JPH045367B2 - - Google Patents
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- JPH045367B2 JPH045367B2 JP24374385A JP24374385A JPH045367B2 JP H045367 B2 JPH045367 B2 JP H045367B2 JP 24374385 A JP24374385 A JP 24374385A JP 24374385 A JP24374385 A JP 24374385A JP H045367 B2 JPH045367 B2 JP H045367B2
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
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- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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-
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、液晶の電気光学効果を利用した光記
録方式の記録装置、更に詳しくはその記録装置に
記録ヘツドとして使用される液晶光シヤツタの温
度制御装置に関する。
録方式の記録装置、更に詳しくはその記録装置に
記録ヘツドとして使用される液晶光シヤツタの温
度制御装置に関する。
近年、インパクトプリンタに代わる記録装置と
して、レーザ、OFT、LED、LCDなどの光変換
素子を用いた光記録方式の記録装置が種々開発さ
れている。その中でも液晶光シヤツタを使用した
記録装置が、高印字品質、高速、低雑音といつた
利点を有するために、特に注目されている。その
記録装置は、液晶光シヤツタを記録ヘツドとして
用い、記録信号に応じて光シヤツタを選択開閉す
ることにより、光源からの光を選択透過させるこ
とで、感光体に光書込みを行うというものであ
る。
して、レーザ、OFT、LED、LCDなどの光変換
素子を用いた光記録方式の記録装置が種々開発さ
れている。その中でも液晶光シヤツタを使用した
記録装置が、高印字品質、高速、低雑音といつた
利点を有するために、特に注目されている。その
記録装置は、液晶光シヤツタを記録ヘツドとして
用い、記録信号に応じて光シヤツタを選択開閉す
ることにより、光源からの光を選択透過させるこ
とで、感光体に光書込みを行うというものであ
る。
ところで、液晶光シヤツタの駆動方法として
は、液晶の誘電異方性が電場の周波数の変化によ
つて反転する性質を利用した二周波駆動方式が知
られている。即ち、第１０図に示すように、液晶
は交差周波数fcより低い周波数では誘電異方性は
正となり、また周波数がfcより高くなると誘電異
方性が負に反転するという性質を有する。そして
電場の周波数としてfcより低い周波数fLを印加す
ると、液晶分子が電場に平行に配列し、光シヤツ
タとして用いた場合、シヤツタ開の状態とするこ
とができる。またfcより高い周波数fHを印加する
と、液晶分子は電場に垂直に配列し、シヤツタ閉
の状態となり、この開閉機能を制御することによ
つて、感光体への記録ヘツドとして好適に使用す
ることができる。
は、液晶の誘電異方性が電場の周波数の変化によ
つて反転する性質を利用した二周波駆動方式が知
られている。即ち、第１０図に示すように、液晶
は交差周波数fcより低い周波数では誘電異方性は
正となり、また周波数がfcより高くなると誘電異
方性が負に反転するという性質を有する。そして
電場の周波数としてfcより低い周波数fLを印加す
ると、液晶分子が電場に平行に配列し、光シヤツ
タとして用いた場合、シヤツタ開の状態とするこ
とができる。またfcより高い周波数fHを印加する
と、液晶分子は電場に垂直に配列し、シヤツタ閉
の状態となり、この開閉機能を制御することによ
つて、感光体への記録ヘツドとして好適に使用す
ることができる。
しかしながら、液晶の誘電異方性は、粘度に敏
感であり、従つて温度変化によつて大きく変化す
るという傾向を有する。粘度が変わるとfcが変化
し、例えば温度が20℃から40℃まで上昇すると、
fcは5KHzから46KHzへと１桁近くも変化するた
めに、光シヤツタとして機能しなくなる。そのた
め、液晶光シヤツタを使用する場合は、温度を一
定に制御することが要求され、また低粘度であれ
ば液晶分子の働きが速まり高速応答が期待される
ため、ある程度温度を上げて用いられる。
感であり、従つて温度変化によつて大きく変化す
るという傾向を有する。粘度が変わるとfcが変化
し、例えば温度が20℃から40℃まで上昇すると、
fcは5KHzから46KHzへと１桁近くも変化するた
めに、光シヤツタとして機能しなくなる。そのた
め、液晶光シヤツタを使用する場合は、温度を一
定に制御することが要求され、また低粘度であれ
ば液晶分子の働きが速まり高速応答が期待される
ため、ある程度温度を上げて用いられる。
第１１図にその液晶光シヤツタの温度制御装置
の一例として二位置制御方式の温度制御装置を示
す。
の一例として二位置制御方式の温度制御装置を示
す。
図中Ｈは液晶光シヤツタ（図示せず）に設けた
ヒータであり、比較回路QAの出力によりトラン
ジスタQBのスイツチ動作を制御することでヒー
タＨへの通電を制御し、液晶光シヤツタの温度を
制御するように構成されている。即ち、比較回路
QAの非反転端子INに液晶光シヤツタに取り付け
たサーミスタTHと抵抗器RAとで電源電圧V10を
分割した電圧VNを入力し、これによつて液晶光
シヤツタの温度を検知すると共に、他方の反転端
子I1に基準電圧として電源電圧V10を抵抗器RBと
RCとで分割した電圧V1が入力されている。そし
て、液晶光シヤツタの温度が低いときは、サーミ
スタTHの抵抗値が大きくなり、VN＞VIとなつ
たときに比較回路QAの出力がハイレベルとなり、
これによつてトランジスタQBがオンしてヒータ
Ｈに通電し、液晶光シヤツタが加熱される。また
液晶光シヤツタの温度が高くなると、サーミスタ
THの抵抗値は小さくなり、VN＜VIになつたと
きに比較回路QAの出力はローレベルとなり、こ
れによつてトランジスタQBがオフし、ヒータＨ
への通電が停止され同ヒータＨの発熱が停止され
る。
ヒータであり、比較回路QAの出力によりトラン
ジスタQBのスイツチ動作を制御することでヒー
タＨへの通電を制御し、液晶光シヤツタの温度を
制御するように構成されている。即ち、比較回路
QAの非反転端子INに液晶光シヤツタに取り付け
たサーミスタTHと抵抗器RAとで電源電圧V10を
分割した電圧VNを入力し、これによつて液晶光
シヤツタの温度を検知すると共に、他方の反転端
子I1に基準電圧として電源電圧V10を抵抗器RBと
RCとで分割した電圧V1が入力されている。そし
て、液晶光シヤツタの温度が低いときは、サーミ
スタTHの抵抗値が大きくなり、VN＞VIとなつ
たときに比較回路QAの出力がハイレベルとなり、
これによつてトランジスタQBがオンしてヒータ
Ｈに通電し、液晶光シヤツタが加熱される。また
液晶光シヤツタの温度が高くなると、サーミスタ
THの抵抗値は小さくなり、VN＜VIになつたと
きに比較回路QAの出力はローレベルとなり、こ
れによつてトランジスタQBがオフし、ヒータＨ
への通電が停止され同ヒータＨの発熱が停止され
る。
しかし、上記のような温度制御装置では、液晶
光シヤツタの温度が設定温度より低くなつたとき
にヒータＨに通電し、設定温度より高くなるとヒ
ータへの通電を停止するだけであるために、第１
２図に示すように、温度制御の精度が十分でな
い。特に雰囲気温度が変化したときに安定性が維
持できない。そのため、液晶光シヤツタの動作特
性、即ちシヤツタの開口率が不安定となり、感光
体に光書込みを行う場合に潜像電位を不均一と
し、現像時において画像濃度にバラツキを生じ、
印字品質を悪化させる。
光シヤツタの温度が設定温度より低くなつたとき
にヒータＨに通電し、設定温度より高くなるとヒ
ータへの通電を停止するだけであるために、第１
２図に示すように、温度制御の精度が十分でな
い。特に雰囲気温度が変化したときに安定性が維
持できない。そのため、液晶光シヤツタの動作特
性、即ちシヤツタの開口率が不安定となり、感光
体に光書込みを行う場合に潜像電位を不均一と
し、現像時において画像濃度にバラツキを生じ、
印字品質を悪化させる。
またサーミスタTH及びヒータＨは、液晶光シ
ヤツタを構成する例えばガラス基板に密着して取
り付けており、電源投入時にヒータＨが密着した
ガラス基板の温度より、サーミスタTHが検出す
る温度が低くなり、両者が同じになるまで時間差
がある。即ち、ヒータＨによりガラス基板が温め
られ、その熱がサーミスタTHに伝わるまでに時
間差が生じ、この傾向は液晶光シヤツタの雰囲気
温度が低い程長くなる。そのためサーミスタTH
が適温を検出したときは、ヒータＨが密着した部
分のガラス基板は適温をはるかに越えており、第
１２図にＦとして示すようにオーバシユートとな
つて現れ、安定した温度制御ができないという欠
点があつた。
ヤツタを構成する例えばガラス基板に密着して取
り付けており、電源投入時にヒータＨが密着した
ガラス基板の温度より、サーミスタTHが検出す
る温度が低くなり、両者が同じになるまで時間差
がある。即ち、ヒータＨによりガラス基板が温め
られ、その熱がサーミスタTHに伝わるまでに時
間差が生じ、この傾向は液晶光シヤツタの雰囲気
温度が低い程長くなる。そのためサーミスタTH
が適温を検出したときは、ヒータＨが密着した部
分のガラス基板は適温をはるかに越えており、第
１２図にＦとして示すようにオーバシユートとな
つて現れ、安定した温度制御ができないという欠
点があつた。
本発明は上記欠点に鑑み、雰囲気温度が変化し
ても液晶光シヤツタを高精度で制御することがで
き、それによつて印字品質を良好に維持できると
共に、オーバシユートをも有効に防止することが
できる液晶光シヤツタの温度制御装置を提供する
ことを目的とする。
ても液晶光シヤツタを高精度で制御することがで
き、それによつて印字品質を良好に維持できると
共に、オーバシユートをも有効に防止することが
できる液晶光シヤツタの温度制御装置を提供する
ことを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために、加熱手段
と、該加熱手段により加熱される液晶光シヤツタ
の温度を検出する第１の温度検出手段が設けら
れ、該第１の温度検出手段の出力に基づき前記加
熱手段の通電を制御する加熱制御部を有し、複数
のマイクロシヤツタの選択開閉により光源の光を
選択透過させ感光体に光書込みを行う液晶光シヤ
ツタの温度制御装置において、上記液晶光シヤツ
タが置かれた雰囲気の温度を検出する第２の温度
検出手段と、該第２の温度検出手段の出力に基づ
き上記加熱手段への通電率を変化させる制御手段
を有し、該制御手段は上記液晶光シヤツタの雰囲
気温度が低いときは、雰囲気温度が高いときより
通電率を低く制御することにより立ち上がり時の
オーバシユートを防止することを特徴とする。
と、該加熱手段により加熱される液晶光シヤツタ
の温度を検出する第１の温度検出手段が設けら
れ、該第１の温度検出手段の出力に基づき前記加
熱手段の通電を制御する加熱制御部を有し、複数
のマイクロシヤツタの選択開閉により光源の光を
選択透過させ感光体に光書込みを行う液晶光シヤ
ツタの温度制御装置において、上記液晶光シヤツ
タが置かれた雰囲気の温度を検出する第２の温度
検出手段と、該第２の温度検出手段の出力に基づ
き上記加熱手段への通電率を変化させる制御手段
を有し、該制御手段は上記液晶光シヤツタの雰囲
気温度が低いときは、雰囲気温度が高いときより
通電率を低く制御することにより立ち上がり時の
オーバシユートを防止することを特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に
説明する。まず、液晶光シヤツタを用いた記録装
置の構成を説明する。第６図にその記録装置の構
成図を示す。
説明する。まず、液晶光シヤツタを用いた記録装
置の構成を説明する。第６図にその記録装置の構
成図を示す。
同図において、感光体１の表面はあらかじめ帯
電器２にて均一に帯電されている。液晶光シヤツ
タ部３は記録情報を受けてタイミングなどを制御
する記録制御部４により駆動され、情報の電気光
学変換を行い、感光体１の表面に光書込みを行
う。このようにして形成された静電潜像は現像器
５にてトナーにより現像され可視像化される。ま
た、転写紙６は給紙ロール７により給送され、待
機ロール８にて上記転写紙６の先端と上記のトナ
ー像の先端とが一致するように同期をとられて転
写器９において転写紙６にトナー像が転写され
る。転写紙６は分離部１０にて感光体１より分離
されサーミスタ１１ａと定着用ヒータで一定温度
に温度制御された定着器１１で熱定着され、排紙
ロール１２により機外に搬出される。一方、転写
器９で完全に転写されなかつたトナーが感光体１
の表面に残留しているため、除電器１３で残留ト
ナーの電荷を除電した後、クリーニング部１４に
より清掃され、イレーサ１５で感光体１の表面を
除電した後、次に露光に備えて帯電器２により再
び一様な電荷が感光体１の表面に付与される。
電器２にて均一に帯電されている。液晶光シヤツ
タ部３は記録情報を受けてタイミングなどを制御
する記録制御部４により駆動され、情報の電気光
学変換を行い、感光体１の表面に光書込みを行
う。このようにして形成された静電潜像は現像器
５にてトナーにより現像され可視像化される。ま
た、転写紙６は給紙ロール７により給送され、待
機ロール８にて上記転写紙６の先端と上記のトナ
ー像の先端とが一致するように同期をとられて転
写器９において転写紙６にトナー像が転写され
る。転写紙６は分離部１０にて感光体１より分離
されサーミスタ１１ａと定着用ヒータで一定温度
に温度制御された定着器１１で熱定着され、排紙
ロール１２により機外に搬出される。一方、転写
器９で完全に転写されなかつたトナーが感光体１
の表面に残留しているため、除電器１３で残留ト
ナーの電荷を除電した後、クリーニング部１４に
より清掃され、イレーサ１５で感光体１の表面を
除電した後、次に露光に備えて帯電器２により再
び一様な電荷が感光体１の表面に付与される。
このような記録工程に用いられる液晶光シヤツ
タ部３の構成を第７図により説明する。
タ部３の構成を第７図により説明する。
同図に示すように、液晶光シヤツタ部３は光源
１６、光源用ヒータ１７、液晶光シヤツタ１８、
液晶用ヒータ１９、結像レンズ２０及び制御用基
板２１ａ，２１ｂにより主に構成されている。光
源１６には蛍光灯が用いられ、光源用ヒータ１７
の一端には光源用ヒータ１７の温度を検出するサ
ーミスタ２２が取り付けられ、また液晶シヤツタ
部３のほぼ中央部には、後述する液晶光シヤツタ
１８の雰囲気温度を検出するためのサーミスタ３
０が取り付けられている。また液晶光シヤツタ１
８はゲストホスト型の液晶光シヤツタでその構造
は、第８図、第９図に示すように、２枚のガラス
基板２３，２４の間に液晶混合物を封入してな
り、ガラス基板２３には、信号電極２５が交互に
備わつており、ガラス基板２４には共通電極２６
が備わつている。マイクロシヤツタ２７は信号電
極２５と共通電極２６の交わる部分に必要に大き
さで、必要な形状だけ酸化インジウム（In2 O3）
や酸化スズ（SnO2）等の透明電極により構成さ
れる。このように構成された液晶パネルに少なく
とも１枚の偏光板（不図示）及び液晶用ヒータ１
９を配することにより、液晶光シヤツタ１８は構
成されている。また、液晶光シヤツタ１８にも後
述する液晶光シヤツタ１８の温度を検出するため
のサーミスタ２９が取り付けられている。
１６、光源用ヒータ１７、液晶光シヤツタ１８、
液晶用ヒータ１９、結像レンズ２０及び制御用基
板２１ａ，２１ｂにより主に構成されている。光
源１６には蛍光灯が用いられ、光源用ヒータ１７
の一端には光源用ヒータ１７の温度を検出するサ
ーミスタ２２が取り付けられ、また液晶シヤツタ
部３のほぼ中央部には、後述する液晶光シヤツタ
１８の雰囲気温度を検出するためのサーミスタ３
０が取り付けられている。また液晶光シヤツタ１
８はゲストホスト型の液晶光シヤツタでその構造
は、第８図、第９図に示すように、２枚のガラス
基板２３，２４の間に液晶混合物を封入してな
り、ガラス基板２３には、信号電極２５が交互に
備わつており、ガラス基板２４には共通電極２６
が備わつている。マイクロシヤツタ２７は信号電
極２５と共通電極２６の交わる部分に必要に大き
さで、必要な形状だけ酸化インジウム（In2 O3）
や酸化スズ（SnO2）等の透明電極により構成さ
れる。このように構成された液晶パネルに少なく
とも１枚の偏光板（不図示）及び液晶用ヒータ１
９を配することにより、液晶光シヤツタ１８は構
成されている。また、液晶光シヤツタ１８にも後
述する液晶光シヤツタ１８の温度を検出するため
のサーミスタ２９が取り付けられている。
感光体１への光書込みは、信号電極２５と共通
電極２６に制御用基板２１ａ，２１ｂより駆動信
号を与えることにより、液晶光シヤツタ１８の各
マイクロシヤツタ２７を開閉制御し、開状態のマ
イクロシヤツタ２７を透過した光源１６の光を感
光体１の表面に照射することにより行われる。
電極２６に制御用基板２１ａ，２１ｂより駆動信
号を与えることにより、液晶光シヤツタ１８の各
マイクロシヤツタ２７を開閉制御し、開状態のマ
イクロシヤツタ２７を透過した光源１６の光を感
光体１の表面に照射することにより行われる。
第１図は本発明の一実施例を示したもので、上
記液晶光シヤツタ１８の温度制御装置を示したも
のである。
記液晶光シヤツタ１８の温度制御装置を示したも
のである。
第１図において、３１は液晶光シヤツタに取り
付けたサーミスタ２９により温度を検出し、この
温度出力によつてヒータ１９への通電を制御する
加熱制御部である。この加熱制御部３１は、比較
回路Q1の非反転端子（＋入力）に電源電圧V10を
抵抗器R1とサーミスタ２９で分割した電圧VNを
入力し、他方の反転端子（−入力）に抵抗器R2
と抵抗器R3及び可変抵抗器VR1で分割した電圧
VIを入力して、VN＞VIとなつたときに比較回路
Q1の出力がハイレベルとなり、これによつて出
力トランジスタQ2がオンし、ヒータ１９に通電
を行う。記録装置の電源投入時には液晶光シヤツ
タが冷えた状態であるために、サーミスタ２９の
抵抗値は大きく、VN＞VIとなつて比較回路Q1は
ハイレベルを維持する。これにより出力トランジ
スタQ2がオンしつづけ、ヒータ１９に連続的に
通電して液晶光シヤツタを加熱し、第２図ａに示
すように電源投入時のＡの時間領域を加熱制御部
３１の制御動作によつて加熱を行う。本実施例で
は、可変抵抗器VR1を調整することによつて、液
晶光シヤツタを40℃まで加熱するように設定し
た。従つて、液晶光シヤツタの温度が40℃を越え
ると、VN＜VIとなるために、第２図ｂに示すよ
うに、比較回路Q1の出力がローレベルとなり、
出力トランジスタQ2がオフし、ヒータ１９への
通電を停止する。なお、本実施例では制御系の電
源はV10として示す10Vの電源を使用し、ヒータ
１９の電源はV24として示す24Vの電源を使用し
ている。
付けたサーミスタ２９により温度を検出し、この
温度出力によつてヒータ１９への通電を制御する
加熱制御部である。この加熱制御部３１は、比較
回路Q1の非反転端子（＋入力）に電源電圧V10を
抵抗器R1とサーミスタ２９で分割した電圧VNを
入力し、他方の反転端子（−入力）に抵抗器R2
と抵抗器R3及び可変抵抗器VR1で分割した電圧
VIを入力して、VN＞VIとなつたときに比較回路
Q1の出力がハイレベルとなり、これによつて出
力トランジスタQ2がオンし、ヒータ１９に通電
を行う。記録装置の電源投入時には液晶光シヤツ
タが冷えた状態であるために、サーミスタ２９の
抵抗値は大きく、VN＞VIとなつて比較回路Q1は
ハイレベルを維持する。これにより出力トランジ
スタQ2がオンしつづけ、ヒータ１９に連続的に
通電して液晶光シヤツタを加熱し、第２図ａに示
すように電源投入時のＡの時間領域を加熱制御部
３１の制御動作によつて加熱を行う。本実施例で
は、可変抵抗器VR1を調整することによつて、液
晶光シヤツタを40℃まで加熱するように設定し
た。従つて、液晶光シヤツタの温度が40℃を越え
ると、VN＜VIとなるために、第２図ｂに示すよ
うに、比較回路Q1の出力がローレベルとなり、
出力トランジスタQ2がオフし、ヒータ１９への
通電を停止する。なお、本実施例では制御系の電
源はV10として示す10Vの電源を使用し、ヒータ
１９の電源はV24として示す24Vの電源を使用し
ている。
３２は液晶光シヤツタの温度が設定温度45℃を
越えた場合に、ヒータ１９への通電を停止する温
度制限部であり、比較回路Q3の非反転端子に上
記比較回路Q1と同じく抵抗器R1とサーミスタ２
９の分割電圧を入力し、他方の反転端子に抵抗器
R7と抵抗器R8及び可変抵抗器VR2の分割電圧を
入力している。そして、可変抵抗器VR2を調整す
ることによつて、液晶光シヤツタの温度が45℃以
上になると第２図ｃに示すように、比較回路Q3
の出力がローレベルとなり、これにより後述する
第１の温度制御部３４の比較回路Q4出力を強制
的にローレベルとして、ヒータ１９への通電を禁
止して液晶光シヤツタの温度制御を行う。
越えた場合に、ヒータ１９への通電を停止する温
度制限部であり、比較回路Q3の非反転端子に上
記比較回路Q1と同じく抵抗器R1とサーミスタ２
９の分割電圧を入力し、他方の反転端子に抵抗器
R7と抵抗器R8及び可変抵抗器VR2の分割電圧を
入力している。そして、可変抵抗器VR2を調整す
ることによつて、液晶光シヤツタの温度が45℃以
上になると第２図ｃに示すように、比較回路Q3
の出力がローレベルとなり、これにより後述する
第１の温度制御部３４の比較回路Q4出力を強制
的にローレベルとして、ヒータ１９への通電を禁
止して液晶光シヤツタの温度制御を行う。
３３は上記温度制限部３２の比較回路Q3出力
が一度ローレベルになつたとき、即ち液晶光シヤ
ツタの温度が45℃以上になつたときに、比較回路
Q3出力に接続されたダイオードD6のアノードを
以後ローレベルに保持するラツチ部である。
が一度ローレベルになつたとき、即ち液晶光シヤ
ツタの温度が45℃以上になつたときに、比較回路
Q3出力に接続されたダイオードD6のアノードを
以後ローレベルに保持するラツチ部である。
比較回路Q3の出力がローレベルになると、ラ
ツチ回路を構成するトランジスタQ6及びQ7がそ
れぞれオンし、且つそのオン状態を保持するため
に、ダイオードD6のアノードはローレベルを保
持する。またトランジスタQ6のオン信号を後述
する第１の温度制御部３４に出力し、トランジス
タQ7のオン信号を後述する第２の温度制御部３
５に出力する。
ツチ回路を構成するトランジスタQ6及びQ7がそ
れぞれオンし、且つそのオン状態を保持するため
に、ダイオードD6のアノードはローレベルを保
持する。またトランジスタQ6のオン信号を後述
する第１の温度制御部３４に出力し、トランジス
タQ7のオン信号を後述する第２の温度制御部３
５に出力する。
３４は液晶光シヤツタの温度を制定温度に維持
するように制御する第１の温度制御部であり、同
制御部３４は鋸歯状波発振器であると同時に、上
記の如く液晶シヤツタ部の中央部に取り付けたサ
ーミスタ３０により雰囲気温度を検出して液晶光
シヤツタの温度を設定温度に制御する。本実施例
では、設定温度を液晶光シヤツタを高速応答で使
用できる最適温度条件として45℃に設定した。又
第２図ａに示すように第１の温度制御部３４は、
液晶光シヤツタが45℃に立上つた後のＣとして示
す領域を制御する。以下にその動作を詳細に説明
する。
するように制御する第１の温度制御部であり、同
制御部３４は鋸歯状波発振器であると同時に、上
記の如く液晶シヤツタ部の中央部に取り付けたサ
ーミスタ３０により雰囲気温度を検出して液晶光
シヤツタの温度を設定温度に制御する。本実施例
では、設定温度を液晶光シヤツタを高速応答で使
用できる最適温度条件として45℃に設定した。又
第２図ａに示すように第１の温度制御部３４は、
液晶光シヤツタが45℃に立上つた後のＣとして示
す領域を制御する。以下にその動作を詳細に説明
する。
比較回路Q4の非反転端子には、基準電圧とし
て抵抗器R9とR10で分割した電圧を入力し、他方
の反転端子にはサーミスタ３０、可変抵抗器VR3
とコンデンサＣとで構成した時定数回路の出力を
入力している。なお、D1はコンデンサＣのサー
ミスタ３０側への放電を阻止するダイオードであ
る。まず初期状態ではコンデンサＣの電圧は0V
であるので、電源を投入するとコンデンサＣの電
圧は時定数回路の時定数で指数関数的に上昇し、
この電圧が抵抗器R9とR10で定めた基準電圧V2＝
V10・（R10／R9＋R10）より高くなると、比較回
路Q4の出力がハイレベルからローレベルに反転
する。次いで同比較回路Q4の出力がローレベル
になるために、コンデンサＣの電荷が、抵抗器
R11及びダイオードD3を通して放電する。このと
き比較回路Q4の基準電圧側の非反転端子の電圧
は、抵抗器R9と抵抗器R10，R12の並列抵抗との
分割電圧V1＝V10・（Ｒ／R9＋Ｒ）（但し、Ｒ＝
R10・R12／R10＋R12）となつており、コンデン
サＣの電圧がV1より低くなると、比較回路Q4の
出力はハイレベルに反転し、非反転端子の電圧は
V2になる。なお、コンデンサＣの放電時にはダ
イオードD2のカソード側がローレベルとなるた
めに、サーミスタ３０、可変抵抗器VR3からコン
デンサＣへの充電は行われない。この後、コンデ
ンサＣは再び充電を開始し、上記と同様にコンデ
ンサＣの電圧がV2より高くなると比較回路Q4の
出力はローレベルとなり、更にこれから放電を開
始してコンデンサＣの電圧がV1より低くなると、
比較回路Q4の出力はハイレベルとなつて発振動
作を繰り返し行う。そして、比較回路Q4の出力
がハイレベルのとき、出力トランジスタQ5がオ
ンし、ヒータ１９に通電して液晶光シヤツタを加
熱し、また出力がローレベルになると出力トラン
ジスタQ5がオフしてヒータ１９への通電を停止
する。なお、トランジスタQ5の駆動回路を構成
する抵抗器R13に直列に上述のラツチ部３３のト
ランジスタQ6を接続しているために、第２図ｄ
に示すように、トランジスタQ6がオンしたとき
だけトランジスタQ5のスイツチ動作を制御する
ことができる。これにより、液晶光シヤツタが45
℃の設定温度に達する前は第１の温度制御部３４
の制御動作を禁止している。
て抵抗器R9とR10で分割した電圧を入力し、他方
の反転端子にはサーミスタ３０、可変抵抗器VR3
とコンデンサＣとで構成した時定数回路の出力を
入力している。なお、D1はコンデンサＣのサー
ミスタ３０側への放電を阻止するダイオードであ
る。まず初期状態ではコンデンサＣの電圧は0V
であるので、電源を投入するとコンデンサＣの電
圧は時定数回路の時定数で指数関数的に上昇し、
この電圧が抵抗器R9とR10で定めた基準電圧V2＝
V10・（R10／R9＋R10）より高くなると、比較回
路Q4の出力がハイレベルからローレベルに反転
する。次いで同比較回路Q4の出力がローレベル
になるために、コンデンサＣの電荷が、抵抗器
R11及びダイオードD3を通して放電する。このと
き比較回路Q4の基準電圧側の非反転端子の電圧
は、抵抗器R9と抵抗器R10，R12の並列抵抗との
分割電圧V1＝V10・（Ｒ／R9＋Ｒ）（但し、Ｒ＝
R10・R12／R10＋R12）となつており、コンデン
サＣの電圧がV1より低くなると、比較回路Q4の
出力はハイレベルに反転し、非反転端子の電圧は
V2になる。なお、コンデンサＣの放電時にはダ
イオードD2のカソード側がローレベルとなるた
めに、サーミスタ３０、可変抵抗器VR3からコン
デンサＣへの充電は行われない。この後、コンデ
ンサＣは再び充電を開始し、上記と同様にコンデ
ンサＣの電圧がV2より高くなると比較回路Q4の
出力はローレベルとなり、更にこれから放電を開
始してコンデンサＣの電圧がV1より低くなると、
比較回路Q4の出力はハイレベルとなつて発振動
作を繰り返し行う。そして、比較回路Q4の出力
がハイレベルのとき、出力トランジスタQ5がオ
ンし、ヒータ１９に通電して液晶光シヤツタを加
熱し、また出力がローレベルになると出力トラン
ジスタQ5がオフしてヒータ１９への通電を停止
する。なお、トランジスタQ5の駆動回路を構成
する抵抗器R13に直列に上述のラツチ部３３のト
ランジスタQ6を接続しているために、第２図ｄ
に示すように、トランジスタQ6がオンしたとき
だけトランジスタQ5のスイツチ動作を制御する
ことができる。これにより、液晶光シヤツタが45
℃の設定温度に達する前は第１の温度制御部３４
の制御動作を禁止している。
比較回路Q4の出力がハイレベルとなり、出力
トランジスタQ5がオンしてヒータ１９へ通電す
る時間は、コンデンサＣの電圧がV1からV2まで
充電する時間であり、時定数回路の時定数によつ
て定まる。コンデンサＣが充電する場合、その時
定数はサーミスタ３０、可変へ抵抗器VR3及びコ
ンデンサＣの容量で定まり、サーミスタ３０によ
つて雰囲気温度を検出している為に、サーミスタ
３０の抵抗値はその雰囲気温度により変化する。
従つて、比較回路Q4の出力がハイレベルとなり、
ヒータ１９に通電する時間は、雰囲気温度に応じ
て変化する。
トランジスタQ5がオンしてヒータ１９へ通電す
る時間は、コンデンサＣの電圧がV1からV2まで
充電する時間であり、時定数回路の時定数によつ
て定まる。コンデンサＣが充電する場合、その時
定数はサーミスタ３０、可変へ抵抗器VR3及びコ
ンデンサＣの容量で定まり、サーミスタ３０によ
つて雰囲気温度を検出している為に、サーミスタ
３０の抵抗値はその雰囲気温度により変化する。
従つて、比較回路Q4の出力がハイレベルとなり、
ヒータ１９に通電する時間は、雰囲気温度に応じ
て変化する。
一方、比較回路Q4の出力がローレベルになり、
ヒータ１９への通電を停止する時間は、コンデン
サＣの電荷が放電してその電圧がV2からV1まで
減少する時間である。コンデンサＣの電荷が放電
する場合、その時定数はコンデンサＣの容量と抵
抗器R11の抵抗値によつて定まるために、雰囲気
温度によつて変化することなく、常に一定とな
る。
ヒータ１９への通電を停止する時間は、コンデン
サＣの電荷が放電してその電圧がV2からV1まで
減少する時間である。コンデンサＣの電荷が放電
する場合、その時定数はコンデンサＣの容量と抵
抗器R11の抵抗値によつて定まるために、雰囲気
温度によつて変化することなく、常に一定とな
る。
従つて、雰囲気温度が低い場合は、サーミスタ
３０の抵抗値が大きくなつているために、第３図
ａに示すように、コンデンサＣがV1からV2まで
充電する時間TC1は長くなる。一方、コンデンサ
Ｃの電荷がV2からV1まで放電する時間TDは一定
であるので、第３図ｂに示すように比較回路Q4
の出力がハイレベルになる時間が長くなり、ヒー
タ１９に通電する通電率は高いものとなる。又雰
囲気温度が高くなるとサーミスタ３０の抵抗値は
小さくなり、第４図ａの示すように充電カーブは
急になり、TC2として示すコンデンサＣのV1か
らV2までの充電時間は短くなる。これにより、
第４図ｂに示すように、比較回路Q4の出力がハ
イレベルになる時間が短くなり、他方のローレベ
ルの時間TDは一定であるために、ヒータ１９へ
の通電率は低くなる。以上のように雰囲気温度が
変化すると、その変化分をヒータ１９への通電時
間が変化し、一方ヒータ１９への通電停止時間は
一定であるために、温度に応じてヒータ１９への
通電率（TC／TD＋TC）が無段階に変化する。
即ち、雰囲気温度が低いときは、熱放散も多くな
るので高通電率で保温し、雰囲気温度が高いとき
は熱放散が少なくなるので、低通電率で保温する
ことができる。しかも第１の温度制御部３４の発
振周期毎にサーミスタ３０により液晶光シヤツタ
の雰囲気温度を検出し、その検出値を第１の温度
制御部３４に一周期毎に帰還する構成であるため
に、従来に比較して格段の精密制御を行うことが
でき、第２図ａに示すように雰囲気温度に関係な
く極めて安定した温度制御を行うことができる。
３０の抵抗値が大きくなつているために、第３図
ａに示すように、コンデンサＣがV1からV2まで
充電する時間TC1は長くなる。一方、コンデンサ
Ｃの電荷がV2からV1まで放電する時間TDは一定
であるので、第３図ｂに示すように比較回路Q4
の出力がハイレベルになる時間が長くなり、ヒー
タ１９に通電する通電率は高いものとなる。又雰
囲気温度が高くなるとサーミスタ３０の抵抗値は
小さくなり、第４図ａの示すように充電カーブは
急になり、TC2として示すコンデンサＣのV1か
らV2までの充電時間は短くなる。これにより、
第４図ｂに示すように、比較回路Q4の出力がハ
イレベルになる時間が短くなり、他方のローレベ
ルの時間TDは一定であるために、ヒータ１９へ
の通電率は低くなる。以上のように雰囲気温度が
変化すると、その変化分をヒータ１９への通電時
間が変化し、一方ヒータ１９への通電停止時間は
一定であるために、温度に応じてヒータ１９への
通電率（TC／TD＋TC）が無段階に変化する。
即ち、雰囲気温度が低いときは、熱放散も多くな
るので高通電率で保温し、雰囲気温度が高いとき
は熱放散が少なくなるので、低通電率で保温する
ことができる。しかも第１の温度制御部３４の発
振周期毎にサーミスタ３０により液晶光シヤツタ
の雰囲気温度を検出し、その検出値を第１の温度
制御部３４に一周期毎に帰還する構成であるため
に、従来に比較して格段の精密制御を行うことが
でき、第２図ａに示すように雰囲気温度に関係な
く極めて安定した温度制御を行うことができる。
３５は上述の如く第２図ａにＢとして示す時間
領域、即ち加熱制御部３１により液晶光シヤツタ
を加熱した後、液晶光シヤツタの温度が40℃から
45℃の間を制御する第２の温度制御部である。
領域、即ち加熱制御部３１により液晶光シヤツタ
を加熱した後、液晶光シヤツタの温度が40℃から
45℃の間を制御する第２の温度制御部である。
第２の温度制御部３５は、上記第１の温度制御
部３４の比較回路Q4出力を反転する反転回路Q8
と、この反転回路Q8の出力と上記ラツチ部３３
のトランジスタQ7の出力とアンドをとる論理積
回路Q9より構成している。ラツチ部３３のトラ
ンジスタQ7は上述の如く温度が45℃になるとオ
ン状態を保持するために、液晶光シヤツタの温度
が設定温度45℃になつたときは、第２図ｅに示す
ように、論理積回路Q9の出力はローレベルとな
る。これにより、第２の温度制御部３５の出力ト
ランジスタQ10は45℃以下においてスイツチ動作
を行うことができ、45℃以上ではスイツチ動作が
禁止される。
部３４の比較回路Q4出力を反転する反転回路Q8
と、この反転回路Q8の出力と上記ラツチ部３３
のトランジスタQ7の出力とアンドをとる論理積
回路Q9より構成している。ラツチ部３３のトラ
ンジスタQ7は上述の如く温度が45℃になるとオ
ン状態を保持するために、液晶光シヤツタの温度
が設定温度45℃になつたときは、第２図ｅに示す
ように、論理積回路Q9の出力はローレベルとな
る。これにより、第２の温度制御部３５の出力ト
ランジスタQ10は45℃以下においてスイツチ動作
を行うことができ、45℃以上ではスイツチ動作が
禁止される。
上記第１の温度制御部３４は、実際には電源投
入と同時に始動し、サーミスタ３０により検出し
た温度に応じて比較回路Q4の出力は変化する。
（但し、第２図ａのＡ領域は加熱制御部３１の出
力トランジスタQ2がオンしつづけるので、第１
の温度制御部３４は制御動作を行わない）この場
合、液晶光シヤツタ自身はヒータ１９によつて加
熱されるものの、液晶光シヤツタの雰囲気温度は
まだ低い状態にあるため、サーミスタ３０の抵抗
値は大きくなつている。この状態では、第１の温
度制御部３４の出力はヒータ１９への通電時間を
長くし、通電率を高くするよう作用する。従つ
て、第２の温度制御部３５の論理積回路Q9の出
力は、比較回路Q4の出力を反転回路Q8により反
転しているため、第１の温度制御部３４の出力と
は逆になる。即ち、ヒータ１９への通電時間が上
述の第１の温度制御部３４の通電停止時間TDと
なり、一方通電停止時間が上述の如くサーミスタ
３０の抵抗値が高いために長くなり、これにより
通電率はTD／TC＋TDとなつて、通電率を低く
する。従つて、雰囲気温度が低い場合は、第５図
ａにＤとして示す第２の温度制御部３５の制御動
作範囲では、出力トランジスタQ10がオンしてヒ
ータ１９へ通電する時間TDは一定となり、通電
停止時間TC3が長くなつて通電率は小さくなる。
第５図ｂは雰囲気温度が高い場合であり第５図ａ
と較べＤ領域は高通電率、Ｅ領域は低通電率とな
る。このように、液晶光シヤツタの温度が設定温
度に達する前に、強制的に通電率を雰囲気温度に
応じて制御するため、液晶光シヤツタは適正な通
電率で徐々に加熱されることになり、このことは
電源投入時に急激に加熱したときに生じる立ち上
がり時のオーバシユートを完全に防止することが
できるという効果をもたらす。
入と同時に始動し、サーミスタ３０により検出し
た温度に応じて比較回路Q4の出力は変化する。
（但し、第２図ａのＡ領域は加熱制御部３１の出
力トランジスタQ2がオンしつづけるので、第１
の温度制御部３４は制御動作を行わない）この場
合、液晶光シヤツタ自身はヒータ１９によつて加
熱されるものの、液晶光シヤツタの雰囲気温度は
まだ低い状態にあるため、サーミスタ３０の抵抗
値は大きくなつている。この状態では、第１の温
度制御部３４の出力はヒータ１９への通電時間を
長くし、通電率を高くするよう作用する。従つ
て、第２の温度制御部３５の論理積回路Q9の出
力は、比較回路Q4の出力を反転回路Q8により反
転しているため、第１の温度制御部３４の出力と
は逆になる。即ち、ヒータ１９への通電時間が上
述の第１の温度制御部３４の通電停止時間TDと
なり、一方通電停止時間が上述の如くサーミスタ
３０の抵抗値が高いために長くなり、これにより
通電率はTD／TC＋TDとなつて、通電率を低く
する。従つて、雰囲気温度が低い場合は、第５図
ａにＤとして示す第２の温度制御部３５の制御動
作範囲では、出力トランジスタQ10がオンしてヒ
ータ１９へ通電する時間TDは一定となり、通電
停止時間TC3が長くなつて通電率は小さくなる。
第５図ｂは雰囲気温度が高い場合であり第５図ａ
と較べＤ領域は高通電率、Ｅ領域は低通電率とな
る。このように、液晶光シヤツタの温度が設定温
度に達する前に、強制的に通電率を雰囲気温度に
応じて制御するため、液晶光シヤツタは適正な通
電率で徐々に加熱されることになり、このことは
電源投入時に急激に加熱したときに生じる立ち上
がり時のオーバシユートを完全に防止することが
できるという効果をもたらす。
この後、設定温度45℃に達すると、上述の如く
ラツチ部３２の比較回路Q3の出力がローレベル
となり、これによつて論理積回路Q9出力がロー
レベルとなるためにトランジスタQ10がオフし、
第２の温度制御部３５の作動を停止する。これに
より、液晶光シヤツタが設定温度45℃に達した以
降は、第５図ｂにＥとして示すようにサーミスタ
３０の温度出力に応じて第１の温度制御部３４が
ヒータ１９への通電率を制御することで、液晶光
シヤツタを設定温度に制御する。
ラツチ部３２の比較回路Q3の出力がローレベル
となり、これによつて論理積回路Q9出力がロー
レベルとなるためにトランジスタQ10がオフし、
第２の温度制御部３５の作動を停止する。これに
より、液晶光シヤツタが設定温度45℃に達した以
降は、第５図ｂにＥとして示すようにサーミスタ
３０の温度出力に応じて第１の温度制御部３４が
ヒータ１９への通電率を制御することで、液晶光
シヤツタを設定温度に制御する。
以上により、記録装置の電源投入時には、加熱
制御部３１の制御動作によつて、液晶光シヤツタ
温度を40℃までヒータ１９に連続的に通電するた
めに、液晶光シヤツタを短時間で加熱することが
でき、ウオームアツプ時間を短縮することができ
る。また第２の温度制御部３５により液晶光シヤ
ツタの温度が設定温度45℃に達する前に、ヒータ
への通電率を雰囲気温度に応じて低くするため
に、液晶光シヤツタを急激に昇温したときに生じ
るオーバシユートを完全に防止することができ
る。更に液晶光シヤツタが設定温度（45℃）に立
上つた後は、上記のように第１の温度制御部３４
により精密制御を行い、且つ設定温度を越えた場
合は温度制限部３２により、ヒータ１９への通電
を強制的に停止するために、液晶光シヤツタの温
度を安定した温度に維持することができる。従つ
て液晶光シヤツタの動作特性、即ちシヤツタの開
口率を安定したものとし、感光体に光書込みを行
う場合に潜像電位が不均一になることを防止する
ことができ、それによつて現像時における画像濃
度のバラツキを防止することができる。
制御部３１の制御動作によつて、液晶光シヤツタ
温度を40℃までヒータ１９に連続的に通電するた
めに、液晶光シヤツタを短時間で加熱することが
でき、ウオームアツプ時間を短縮することができ
る。また第２の温度制御部３５により液晶光シヤ
ツタの温度が設定温度45℃に達する前に、ヒータ
への通電率を雰囲気温度に応じて低くするため
に、液晶光シヤツタを急激に昇温したときに生じ
るオーバシユートを完全に防止することができ
る。更に液晶光シヤツタが設定温度（45℃）に立
上つた後は、上記のように第１の温度制御部３４
により精密制御を行い、且つ設定温度を越えた場
合は温度制限部３２により、ヒータ１９への通電
を強制的に停止するために、液晶光シヤツタの温
度を安定した温度に維持することができる。従つ
て液晶光シヤツタの動作特性、即ちシヤツタの開
口率を安定したものとし、感光体に光書込みを行
う場合に潜像電位が不均一になることを防止する
ことができ、それによつて現像時における画像濃
度のバラツキを防止することができる。
なお、実施例では、ヒータへの通電停止時間を
一定とし、雰囲気温度に応じてヒータへの通電時
間を変化させる例あるいは、ヒータへの通電時間
を一定として、雰囲気温度に応じてヒータへの通
電停止時間を変化させる例を示したが、これに限
ることなく、例えば周期を一定とし、ヒータへの
通電時間を温度に応じて変化させるものであつて
もよいことはもちろんである。
一定とし、雰囲気温度に応じてヒータへの通電時
間を変化させる例あるいは、ヒータへの通電時間
を一定として、雰囲気温度に応じてヒータへの通
電停止時間を変化させる例を示したが、これに限
ることなく、例えば周期を一定とし、ヒータへの
通電時間を温度に応じて変化させるものであつて
もよいことはもちろんである。
以上説明したように本発明によれば、加熱手段
への通電率を雰囲気温度に応じて変化させるよう
にしたので、液晶光シヤツタを雰囲気温度に関係
なく極めて安定した温度に制御することができ
る。また液晶光シヤツタの温度が安定するため
に、液晶光シヤツタの動作特性を安定させること
ができ、それによつて感光体に光書込みを行う場
合に潜像電位を均一にすることができるので、現
像時において生じる画像濃度のバラツキを防止
し、印字品質を良好に維持することができる。
への通電率を雰囲気温度に応じて変化させるよう
にしたので、液晶光シヤツタを雰囲気温度に関係
なく極めて安定した温度に制御することができ
る。また液晶光シヤツタの温度が安定するため
に、液晶光シヤツタの動作特性を安定させること
ができ、それによつて感光体に光書込みを行う場
合に潜像電位を均一にすることができるので、現
像時において生じる画像濃度のバラツキを防止
し、印字品質を良好に維持することができる。
更に液晶光シヤツタが設定温度に達する前に、
ヒータへの通電率を低くするようにしたので、電
源投入時に生じるオーバシユートを完全に防止す
ることができ、それによつてウオームアツプ時間
を短縮することができるという効果がある。
ヒータへの通電率を低くするようにしたので、電
源投入時に生じるオーバシユートを完全に防止す
ることができ、それによつてウオームアツプ時間
を短縮することができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は
上記実施例の動作を示すタイムチヤート、第３図
は雰囲気温度が低い場合の第１の温度制御部の動
作を示すタイムチヤート、第４図は雰囲気温度が
高い場合の第１の温度制御部の動作を示すタイム
チヤート、第５図は第２の温度制御部の動作を示
すタイムチヤート、第６図は記録装置の概略構成
図、第７図は液晶光シヤツタ部の断面図、第８図
は液晶光シヤツタの平面図、第９図は液晶光シヤ
ツタの斜視図、第１０図は液晶の誘導異方性の特
性図、第１１図は従来例の温度制御装置の回路
図、第１２図はその第１１図の温度制御装置の特
性図である。 ３……液晶光シヤツタ部、１８……液晶光シヤ
ツタ、１９……ヒータ、２９，３０……サーミス
タ、３１……加熱制御部、３２……温度制限部、
３３……ラツチ部、３４……第１の温度制御部、
３５……第２の温度制御部、Q1，Q3，Q4……比
較回路、Q2，Q5，Q10……出力トランジスタ、Q8
……反転回路、Q9……論理積回路。
上記実施例の動作を示すタイムチヤート、第３図
は雰囲気温度が低い場合の第１の温度制御部の動
作を示すタイムチヤート、第４図は雰囲気温度が
高い場合の第１の温度制御部の動作を示すタイム
チヤート、第５図は第２の温度制御部の動作を示
すタイムチヤート、第６図は記録装置の概略構成
図、第７図は液晶光シヤツタ部の断面図、第８図
は液晶光シヤツタの平面図、第９図は液晶光シヤ
ツタの斜視図、第１０図は液晶の誘導異方性の特
性図、第１１図は従来例の温度制御装置の回路
図、第１２図はその第１１図の温度制御装置の特
性図である。 ３……液晶光シヤツタ部、１８……液晶光シヤ
ツタ、１９……ヒータ、２９，３０……サーミス
タ、３１……加熱制御部、３２……温度制限部、
３３……ラツチ部、３４……第１の温度制御部、
３５……第２の温度制御部、Q1，Q3，Q4……比
較回路、Q2，Q5，Q10……出力トランジスタ、Q8
……反転回路、Q9……論理積回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 加熱手段と、該加熱手段により加熱される液
晶光シヤツタの温度を検出する第１の温度検出手
段が設けられ、該第１の温度検出手段の出力に基
づき前記加熱手段の通電を制御する加熱制御部を
有し、複数のマイクロシヤツタの選択開閉により
光源の光を選択透過させ感光体に光書込みを行う
液晶光シヤツタの温度制御装置において、 上記液晶光シヤツタが置かれた雰囲気の温度を
検出する第２の温度検出手段と、該第２の温度検
出手段の出力に基づき上記加熱手段への通電率を
変化させる制御手段を有し、該制御手段は上記液
晶光シヤツタの雰囲気温度が低いときは、雰囲気
温度が高いときより通電率を低く制御することに
より立ち上がり時のオーバシユートを防止するこ
とを特徴とする液晶光シヤツタの温度制御装置。 ２ 上記制御手段は、液晶光シヤツタが置かれた
雰囲気の温度が高いときは、温度が低いときの通
電率より低く制御する制御手段を備えることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶光シヤ
ツタの温度制御装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60243743A JPS62102231A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 液晶光シャッタの温度制御装置 |
| US06/918,107 US4721363A (en) | 1985-10-29 | 1986-10-14 | Temperature control device for liquid crystal optical shutter |
| KR1019860008660A KR900002679B1 (ko) | 1985-10-29 | 1986-10-15 | 액정광 셔터의 온도 제어장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60243743A JPS62102231A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 液晶光シャッタの温度制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102231A JPS62102231A (ja) | 1987-05-12 |
| JPH045367B2 true JPH045367B2 (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=17108326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60243743A Granted JPS62102231A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 液晶光シャッタの温度制御装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4721363A (ja) |
| JP (1) | JPS62102231A (ja) |
| KR (1) | KR900002679B1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5054891A (en) * | 1988-04-15 | 1991-10-08 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal shutter with substrates having an optical anisotropy caused by temperature gradient |
| US5097352A (en) * | 1988-09-28 | 1992-03-17 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical system including liquid crystal devices |
| US5164849A (en) * | 1990-10-05 | 1992-11-17 | Allied-Signal Inc. | Liquid crystal display with a fast warm up |
| US5121242A (en) * | 1991-02-04 | 1992-06-09 | Martin Marietta Corporation | Retro-reflective optical transceiver |
| US5436745A (en) * | 1994-02-23 | 1995-07-25 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Flex circuit board for liquid crystal display |
| US5886763A (en) * | 1997-09-26 | 1999-03-23 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | LCD heater utilizing Z-axis conductive adhesive to attach bus bars to ito |
| JP3558959B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2004-08-25 | シャープ株式会社 | 温度検出回路およびそれを用いる液晶駆動装置 |
| JP4047622B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2008-02-13 | 日本放送協会 | 表示装置、照明装置及び撮影システム |
| CN100562240C (zh) * | 2007-11-07 | 2009-11-18 | 朱建新 | 温度可调式显示屏装置 |
| US8556505B2 (en) * | 2009-09-18 | 2013-10-15 | Cummins Ip, Inc. | Apparatus, system, and method for accurately reading high and low temperatures |
| JP5513100B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-06-04 | 矢崎総業株式会社 | 液晶ディスプレイ表示装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52101058A (en) * | 1976-02-20 | 1977-08-24 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
| US4128311A (en) * | 1977-08-01 | 1978-12-05 | General Motors Corporation | Heater control method for liquid crystal devices |
| US4386836A (en) * | 1979-12-28 | 1983-06-07 | Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha | Electro-photographic printer |
| JPS57117980A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-22 | Seiko Epson Corp | Printer |
| JPS58103022A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 文章入力装置 |
| JPS58136072A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Hitachi Ltd | 複写機の定着装置 |
| JPS60104925A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-10 | Nippon Denso Co Ltd | 液晶素子駆動装置 |
| US4682857A (en) * | 1985-04-02 | 1987-07-28 | Peng Tan | Liquid crystal hot spot detection with infinitesimal temperature control |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP60243743A patent/JPS62102231A/ja active Granted
-
1986
- 1986-10-14 US US06/918,107 patent/US4721363A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-10-15 KR KR1019860008660A patent/KR900002679B1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900002679B1 (ko) | 1990-04-23 |
| US4721363A (en) | 1988-01-26 |
| JPS62102231A (ja) | 1987-05-12 |
| KR870003872A (ko) | 1987-05-04 |
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