JPH0453016Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0453016Y2 JPH0453016Y2 JP1986044707U JP4470786U JPH0453016Y2 JP H0453016 Y2 JPH0453016 Y2 JP H0453016Y2 JP 1986044707 U JP1986044707 U JP 1986044707U JP 4470786 U JP4470786 U JP 4470786U JP H0453016 Y2 JPH0453016 Y2 JP H0453016Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- connection
- case
- optical fiber
- submount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、光フアイバ通信に用いる光フアイバ
レーザダイオードモジユールの構造に関する。
レーザダイオードモジユールの構造に関する。
〔従来の技術〕
従来、この分野の技術として「NEC技報
Vo1.38NO.2/1985」の第84頁〜第89頁に記載さ
れているものがある。このような従来例を第2図
に基づいて説明する。
Vo1.38NO.2/1985」の第84頁〜第89頁に記載さ
れているものがある。このような従来例を第2図
に基づいて説明する。
第2図は従来の光フアイバレーザダイオードモ
ジユールの1例を示す構造図であり、ケースの上
蓋を外してケース側面の一部を切り開いた状態を
示す。
ジユールの1例を示す構造図であり、ケースの上
蓋を外してケース側面の一部を切り開いた状態を
示す。
第2図において、1はケース、2はレーザダイ
オード、3はフオトダイオードをフオトダイオー
ド用ヘツダに実装して、ワイヤボンデイングした
フオトダイオードアセンブリ、4は前記レーザダ
イオード2の温度を測定するためのサーミスタ、
5は温度調整用のペルチエ素子、6はサブマウン
ト用基板、7は接続用ピン、8はボンデイングワ
イヤ、9は光フアイバ、10は光フアイバ支持台
である。
オード、3はフオトダイオードをフオトダイオー
ド用ヘツダに実装して、ワイヤボンデイングした
フオトダイオードアセンブリ、4は前記レーザダ
イオード2の温度を測定するためのサーミスタ、
5は温度調整用のペルチエ素子、6はサブマウン
ト用基板、7は接続用ピン、8はボンデイングワ
イヤ、9は光フアイバ、10は光フアイバ支持台
である。
このような構成の従来例は、ケース1の底面上
にペルチエ素子5が低温ハンダ等で固定されてい
る。このペルチエ素子5上面には、サブマウント
用基板6が低温用ハンダ等で固定されている。
にペルチエ素子5が低温ハンダ等で固定されてい
る。このペルチエ素子5上面には、サブマウント
用基板6が低温用ハンダ等で固定されている。
前記サブマウント用基板6には、レーザダイオ
ード2をマウントしたフアイバ固定用のフアイバ
支持台10、レーザダイオード2の出力パワーを
監視するためのフオトダイオードアセンブリ3、
及びサーミスタ4がハンダ等により実装されてい
る。
ード2をマウントしたフアイバ固定用のフアイバ
支持台10、レーザダイオード2の出力パワーを
監視するためのフオトダイオードアセンブリ3、
及びサーミスタ4がハンダ等により実装されてい
る。
このサブマウント用基板6やその上に実装した
前記各素子は、ケース1の側面或いは底面より突
出した接続用ピン7に、ボンデイングワイヤ8で
ワイヤボンデイングされている。
前記各素子は、ケース1の側面或いは底面より突
出した接続用ピン7に、ボンデイングワイヤ8で
ワイヤボンデイングされている。
また、光フアイバ9はフアイバ支持台10上
に、レーザダイオード2との位置関係が最適にな
るように調整してあり、樹脂或いはハンダにより
固定されている。
に、レーザダイオード2との位置関係が最適にな
るように調整してあり、樹脂或いはハンダにより
固定されている。
しかしながら、このような従来例は、ケース内
に各部品を実装した後、各素子或いはサブマウン
ト用基板と接続用ピンとをワイヤボンデイングに
より接続するため、作業空間が狭くボンデイング
作業がやりにくいという問題が発生する。
に各部品を実装した後、各素子或いはサブマウン
ト用基板と接続用ピンとをワイヤボンデイングに
より接続するため、作業空間が狭くボンデイング
作業がやりにくいという問題が発生する。
しかも、温度調整用のペルチエ素子は熱に弱い
ので、各素子或いはサブマウント用基板と接続用
ピンとをワイヤボンデイングする際、加熱ができ
ず、また、長く突出した接続用ピンに対してワイ
ヤボンデイングを行う場合、超音波を加えると接
続用ピンが振動してボンデイングワイヤが付きに
くく、電気的信頼性が低下する問題がある。
ので、各素子或いはサブマウント用基板と接続用
ピンとをワイヤボンデイングする際、加熱ができ
ず、また、長く突出した接続用ピンに対してワイ
ヤボンデイングを行う場合、超音波を加えると接
続用ピンが振動してボンデイングワイヤが付きに
くく、電気的信頼性が低下する問題がある。
本考案は、前記問題を解決するためになされた
ものであり、その目的は、各素子或いはサブマウ
ント用基板から接続用ピンへのワイヤボンデイン
グを行わずに、電気的な接続を可能にすることに
より、組立てが容易で信頼性が高い光フアイバレ
ーザダイオードモジユールを提供することにあ
る。
ものであり、その目的は、各素子或いはサブマウ
ント用基板から接続用ピンへのワイヤボンデイン
グを行わずに、電気的な接続を可能にすることに
より、組立てが容易で信頼性が高い光フアイバレ
ーザダイオードモジユールを提供することにあ
る。
この目的を達成するため、本考案は、光フアイ
バとレーザダイオードとを対向させて実装するサ
ブマウンド用基板をケース内に設けられたペルチ
エ素子上に固定すると共に、該ケースに外部接続
用の複数の接続用ピンを設け、前記レーザダイオ
ード及びフオトダイオードを対応する接続用ピン
に電気的に接続する構造を持つ光フアイバレーザ
ダイオードモジユールにおいて、前記接続用ピン
は各々前記ケース底面を貫通し、前記サブマウン
ト用基板は、各接続用ピンに対応する切欠きまた
は貫通穴から成る複数の接続部と、接続部に対し
てランドを成すように形成された複数の配線パタ
ーンを有し、前記レーザダイオードをボンデイン
グワイヤにより配線パターンに接続すると共に、
各配線パターンに接続すると共に、各配線パター
ンを接続部に嵌合した接続用ピンにハンダ接続し
たことを特徴とする。
バとレーザダイオードとを対向させて実装するサ
ブマウンド用基板をケース内に設けられたペルチ
エ素子上に固定すると共に、該ケースに外部接続
用の複数の接続用ピンを設け、前記レーザダイオ
ード及びフオトダイオードを対応する接続用ピン
に電気的に接続する構造を持つ光フアイバレーザ
ダイオードモジユールにおいて、前記接続用ピン
は各々前記ケース底面を貫通し、前記サブマウン
ト用基板は、各接続用ピンに対応する切欠きまた
は貫通穴から成る複数の接続部と、接続部に対し
てランドを成すように形成された複数の配線パタ
ーンを有し、前記レーザダイオードをボンデイン
グワイヤにより配線パターンに接続すると共に、
各配線パターンに接続すると共に、各配線パター
ンを接続部に嵌合した接続用ピンにハンダ接続し
たことを特徴とする。
上述した構成による本考案は、組み立てに際し
て、まずサブマウント用基板に光フアイバとレー
ザダイオードとを対向させて実装し、このレーザ
ダイオードをワイヤボンデイングにより配線パタ
ーンに接続する。
て、まずサブマウント用基板に光フアイバとレー
ザダイオードとを対向させて実装し、このレーザ
ダイオードをワイヤボンデイングにより配線パタ
ーンに接続する。
その後、サブマウント用基板をケース内に設け
られたペルチエ素子上に固定すると共に、サブマ
ウント用基板の接続部にケースの底部に貫通させ
た接続用ピンを嵌合させ、接続部と接続用ピンと
を半田接続することでレーザダイオードを接続用
ピンに電気的に接続する。
られたペルチエ素子上に固定すると共に、サブマ
ウント用基板の接続部にケースの底部に貫通させ
た接続用ピンを嵌合させ、接続部と接続用ピンと
を半田接続することでレーザダイオードを接続用
ピンに電気的に接続する。
以下、本考案の一実施例を第1図、第3図及び
第4図に基づいて説明する。
第4図に基づいて説明する。
第1図は本考案に係る光フアイバレーザダイオ
ードモジユールの一実施例を示す構成図であり、
内部構造がわかるようにケースの上蓋を外してケ
ース側面の一部を切り開いた状態を示す。第3図
は第1図に示すサブマウント用基板の1例の斜視
図、第4図は第3図のサブマウント用基板に素子
を実装した状態を示す斜視図である。
ードモジユールの一実施例を示す構成図であり、
内部構造がわかるようにケースの上蓋を外してケ
ース側面の一部を切り開いた状態を示す。第3図
は第1図に示すサブマウント用基板の1例の斜視
図、第4図は第3図のサブマウント用基板に素子
を実装した状態を示す斜視図である。
第1図において、サブマウント用基板11は、
切欠きから成る接続部12と配線パターン13と
を、例えばセラミツク基板に形成したものであ
る。
切欠きから成る接続部12と配線パターン13と
を、例えばセラミツク基板に形成したものであ
る。
ここで接続部12は、ケース14の底面を貫通
させた外部接続用の接続用ピン15と対応するよ
うにサブマウント用基板11の側面に複数形成さ
れ、また配線パターン13は、各接続部12に対
してハンダ接続用のランドを成すように形成され
ている。
させた外部接続用の接続用ピン15と対応するよ
うにサブマウント用基板11の側面に複数形成さ
れ、また配線パターン13は、各接続部12に対
してハンダ接続用のランドを成すように形成され
ている。
16はレーザダイオード、17はフオトダイオ
ードアセンブリ、18は前記レーザダイオード1
6の温度を測定するためのサーミスタ、19は温
度調整用のペルチエ素子、20はボンデイングワ
イヤ、21は光フアイバ、22は光フアイバ支持
台である。
ードアセンブリ、18は前記レーザダイオード1
6の温度を測定するためのサーミスタ、19は温
度調整用のペルチエ素子、20はボンデイングワ
イヤ、21は光フアイバ、22は光フアイバ支持
台である。
次に、前記構成の作用を説明する。先ず、サブ
マウント用基板11上には、レーザダイオード1
6をマウントした光フアイバ支持台22、フオト
ダイオードアセンブリ17及びサーミスタ18
が、第4図に示すようにチツプボンデイングされ
る。
マウント用基板11上には、レーザダイオード1
6をマウントした光フアイバ支持台22、フオト
ダイオードアセンブリ17及びサーミスタ18
が、第4図に示すようにチツプボンデイングされ
る。
チツプボンデイングされた前記素子は、サブマ
ウント用基板11の配線パターン13にボンデイ
ングワイヤ20を介してワイヤボンデイングされ
る。
ウント用基板11の配線パターン13にボンデイ
ングワイヤ20を介してワイヤボンデイングされ
る。
尚、フオトダイオードアセンブリ17は、この
電極部分がサブマウント用基板11の配線パター
ン13上に重なるようにチツプボンデイングされ
るので、ワイヤボンデイングを行う必要がない。
そのため、ワイヤボンデイングの回数が従来例と
比べて減ることになる。
電極部分がサブマウント用基板11の配線パター
ン13上に重なるようにチツプボンデイングされ
るので、ワイヤボンデイングを行う必要がない。
そのため、ワイヤボンデイングの回数が従来例と
比べて減ることになる。
一方、ケース14には第1図に示す如くペルチ
エ素子19を低温ハンダ等で固定しておく。
エ素子19を低温ハンダ等で固定しておく。
その後、このペルチエ素子19上には、素子を
実装したサブマウント用基板11が、前記低温ハ
ンダより融点の低い低温ハンダで第1図の如く固
定される。このとき、サブマウント用基板11の
接続部12にケース14の接続用ピン15を嵌合
させ、サブマウント用基板11と接続用ピン15
との位置決めを行う。
実装したサブマウント用基板11が、前記低温ハ
ンダより融点の低い低温ハンダで第1図の如く固
定される。このとき、サブマウント用基板11の
接続部12にケース14の接続用ピン15を嵌合
させ、サブマウント用基板11と接続用ピン15
との位置決めを行う。
次に、前記接続用ピン15は、サブマウント用
基板11の配線パターン13にハンダ付けで電気
的に接続される。
基板11の配線パターン13にハンダ付けで電気
的に接続される。
このハンダ付方法としては、チツプハンダを用
いてレーザハンダ付装置などにより行う方法があ
る。この場合、レーザハンダ付装置を用いると、
局所的に加熱できるのでペルチエ素子19に熱が
加わらないようにできる。また、使用するハンダ
の種類は、光フアイバレーザダイオードモジユー
ルの実装時において、接続用ピン15に加えられ
る温度条件を考慮して決める。
いてレーザハンダ付装置などにより行う方法があ
る。この場合、レーザハンダ付装置を用いると、
局所的に加熱できるのでペルチエ素子19に熱が
加わらないようにできる。また、使用するハンダ
の種類は、光フアイバレーザダイオードモジユー
ルの実装時において、接続用ピン15に加えられ
る温度条件を考慮して決める。
前記した如くサブマウント用基板11を固定し
た後、従来例と同様にレーザダイオード16と光
フアイバ21との位置合わせを行う。この光フア
イバ21は、光フアイバ支持台22に樹脂或いは
ハンダを用いて固定される。
た後、従来例と同様にレーザダイオード16と光
フアイバ21との位置合わせを行う。この光フア
イバ21は、光フアイバ支持台22に樹脂或いは
ハンダを用いて固定される。
尚、本実施例では、サブマウント用基板11の
接続部12として、半円柱状の切欠きとしたが、
貫通穴にしてもよい。この場合、この貫通穴は接
続用ピン12に対応する位置に形成し、接続用ピ
ン12が通るようになつている。
接続部12として、半円柱状の切欠きとしたが、
貫通穴にしてもよい。この場合、この貫通穴は接
続用ピン12に対応する位置に形成し、接続用ピ
ン12が通るようになつている。
また、本実施例では、サブマウント用基板11
とケース14との間にペルチエ素子19を実装し
て固定する場合を示したが、ペルチエ素子19を
用いずに直接固定したり、ペルチエ素子19の代
わりに金属ブロツク等の支持台を実装して固定し
たりした場合も、本考案が適用できる。
とケース14との間にペルチエ素子19を実装し
て固定する場合を示したが、ペルチエ素子19を
用いずに直接固定したり、ペルチエ素子19の代
わりに金属ブロツク等の支持台を実装して固定し
たりした場合も、本考案が適用できる。
以上説明したように本考案は、接続用ピンを
各々ケース底面を貫通させ、サブマウント用基板
は、各接続用ピンに対応する切欠きまたは貫通穴
から成る複数の接続部と、接続部に対してランド
を成すように形成された複数の配線パターンを有
する構成として、サブマウント用基板上のレーザ
ダイオードをボンデイングワイヤにより配線パタ
ーンに接続すると共に、各配線パターンを接続部
に嵌合した接続用ピンにハンダ接続するものとし
ているため、以下の効果が得られる。
各々ケース底面を貫通させ、サブマウント用基板
は、各接続用ピンに対応する切欠きまたは貫通穴
から成る複数の接続部と、接続部に対してランド
を成すように形成された複数の配線パターンを有
する構成として、サブマウント用基板上のレーザ
ダイオードをボンデイングワイヤにより配線パタ
ーンに接続すると共に、各配線パターンを接続部
に嵌合した接続用ピンにハンダ接続するものとし
ているため、以下の効果が得られる。
すなわち、ケースにサブマウント用基板を実装
する前、ワイヤボンデイング作業が行われるの
で、ケースや接続用ピンが邪魔にならずボンデイ
ングの作業性が向上し、また、ペルチエ素子が実
装されていない状態でワイヤボンデイングするの
で、加熱温度に注意する必要がない。
する前、ワイヤボンデイング作業が行われるの
で、ケースや接続用ピンが邪魔にならずボンデイ
ングの作業性が向上し、また、ペルチエ素子が実
装されていない状態でワイヤボンデイングするの
で、加熱温度に注意する必要がない。
また、サブマウント用基板をケース内に固定す
る際、このサブマウント用基板に設けられた切欠
きまたは貫通穴から成る複数の接続部にケース底
面を貫通させた接続用ピンを嵌合させるようにし
ているため、サブマウント用基板と接続用ピンの
位置決めを容易に行うことができるという効果が
得られる。
る際、このサブマウント用基板に設けられた切欠
きまたは貫通穴から成る複数の接続部にケース底
面を貫通させた接続用ピンを嵌合させるようにし
ているため、サブマウント用基板と接続用ピンの
位置決めを容易に行うことができるという効果が
得られる。
しかも、サブマウント用基板と接続用ピンとが
直接ハンダ付けされるので、長く突出した接続用
ピンにワイヤボンデイングする必要がなくなり、
電気的接続の信頼性が向上し、また、サブマウン
ト用基板の配線パターンに合わせてフオトダイオ
ードアセンブリがチツプボンデイングされるの
で、ワイヤボンデイング作業が減少する効果があ
る。
直接ハンダ付けされるので、長く突出した接続用
ピンにワイヤボンデイングする必要がなくなり、
電気的接続の信頼性が向上し、また、サブマウン
ト用基板の配線パターンに合わせてフオトダイオ
ードアセンブリがチツプボンデイングされるの
で、ワイヤボンデイング作業が減少する効果があ
る。
第1図は本考案の一実施例を示す構成図、第2
図は従来例の構成図、第3図は第1図に示すサブ
マウント用基板の斜視図、第4図は素子を実装し
たサブマウント用基板の斜視図である。 11……サブマウント用基板、12……接続
部、13……配線パターン、14……ケース、1
5……接続用ピン、16……レーザダイオード、
17……フオトダイオードアセンブリ、18……
サーミスタ、19……ペルチエ素子、20……ボ
ンデイングワイヤ、21……光フアイバ、22…
…光フアイバ支持台。
図は従来例の構成図、第3図は第1図に示すサブ
マウント用基板の斜視図、第4図は素子を実装し
たサブマウント用基板の斜視図である。 11……サブマウント用基板、12……接続
部、13……配線パターン、14……ケース、1
5……接続用ピン、16……レーザダイオード、
17……フオトダイオードアセンブリ、18……
サーミスタ、19……ペルチエ素子、20……ボ
ンデイングワイヤ、21……光フアイバ、22…
…光フアイバ支持台。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 光フアイバとレーザダイオードとを対向させて
実装するサブマウンド用基板をケース内に設けら
れたペルチエ素子上に固定すると共に、該ケース
に外部接続用の複数の接続用ピンを設け、前記レ
ーザダイオード及びフオトダイオードを対応する
接続用ピンに電気的に接続する構造を持つ光フア
イバレーザダイオードモジユールにおいて、 前記接続用ピンは各々前記ケース底面を貫通
し、 前記サブマウント用基板は、各接続用ピンに対
応する切欠きまたは貫通穴から成る複数の接続部
と、接続部に対してランドを成すように形成され
た複数の配線パターンを有し、 前記レーザダイオードをボンデイングワイヤに
より配線パターンに接続すると共に、各配線パタ
ーンを接続部に嵌合した接続用ピンにハンダ接続
したことを特徴とする光フアイバレーザダイオー
ドモジユール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986044707U JPH0453016Y2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986044707U JPH0453016Y2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62157173U JPS62157173U (ja) | 1987-10-06 |
| JPH0453016Y2 true JPH0453016Y2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=30862770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986044707U Expired JPH0453016Y2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453016Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2597121Y2 (ja) * | 1991-08-30 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザモジュール |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189283A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Hitachi Ltd | 光電子装置 |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP1986044707U patent/JPH0453016Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62157173U (ja) | 1987-10-06 |
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