JPH0453013Y2 - - Google Patents
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- JPH0453013Y2 JPH0453013Y2 JP1986196082U JP19608286U JPH0453013Y2 JP H0453013 Y2 JPH0453013 Y2 JP H0453013Y2 JP 1986196082 U JP1986196082 U JP 1986196082U JP 19608286 U JP19608286 U JP 19608286U JP H0453013 Y2 JPH0453013 Y2 JP H0453013Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は三本の光ビームを出射する半導体レー
ザの出力モニタ回路に関するものである。
ザの出力モニタ回路に関するものである。
３本のビームを出射する半導体レーザは第３図
に示す如く半導体レーザ１０から横方向に100μm
ピツチで並ぶ３本の光ビームP1，P2，P3を出射
するようになつている。これらのモニタ用の光ビ
ームの拡がり角度θは約10°となつており、夫々
の光ビームP1，P2，P3は発光部から略500μm以
上離れた位置に横方向に並設され、各光ビームと
対応する３個の受光素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃの夫々
に入射しており、半導体レーザ１０が出射した各
光ビームの光強度をモニタしている。
に示す如く半導体レーザ１０から横方向に100μm
ピツチで並ぶ３本の光ビームP1，P2，P3を出射
するようになつている。これらのモニタ用の光ビ
ームの拡がり角度θは約10°となつており、夫々
の光ビームP1，P2，P3は発光部から略500μm以
上離れた位置に横方向に並設され、各光ビームと
対応する３個の受光素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃの夫々
に入射しており、半導体レーザ１０が出射した各
光ビームの光強度をモニタしている。
このような従来の３ビーム半導体レーザは、光
ビームP1，P2，P3夫々の光ビームの拡がり角度
が10°となつており、発光部と受光素子との距離
が略500μm以上の長さであるため、並設されてい
る各受光素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃには、光ビーム
P1，P2，P3のうちの２本又は３本の光ビームが
入射して、正確に各光ビームの光強度をモニタで
きない。それ故、第４図に示すように、アレー化
した受光素子を用いて、半導体レーザ１０と受光
素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃとの距離を短縮することに
より夫々の光ビームの混入を避けることも考えら
れるが、アレー化した受光素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃ
の夫々の間のクロストークが１〜２％と大きいた
め良好なモニタ特性を得ることができない等の問
題ある。
ビームP1，P2，P3夫々の光ビームの拡がり角度
が10°となつており、発光部と受光素子との距離
が略500μm以上の長さであるため、並設されてい
る各受光素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃには、光ビーム
P1，P2，P3のうちの２本又は３本の光ビームが
入射して、正確に各光ビームの光強度をモニタで
きない。それ故、第４図に示すように、アレー化
した受光素子を用いて、半導体レーザ１０と受光
素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃとの距離を短縮することに
より夫々の光ビームの混入を避けることも考えら
れるが、アレー化した受光素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃ
の夫々の間のクロストークが１〜２％と大きいた
め良好なモニタ特性を得ることができない等の問
題ある。
一方、実願昭56−168284号（実開昭58−74359
号）のマイクロフイルムには半導体レーザアレイ
と光検知器アレイとの間に円筒レンズを配置し
て、光検知素子に隣りの半導体レーザからのレー
ザ光がもれこむことがないようにした半導体レー
ザアレイ装置が示されてる。しかし、この場合も
半導体レーザアレイ、円筒レンズ及び光検知アレ
イの位置合わせ、ワイヤボンドによる配線、光検
知アレイの固定が難しい。
号）のマイクロフイルムには半導体レーザアレイ
と光検知器アレイとの間に円筒レンズを配置し
て、光検知素子に隣りの半導体レーザからのレー
ザ光がもれこむことがないようにした半導体レー
ザアレイ装置が示されてる。しかし、この場合も
半導体レーザアレイ、円筒レンズ及び光検知アレ
イの位置合わせ、ワイヤボンドによる配線、光検
知アレイの固定が難しい。
本考案は前述した問題に鑑み、横方向に並ぶ３
本の光ビームを、各別に受光する受光素子を横方
向に並設していて、各受光素子が、２本又は３本
の光ビームを受光する状態でも各光ビームの光強
度を正確にモニタできる半導体レーザのモニタ回
路を提供することを目的とする。
本の光ビームを、各別に受光する受光素子を横方
向に並設していて、各受光素子が、２本又は３本
の光ビームを受光する状態でも各光ビームの光強
度を正確にモニタできる半導体レーザのモニタ回
路を提供することを目的とする。
本考案の半導体レーザのモニタ回路は、横方向
に並ぶ３本の光ビームを同方向に出射する半導体
レーザの光ビームの夫々を、各別に受光する受光
素子を横方向に並設してモニタし、各受光素子が
２本又は３本の光ビームを受光する状態にある半
導体レーザのモニタ回路において、前記受光素子
のうち両端に位置する２つの受光素子の出力に
夫々重み付けする第１、第２の重み付け回路と、
この第１、第２の重み付け回路の出力を加算する
加算回路と、中央に位置する受光素子の出力から
前記加算回路の出力を減算する第１の減算回路
と、該減算回路の出力に重み付けする第３の重み
付け回路と、該第３の重み付け回路の出力に各別
に重み付けする第４、第５の重み付け回路と、一
端に位置する受光素子の出力から第４の重み付け
回路の出力を減算する第２の減算回路と、他端に
位置する受光素子の出力から第５の重み付け回路
の出力を減算する第３の減算回路とを備え、前記
第２及び第３の減算回路の各出力を、一端及び他
端の各光ビームの光強度とし、前記第３の重み付
け回路の出力を、中央の光ビームの光強度とすべ
く構成していることを特徴とする。
に並ぶ３本の光ビームを同方向に出射する半導体
レーザの光ビームの夫々を、各別に受光する受光
素子を横方向に並設してモニタし、各受光素子が
２本又は３本の光ビームを受光する状態にある半
導体レーザのモニタ回路において、前記受光素子
のうち両端に位置する２つの受光素子の出力に
夫々重み付けする第１、第２の重み付け回路と、
この第１、第２の重み付け回路の出力を加算する
加算回路と、中央に位置する受光素子の出力から
前記加算回路の出力を減算する第１の減算回路
と、該減算回路の出力に重み付けする第３の重み
付け回路と、該第３の重み付け回路の出力に各別
に重み付けする第４、第５の重み付け回路と、一
端に位置する受光素子の出力から第４の重み付け
回路の出力を減算する第２の減算回路と、他端に
位置する受光素子の出力から第５の重み付け回路
の出力を減算する第３の減算回路とを備え、前記
第２及び第３の減算回路の各出力を、一端及び他
端の各光ビームの光強度とし、前記第３の重み付
け回路の出力を、中央の光ビームの光強度とすべ
く構成していることを特徴とする。
横方向に並んでいる３個の受光素子の両端の各
受光素子には、横方向に並んで出射した３本の光
ビームのうちの両端の光ビームと、中央の光ビー
ムの一部が混入して入射する。中央の受光素子に
は中央の光ビームと、その両側の光ビームの一部
が混入して入射する。両端に位置した各受光素子
の出力は夫々第１、第２の重み付け回路で重み付
けされて加算され、加算した出力を第１の減算回
路で中央に位置した受光素子の出力から減算し
て、更に重み付けした出力が中央の光ビームの光
強度を表す。両端に位置した受光素子の各出力か
ら、中央の光ビームの光強度として求めた出力
を、第４、第５の重み付け回路で重み付けした出
力を減算した出力が両端の各光ビームの光強度を
表す。
受光素子には、横方向に並んで出射した３本の光
ビームのうちの両端の光ビームと、中央の光ビー
ムの一部が混入して入射する。中央の受光素子に
は中央の光ビームと、その両側の光ビームの一部
が混入して入射する。両端に位置した各受光素子
の出力は夫々第１、第２の重み付け回路で重み付
けされて加算され、加算した出力を第１の減算回
路で中央に位置した受光素子の出力から減算し
て、更に重み付けした出力が中央の光ビームの光
強度を表す。両端に位置した受光素子の各出力か
ら、中央の光ビームの光強度として求めた出力
を、第４、第５の重み付け回路で重み付けした出
力を減算した出力が両端の各光ビームの光強度を
表す。
よつて、３本の光ビームの夫々の光強度が正し
くモニタされる。
くモニタされる。
以下本考案をその実施例を示す図面によつて詳
述する。第１図は本考案に係る半導体レーザのモ
ニタ回路のブロツク図である。実施例の説明に先
立ち、本考案により、光ビームの光強度を受光素
子の出力によりモニタする原理を説明する。第３
図に示す如く半導体レーザは前後２方向に、横方
向に並んだ３本の光ビームP1，P2，P3を夫々出
射し、一方は例えば光デイスク等の投射対象へ向
けられ、他方はその光強度をモニタすべく横方向
に並設している３個の受光素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃ
に向けられる。
述する。第１図は本考案に係る半導体レーザのモ
ニタ回路のブロツク図である。実施例の説明に先
立ち、本考案により、光ビームの光強度を受光素
子の出力によりモニタする原理を説明する。第３
図に示す如く半導体レーザは前後２方向に、横方
向に並んだ３本の光ビームP1，P2，P3を夫々出
射し、一方は例えば光デイスク等の投射対象へ向
けられ、他方はその光強度をモニタすべく横方向
に並設している３個の受光素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃ
に向けられる。
そして、横方向に並んでいる３本の光ビーム
P1，P2，P3の両端の光ビームP1，P3は、横方向
に並設されて両端に位置している受光素子１Ａ，
１Ｃの夫々に入射し、一部が中央に位置している
受光素子１Ｂに入射している。また、中央の光ビ
ームP2は、中央に位置している受光素子１Ｂに
入射し、一部が両端に位置している受光素子１
Ａ，１Ｃに入射している。
P1，P2，P3の両端の光ビームP1，P3は、横方向
に並設されて両端に位置している受光素子１Ａ，
１Ｃの夫々に入射し、一部が中央に位置している
受光素子１Ｂに入射している。また、中央の光ビ
ームP2は、中央に位置している受光素子１Ｂに
入射し、一部が両端に位置している受光素子１
Ａ，１Ｃに入射している。
ここで、各光ビームの光強度を光ビームの名称
と同様にP1，P2，P3とし受光した受光素子の出
力をL1，L2，L3とすると、相隣の光ビームが互
いに混入すると考えられ、次のように表すことが
できる。
と同様にP1，P2，P3とし受光した受光素子の出
力をL1，L2，L3とすると、相隣の光ビームが互
いに混入すると考えられ、次のように表すことが
できる。
L1＝P1＋k1P2 …(1)
L2＝P2＋k2P1＋k3P3 …(2)
L3＝P3＋k4P2 …(3)
但し、k1〜k4はビームの混入割合を示す係数
そして、(1)，(2)，(3)式を用いてP2を求めると
P2＝L2−k2L1−k3L3／１−k1k2−k3k4 …(4)
となり、(4)式を(1)，(3)式に代入してP1，P3を求
めると、 P1＝L1−k1P2 ＝L1−k1（L2−k2L1−k3L3）／１−k1k2−k3k4…(5
) P3＝L3−k4P2 ＝L3−k4（L2−k2L1−k3L3）／１−k1k2−k3k4…(6
) となる。したがつて、係数k1〜k4を後述する方法
により適正に設定すれば、各受光素子の出力L1，
L2，L3から各光ビームP1，P2，P3の正しい光強
度が求めまることになる。
めると、 P1＝L1−k1P2 ＝L1−k1（L2−k2L1−k3L3）／１−k1k2−k3k4…(5
) P3＝L3−k4P2 ＝L3−k4（L2−k2L1−k3L3）／１−k1k2−k3k4…(6
) となる。したがつて、係数k1〜k4を後述する方法
により適正に設定すれば、各受光素子の出力L1，
L2，L3から各光ビームP1，P2，P3の正しい光強
度が求めまることになる。
さて、第１図において、一端及び中央に位置す
る２本の光ビームP1，P2が混入している受光素
子１Ａの出力信号P1＋k1P2は、第２の減算回路
Ｎ２と第１の重み付け回路Ｑ１とに入力され、他
端及び中央の２本の光ビームP3，P2が混入して
いる受光素子１Ｃの出力信号P3＋k4P2は第３の
減算回路Ｎ３と第２の重み付け回路Ｑ２とに入力
されており、３本の光ビームP1，P2，P3が混入
している受光素子１Ｂの出力信号P2＋k2P1＋k3
P3は第１の減算回路Ｎ１に入力されている。第
１、第２の重み付け回路Ｑ１，Ｑ２は係数k2，k3
で重み付けした出力信号k2P1＋k1k2P2，k3P3＋
k3k4P2を各出力して加算回路Ｍに入力している。
この係数k1，k4は、両端に位置している受光素子
１Ａ，１Ｃに各入射した、両端の各光ビームに対
する中央の光ビームの混入割合を示し、係数k2，
k3は中央に位置している受光素子１Ｂに入射し
た、中央の光ビームに対する両端の各ビームの混
入割合を示している。
る２本の光ビームP1，P2が混入している受光素
子１Ａの出力信号P1＋k1P2は、第２の減算回路
Ｎ２と第１の重み付け回路Ｑ１とに入力され、他
端及び中央の２本の光ビームP3，P2が混入して
いる受光素子１Ｃの出力信号P3＋k4P2は第３の
減算回路Ｎ３と第２の重み付け回路Ｑ２とに入力
されており、３本の光ビームP1，P2，P3が混入
している受光素子１Ｂの出力信号P2＋k2P1＋k3
P3は第１の減算回路Ｎ１に入力されている。第
１、第２の重み付け回路Ｑ１，Ｑ２は係数k2，k3
で重み付けした出力信号k2P1＋k1k2P2，k3P3＋
k3k4P2を各出力して加算回路Ｍに入力している。
この係数k1，k4は、両端に位置している受光素子
１Ａ，１Ｃに各入射した、両端の各光ビームに対
する中央の光ビームの混入割合を示し、係数k2，
k3は中央に位置している受光素子１Ｂに入射し
た、中央の光ビームに対する両端の各ビームの混
入割合を示している。
前記加算回路Ｍで加算されて出力される出力信
号k2P1＋k1k2P2＋k3P3＋k3k4P2は第１の減算回
路Ｎ１に入力している。この第１の減算回路Ｎ１
は、中央及び両端の３本のビームが混入している
受光素子２Ｂの出力信号P2＋k2P1＋k3P3から、
加算回路Ｍの出力信号k2P1＋k1k2P2＋k3P3＋k3
k4P2を減算して出力信号P2＋k2P1＋k3P3−k2P1
−k1k2P2−k3P3−k3k4P2、つまり、P2−k1k2P2
−k3k4P2＝（１−k1k2−K3k4）P2を出力し第３の
重み付け回路Ｑ３に入力している。第３の重み付
け回路Ｑ３は１／（１−k1k2−k3k4）の重み付け
を行い、第３の重み付け回路Ｑ３の出力信号P2
を出力端子T2に与えている。第３の重み付け回
路Ｑ３の出力信号P2は第４の重み付け回路Ｑ４
に入力されて係数k1で重み付けされ、この重み付
け回路Ｑ４の出力信号k1P2が第２の減算回路Ｎ
２に入力されている。第２の減算回路Ｎ２は受光
素子１Ａの出力信号P1＋k1P2から第４の重み付
け回路Ｑ４の出力信号k1P2を減算してP1＋k1P2
−k1P2＝P1となし、その出力信号P1を出力端子
T1に与えている。また第３の重み付け回路Ｑ３
の出力信号P2は第５の重み付け回路Ｑ５に入力
されて係数k4で重み付けされ、この重み付け回路
Q5の出力信号k4P2が第３の減算回路Ｎ３に入力
されている。第３の減算回路Ｎ３は受光素子１Ｃ
の出力信号P3＋k4P2から第５の重み付け回路Ｑ
５の出力信号k4P2を減算してP3＋k4P2−k4P2＝
P3となし、その出力信号P3を出力端子T3に与え
ている。
号k2P1＋k1k2P2＋k3P3＋k3k4P2は第１の減算回
路Ｎ１に入力している。この第１の減算回路Ｎ１
は、中央及び両端の３本のビームが混入している
受光素子２Ｂの出力信号P2＋k2P1＋k3P3から、
加算回路Ｍの出力信号k2P1＋k1k2P2＋k3P3＋k3
k4P2を減算して出力信号P2＋k2P1＋k3P3−k2P1
−k1k2P2−k3P3−k3k4P2、つまり、P2−k1k2P2
−k3k4P2＝（１−k1k2−K3k4）P2を出力し第３の
重み付け回路Ｑ３に入力している。第３の重み付
け回路Ｑ３は１／（１−k1k2−k3k4）の重み付け
を行い、第３の重み付け回路Ｑ３の出力信号P2
を出力端子T2に与えている。第３の重み付け回
路Ｑ３の出力信号P2は第４の重み付け回路Ｑ４
に入力されて係数k1で重み付けされ、この重み付
け回路Ｑ４の出力信号k1P2が第２の減算回路Ｎ
２に入力されている。第２の減算回路Ｎ２は受光
素子１Ａの出力信号P1＋k1P2から第４の重み付
け回路Ｑ４の出力信号k1P2を減算してP1＋k1P2
−k1P2＝P1となし、その出力信号P1を出力端子
T1に与えている。また第３の重み付け回路Ｑ３
の出力信号P2は第５の重み付け回路Ｑ５に入力
されて係数k4で重み付けされ、この重み付け回路
Q5の出力信号k4P2が第３の減算回路Ｎ３に入力
されている。第３の減算回路Ｎ３は受光素子１Ｃ
の出力信号P3＋k4P2から第５の重み付け回路Ｑ
５の出力信号k4P2を減算してP3＋k4P2−k4P2＝
P3となし、その出力信号P3を出力端子T3に与え
ている。
このように構成した半導体レーザのモニタ回路
は、第３図に示す半導体レーザ１０から横方向に
並ぶ３本の光ビームP1，P2，P3が出射せられた
場合、夫々の光ビームは半導体レーザ１０から離
れて配設された受光素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃで検出
され、各受光素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃは(1)，(2)，(3)
の各式で示す出力L1，L2，L3を各出力する。
は、第３図に示す半導体レーザ１０から横方向に
並ぶ３本の光ビームP1，P2，P3が出射せられた
場合、夫々の光ビームは半導体レーザ１０から離
れて配設された受光素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃで検出
され、各受光素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃは(1)，(2)，(3)
の各式で示す出力L1，L2，L3を各出力する。
そして、横方向並び両端に位置している受光素
子１Ａ，１Ｂ，１Ｃの(1)，(3)の各式で示される出
力信号は、夫々第１、第２の重み付け回路Ｑ１，
Ｑ２で係数k2，k3により夫々重み付けされた後、
加算回路Ｍで加算されて、中央に位置している受
光素子１Ｂの(2)式で示される出力信号から加算回
路Ｍの出力信号を減算して、第３の重み付け回路
Ｑ３で(4)式に示すように重み付けされる。
子１Ａ，１Ｂ，１Ｃの(1)，(3)の各式で示される出
力信号は、夫々第１、第２の重み付け回路Ｑ１，
Ｑ２で係数k2，k3により夫々重み付けされた後、
加算回路Ｍで加算されて、中央に位置している受
光素子１Ｂの(2)式で示される出力信号から加算回
路Ｍの出力信号を減算して、第３の重み付け回路
Ｑ３で(4)式に示すように重み付けされる。
そして加算回路Ｍによる加算と第１の減算回路
Ｎ１による減算とにより、光ビームP1，P3が混
入しない光ビームP2の出力信号を得て出力端子
T2に出力する。これにより、中央に位置してい
る光ビームP2の光強度が正しくモニタされる。
Ｎ１による減算とにより、光ビームP1，P3が混
入しない光ビームP2の出力信号を得て出力端子
T2に出力する。これにより、中央に位置してい
る光ビームP2の光強度が正しくモニタされる。
また第３の重み付け回路Ｑ３の出力信号は、第
４（又は第５）の重み付け回路Ｑ４（又はＱ５）
で係数k1（又はk4）により重み付けされ、一端
（又は他端）に位置している受光素子１Ａ（又は１
Ｃ）の出力信号から第４（又は第５）の重み付け
回路Ｑ４（又はＱ５）の出力信号を第２（又は第
３）の減算回路Ｎ２（又はＮ３）で減算して(5)式
〔又は(6)式〕に示す出力信号を得る。
４（又は第５）の重み付け回路Ｑ４（又はＱ５）
で係数k1（又はk4）により重み付けされ、一端
（又は他端）に位置している受光素子１Ａ（又は１
Ｃ）の出力信号から第４（又は第５）の重み付け
回路Ｑ４（又はＱ５）の出力信号を第２（又は第
３）の減算回路Ｎ２（又はＮ３）で減算して(5)式
〔又は(6)式〕に示す出力信号を得る。
そして、第２（又は第３）の減算回路Ｎ２（又
はＮ３）による減算により光ビームP2が混入し
ない光ビームP1（又はP2）の出力信号を得て出力
端子T1（又はT3）に出力する。これにより、両端
に位置しているビームP1，P3の各光強度が正し
くモニタされる。
はＮ３）による減算により光ビームP2が混入し
ない光ビームP1（又はP2）の出力信号を得て出力
端子T1（又はT3）に出力する。これにより、両端
に位置しているビームP1，P3の各光強度が正し
くモニタされる。
なお、前記係数k1〜k4の設定は、例えば中央の
光ビームP2のみを出射せしめて、両端に位置し
ている受光素子１Ａ，１Ｃの各出力がともに零と
なるように、第４、第５の重み付け回路Ｑ４，Ｑ
５を調整して係数k1，k4を設定する。また一端
（又は他端）の光ビームP1（又はP3）のみを出射
せしめて、中央に位置している受光素子１Ｂの出
力が零となるように、第１（又は第２）の重み付
け回路Ｑ１（又はＱ２）を調整して、係数k2（又
はk3）を設定する。
光ビームP2のみを出射せしめて、両端に位置し
ている受光素子１Ａ，１Ｃの各出力がともに零と
なるように、第４、第５の重み付け回路Ｑ４，Ｑ
５を調整して係数k1，k4を設定する。また一端
（又は他端）の光ビームP1（又はP3）のみを出射
せしめて、中央に位置している受光素子１Ｂの出
力が零となるように、第１（又は第２）の重み付
け回路Ｑ１（又はＱ２）を調整して、係数k2（又
はk3）を設定する。
第２図は第１図に示したモニタ回路のブロツク
図を実回路にて示したものであり、第１図の構成
部分と対応する部分には同一符号を付している。
図中、OP１，OP３，OP５はバツフアとしての
演算増幅器であり、OP２，OP６，OP７は減算
のための演算増幅器であり、加算は可変抵抗器
VR１，VR２、抵抗Ｒ１の抵抗比により行う。
重み付けは可変抵抗器VR１乃至VR５を調整し
て行う。
図を実回路にて示したものであり、第１図の構成
部分と対応する部分には同一符号を付している。
図中、OP１，OP３，OP５はバツフアとしての
演算増幅器であり、OP２，OP６，OP７は減算
のための演算増幅器であり、加算は可変抵抗器
VR１，VR２、抵抗Ｒ１の抵抗比により行う。
重み付けは可変抵抗器VR１乃至VR５を調整し
て行う。
例えば、受光素子１Ａ，１Ｃの出力信号P1，
P3は可変抵抗器VR１，VR２を経て演算増幅器
OP１に入力される。これにより抵抗Ｒ１の両端
の電圧はP1，R1／（VR1＋R1）＋P3R1／（VR2
＋R1）となり、重み付けと加算とを同時に行う。
演算増幅器OP１によりインピーダンス変換され
た信号は演算増幅器OP２に入力される。この回
路は減算回路であつて、抵抗R2乃至R5の抵抗比
により減算処理を行う。そして前述した演算内容
に基づく演算により出力信号P1，P2，P3が得ら
れる。
P3は可変抵抗器VR１，VR２を経て演算増幅器
OP１に入力される。これにより抵抗Ｒ１の両端
の電圧はP1，R1／（VR1＋R1）＋P3R1／（VR2
＋R1）となり、重み付けと加算とを同時に行う。
演算増幅器OP１によりインピーダンス変換され
た信号は演算増幅器OP２に入力される。この回
路は減算回路であつて、抵抗R2乃至R5の抵抗比
により減算処理を行う。そして前述した演算内容
に基づく演算により出力信号P1，P2，P3が得ら
れる。
以上詳述したように、本考案によれば横方向に
並ぶ２本又は３本の光ビームが混入して各受光素
子が受光していても、３つの受光素子の各出力信
号により、中央に位置する受光素子の出力信号が
電気的に補正され、また一端に位置する受光素子
の出力信号と他端に位置する受光素子の出力信号
とにより、一端に位置する受光素子の出力信号が
電気的に補正され、更に他端に位置する受光素子
の出力信号と一端に位置する受光素子の出力信号
とにより他端に位置する受光素子の出力信号が電
気的に補正されるから、夫々の光ビームの光強度
を正確にモニタできる。
並ぶ２本又は３本の光ビームが混入して各受光素
子が受光していても、３つの受光素子の各出力信
号により、中央に位置する受光素子の出力信号が
電気的に補正され、また一端に位置する受光素子
の出力信号と他端に位置する受光素子の出力信号
とにより、一端に位置する受光素子の出力信号が
電気的に補正され、更に他端に位置する受光素子
の出力信号と一端に位置する受光素子の出力信号
とにより他端に位置する受光素子の出力信号が電
気的に補正されるから、夫々の光ビームの光強度
を正確にモニタできる。
従つて、半導体レーザと受光素子との間の距離
を短縮する必要もない等、実用上極めて有利であ
る等の優れた効果を奏する。
を短縮する必要もない等、実用上極めて有利であ
る等の優れた効果を奏する。
第１図は本考案に係る半導体レーザのモニタ回
路のブロツク図、第２図は第１図のモニタ回路の
実回路図、第３図及び第４図は従来の半導体レー
ザのモニタ回路を略示した模式図である。 P1，P2，P3……光ビーム、１Ａ，１Ｂ，１Ｃ
……受光素子、Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３……減算回路、
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５……重み付け回
路、Ｍ……加算回路、T1，T2，T3……出力端
子。
路のブロツク図、第２図は第１図のモニタ回路の
実回路図、第３図及び第４図は従来の半導体レー
ザのモニタ回路を略示した模式図である。 P1，P2，P3……光ビーム、１Ａ，１Ｂ，１Ｃ
……受光素子、Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３……減算回路、
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５……重み付け回
路、Ｍ……加算回路、T1，T2，T3……出力端
子。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 横方向に並ぶ３本の光ビームを同方向に出射す
る半導体レーザの光ビームの夫々を各別に受光す
る受光素子を横方向に並設してモニタし、２本又
は３本の光ビームを各受光素子が受光する状態に
ある半導体レーザのモニタ回路において、 前記受光素子のうち両端に位置する２つの受光
素子の出力に夫々重み付けする第１、第２の重み
付け回路と、この第１、第２の重み付け回路の出
力を加算する加算回路と、中央に位置する受光素
子の出力から前記加算回路の出力を減算する第１
の減算回路と、該減算回路の出力に重み付けする
第３の重み付け回路と、該第３の重み付け回路の
出力に各別に重み付けする第４、第５の重み付け
回路と、一端に位置する受光素子の出力から第４
の重み付け回路の出力を減算する第２の減算回路
と、他端に位置する受光素子の出力から第５の重
み付け回路の出力を減算する第３の減算回路とを
備え、前記第２及び第３の減算回路の各出力を、
一端及び他端の各光ビームの光強度とし、前記第
３の重み付け回路の出力を、中央の光ビームの光
強度とすべく構成していることを特徴とする半導
体レーザのモニタ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986196082U JPH0453013Y2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986196082U JPH0453013Y2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100863U JPS63100863U (ja) | 1988-06-30 |
| JPH0453013Y2 true JPH0453013Y2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=31154571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986196082U Expired JPH0453013Y2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453013Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874359U (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| EP0120980B1 (de) * | 1983-03-30 | 1987-06-24 | Ibm Deutschland Gmbh | Schaltungsanordnung für die Kompensation von Übersprechen bei elektrooptischen Abtastvorrichtungen |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP1986196082U patent/JPH0453013Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63100863U (ja) | 1988-06-30 |
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