JPH0452648A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JPH0452648A JPH0452648A JP2162034A JP16203490A JPH0452648A JP H0452648 A JPH0452648 A JP H0452648A JP 2162034 A JP2162034 A JP 2162034A JP 16203490 A JP16203490 A JP 16203490A JP H0452648 A JPH0452648 A JP H0452648A
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- Japan
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- resist
- pattern
- ultraviolet light
- radiation
- film
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
微細加工を実現するポジ型レジストのパターン形成方法
に関し、 残留パターン（非露光領域）の現像液に対する不溶性を
向上してパターン変形を抑制することを目的とし、 アジド化合物を含有する放射線感応性ポリマーからなる
ポジレジストを基板上に塗布する工程と、前記レジスト
を放射線によってパターン露光する工程と、前記パター
ン露光された領域のレジストを現像液中で現像し、露光
部分のレジストパターンを除去する現像工程とを有し、
前記現像工程以前の工程中で、レジストに対して紫外光
あるいは遠紫外光を照射しつつ、または照射後に、前記
レジストを加熱処理を施す工程が含まれることを特徴と
するレジストパターンの形成方法を提供するものである
。
に関し、 残留パターン（非露光領域）の現像液に対する不溶性を
向上してパターン変形を抑制することを目的とし、 アジド化合物を含有する放射線感応性ポリマーからなる
ポジレジストを基板上に塗布する工程と、前記レジスト
を放射線によってパターン露光する工程と、前記パター
ン露光された領域のレジストを現像液中で現像し、露光
部分のレジストパターンを除去する現像工程とを有し、
前記現像工程以前の工程中で、レジストに対して紫外光
あるいは遠紫外光を照射しつつ、または照射後に、前記
レジストを加熱処理を施す工程が含まれることを特徴と
するレジストパターンの形成方法を提供するものである
。
本発明は、微細加工を実現するポジ型レジストのパター
ン形成方法に関する。
ン形成方法に関する。
近年の半導体装置の高速化およびそれに伴う微細化の要
求により、非常に微細なパターンを制御性良く形成する
ことが望まれている。
求により、非常に微細なパターンを制御性良く形成する
ことが望まれている。
微細パターンを形成するにおいては、Ｘ線或いは電子ビ
ームなどを光源として使用する露光方法が期待されてい
る。
ームなどを光源として使用する露光方法が期待されてい
る。
（従来の技術〕
上記露光方法に使用されるレジストには、アシド化合物
を添加して現像液に対する不溶性を向上する手法が知ら
れている。
を添加して現像液に対する不溶性を向上する手法が知ら
れている。
アジド化合物を添加したレジストは、基板上に塗布され
た後に、例えば窒素雰囲気で加熱処理が施される。
た後に、例えば窒素雰囲気で加熱処理が施される。
この際、上記レジストは添加されたアジド化合物から発
生するラジカルの作用によって架橋反応が大きくなり、
現像液に対する不溶性が高くなる。
生するラジカルの作用によって架橋反応が大きくなり、
現像液に対する不溶性が高くなる。
このため、現像時にパターンとして残留するレジストの
膜厚減少が抑制される。
膜厚減少が抑制される。
〔発明が解決しようとする課題］
上記レジストは、加熱処理が施されることによって現像
液に対する不溶性が向上する。
液に対する不溶性が向上する。
ところで、微細パターンを得る場合には、レジストによ
る微細パターン形成後のドライエツチング工程に耐えう
る膜厚を現像後も維持する必要があるが、超微細（サブ
ミクロン）パターンになると、現像後に充分な膜厚を残
すことが困難であったため、アジド化合物の添加および
熱処理によって膜厚減少が抑制されているとは言え、充
分なものではなかった。
る微細パターン形成後のドライエツチング工程に耐えう
る膜厚を現像後も維持する必要があるが、超微細（サブ
ミクロン）パターンになると、現像後に充分な膜厚を残
すことが困難であったため、アジド化合物の添加および
熱処理によって膜厚減少が抑制されているとは言え、充
分なものではなかった。
第２図は、シリコンウェハ１上にアジド化合物を含有す
るレジストを塗布し、Ｘ線照射などによってパターンの
露光を行い、次いで熱処理を施して前記レジストを熱架
橋させた後に現像処理を施した状態を示している。
るレジストを塗布し、Ｘ線照射などによってパターンの
露光を行い、次いで熱処理を施して前記レジストを熱架
橋させた後に現像処理を施した状態を示している。
第２図からも明らかなように、現像後のレジストパター
ン４の膜厚は、点線で示される理想パターンに比べて大
幅に減少している。
ン４の膜厚は、点線で示される理想パターンに比べて大
幅に減少している。
例えば、現像前のレジスト膜厚が３０００人であった場
合、３分間現像後の残留レジスト膜厚は１５００人であ
ったいう結果が得られている。
合、３分間現像後の残留レジスト膜厚は１５００人であ
ったいう結果が得られている。
現像処理によるレジストパターンの膜厚減少、或いはパ
ターン変形は、後にレジストパターンを使用して実施さ
れる種々の工程において、その工程の信軌性低下を招来
する要因となるため、これを解消することは、微細パタ
ーンを得るために必須の事項である。
ターン変形は、後にレジストパターンを使用して実施さ
れる種々の工程において、その工程の信軌性低下を招来
する要因となるため、これを解消することは、微細パタ
ーンを得るために必須の事項である。
本発明は上記課題に鑑み、現像後もレジストパターンの
膜厚を維持することが可能なパターン形成方法を提供す
ることを目的としている。
膜厚を維持することが可能なパターン形成方法を提供す
ることを目的としている。
本発明は、上記課題を解決するために、アジド化合物を
含有する放射線感応性ポリマーからなるポジレジストを
基板上に塗布する工程と、前記レジストを放射線によっ
てパターン露光する工程と、前記パターン露光された領
域のレジストを現像液中で現像し、露光部分のレジスト
パターンを除去する現像工程とを有し、前記現像工程以
前の工程中で、レジストに対して紫外光あるいは遠紫外
光を照射しつつ、または照射後に、前記レジストを加熱
処理を施す工程が含まれることを特徴とするレジストパ
ターンの形成方法を提供するものである。
含有する放射線感応性ポリマーからなるポジレジストを
基板上に塗布する工程と、前記レジストを放射線によっ
てパターン露光する工程と、前記パターン露光された領
域のレジストを現像液中で現像し、露光部分のレジスト
パターンを除去する現像工程とを有し、前記現像工程以
前の工程中で、レジストに対して紫外光あるいは遠紫外
光を照射しつつ、または照射後に、前記レジストを加熱
処理を施す工程が含まれることを特徴とするレジストパ
ターンの形成方法を提供するものである。
［作用］
本発明では、アジド化合物を含む放射線感応レジストに
対して紫外線または遠紫外線を照射しつつ、あるいは照
射後に加熱処理を施している。
対して紫外線または遠紫外線を照射しつつ、あるいは照
射後に加熱処理を施している。
本発明者は、従来より行われている熱処理に加え、更に
紫外線あるいは遠紫外線を照射すると、熱処理のみによ
って得られる残膜率よりも大きい残膜率が得られること
を見出した。
紫外線あるいは遠紫外線を照射すると、熱処理のみによ
って得られる残膜率よりも大きい残膜率が得られること
を見出した。
一般に、紫外光あるいは遠紫外光は露光用の光源として
良く知られており、ポジレジストでは、照射領域が現像
液によって溶解するため、アジド化合物による架橋反応
よりも分解反応が優先的に起こり、架橋による不溶化が
生しにくいと思われていた。
良く知られており、ポジレジストでは、照射領域が現像
液によって溶解するため、アジド化合物による架橋反応
よりも分解反応が優先的に起こり、架橋による不溶化が
生しにくいと思われていた。
なお、加熱時間あるいは加熱温度を変化しても残膜率は
殆ど改善されないが、紫外光あるいは遠紫外光の照射と
組み合わせた場合は残膜率が大きく改善されるという実
験結果が得られている。
殆ど改善されないが、紫外光あるいは遠紫外光の照射と
組み合わせた場合は残膜率が大きく改善されるという実
験結果が得られている。
従って、紫外光あるいは遠紫外光の照射によって発生す
るラジカルは、熱処理によって発生するラジカルとは異
なる種類のラジカルであると考えられる。
るラジカルは、熱処理によって発生するラジカルとは異
なる種類のラジカルであると考えられる。
実施例１
まず、下記式（１）に示されるポリ（トリメチルシリル
メチル（α−トリフルオロメチル）アクリレト） ＣＦ。
メチル（α−トリフルオロメチル）アクリレト） ＣＦ。
からなるレジスト材料に対して、下記式（２）に示され
る４、４゛ −ジアジドカルコン Ｎ３−［相］ＣＨ＝Ｃ）Ｉ−Ｃ−◎−Ｎ３
・・・・（２）からなるアジド化合物をポリマーの７
重量％加え３０ ｇ＃のＭＩＢＫ （メチルイソブチル
ケトン）溶液を作成する。
る４、４゛ −ジアジドカルコン Ｎ３−［相］ＣＨ＝Ｃ）Ｉ−Ｃ−◎−Ｎ３
・・・・（２）からなるアジド化合物をポリマーの７
重量％加え３０ ｇ＃のＭＩＢＫ （メチルイソブチル
ケトン）溶液を作成する。
第１図（Ａ）参照
次に上記ＭＩＢＫ溶液をＳｉウェハ１上に塗布した後、
８０°Ｃのホットプレート上で６０秒間ヘークしてレジ
スト膜２を形成する。
８０°Ｃのホットプレート上で６０秒間ヘークしてレジ
スト膜２を形成する。
レジストの膜厚は約３０００人である。
上記ベータの工程は、レジスト中の有機溶剤を蒸発させ
る目的で行われるものであり、これによって架橋反応が
進行することはほとんど無い。
る目的で行われるものであり、これによって架橋反応が
進行することはほとんど無い。
第１図（Ｂ）参照
上記ウェハ１上のレジスト膜２にＸｅ−Ｈｇランプによ
って紫外光を３０秒間照射した後、そのウェハ１を１８
０°Ｃのホントプレート上で６０秒間ヘークする。
って紫外光を３０秒間照射した後、そのウェハ１を１８
０°Ｃのホントプレート上で６０秒間ヘークする。
この工程によって加えられる紫外光および熱が、前記レ
ジスト膜中のアンド化合物からラジカルを発生させ、そ
の結果、レジスト膜の架橋反応が促進される。
ジスト膜中のアンド化合物からラジカルを発生させ、そ
の結果、レジスト膜の架橋反応が促進される。
第１図（Ｃ）参照
加速電圧を２０ＫｅＶとした電子ビームを前記レジスト
膜２に照射し、パターンを描画する。
膜２に照射し、パターンを描画する。
露光パターンは、０．４μｍ幅のラインを０．４μｍ間
隔で形成した、所謂、ｌ ｉｎｅ ＆ ５ｐａｃｅパタ
ーンとした。
隔で形成した、所謂、ｌ ｉｎｅ ＆ ５ｐａｃｅパタ
ーンとした。
第１図（Ｄ）参照
イソブチルアルコールよりなる現像液によって前記レジ
スト膜２を２分間現像し、電子ビームが照射された領域
のレジスト膜２を除去する。
スト膜２を２分間現像し、電子ビームが照射された領域
のレジスト膜２を除去する。
上記工程によって得られたレジスト膜２のパターン３を
観察したところ、パターン変形等を起こさないシャープ
な形状の１ｉｎｅ＆５ｐａｃｅパターンが得られること
が確認された。
観察したところ、パターン変形等を起こさないシャープ
な形状の１ｉｎｅ＆５ｐａｃｅパターンが得られること
が確認された。
本実施例によるレジストパターン３（未露光領域）の膜
厚は、２９００Å以上であり、従来の熱のみによる架橋
時に比べて残膜率は飛躍的に向上している。
厚は、２９００Å以上であり、従来の熱のみによる架橋
時に比べて残膜率は飛躍的に向上している。
実施例２
下記式（３）で示される、［・リメチルシリルメチルメ
タクリレートとα−トリフルオロメチルアクリル酸の７
：３共重合体 からなるレジスト材料に対し、前記式（２）で示される
４、４゛−ジアジドカルコンからなるアジド化合物をポ
リマーの５重量％加え、３０ｇ／ｌのＭｒＢＫ （メチ
ルイソブチルケトン る。
タクリレートとα−トリフルオロメチルアクリル酸の７
：３共重合体 からなるレジスト材料に対し、前記式（２）で示される
４、４゛−ジアジドカルコンからなるアジド化合物をポ
リマーの５重量％加え、３０ｇ／ｌのＭｒＢＫ （メチ
ルイソブチルケトン る。
次に上記ＭＩＢＫ？Ｓ液をＳｉウェハ上に塗布した後、
１００°Ｃのホットプレート上で１００秒間ベークして
レジスト膜を形成する。
１００°Ｃのホットプレート上で１００秒間ベークして
レジスト膜を形成する。
レジストの膜厚は約３０００人である。
上記ベークの工程は、レジスト中の容器溶剤を蒸発させ
る目的で行われるものであり、これによって架橋反応が
進行することはほとんど無い。
る目的で行われるものであり、これによって架橋反応が
進行することはほとんど無い。
次に、上記ウェハ上のレジスト膜にＸｅ−Ｈｇランプに
よって紫外光を照射しながらそのウエノ＼を２ ２ ０
’Ｃのホットプレート上で６分間ベータする。
よって紫外光を照射しながらそのウエノ＼を２ ２ ０
’Ｃのホットプレート上で６分間ベータする。
この工程によって加えられる紫外光および熱が、前記レ
ジスト膜中のアジド化合物からラジカルを発生させ、そ
の結果、レジスト膜の架橋反応が促進される。
ジスト膜中のアジド化合物からラジカルを発生させ、そ
の結果、レジスト膜の架橋反応が促進される。
次に、加速電圧を２０ＫｅＶとした電子ビームを前記レ
ジスト膜に照射し、パターンを描画する。
ジスト膜に照射し、パターンを描画する。
露光パターンは、Ｑ，４μｍのｌｉｎｅ＆ｓｐａｃｅパ
ターンとした。
ターンとした。
次に、イソプロピルアルコールよりなる現像液によって
前記レジスト膜を３分間現像し、電子ビームが照射され
た領域のレジスト膜を除去する。
前記レジスト膜を３分間現像し、電子ビームが照射され
た領域のレジスト膜を除去する。
上記工程によって得られたレジスト膜のパターンを検査
したところ、実施例１と同様に、パターン変形等を起こ
さないシャープな形状のｌｉｎｅ＆ｓｐａｃｅパターン
が得られた。
したところ、実施例１と同様に、パターン変形等を起こ
さないシャープな形状のｌｉｎｅ＆ｓｐａｃｅパターン
が得られた。
実施例３
下記式（４）で示されるトリメチルシリルメチル（α−
トリフルオロメチル）アクリレートとターシャリブチル
（α−トリフルオロメチル）アクリレートの６＝４共重
合体 を前記実施例２の式（３）に示されるレジスト材料に代
えて使用しても、同様の効果が得られた。
トリフルオロメチル）アクリレートとターシャリブチル
（α−トリフルオロメチル）アクリレートの６＝４共重
合体 を前記実施例２の式（３）に示されるレジスト材料に代
えて使用しても、同様の効果が得られた。
実施例４
下記式（５）で示されるトリメチルシリルメチルメタク
リレートと２．２．２−１リフルオロエチル（α−トリ
フルオロメチル）アクリレートの７：３共重合体 からなるレジスト材料に対し、前記式（２）で示される
４ ４゛−ジアジドカルコンからなるアジド化合物をポ
リマーの５重量％加え、３０ｇ／ｊ２のトルエン溶液を
作成する。
リレートと２．２．２−１リフルオロエチル（α−トリ
フルオロメチル）アクリレートの７：３共重合体 からなるレジスト材料に対し、前記式（２）で示される
４ ４゛−ジアジドカルコンからなるアジド化合物をポ
リマーの５重量％加え、３０ｇ／ｊ２のトルエン溶液を
作成する。
次に上記トルエン溶液をＳｉウェハ上に塗布した後、１
００°Ｃのホットプレート上で１００秒間ベークしてレ
ジスト膜を形成する。
００°Ｃのホットプレート上で１００秒間ベークしてレ
ジスト膜を形成する。
レジストの膜厚は約３０００人である。
上記ベークの工程は、レジスト中の有機溶剤を蒸発させ
る目的で行われるものであり、これによって架橋反応が
進行することはほとんど無い。
る目的で行われるものであり、これによって架橋反応が
進行することはほとんど無い。
次に、加速電圧を２０ＫｅＶとした電子ビームを前記レ
ジスト膜に照射し、ｌ ｉｎｅ ＆ ｓｐａｃｅパター
ンを描画する。
ジスト膜に照射し、ｌ ｉｎｅ ＆ ｓｐａｃｅパター
ンを描画する。
次に、上記ウェハ上のレジスト膜にＸｅ−Ｈｇランプに
よって紫外光を照射しながら、そのウェハを２００°Ｃ
のホットプレート上で１００秒間加熱した。
よって紫外光を照射しながら、そのウェハを２００°Ｃ
のホットプレート上で１００秒間加熱した。
この工程によって加えられる紫外光および熱が、前記レ
ジスト膜中のアジド化合物からラジカルを発生させ、そ
の結果、レジスト膜の架橋反応か促進される。
ジスト膜中のアジド化合物からラジカルを発生させ、そ
の結果、レジスト膜の架橋反応か促進される。
次に、シクロヘキサンよりなる現像液によって前記レジ
スト膜を２分間現像し、電子ビームが照射された領域の
レジスト膜を除去する。
スト膜を２分間現像し、電子ビームが照射された領域の
レジスト膜を除去する。
上記工程によって得られたレジスト膜のパターンを検査
したところ、前記実施例１と同様に、パターン変形等を
起こさないシャープな形状のｌｉｎｅ＆ ｓｐａｃｅパ
ターンが得られた。
したところ、前記実施例１と同様に、パターン変形等を
起こさないシャープな形状のｌｉｎｅ＆ ｓｐａｃｅパ
ターンが得られた。
アジド化合物としては、前記式（２）で示されるものの
他、下記式（６）〜０１）に示される如きアジド化合物
を使用しても同様の効果を得ることができる。
他、下記式（６）〜０１）に示される如きアジド化合物
を使用しても同様の効果を得ることができる。
Ｎ３−◎−０−◎−Ｎ３ ・・・・（６
）Ｎ３−◎−（ＣＨｚ）ｚ−◎−Ｎ３ ・
・ ・ ・（７）Ｎ３−◎−ＣＨ２−◎−Ｎ：ｌ
・・・・（８）Ｎ３−◎−ＣＨ※ＣＨ−
Ｃ’・−Ｎ３ ・・・・（９）Ｎ３−◎−ＣＨ
？Ｃ）Ｉ ＜Ｑ＞−Ｎ：ｌ ・・・・ＧＯ）ＣＩ（
。
）Ｎ３−◎−（ＣＨｚ）ｚ−◎−Ｎ３ ・
・ ・ ・（７）Ｎ３−◎−ＣＨ２−◎−Ｎ：ｌ
・・・・（８）Ｎ３−◎−ＣＨ※ＣＨ−
Ｃ’・−Ｎ３ ・・・・（９）Ｎ３−◎−ＣＨ
？Ｃ）Ｉ ＜Ｑ＞−Ｎ：ｌ ・・・・ＧＯ）ＣＩ（
。
Ｎ１１−＠−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ−ＣＨ＝Ｃト◎−Ｎ３
−−−−Ｏｌ）（発明の効果） 以上説明したとおり、本発明によれば、単に熱処理によ
る熱架橋だけでなく、紫外光による架橋がなされるため
、現像液に対する不溶性が向上し、シャープな露光パタ
ーンを得ることができる。
−−−−Ｏｌ）（発明の効果） 以上説明したとおり、本発明によれば、単に熱処理によ
る熱架橋だけでなく、紫外光による架橋がなされるため
、現像液に対する不溶性が向上し、シャープな露光パタ
ーンを得ることができる。
は従来の問題点を説明する図である。
図において、
１・・・・
２・・・・
３・・・・
である。
・・・・・ウェハ
・・・・・レジスト膜
・・・・・レジストパターン
第１図は本発明の詳細な説明する図、第２図本発明の詳
細な説明する図 第１図（その２） 本発明の詳細な説明する図 第１図（その１）
細な説明する図 第１図（その２） 本発明の詳細な説明する図 第１図（その１）
Claims (3)
- （１）アジド化合物を含有する放射線感応性ポリマーか
らなるポジレジストを基板上に塗布する工程と、次いで
前記レジストの露光領域全面に紫外光あるいは遠紫外光
を照射しつつ、または照射後に、前記レジストを加熱処
理する工程と、 次いで、前記レジストを放射線によってパターン露光す
る工程と、 次いで、前記パターン露光されたレジストを現像液中で
現像し、露光部分のレジストパターンを除去する工程と
を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - （２）アジド化合物を含有する放射線感応性ポリマーか
らなるポジレジストを基板上に塗布する工程と、次いで
、前記レジストを放射線によってパターン露光する工程
と、 次いで前記レジストの露光領域全面に紫外光あるいは遠
紫外光を照射しつつ、または照射後に、前記レジストを
加熱処理する工程と、 次いで、前記パターン露光されたレジストを現像液中で
現像し、露光部分のレジストパターンを除去する工程と
を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - （３）前記放射線感応ポリマーは、アクリル系ポリマー
であることを特徴とする請求項（１）あるいは（２）記
載のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2162034A JPH0452648A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2162034A JPH0452648A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0452648A true JPH0452648A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15746827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2162034A Pending JPH0452648A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0452648A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6683202B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-01-27 | Tokyo Ohka, Kogyo Co., Ltd. | Fluorine-containing monomeric ester compound for base resin in photoresist composition |
| WO2004012012A1 (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-05 | Hitachi, Ltd. | 電子装置の製造方法 |
| WO2007145711A1 (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-21 | Dow Corning Corporation | Electronic package and method of preparing same |
| JP2021107912A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | インテル・コーポレーション | Ｅｕｖリソグラフィ用途のための鎖切断レジスト組成物 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2162034A patent/JPH0452648A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6683202B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-01-27 | Tokyo Ohka, Kogyo Co., Ltd. | Fluorine-containing monomeric ester compound for base resin in photoresist composition |
| US6846949B2 (en) | 2001-02-22 | 2005-01-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Fluorine-containing monomeric ester compound for base resin in photoresist composition |
| WO2004012012A1 (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-05 | Hitachi, Ltd. | 電子装置の製造方法 |
| WO2007145711A1 (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-21 | Dow Corning Corporation | Electronic package and method of preparing same |
| JP2021107912A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | インテル・コーポレーション | Ｅｕｖリソグラフィ用途のための鎖切断レジスト組成物 |
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