JPH045259B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH045259B2
JPH045259B2 JP60001170A JP117085A JPH045259B2 JP H045259 B2 JPH045259 B2 JP H045259B2 JP 60001170 A JP60001170 A JP 60001170A JP 117085 A JP117085 A JP 117085A JP H045259 B2 JPH045259 B2 JP H045259B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waste liquid
exhaust
development processing
section
piping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60001170A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61160933A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP60001170A priority Critical patent/JPS61160933A/ja
Publication of JPS61160933A publication Critical patent/JPS61160933A/ja
Publication of JPH045259B2 publication Critical patent/JPH045259B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子製造工程の一環であるフオ
トリソグラフイ工程の半導体基板現像処理装置に
関し、特にその廃液系が自己回収型ではなく、工
場一括廃液型である半導体基板現像処理装置に関
するものである。
〔従来の技術〕
近年、半導体素子製造工程のフオトリソグラフ
イ工程では微細加工化が進むにつれ、ポジTYPE
のフオトレジストの使用が増大し、その現像処理
装置から発生する現像液、リンス液、水等の廃液
は、その発生量及び廃液の性質上、その装置の自
己回収型ではなく、工場側の施設である廃液系配
管に直接、接続されている場合が多い。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来技術の蓄積より良好な現像処理状態を得る
為の要因として、現像処理部の適正な排気量調整
及び現像液の温度、散布状態の適正な調整及びリ
ンス液量の適正な調整及び各処理時間の適正な設
定等が必要であることは周知となつている。
しかしながら、前述した従来の半導体基板現像
処理装置は、その現像処理部の廃液系配管が直
接、工場側の廃液系配管に接続され、その中間に
排気配管を接続する。又は、現像処理部に直接、
排気配管を接続する等の手段により排気を接続し
ており、廃液系からの排気量に対する影響を除去
することは不可能であり、現像処理部の適正な排
気量調整は困難であつた。
さらに、工場側廃液系配管を介し、他装置によ
る廃液の雰囲気が逆流し現像処理に悪影響を与え
る場合がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明による現像処理装置は、現像処理部から
の廃液系配管にＵ字型廃液トラツプ部を設け、前
記Ｕ字型廃液トラツプ部と前記現像処理部の間の
配管のみに、排気トラツプ部を介し、排気ダンパ
ーを有する排気系配管を備えたものである。
〔実施例〕
本発明を概略図により説明する。
第１図は本発明の一実施例の概略図である。１
は現像液ノズル、リンス液ノズル、ウエハスピン
チヤツク及びそれらを囲むカツプより構成される
現像処理部であり、２は現像処理されるウエハ
で、３は１の現像処理部に接続されている廃液、
排気系配管であり、４は排気系配管に直接廃液が
吸入することを防ぐ為の排気トラツプ部であり、
５は現像処理動作に準じ現像処理部の排気量を調
整する為の自動ダンバーで、６は５の排気自動ダ
ンバーを介し、４の排気トラツプ部に接続されて
いる排気系配管であり７は８の一定量の現像処理
廃液を溜めるＵ字配管の廃液トラツプ部で９は８
の廃液トラツプ部を介し、４の排気トラツプ部に
接続されている廃液系配管である。
〔発明の効果〕
第１図より説明される様に、本発明による半導
体基板の現像処理装置は、常に廃液トラツプ部に
一定量の現像処理廃液が溜まつており、その廃液
により現像処理部と廃液系配管は遮断されてい
る。
従つて、前述した現像処理部の排気量への影響
及び廃液系配管からの雰囲気の逆流という問題を
本発明を採用することにより解消し、良好な現像
処理の条件を容易に得ることを可能とし、半導体
素子製造工程の安定化に多大な効果をもたらす。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の概略図である。 １……現像処理部、２……ウエハ、３……廃
液、排気系配管、４……排気トラツプ部、５……
排気自動ダンパー、６……排気系配管、７……廃
液トラツプ部、８……現像処理廃液溜まり、９…
…廃液系配管。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 現像処理装置において、現像処理部からの廃
    液系配管にＵ字型廃液トラツプ部を設け、前記Ｕ
    字型廃液トラツプ部と前記現像処理部の間の配管
    に排気トラツプ部を設け、この排気トラツプ部に
    排気系配管を接続し、前記Ｕ字型廃液トラツプ部
    と前記排気系配管とを独立に設けたことを特徴と
    する現像処理装置。
JP60001170A 1985-01-08 1985-01-08 現像処理装置 Granted JPS61160933A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60001170A JPS61160933A (ja) 1985-01-08 1985-01-08 現像処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60001170A JPS61160933A (ja) 1985-01-08 1985-01-08 現像処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61160933A JPS61160933A (ja) 1986-07-21
JPH045259B2 true JPH045259B2 (ja) 1992-01-30

Family

ID=11493958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60001170A Granted JPS61160933A (ja) 1985-01-08 1985-01-08 現像処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61160933A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0611023B2 (ja) * 1986-12-29 1994-02-09 東京エレクトロン株式会社 現像方法
KR0147044B1 (ko) * 1990-01-23 1998-11-02 카자마 젠쥬 배기 시스템을 가지는 열처리장치
JP2002187249A (ja) * 2000-12-19 2002-07-02 Think Laboratory Co Ltd グラビア印刷用被製版ロールの製作・リサイクル処理・製版をマルチに行う方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5666044A (en) * 1979-11-05 1981-06-04 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS5850738A (ja) * 1981-09-21 1983-03-25 Toshiba Corp レジストの塗布及び現像装置
JPS614576A (ja) * 1984-06-15 1986-01-10 Hoya Corp スプレ−方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61160933A (ja) 1986-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5850841A (en) Cleaning apparatus of semiconductor device
JPH045259B2 (ja)
JPH08323106A (ja) 薬液供給装置及び薬液供給方法
JPH0338827A (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
CN116841119A (zh) 一种掩模板清洗设备及方法
JPS62156659A (ja) 洗浄方法及び装置
US4803946A (en) Continuous bulk drain for photoresist
JPH06164112A (ja) 洗浄装置
JPH10242105A (ja) ウェット処理装置
JPH1055948A (ja) レジスト塗布装置
JPS5831530A (ja) 半導体装置の製造装置
JPS61259525A (ja) 半導体基板の現像装置
KR200259942Y1 (ko) 매엽식 반도체 웨이퍼세정용 약액배액컵
KR200234232Y1 (ko) 웨이퍼세정장치
JPS62193251A (ja) 半導体製造装置
JPH03286517A (ja) 処理方法
JPS58184725A (ja) 半導体基板のレジスト塗布装置
JPH0316279Y2 (ja)
KR19990032647U (ko) 반도체 웨이퍼용 웨트 스테이션의 자동배기조절장치
JPS63263728A (ja) 半導体基板洗浄装置
JPH0244727A (ja) 半導体ウエハー洗浄装置
JPH10289893A (ja) ウェット処理装置
KR200270009Y1 (ko) 트랙장비의 케미컬 드레인 장치
JPH03233930A (ja) 半導体装置の洗浄方法
JPH0744013Y2 (ja) ウェーハ薬液処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term