JPH0452116Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0452116Y2 JPH0452116Y2 JP6240488U JP6240488U JPH0452116Y2 JP H0452116 Y2 JPH0452116 Y2 JP H0452116Y2 JP 6240488 U JP6240488 U JP 6240488U JP 6240488 U JP6240488 U JP 6240488U JP H0452116 Y2 JPH0452116 Y2 JP H0452116Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- headlamp
- turned
- relay
- mosfet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 244000145845 chattering Species 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、ヘツドランプのスイツチング回路に
関し、更に詳しくは、ライテイングスイツチ及び
デイマースイツチの操作に応じてヘツドランプの
点灯・消灯の切り換えとロービーム・ハイビーム
の切り換えとを行うヘツドランプのスイツチング
回路に関する。
関し、更に詳しくは、ライテイングスイツチ及び
デイマースイツチの操作に応じてヘツドランプの
点灯・消灯の切り換えとロービーム・ハイビーム
の切り換えとを行うヘツドランプのスイツチング
回路に関する。
従来のヘツドランプのスイツチング回路の一例
を第３図に示す。
を第３図に示す。
このヘツドランプのスイツチング回路５１は、
左右の自動車のヘツドランプ２r，２lのロービー
ム側の電源ライン３rにパワーリレー５４rを介設
し、また、ハイビーム側の電源ライン３lにパワ
ーリレー５４lを介設し、更に、コモン側の電源
ライン５にパワーリレー５６を介設している。
左右の自動車のヘツドランプ２r，２lのロービー
ム側の電源ライン３rにパワーリレー５４rを介設
し、また、ハイビーム側の電源ライン３lにパワ
ーリレー５４lを介設し、更に、コモン側の電源
ライン５にパワーリレー５６を介設している。
運転者が例えばライテイングスイツチ１０で点
灯操作すると共にデイマースイツチ１１でロービ
ームを選択すると、スイツチ読取CPU１２がそ
の操作内容を読み取り、ライト制御CPU５８に
送信する。ライト制御CPU５８は、トランジス
タ５７をオンしてパワーリレー５６をオンすると
共に、トランジスタ５９rをオンしてパワーリレ
ー５４rをオンとする。そこで、ヘツドランプ２
ｒ，２lのロービーム側が点灯される。
灯操作すると共にデイマースイツチ１１でロービ
ームを選択すると、スイツチ読取CPU１２がそ
の操作内容を読み取り、ライト制御CPU５８に
送信する。ライト制御CPU５８は、トランジス
タ５７をオンしてパワーリレー５６をオンすると
共に、トランジスタ５９rをオンしてパワーリレ
ー５４rをオンとする。そこで、ヘツドランプ２
ｒ，２lのロービーム側が点灯される。
運転者がデイマースイツチ１１によりハイビー
ムを選択すると、トランジスタ５９rがオフされ
ると共にトランジスタ５９lがオンにされる。そ
こで、パワーリレー５４rがオフとなり、パワー
リレー５４lがオンとなり、ヘツドランプ２r，２l
のハイビーム側が点灯する。
ムを選択すると、トランジスタ５９rがオフされ
ると共にトランジスタ５９lがオンにされる。そ
こで、パワーリレー５４rがオフとなり、パワー
リレー５４lがオンとなり、ヘツドランプ２r，２l
のハイビーム側が点灯する。
運転者がライテイングスイツチ１０でオフ操作
すると、トランジスタ５７がオフとされて、パワ
ーリレー５６がオフとなり、ヘツドランプ２r，
２lは消灯される。
すると、トランジスタ５７がオフとされて、パワ
ーリレー５６がオフとなり、ヘツドランプ２r，
２lは消灯される。
上記従来のヘツドランプのスイツチング回路５
１においては、パワーリレー５４r，５４l，５６
のオン、オフによりヘツドランプ２r，２lの点灯、
消灯とロービーム、ハイビームの切り換えがなさ
れている。
１においては、パワーリレー５４r，５４l，５６
のオン、オフによりヘツドランプ２r，２lの点灯、
消灯とロービーム、ハイビームの切り換えがなさ
れている。
しかし、点灯時にフイラメントに大きな突入電
流 （定常電流の10倍以上）が流れること、及
び、リレーの接点のチヤタリングにより前記突入
電流が断続されることによつて、ヘツドランプ２
ｒ，２lの寿命が短くなると共に、ノイズが発生し
て他の電子機器を誤動作させる問題点がある。ま
た、大きな突入電流を流し得るパワーリレーを使
用しなければならないため、パワーリレー５４r，
５４l，５６の構造が大型化し、また、ヒユーズ
Fr，Flも大容量のものを使用しなければならない
問題点がある。
流 （定常電流の10倍以上）が流れること、及
び、リレーの接点のチヤタリングにより前記突入
電流が断続されることによつて、ヘツドランプ２
ｒ，２lの寿命が短くなると共に、ノイズが発生し
て他の電子機器を誤動作させる問題点がある。ま
た、大きな突入電流を流し得るパワーリレーを使
用しなければならないため、パワーリレー５４r，
５４l，５６の構造が大型化し、また、ヒユーズ
Fr，Flも大容量のものを使用しなければならない
問題点がある。
従つて、本考案の目的とするところは、点灯時
の突入電流と、チヤタリングにより電流の断続を
防止したヘツドランプのスイツチング回路を提供
することにある。
の突入電流と、チヤタリングにより電流の断続を
防止したヘツドランプのスイツチング回路を提供
することにある。
本考案のヘツドランプのスイツチング回路は、
ヘツドランプのロービーム側電源ラインとハイビ
ーム側電源ラインの各々に介設されたパワー
MOSFETまたはパワートランジスタと、ヘツド
ランプのコモン側電源ラインに介設されたパワー
リレーと、ヘツドランプを点灯する時には前記パ
ワーリレーをオンにしてから所定時間遅らせて前
記パワーMOSFETまたはパワートランジスタを
オンにすると共にヘツドランプを消灯する時には
前記パワーMOSFETまたはパワートランジスタ
をオフにするのと略同時か又はそれより遅らせて
前記パワーリレーをオフにするタイミング制御手
段とを具備したことを構成上の特徴とするもので
ある。
ヘツドランプのロービーム側電源ラインとハイビ
ーム側電源ラインの各々に介設されたパワー
MOSFETまたはパワートランジスタと、ヘツド
ランプのコモン側電源ラインに介設されたパワー
リレーと、ヘツドランプを点灯する時には前記パ
ワーリレーをオンにしてから所定時間遅らせて前
記パワーMOSFETまたはパワートランジスタを
オンにすると共にヘツドランプを消灯する時には
前記パワーMOSFETまたはパワートランジスタ
をオフにするのと略同時か又はそれより遅らせて
前記パワーリレーをオフにするタイミング制御手
段とを具備したことを構成上の特徴とするもので
ある。
本考案のヘツドランプのスイツチング回路によ
れば、点灯時には、パワーリレーのチヤタリング
がおさまつた後にパワーMOSFET又はパワート
ランジスタがオンになつて、初めて電流が流され
る。そこで、パワーMOSFET又はパワートラン
ジスタの電流制限効果によつて突入電流が防止さ
れると共に、チヤタリングによる電流の断続も防
止される。
れば、点灯時には、パワーリレーのチヤタリング
がおさまつた後にパワーMOSFET又はパワート
ランジスタがオンになつて、初めて電流が流され
る。そこで、パワーMOSFET又はパワートラン
ジスタの電流制限効果によつて突入電流が防止さ
れると共に、チヤタリングによる電流の断続も防
止される。
また、消灯時には、パワーMOSFET又はパワ
ートランジスタがパワーリレーよりも早いか略同
時にオフにされるから、パワーリレーでチヤタリ
ングを生じても電流の断続を生じない。
ートランジスタがパワーリレーよりも早いか略同
時にオフにされるから、パワーリレーでチヤタリ
ングを生じても電流の断続を生じない。
よつて、ヘツドランプの寿命が延び、ノイズの
発生もない。
発生もない。
なお、パワーリレーを電源ラインの非アース側
に設けることにより、コネクタの電触が防止され
る。
に設けることにより、コネクタの電触が防止され
る。
以下、図に示す実施例に基づいて本考案を更に
詳しく説明する。ここに第１図は本考案の一実施
例のヘツドランプのスイツチング回路の模式的回
路図、第２図はパワーリレーとパワーMOSFET
のオン、オフのタイムチヤートである。なお、図
に示す実施例により本考案が限定されるものでは
ない。
詳しく説明する。ここに第１図は本考案の一実施
例のヘツドランプのスイツチング回路の模式的回
路図、第２図はパワーリレーとパワーMOSFET
のオン、オフのタイムチヤートである。なお、図
に示す実施例により本考案が限定されるものでは
ない。
第１図に示すヘツドランプのスイツチング回路
１において、自動車の左右のヘツドランプ２r，
２lのロービーム側の電源ライン３rには、パワー
MOSFET４rが介設されており、そのパワー
MOSFET４rはライト制御用CPU８でオン、オ
フされるようになつている。
１において、自動車の左右のヘツドランプ２r，
２lのロービーム側の電源ライン３rには、パワー
MOSFET４rが介設されており、そのパワー
MOSFET４rはライト制御用CPU８でオン、オ
フされるようになつている。
一方、ヘツドランプ２r，２lのハイビーム側の
電源ライン３lには、上記と同様のパワー
MOSFET４lが介設されており、やはりライト制
御用CPU８でオン、オフされるようになつてい
る。
電源ライン３lには、上記と同様のパワー
MOSFET４lが介設されており、やはりライト制
御用CPU８でオン、オフされるようになつてい
る。
ヘツドランプ２r，２lのコモン側の電源ライン
５には、パワーリレー６が介設され、ライト制御
用CPU８によつて、トランジスタ７を介してオ
ン、オフされるようになつている。
５には、パワーリレー６が介設され、ライト制御
用CPU８によつて、トランジスタ７を介してオ
ン、オフされるようになつている。
ライト制御用CPU８は、スイツチ読取CPU１
２からの信号に基づいて、所定のタイミングに従
い、上記パワーMOSFET４r，４l及びパワーリ
レー６をオン、オフ制御する。
２からの信号に基づいて、所定のタイミングに従
い、上記パワーMOSFET４r，４l及びパワーリ
レー６をオン、オフ制御する。
１０はライテイングスイツチ、１１はデイマー
スイツチであり、これらは従来の構成と同様であ
る。
スイツチであり、これらは従来の構成と同様であ
る。
次に、第２図を参照し、上記スイツチング回路
１の作動を説明する。
１の作動を説明する。
まず、時刻t1において、ロービームで点灯する
操作を行うと、ライト制御用CPU８は、パワー
リレー６をオンとし、それから所定時間τ1だけ遅
れてパワーMOSFET４rをオンとする。この所定
時間τ1は、パワーリレー６のチヤタリングがおさ
まるまでの時間であり、例えば10〜20msecであ
る。従つて、ヘツドランプ２r，２lのロービーム
側フイラメントには、パワーMOSFET４rのオン
により、初めて電流が流れるが、パワー
MOSFET４rが流す電流値はゲート電圧により制
限されるので、大きな突入電流は流れない。ま
た、既にパワーリレー６のチヤタリングがおさま
つているから、電流の断続もない。
操作を行うと、ライト制御用CPU８は、パワー
リレー６をオンとし、それから所定時間τ1だけ遅
れてパワーMOSFET４rをオンとする。この所定
時間τ1は、パワーリレー６のチヤタリングがおさ
まるまでの時間であり、例えば10〜20msecであ
る。従つて、ヘツドランプ２r，２lのロービーム
側フイラメントには、パワーMOSFET４rのオン
により、初めて電流が流れるが、パワー
MOSFET４rが流す電流値はゲート電圧により制
限されるので、大きな突入電流は流れない。ま
た、既にパワーリレー６のチヤタリングがおさま
つているから、電流の断続もない。
次に、時刻t2においてデイマースイツチ１１を
操作してハイビームに切り換えると、ライト制御
用CPU８は、パワーMOSFET４rをオフとし且
つパワーMOSFET４lをオンとする。そこで、ヘ
ツドランプ２r，２lはハイビームの点灯に変わる。
パワーMOSFET４lの電流制限効果により、突入
電流は流れない。
操作してハイビームに切り換えると、ライト制御
用CPU８は、パワーMOSFET４rをオフとし且
つパワーMOSFET４lをオンとする。そこで、ヘ
ツドランプ２r，２lはハイビームの点灯に変わる。
パワーMOSFET４lの電流制限効果により、突入
電流は流れない。
同様に、時刻t3においてハイビームからロービ
ームに切り換えると、パワーMOSFET４lがオフ
となり、パワーMOSFET４rがオンとなる。
ームに切り換えると、パワーMOSFET４lがオフ
となり、パワーMOSFET４rがオンとなる。
時刻t4において、ヘツドランプをオフにする操
作を行うと、ライト制御用CPU８は、まずパワ
ーMOSFET４rをオフとし、それより所定時間τ2
だけ遅れてパワーリレー６をオフとする。このよ
うにするのは、パワーリレー６を先にオフする
と、そのチヤタリングにより電流が断続されてノ
イズを生じるからである。従つて、この電流の断
続を生じない範囲でならば、パワーリレー６をパ
ワーMOSFET４rより僅かに早くオフとしても良
いし、同時にオフとしても良い。
作を行うと、ライト制御用CPU８は、まずパワ
ーMOSFET４rをオフとし、それより所定時間τ2
だけ遅れてパワーリレー６をオフとする。このよ
うにするのは、パワーリレー６を先にオフする
と、そのチヤタリングにより電流が断続されてノ
イズを生じるからである。従つて、この電流の断
続を生じない範囲でならば、パワーリレー６をパ
ワーMOSFET４rより僅かに早くオフとしても良
いし、同時にオフとしても良い。
時刻t5は消灯状態からハイビーム点灯の状態に
した場合であり、時刻t6はハイビーム点灯から消
灯にした場合である。これらの場合も上記と同様
に、所定時間τ1，τ2のタイミングがライト制御用
CPU８で作られる。
した場合であり、時刻t6はハイビーム点灯から消
灯にした場合である。これらの場合も上記と同様
に、所定時間τ1，τ2のタイミングがライト制御用
CPU８で作られる。
以上のように、このヘツドランプのスイツチン
グ回路１では、大きな突入電流が流れず、また、
チヤタリングによる電流の断続がない。従つて、
ヘツドランプ２r，２lの寿命が延びると共に、ノ
イズを発生しないので、他の電子機器を誤動作さ
せることもない。更に、パワーMOSFET４r，４
ｌは従来のパワーリレーに較べて小型であり、ま
た、突入電流が流れないからパワーリレー６やヒ
ユーズFr，Flを小型化できる。そして、コストも
安価となる。
グ回路１では、大きな突入電流が流れず、また、
チヤタリングによる電流の断続がない。従つて、
ヘツドランプ２r，２lの寿命が延びると共に、ノ
イズを発生しないので、他の電子機器を誤動作さ
せることもない。更に、パワーMOSFET４r，４
ｌは従来のパワーリレーに較べて小型であり、ま
た、突入電流が流れないからパワーリレー６やヒ
ユーズFr，Flを小型化できる。そして、コストも
安価となる。
本考案によれば、ヘツドランプのロービーム側
電源ラインとハイビーム側電源ラインの各々に介
設されたパワーMOSFETまたはパワートランジ
スタと、ヘツドランプのコモン側電源ラインに介
設されたパワーリレーと、ヘツドランプを点灯す
る時には前記パワーリレーをオンにしてから所定
時間遅らせて前記パワーMOSFETまたはパワー
トランジスタをオンにすると共にヘツドランプを
消灯する時には前記パワーMOSFETまたはパワ
ートランジスタをオフにするのと略同時か又はそ
れより遅らせて前記パワーリレーをオフにするタ
イミング制御手段とを具備したことを特徴とする
ヘツドランプのスイツチング回路が提供され、こ
れにより点灯時の突入電流が防止されると共に、
チヤタリングによる電流の断続も防止される。そ
こで、ヘツドランプの長寿命化が図られると共
に、ノイズによる他への悪影響を防止できる。ま
た、突入電流が流れないから、比較的小さな定格
の回路部品を用いることができ、構成を小型且つ
安価にできる。
電源ラインとハイビーム側電源ラインの各々に介
設されたパワーMOSFETまたはパワートランジ
スタと、ヘツドランプのコモン側電源ラインに介
設されたパワーリレーと、ヘツドランプを点灯す
る時には前記パワーリレーをオンにしてから所定
時間遅らせて前記パワーMOSFETまたはパワー
トランジスタをオンにすると共にヘツドランプを
消灯する時には前記パワーMOSFETまたはパワ
ートランジスタをオフにするのと略同時か又はそ
れより遅らせて前記パワーリレーをオフにするタ
イミング制御手段とを具備したことを特徴とする
ヘツドランプのスイツチング回路が提供され、こ
れにより点灯時の突入電流が防止されると共に、
チヤタリングによる電流の断続も防止される。そ
こで、ヘツドランプの長寿命化が図られると共
に、ノイズによる他への悪影響を防止できる。ま
た、突入電流が流れないから、比較的小さな定格
の回路部品を用いることができ、構成を小型且つ
安価にできる。
第１図は本考案の一実施例のヘツドランプのス
イツチング回路の模式的回路図、第２図はパワー
リレーとパワーMOSFETのオン、オフのタイム
チヤート、第３図は従来のヘツドランプのスイツ
チング回路の一例の回路図である。 符号の説明、 １……ヘツドランプのスイツチング回路、２r，
２l……ヘツドランプ、３r……ロービーム側電源
ライン、３l……ハイビーム側電源ライン、４r，
４l……パワーMOSFET、５……コモン側電源ラ
イン、６……パワーリレー、８……ライト制御用
CPU、１０……ライテイングスイツチ、１１…
…デイマースイツチ、１２……スイツチ読取用
CPU。
イツチング回路の模式的回路図、第２図はパワー
リレーとパワーMOSFETのオン、オフのタイム
チヤート、第３図は従来のヘツドランプのスイツ
チング回路の一例の回路図である。 符号の説明、 １……ヘツドランプのスイツチング回路、２r，
２l……ヘツドランプ、３r……ロービーム側電源
ライン、３l……ハイビーム側電源ライン、４r，
４l……パワーMOSFET、５……コモン側電源ラ
イン、６……パワーリレー、８……ライト制御用
CPU、１０……ライテイングスイツチ、１１…
…デイマースイツチ、１２……スイツチ読取用
CPU。
Claims (1)
- ヘツドランプのロービーム側電源ラインとハイ
ビーム側電源ラインの各々に介設されたパワー
MOSFETまたはパワートランジスタと、ヘツド
ランプのコモン側電源ラインに介設されたパワー
リレーと、ヘツドランプを点灯する時には前記パ
ワーリレーをオンにしてから所定時間遅らせて前
記パワーMOSFETまたはパワートランジスタを
オンにすると共にヘツドランプを消灯する時には
前記パワーMOSFETまたはパワートランジスタ
をオフにするのと略同時か又はそれより遅らせて
前記パワーリレーをオフにするタイミング制御手
段とを具備したことを特徴とするヘツドランプの
スイツチング回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6240488U JPH0452116Y2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6240488U JPH0452116Y2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01170039U JPH01170039U (ja) | 1989-11-30 |
| JPH0452116Y2 true JPH0452116Y2 (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=31288017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6240488U Expired JPH0452116Y2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0452116Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP6240488U patent/JPH0452116Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01170039U (ja) | 1989-11-30 |
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