圧入する工程と、融解樹脂の
固化後、リードフレームを金型から取出す工程
と、細条にその導出方向への引張力を作用させ
て、細条の小断面部で細条を切断する工程とを含
む。
作 用
支持板側で先細となるテーパ部及びテーパ部の
先端部分から外側に張出す肩部が細条の両側面に
形成され、小断面部が形成される。細条の引張破
断の際に、テーパ部の先端部分に引張応力が集中
して、細条の引張破断を容易に行うことができ
る。また、細条の破断時に、一対の肩部は樹脂に
対する引掛け部として作用するため、引張力に対
向する力を増大することができる。このため、引
張力を最小断面部に効率良く加えることができ、
細条の引張破断が容易となる。また、テーパ部が
形成されて先細となつた細条を引抜くので、引張
破断時に生じる樹脂へのダメージは十分に小さ
い。
先端部分から外側に張出す肩部が細条の両側面に
形成され、小断面部が形成される。細条の引張破
断の際に、テーパ部の先端部分に引張応力が集中
して、細条の引張破断を容易に行うことができ
る。また、細条の破断時に、一対の肩部は樹脂に
対する引掛け部として作用するため、引張力に対
向する力を増大することができる。このため、引
張力を最小断面部に効率良く加えることができ、
細条の引張破断が容易となる。また、テーパ部が
形成されて先細となつた細条を引抜くので、引張
破断時に生じる樹脂へのダメージは十分に小さ
い。
実施例
以下図面について、本発明の実施例を説明す
る。本発明で製造される樹脂封止形半導体装置
は、第１図に示すリードフレーム１から作られ
る。リードフレーム１は、トランジスタチツプ等
の半導体チツプ２がその一方の主面に半田付けさ
れた支持板３を有する。半導体チツプ２は、必要
に応じて保護コート４を形成するシリコン樹脂で
被覆される。支持板３には、コレクタリード５が
一体成形される。コレクタリード５は、ベースリ
ード６とエミツタリード７と共に外部リードと総
称され、タイバー８及び共通細条９により直角方
向で互いに連結される。ベースリード６とエミツ
タリード７は、それぞれアルミニウム線１０，１
１により半導体チツプ２の所定位置へ接続され
る。
る。本発明で製造される樹脂封止形半導体装置
は、第１図に示すリードフレーム１から作られ
る。リードフレーム１は、トランジスタチツプ等
の半導体チツプ２がその一方の主面に半田付けさ
れた支持板３を有する。半導体チツプ２は、必要
に応じて保護コート４を形成するシリコン樹脂で
被覆される。支持板３には、コレクタリード５が
一体成形される。コレクタリード５は、ベースリ
ード６とエミツタリード７と共に外部リードと総
称され、タイバー８及び共通細条９により直角方
向で互いに連結される。ベースリード６とエミツ
タリード７は、それぞれアルミニウム線１０，１
１により半導体チツプ２の所定位置へ接続され
る。
支持板３には、コレクタリード５に対し反対側
へ伸びる一対の細条１２，１３が一体に成形され
る。外部リード及び細条１２，１３は支持板３よ
りも肉薄に形成されている。また、細条１２，１
３はその一方の主面が支持板３の一方の主面と同
一の平面上に位置するように上方に偏位してい
る。各細条１２，１３の外端は、共通細条１４に
より直角方向で互いに連結される。後工程で形成
される鎖線１５で示す封止樹脂の端面１６から所
定距離だけ内側に離れた位置の各細条１２，１３
には小断面部１７，１８が設けられる。小断面部
１７，１８には、後述の通り、種々の形状に形成
することができる。また、小断面部１７，１８に
は、細条の切断時に引張応力が集中する最小断面
部１７ａ，１８ａが形成される。
へ伸びる一対の細条１２，１３が一体に成形され
る。外部リード及び細条１２，１３は支持板３よ
りも肉薄に形成されている。また、細条１２，１
３はその一方の主面が支持板３の一方の主面と同
一の平面上に位置するように上方に偏位してい
る。各細条１２，１３の外端は、共通細条１４に
より直角方向で互いに連結される。後工程で形成
される鎖線１５で示す封止樹脂の端面１６から所
定距離だけ内側に離れた位置の各細条１２，１３
には小断面部１７，１８が設けられる。小断面部
１７，１８には、後述の通り、種々の形状に形成
することができる。また、小断面部１７，１８に
は、細条の切断時に引張応力が集中する最小断面
部１７ａ，１８ａが形成される。
なお、第１図ではトランジスタ１個分の支持板
３、外部リード及び細条１２，１３を有するリー
ドフレーム１を示すが、実際には、多数の支持
板、外部リード及び細条がタイバー８と共通細条
９，１４により並行に支持された金属製リードフ
レームが使用される。
３、外部リード及び細条１２，１３を有するリー
ドフレーム１を示すが、実際には、多数の支持
板、外部リード及び細条がタイバー８と共通細条
９，１４により並行に支持された金属製リードフ
レームが使用される。
リードフレーム１は、第２図及び第３図に示す
金型１９内に装着される。第２図はコレクタリー
ド５の中心線に沿う断面を示し、第３図は細条１
３の中心線に沿う断面を示す。金型１９は、下型
２０と上型２１とで構成され、リードフレーム１
を収容するキヤビテイ２２を形成する。小断面部
のうちの最小断面部１７ａ，１８ａは、金型のキ
ヤビテイ形成面からｌだけ内側に配置される。
金型１９内に装着される。第２図はコレクタリー
ド５の中心線に沿う断面を示し、第３図は細条１
３の中心線に沿う断面を示す。金型１９は、下型
２０と上型２１とで構成され、リードフレーム１
を収容するキヤビテイ２２を形成する。小断面部
のうちの最小断面部１７ａ，１８ａは、金型のキ
ヤビテイ形成面からｌだけ内側に配置される。
上述の通り金型１９にリードフレーム１を装着
したのち、キヤビテイ２２内に熱硬化性の融解エ
ポキシ樹脂を公知のトランスフアモールド法によ
りゲート（図示せず）から圧入し、支持板３を含
むリードフレーム１の一部分を樹脂１５により封
止する。
したのち、キヤビテイ２２内に熱硬化性の融解エ
ポキシ樹脂を公知のトランスフアモールド法によ
りゲート（図示せず）から圧入し、支持板３を含
むリードフレーム１の一部分を樹脂１５により封
止する。
樹脂１５が固化したのち、第４図に示すリード
フレーム１を金型１９から取出す。次に、樹脂１
５から導出された細条１２，１３を導出方向に引
張ることにより、小断面部１７，１８の最小断面
部１７ａ，１８ａで切断し、共通細条１４と細条
１２，１３の一部を除去する。その後、各外部リ
ードを連結するタイバー８と共通細条９もプレス
切断により除去する。このように製造した半導体
装置の１例を第５図に示す。細条１２，１３が導
出されていた樹脂１５に孔２３，２４が形成され
る。本出願人はこの発明による製造方法で実際に
樹脂封止形半導体装置を製造したが、孔２３，２
４の形状は細条１２，１３が抜けた跡にほぼ等し
く形成された。また、細条１２，１３は支持板３
よりも肉薄に形成されており、最小断面部１７
ａ，１８の断面積は十分に小さいから、引抜きに
よつて容易に破断できた。更に、細条１２，１３
はその上面が支持板３の上面の延長上に位置する
ように形成されており、コレクタリード５のよう
に支持板３の上方までは偏位していないので、細
条１２，１３の引張破断時に細条１２，１３の周
辺の樹脂１５に特性変動および外観不良の点で実
用上問題にすべきクラツク、そり等の異常は全く
発生しなかつた。
フレーム１を金型１９から取出す。次に、樹脂１
５から導出された細条１２，１３を導出方向に引
張ることにより、小断面部１７，１８の最小断面
部１７ａ，１８ａで切断し、共通細条１４と細条
１２，１３の一部を除去する。その後、各外部リ
ードを連結するタイバー８と共通細条９もプレス
切断により除去する。このように製造した半導体
装置の１例を第５図に示す。細条１２，１３が導
出されていた樹脂１５に孔２３，２４が形成され
る。本出願人はこの発明による製造方法で実際に
樹脂封止形半導体装置を製造したが、孔２３，２
４の形状は細条１２，１３が抜けた跡にほぼ等し
く形成された。また、細条１２，１３は支持板３
よりも肉薄に形成されており、最小断面部１７
ａ，１８の断面積は十分に小さいから、引抜きに
よつて容易に破断できた。更に、細条１２，１３
はその上面が支持板３の上面の延長上に位置する
ように形成されており、コレクタリード５のよう
に支持板３の上方までは偏位していないので、細
条１２，１３の引張破断時に細条１２，１３の周
辺の樹脂１５に特性変動および外観不良の点で実
用上問題にすべきクラツク、そり等の異常は全く
発生しなかつた。
第６図に示す通り、細条１３の端面２５は、樹
脂の端面１６より長さl1だけ内側に窪み、そこに
孔２４が形成される。また、細条１２，１３は上
述のように支持板３の上面側に偏位しており、細
条１２，１３の下面と支持板３の下面との間に段
差が形成されている。したがつて、支持板３の下
面側の樹脂１５を肉薄に形成しても、細条１２，
１３の外部放熱体２６からの高さl2を大きくとる
ことができる。結果として、細条１２，１３から
外部放熱体２６までの沿面距離l0はl0＝l1＋l2と長
くなり、絶縁不良が防止される。更に、孔２３，
２４が小さいため、他の素子、キヤビテイまたは
人体等を含む周囲と細条１２，１３との接触によ
る短絡事故も防止される。孔２３，２４には、絶
縁不良を完全に防止するため、樹脂を充填しても
よい。しかし、この樹脂を充填しなくても実用上
は問題はない。また、放熱性の点においても、支
持板３が肉厚に形成されているし、支持板３の下
面側の樹脂１５も十分に肉薄になつているので、
支持板３の下面側が露出したタイプの半導体装置
と同程度の放熱効果を期待できる。
脂の端面１６より長さl1だけ内側に窪み、そこに
孔２４が形成される。また、細条１２，１３は上
述のように支持板３の上面側に偏位しており、細
条１２，１３の下面と支持板３の下面との間に段
差が形成されている。したがつて、支持板３の下
面側の樹脂１５を肉薄に形成しても、細条１２，
１３の外部放熱体２６からの高さl2を大きくとる
ことができる。結果として、細条１２，１３から
外部放熱体２６までの沿面距離l0はl0＝l1＋l2と長
くなり、絶縁不良が防止される。更に、孔２３，
２４が小さいため、他の素子、キヤビテイまたは
人体等を含む周囲と細条１２，１３との接触によ
る短絡事故も防止される。孔２３，２４には、絶
縁不良を完全に防止するため、樹脂を充填しても
よい。しかし、この樹脂を充填しなくても実用上
は問題はない。また、放熱性の点においても、支
持板３が肉厚に形成されているし、支持板３の下
面側の樹脂１５も十分に肉薄になつているので、
支持板３の下面側が露出したタイプの半導体装置
と同程度の放熱効果を期待できる。
また、本実施例では、小断面部１７，１８が細
条１２，１３の両側に設けられた一対のテーパ部
３０と、テーパ部３０の先端部に形成された一対
の肩部３１から構成されている。テーパ部３０は
支持板３側で先細になつており、肩部３１はテー
パ部３０の外側に向かつて張出している。最小断
面部１７ａ，１８ａはテーパ部３０と肩部３１の
接続部に形成される。細条１２，１３に引張力を
加えると、最小断面部１７ａ，１８ａに引張応力
が集中して細条が破断される。このとき、一対の
肩部３１は樹脂１５に対する引掛け部として作用
するため、引張力に対向する力が大きくなる。こ
のため、引張力を最小断面部１７ａ，１８ａに効
率良く加えることができ、細条１２，１３の引張
破断が容易となる。また、テーパ部３０が形成さ
れて先細となつた細条１２，１３を引抜くので、
引張破断時に生じる樹脂１５へのダメージも十分
に小さくできる。
条１２，１３の両側に設けられた一対のテーパ部
３０と、テーパ部３０の先端部に形成された一対
の肩部３１から構成されている。テーパ部３０は
支持板３側で先細になつており、肩部３１はテー
パ部３０の外側に向かつて張出している。最小断
面部１７ａ，１８ａはテーパ部３０と肩部３１の
接続部に形成される。細条１２，１３に引張力を
加えると、最小断面部１７ａ，１８ａに引張応力
が集中して細条が破断される。このとき、一対の
肩部３１は樹脂１５に対する引掛け部として作用
するため、引張力に対向する力が大きくなる。こ
のため、引張力を最小断面部１７ａ，１８ａに効
率良く加えることができ、細条１２，１３の引張
破断が容易となる。また、テーパ部３０が形成さ
れて先細となつた細条１２，１３を引抜くので、
引張破断時に生じる樹脂１５へのダメージも十分
に小さくできる。
第７図〜第１１図は細条の小断面部の変形例を
示す。第７図の例では、内側に先細のテーパ部３
０を樹脂の端面１６まで細条１３に形成しかつ引
張力に対向する肩部３１が設けられる。第８図は
テーパ部３０が樹脂外部まで伸びる例を示す。第
９図は肩部が３１と３４で２段の例を示し、第１
０図は細条１３に加えられる引張力に対向する力
を更に強化するため、樹脂が充填される孔３５を
小断面部分より支持板側の細条１３に形成する例
を示し、第１１図は同様の理由で細条１３にコイ
ニング即ち線状の切込３６を形成した例を示す。
示す。第７図の例では、内側に先細のテーパ部３
０を樹脂の端面１６まで細条１３に形成しかつ引
張力に対向する肩部３１が設けられる。第８図は
テーパ部３０が樹脂外部まで伸びる例を示す。第
９図は肩部が３１と３４で２段の例を示し、第１
０図は細条１３に加えられる引張力に対向する力
を更に強化するため、樹脂が充填される孔３５を
小断面部分より支持板側の細条１３に形成する例
を示し、第１１図は同様の理由で細条１３にコイ
ニング即ち線状の切込３６を形成した例を示す。
なお、上記実施例ではトランジスタについて説
明したが、この説明はダイオード、サイリスタ等
他の半導体装置にも応用できることは明らかであ
る。
明したが、この説明はダイオード、サイリスタ等
他の半導体装置にも応用できることは明らかであ
る。
発明の効果
上述の通り、この発明による樹脂封止型半導体
装置の製造方法によれば、封止樹脂の内部に細条
の小断面部が実質的に位置するようにリードフレ
ームを樹脂封止したのち、この小断面部において
細条を引張力によつて切断する工程を採用した。
このため、細条の切断後に更に細条の端面を内側
に窪ませる工程を必要とせず、細条の切断のみで
簡単に半導体装置の短絡事故や絶縁不良を確実に
防止できる優れた効果が得られる。また、細条の
引張破断を容易にかつ樹脂へのダメージを最小限
に抑えて、細条の引張破断を容易に行える。した
がつて、半導体装置を大量生産する場合、製造コ
ストの低減や良品率の向上に寄与するところ大で
ある。
装置の製造方法によれば、封止樹脂の内部に細条
の小断面部が実質的に位置するようにリードフレ
ームを樹脂封止したのち、この小断面部において
細条を引張力によつて切断する工程を採用した。
このため、細条の切断後に更に細条の端面を内側
に窪ませる工程を必要とせず、細条の切断のみで
簡単に半導体装置の短絡事故や絶縁不良を確実に
防止できる優れた効果が得られる。また、細条の
引張破断を容易にかつ樹脂へのダメージを最小限
に抑えて、細条の引張破断を容易に行える。した
がつて、半導体装置を大量生産する場合、製造コ
ストの低減や良品率の向上に寄与するところ大で
ある。
第１図は本発明による樹脂封止型半導体装置の
製造方法に使用するリードフレームの平面図、第
２図及び第３図はこのリードフレームを金型に装
着して樹脂封止したときのそれぞれコレクタリー
ド及び細条の中心線に沿う断面図、第４図は金型
から取出されたリードフレームの斜視図、第５図
は本発明による樹脂封止型半導体装置の製造方法
で作られた半導体装置の斜視図、第６図は細条切
断部の部分的拡大断面図、第７図、第８図、第９
図、第１０図及び第１１図は細条の小断面部に関
する種々の形状を示す断面図、第１２図は従来の
樹脂封止形半導体装置の例を示す破砕断面図であ
る。 １……リードフレーム、２……半導体チツプ、
３……支持板、５，６，７……外部リード、１
２，１３……細条、１５……封止樹脂、１７，１
８……小断面部、１７ａ，１８ａ……小断面部の
うちの最小断面部、１９……金型、２２……キヤ
ビテイ、３０……テーパ部、３１……肩部。
製造方法に使用するリードフレームの平面図、第
２図及び第３図はこのリードフレームを金型に装
着して樹脂封止したときのそれぞれコレクタリー
ド及び細条の中心線に沿う断面図、第４図は金型
から取出されたリードフレームの斜視図、第５図
は本発明による樹脂封止型半導体装置の製造方法
で作られた半導体装置の斜視図、第６図は細条切
断部の部分的拡大断面図、第７図、第８図、第９
図、第１０図及び第１１図は細条の小断面部に関
する種々の形状を示す断面図、第１２図は従来の
樹脂封止形半導体装置の例を示す破砕断面図であ
る。 １……リードフレーム、２……半導体チツプ、
３……支持板、５，６，７……外部リード、１
２，１３……細条、１５……封止樹脂、１７，１
８……小断面部、１７ａ，１８ａ……小断面部の
うちの最小断面部、１９……金型、２２……キヤ
ビテイ、３０……テーパ部、３１……肩部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持板と、該支持板の一端に連結された外部
リードと、前記支持板の他端に連結された細条と
を有し、前記支持板側で先細となるテーパ部及び
該テーパ部の先端部分から外側に張出す肩部が前
記細条の両側面に形成され、前記支持板上に半導
体チツプが電気的導通可能に装着されたリードフ
レームを準備する工程と、 前記細条の肩部及び前記テーパ部の少なくとも
一部が金型内のキヤビテイ形成面から実質的に所
定距離だけ内側に配置されるように前記リードフ
レームを金型に装着する工程と、 前記金型のキヤビテイ内に融解樹脂を圧入する
工程と、 前記融解樹脂の固化後、前記リードフレームを
前記金型から取出す工程と、 前記細条にその導出方向への引張力を作用させ
て、前記細条の小断面部で前記細条を切断する工
程と、 を含むことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086911A JPH0249444A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086911A JPH0249444A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59159047A Division JPS6156420A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249444A JPH0249444A (ja) | 1990-02-19 |
| JPH0451976B2 true JPH0451976B2 (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=13900028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086911A Granted JPH0249444A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249444A (ja) |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1086911A patent/JPH0249444A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0249444A (ja) | 1990-02-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |