JPH0454429B2 - - Google Patents
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- JPH0454429B2 JPH0454429B2 JP57051418A JP5141882A JPH0454429B2 JP H0454429 B2 JPH0454429 B2 JP H0454429B2 JP 57051418 A JP57051418 A JP 57051418A JP 5141882 A JP5141882 A JP 5141882A JP H0454429 B2 JPH0454429 B2 JP H0454429B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- period
- signal
- field
- ccd
- signal charges
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は高速シヤツタ動作を伴う電子カメラに
関する。
関する。
固体撮像装置は従来の撮像管に比べ、小型、軽
量、高信頼性、特性面では図形歪がなく、残像が
小さく、焼付きがない等の多くの利点を有してい
るため、ITV、家庭ビデオカメラ用として広く
使用され始めており、特に最近では銀塩フイルム
を用いない、いわゆる電子カメラへの応用も考え
られている。
量、高信頼性、特性面では図形歪がなく、残像が
小さく、焼付きがない等の多くの利点を有してい
るため、ITV、家庭ビデオカメラ用として広く
使用され始めており、特に最近では銀塩フイルム
を用いない、いわゆる電子カメラへの応用も考え
られている。
しかるに従来の固体撮像装置は例えばNTSC標
準方式に適合させるように駆動されており、従つ
て固体撮像装置の画素数を全て再生するために
は、上記電子カメラのシヤツタを1/30秒以上開口
させなければならないことになる。しかし通常シ
ヤツタ速度が1/30秒の場合は例えば三脚で固定す
るなどして撮像しない限り、手振れがおこる。そ
のため1/30秒以下での高速シヤツタ撮像を可能に
するためには、読出し周波数を高くして１フレー
ム時間の短縮を図る必要があるが、現在の500（垂
直）×400（水平）画素のセンサにおける読出し周
波数は7.16MHzであり、これを２倍の14.32MHz
にできたとしても、シヤツタ速度は高々1/60秒に
しかならない。一方、カメラとしてのシヤツタ速
度は1/1000秒程度まで必要であり、このような高
速シヤツタ動作を満足させるには上記読出し周波
数は240MHzとなつてしまい、固体撮像装置の駆
動、信号処理が極めて困難となる。
準方式に適合させるように駆動されており、従つ
て固体撮像装置の画素数を全て再生するために
は、上記電子カメラのシヤツタを1/30秒以上開口
させなければならないことになる。しかし通常シ
ヤツタ速度が1/30秒の場合は例えば三脚で固定す
るなどして撮像しない限り、手振れがおこる。そ
のため1/30秒以下での高速シヤツタ撮像を可能に
するためには、読出し周波数を高くして１フレー
ム時間の短縮を図る必要があるが、現在の500（垂
直）×400（水平）画素のセンサにおける読出し周
波数は7.16MHzであり、これを２倍の14.32MHz
にできたとしても、シヤツタ速度は高々1/60秒に
しかならない。一方、カメラとしてのシヤツタ速
度は1/1000秒程度まで必要であり、このような高
速シヤツタ動作を満足させるには上記読出し周波
数は240MHzとなつてしまい、固体撮像装置の駆
動、信号処理が極めて困難となる。
このため従来の方式で高速シヤツタ撮像を行な
おうとする場合はインターレス撮像を行わずに撮
像せざるを得ず、その結果画素数は垂直方向にお
いて半分になつてしまい、解像度が大幅に低下す
る。
おうとする場合はインターレス撮像を行わずに撮
像せざるを得ず、その結果画素数は垂直方向にお
いて半分になつてしまい、解像度が大幅に低下す
る。
以上の事項を図面を参照してもう少し詳しく説
明する。
明する。
第１図はよく知られているインターライン転送
方式のCCD（以下IT−CCDと称す）の構成を示
す。このIT−CCDは例えばホトダイオード（以
下PDと称す）で形成されたＭ×2N個の感光部
（P11，P′11，P12，P′12，P13，…，P1N，P′1N，
P21，P′21，P22，P′22，P23，…，P2N，P2N′，…，
PM1，PM1′，PM2，PM2′，PM3，…，PMN，PMN′）
（以下Pi，Pi′で代表する）と、この感光部（Pi，
Pi′）で光電変換されて蓄積された信号電荷を読
出すための垂直CCD（C1，C2，…CM）が図示の如
く水平方向に交互に配列されている。そして垂直
CCD（C1，C2，…，CM）の信号電荷は１段ごとに
水平CCDシフトレジスタ１に転送され、水平有
効期間において水平CCDシフトレジスタ１内を
転送された後、順次出力部２より読出される。こ
こで垂直CCD（C1，C2，…，CM）における垂直方
向転送段数は感光部（Pi，Pi′）の垂直方向画素
数の半数である。
方式のCCD（以下IT−CCDと称す）の構成を示
す。このIT−CCDは例えばホトダイオード（以
下PDと称す）で形成されたＭ×2N個の感光部
（P11，P′11，P12，P′12，P13，…，P1N，P′1N，
P21，P′21，P22，P′22，P23，…，P2N，P2N′，…，
PM1，PM1′，PM2，PM2′，PM3，…，PMN，PMN′）
（以下Pi，Pi′で代表する）と、この感光部（Pi，
Pi′）で光電変換されて蓄積された信号電荷を読
出すための垂直CCD（C1，C2，…CM）が図示の如
く水平方向に交互に配列されている。そして垂直
CCD（C1，C2，…，CM）の信号電荷は１段ごとに
水平CCDシフトレジスタ１に転送され、水平有
効期間において水平CCDシフトレジスタ１内を
転送された後、順次出力部２より読出される。こ
こで垂直CCD（C1，C2，…，CM）における垂直方
向転送段数は感光部（Pi，Pi′）の垂直方向画素
数の半数である。
通常のテレビジヨン標準方式においては１フレ
ームは２フイールドより構成され、インターレス
走査を行つている。従つてIT−CCDでもこれに
適合した撮像動作を行つている。すなわち先の２
フイールドをＡ，Ｂフイールドとすると、Ａフイ
ールドでは垂直方向に連続して設けられた２個の
PD（P11，P11′），（P12，P12′），…，（P1N，
P1N′），（P21，P21′），（P22，P22′），…，（P2N
，
P2N′），…，（PM1，PM1′），（PM2，PM2′），…，
（PMN，PMN′）で蓄積された信号電荷が合せて読
出され、Ｂフイールドでは、Ａフイールドで読出
された２個のPD（Pi，Pi′）に対して空間的に垂
直方向に180度位相の異なる連続した２個のPD
（P11′，P12），（P12′，P13），…，（P21′，P22）
，
（P22′，P23），…，（PM1′，PM2），（PM2′，PM3）
，
…で蓄積された信号電荷が合せて読出される。こ
のような信号電荷蓄積モードはフイールド蓄積モ
ードと呼ばれる。この場合、垂直方向において
Ａ，Ｂフイールドで読出される信号の空間的位相
が180度異なるため、感光領域全域からは2N×Ｍ
個のサンプル点が得られる。
ームは２フイールドより構成され、インターレス
走査を行つている。従つてIT−CCDでもこれに
適合した撮像動作を行つている。すなわち先の２
フイールドをＡ，Ｂフイールドとすると、Ａフイ
ールドでは垂直方向に連続して設けられた２個の
PD（P11，P11′），（P12，P12′），…，（P1N，
P1N′），（P21，P21′），（P22，P22′），…，（P2N
，
P2N′），…，（PM1，PM1′），（PM2，PM2′），…，
（PMN，PMN′）で蓄積された信号電荷が合せて読
出され、Ｂフイールドでは、Ａフイールドで読出
された２個のPD（Pi，Pi′）に対して空間的に垂
直方向に180度位相の異なる連続した２個のPD
（P11′，P12），（P12′，P13），…，（P21′，P22）
，
（P22′，P23），…，（PM1′，PM2），（PM2′，PM3）
，
…で蓄積された信号電荷が合せて読出される。こ
のような信号電荷蓄積モードはフイールド蓄積モ
ードと呼ばれる。この場合、垂直方向において
Ａ，Ｂフイールドで読出される信号の空間的位相
が180度異なるため、感光領域全域からは2N×Ｍ
個のサンプル点が得られる。
なおPD（Pi，Pi′）から垂直CCD（C1，C2，…，
CM）への信号電荷転送はPDと垂直CCDとの間に
設けられたフイールドシフトゲート（以下FSG
と呼ぶ）４にパルス電圧を印加して行う。
CM）への信号電荷転送はPDと垂直CCDとの間に
設けられたフイールドシフトゲート（以下FSG
と呼ぶ）４にパルス電圧を印加して行う。
第２図ａは第１図のIT−CCDにおけるFSG４
に印加する電圧波形を、第２図ｂは信号出力波形
を、第２図ｃは高速シヤツタ時のシヤツタ開閉を
各々示す。すなわち第２図ａに示すようにFSG
４に高レベル電圧VHが印加されている間にPDに
蓄積されている信号電荷が垂直CCDへ移動され、
第２図ｂに示すように例えばＡフイールド期間で
蓄積された信号電荷が出力部２よりＢフイールド
期間に読出される。この信号出力をSAとすると、
ＢフイールドでPDに蓄積された信号電荷による
信号出力SBは１フイールド期間遅れて続いて読出
される。
に印加する電圧波形を、第２図ｂは信号出力波形
を、第２図ｃは高速シヤツタ時のシヤツタ開閉を
各々示す。すなわち第２図ａに示すようにFSG
４に高レベル電圧VHが印加されている間にPDに
蓄積されている信号電荷が垂直CCDへ移動され、
第２図ｂに示すように例えばＡフイールド期間で
蓄積された信号電荷が出力部２よりＢフイールド
期間に読出される。この信号出力をSAとすると、
ＢフイールドでPDに蓄積された信号電荷による
信号出力SBは１フイールド期間遅れて続いて読出
される。
この場合第１図で説明したように全てのPDで
Ａフイールド期間で蓄積された信号電荷が全て垂
直CCDに移動された後新たにＢフイールドでの
信号蓄積が行われる。従つて第２図ｂに示すよう
にＢフイールドでの信号出力SBが得られるために
は、Ｂフイールド期間に何らかの光入力が必要で
ある。
Ａフイールド期間で蓄積された信号電荷が全て垂
直CCDに移動された後新たにＢフイールドでの
信号蓄積が行われる。従つて第２図ｂに示すよう
にＢフイールドでの信号出力SBが得られるために
は、Ｂフイールド期間に何らかの光入力が必要で
ある。
しかるに第２図ｃに示すように例えば1/1000秒
だけ光学シヤツタが開きその間だけ光入力がある
ような高速シヤツタ動作においては、Ａフイール
ド信号出力SAは得られるがＢフイールド信号出
力SBは得られないことになる。これは第１図で説
明したところの感光領域全域から2N×Ｍ個のサ
ンプル点が得られず、高速シヤツタ動作ではＮ×
Ｍ個のサンプル点しか得られないことを意味す
る。
だけ光学シヤツタが開きその間だけ光入力がある
ような高速シヤツタ動作においては、Ａフイール
ド信号出力SAは得られるがＢフイールド信号出
力SBは得られないことになる。これは第１図で説
明したところの感光領域全域から2N×Ｍ個のサ
ンプル点が得られず、高速シヤツタ動作ではＮ×
Ｍ個のサンプル点しか得られないことを意味す
る。
従つて高速シヤツタ動作では前述したように垂
直方向の画素数が半分になり、解像度が大幅に低
下してしまう。
直方向の画素数が半分になり、解像度が大幅に低
下してしまう。
以上述べたように、従来の方式で解像度を低下
させずに高速シヤツタ動作を行うとしても高々1/
６０秒までしかできず、これ以上の高速シヤツタ動
作を行おうとうすると、解像度が大幅に低下して
しまい、実用に供することができない。
させずに高速シヤツタ動作を行うとしても高々1/
６０秒までしかできず、これ以上の高速シヤツタ動
作を行おうとうすると、解像度が大幅に低下して
しまい、実用に供することができない。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、解像
度を低下させることなく高速シヤツタ動作を可能
とした電子カメラを提供することを目的とする。
度を低下させることなく高速シヤツタ動作を可能
とした電子カメラを提供することを目的とする。
本発明はインターライン転送方式の固体撮像装
置を用い、この固体撮像装置への入射光像の通過
を制御するための光学シヤツタの開口期間を、感
光部に蓄積された信号電荷を読み出し部に同時に
転送せしめる動作の前後において、同じ期間だけ
設けるようにしたことを特徴とする。
置を用い、この固体撮像装置への入射光像の通過
を制御するための光学シヤツタの開口期間を、感
光部に蓄積された信号電荷を読み出し部に同時に
転送せしめる動作の前後において、同じ期間だけ
設けるようにしたことを特徴とする。
このようにした本発明によれば、信号電荷の読
み出し部への転送動作の前及び後で感光部で信号
電荷が発生・蓄積されるため出力部からはその両
方の信号電荷が読み出されることとなり、かつ1/
１０００秒程度の高速シヤツタ動作が容易に達成され
るため、特に電子カメラにとつて極めて有効とな
る。
み出し部への転送動作の前及び後で感光部で信号
電荷が発生・蓄積されるため出力部からはその両
方の信号電荷が読み出されることとなり、かつ1/
１０００秒程度の高速シヤツタ動作が容易に達成され
るため、特に電子カメラにとつて極めて有効とな
る。
以下図面を用いて本発明を詳細に説明する。
第３図は本発明の固体撮像装置における駆動方
式の一実施例を示す図で、第３図ａはフイールド
シフトゲート（FSG）に印加する電圧波形を示
す。すなわち第１図に示したIT−CCDのFSG４
に高レベル電圧VHを印加することによりPD（Pi，
Pi′に蓄積された信号電荷を垂直CCD（C1，C2，
…，CM）に移動せしめる。
式の一実施例を示す図で、第３図ａはフイールド
シフトゲート（FSG）に印加する電圧波形を示
す。すなわち第１図に示したIT−CCDのFSG４
に高レベル電圧VHを印加することによりPD（Pi，
Pi′に蓄積された信号電荷を垂直CCD（C1，C2，
…，CM）に移動せしめる。
ここで、例えばビデオカメラのように連続して
各フイールドの画像信号を得る場合は上記VH印
加パルスは１フイールド毎に繰返し印加される
が、電子カメラにおいては瞬時の画像を撮像する
ため、第３図ａに示すように少なくとも２個でよ
い。また印加パルス幅TSはPDから垂直CCDへの
信号電荷移動期間で、1μ〜10μ秒である。
各フイールドの画像信号を得る場合は上記VH印
加パルスは１フイールド毎に繰返し印加される
が、電子カメラにおいては瞬時の画像を撮像する
ため、第３図ａに示すように少なくとも２個でよ
い。また印加パルス幅TSはPDから垂直CCDへの
信号電荷移動期間で、1μ〜10μ秒である。
第３図ｂはシヤツタ開口期間を示す。この実施
例によれば本図に示すように、高レベル電圧VH
保持期間にまたがる期間TOだけ開口させる。こ
の期間TOは例えば1/1000秒（1m秒）である。こ
こで、シヤツタが開口してTO／２期間後、即ち
開口期間の中心時期を第３図ａの高レベル電圧保
持期間TSの終端に一致させることが望ましい。
これは、第３図ａで示した高レベル電圧印加期間
にもPDに光照射があり、この光照射によつて発
生した信号電荷が高レベル電圧印加期間に垂直
CCDに流入するからである。
例によれば本図に示すように、高レベル電圧VH
保持期間にまたがる期間TOだけ開口させる。こ
の期間TOは例えば1/1000秒（1m秒）である。こ
こで、シヤツタが開口してTO／２期間後、即ち
開口期間の中心時期を第３図ａの高レベル電圧保
持期間TSの終端に一致させることが望ましい。
これは、第３図ａで示した高レベル電圧印加期間
にもPDに光照射があり、この光照射によつて発
生した信号電荷が高レベル電圧印加期間に垂直
CCDに流入するからである。
このように高レベル電圧VHの終端を中心にし
て、その前後にTO／２ずつ開口せしめることに
より、前半の開口期間TO／２でPDに発生し蓄積
された信号電荷は高レベル電圧VH１０の印加に
より垂直CCDに移送され、後半の開口期間TO／
２でPDに発生し蓄積された信号電荷は、次の高
レベル電圧VH１１の印加により垂直CCDに移送
される。その結果信号出力は第３図ｃに示すよう
にＡフイールドの信号SAとＢフイールドの信号
SBの両方が得られることになる。
て、その前後にTO／２ずつ開口せしめることに
より、前半の開口期間TO／２でPDに発生し蓄積
された信号電荷は高レベル電圧VH１０の印加に
より垂直CCDに移送され、後半の開口期間TO／
２でPDに発生し蓄積された信号電荷は、次の高
レベル電圧VH１１の印加により垂直CCDに移送
される。その結果信号出力は第３図ｃに示すよう
にＡフイールドの信号SAとＢフイールドの信号
SBの両方が得られることになる。
ここで上述のようにシヤツタ開口期間の中心が
高レベル電圧VHの終端に一致しているため、Ａ
フーイルド、Ｂフイールドにおける光照射期間は
一致しており、従つて信号出力SAとSBのレベル
はほぼ同じである。
高レベル電圧VHの終端に一致しているため、Ａ
フーイルド、Ｂフイールドにおける光照射期間は
一致しており、従つて信号出力SAとSBのレベル
はほぼ同じである。
このようにFSGへ印加する高レベル電圧VH保
持期間にまたがるようにシヤツタを開口させて光
入射を行うという全く新規な方式を採用すること
により、例えば1/1000秒という高速シヤツタ動作
を必要とする場合においてもＡ，Ｂ両フイールド
の信号を出力することができる。従つて解像度を
低下させることなく電子カメラに適用することが
できる。
持期間にまたがるようにシヤツタを開口させて光
入射を行うという全く新規な方式を採用すること
により、例えば1/1000秒という高速シヤツタ動作
を必要とする場合においてもＡ，Ｂ両フイールド
の信号を出力することができる。従つて解像度を
低下させることなく電子カメラに適用することが
できる。
尚、上述したとうりVH印加パルスの終端時点
とTO／２時点を完全に一致させることが望まし
いが、VH印加パルスの幅TSは1μ秒程度であるた
め、シヤツタ開口期間TOを例えば1/1000秒（1m
秒）とすると、TSはシヤツタ開口時間TOの0.1％
程度と極めて短い。よつてVH印加パルスの終端
とシヤツタ開口期間の中心は多少のズレがあつて
もさしつかえない。
とTO／２時点を完全に一致させることが望まし
いが、VH印加パルスの幅TSは1μ秒程度であるた
め、シヤツタ開口期間TOを例えば1/1000秒（1m
秒）とすると、TSはシヤツタ開口時間TOの0.1％
程度と極めて短い。よつてVH印加パルスの終端
とシヤツタ開口期間の中心は多少のズレがあつて
もさしつかえない。
また本発明は固体撮像チツプ基板を１個、２個
あるいは３個用いてカラー撮像を行う電子カメラ
にも適用でき、２枚、３枚式電子カメラにおいて
は本発明と絵素ずらし法を共用することにより更
に高解像度の画像を得ることができる。
あるいは３個用いてカラー撮像を行う電子カメラ
にも適用でき、２枚、３枚式電子カメラにおいて
は本発明と絵素ずらし法を共用することにより更
に高解像度の画像を得ることができる。
さらに本発明の説明では２次元のセンサについ
て述べたが、１次元センサに対しても高解像度化
ができる。
て述べたが、１次元センサに対しても高解像度化
ができる。
また第１図のIT−CCDは垂直方向のPD数が垂
直CCDの段数の２倍のものについて示したが、
本発明は垂直方向のPD数と垂直CCDの段数が同
じものについても適用できる。
直CCDの段数の２倍のものについて示したが、
本発明は垂直方向のPD数と垂直CCDの段数が同
じものについても適用できる。
第１図はインターライン転送方式CCDの概略
構成図、第２図は第１図に示したCCDを用いて
高速シヤツタ動作を行なう場合の問題点を説明す
るための図、第３図は本発明の固体撮像装置の駆
動方式の一実施例を示す図である。 P11，P11′，P12，P12′，…，PMN，PMN′）……
感光部、C1，C2，…，CM……垂直CCD、１……
水平CCDシフトレジスタ、２……出力部、４…
…フイールドシフトゲート。
構成図、第２図は第１図に示したCCDを用いて
高速シヤツタ動作を行なう場合の問題点を説明す
るための図、第３図は本発明の固体撮像装置の駆
動方式の一実施例を示す図である。 P11，P11′，P12，P12′，…，PMN，PMN′）……
感光部、C1，C2，…，CM……垂直CCD、１……
水平CCDシフトレジスタ、２……出力部、４…
…フイールドシフトゲート。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に２次元的に配列された感光部
を有し、この感光部において光電変換された後蓄
積された信号電荷を読み出し部に同時に転送せし
めて読み出す間、前記感光部が次につながる期間
の光照射による信号電荷の蓄積動作を行うインタ
ーライン転送方式の固体撮像装置と、この固体撮
像装置に任意の期間入射光学像を照射するための
光学シヤツタとを備え、この光学シヤツタの開口
期間は前記感光部に蓄積された信号電荷を前記読
み出し部に転送させるための制御パルス信号の終
端を中心としてその前後に連続して同じ所定期間
だけ設けられていることを特徴とする電子カメ
ラ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051418A JPS58169966A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 固体撮像装置の駆動方式 |
| DE8383301634T DE3380288D1 (en) | 1982-03-31 | 1983-03-23 | Electronic image sensing apparatus |
| US06/478,104 US4535363A (en) | 1982-03-31 | 1983-03-23 | Electronic image sensing apparatus |
| EP83301634A EP0090597B1 (en) | 1982-03-31 | 1983-03-23 | Electronic image sensing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051418A JPS58169966A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 固体撮像装置の駆動方式 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1160801A Division JPH0270181A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169966A JPS58169966A (ja) | 1983-10-06 |
| JPH0454429B2 true JPH0454429B2 (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=12886375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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- 1983-03-23 US US06/478,104 patent/US4535363A/en not_active Expired - Lifetime
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