JPH0455961A - マイクロコンピュータ - Google Patents
マイクロコンピュータInfo
- Publication number
- JPH0455961A JPH0455961A JP2166472A JP16647290A JPH0455961A JP H0455961 A JPH0455961 A JP H0455961A JP 2166472 A JP2166472 A JP 2166472A JP 16647290 A JP16647290 A JP 16647290A JP H0455961 A JPH0455961 A JP H0455961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- read
- program
- programmable rom
- storage area
- control information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Storage Device Security (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、プログラマブルROM (リードオンリメモ
リ)を有するマイクロコンピュータに関する。
リ)を有するマイクロコンピュータに関する。
[従来の技術]
一般に、マイクロコンピュータはプログラム記憶用のR
OMを内蔵している。
OMを内蔵している。
このROMがマスクROMである場合、マイクロコンピ
ュータを製造する工程においてプログラムが設定される
。このため、ソフトウェア技術者がプログラムを作成し
てからこのプログラムを設定したマスクROM内蔵のマ
イクロコンピュータが形成されるまでに多大の時間がか
かつてしまう。
ュータを製造する工程においてプログラムが設定される
。このため、ソフトウェア技術者がプログラムを作成し
てからこのプログラムを設定したマスクROM内蔵のマ
イクロコンピュータが形成されるまでに多大の時間がか
かつてしまう。
また、使用数量が少ないマイクロコンピュータの場合、
各種類毎に異なるマスクを作成する必要があるため、手
数及びコストの面から問題が生じる。
各種類毎に異なるマスクを作成する必要があるため、手
数及びコストの面から問題が生じる。
このような問題を解決するため、マイクロコンピュータ
作成後にプログラムを電気的に書き込み可能なプログラ
マブルROMを内蔵するマイクロコンピュータが開発さ
れている。
作成後にプログラムを電気的に書き込み可能なプログラ
マブルROMを内蔵するマイクロコンピュータが開発さ
れている。
FROM (プログラマブルROM)には、これを構成
する素子構造の違いからEFROM (イレーザブルP
ROM) 、E2PROM (電気的イレーザブルFR
OM)及び不揮発性PROMがある。
する素子構造の違いからEFROM (イレーザブルP
ROM) 、E2PROM (電気的イレーザブルFR
OM)及び不揮発性PROMがある。
EPROMにおいては、電気的に書き込んだデータは紫
外線を照射することにより一括して消去される。
外線を照射することにより一括して消去される。
E2FROMにおいては、データを消去する方法の違い
により、1ビツト毎に書き換える1ビット書き換え型と
全データ又はブロック毎に消去するフラッシュ型とがあ
る。このフラッシュ型E2FROMは消去時間が短く、
1ビット書き換え型に比べ安価に製造できる利点かあり
E2FROMの主流になりつつある。
により、1ビツト毎に書き換える1ビット書き換え型と
全データ又はブロック毎に消去するフラッシュ型とがあ
る。このフラッシュ型E2FROMは消去時間が短く、
1ビット書き換え型に比べ安価に製造できる利点かあり
E2FROMの主流になりつつある。
不揮発性FROMは、−度電気的に書き込んだデータを
消去できない構造となっており、ヒユーズ溶断型FRO
Mやダイオード破壊型FROMなどがある。
消去できない構造となっており、ヒユーズ溶断型FRO
Mやダイオード破壊型FROMなどがある。
第3図は、上述した如きプログラマブルROMを内蔵し
た従来のマイクロコンピュータの構成を概略的に示すブ
ロック図である。
た従来のマイクロコンピュータの構成を概略的に示すブ
ロック図である。
同図において、lOはマイクロコンピュータを示してお
り、このマイクロコンピュータ1θ内にはプログラマブ
ルROMII、プログラムカウンタI2、ALU (演
算器)13、レジスタ14、RAM (ランダムアクセ
スメモリ)15、周辺回路16、及び入出力ボート17
等が設けられている。
り、このマイクロコンピュータ1θ内にはプログラマブ
ルROMII、プログラムカウンタI2、ALU (演
算器)13、レジスタ14、RAM (ランダムアクセ
スメモリ)15、周辺回路16、及び入出力ボート17
等が設けられている。
作成されたプログラムは、入出力ボート17を通じてプ
ログラマブルROMIIへ書き込まれる。プログラムが
正常に書き込まれているかどうかを確かめるため、プロ
グラマブルROMIIのデータを外部へ読み出す機能が
設けられている。この機能を読み出し機能と称する。
ログラマブルROMIIへ書き込まれる。プログラムが
正常に書き込まれているかどうかを確かめるため、プロ
グラマブルROMIIのデータを外部へ読み出す機能が
設けられている。この機能を読み出し機能と称する。
第4図は、マイクロコンピュータ10内におけるプログ
ラマブルROMIIへのプログラムの書き込み回路及び
読み出し回路部分を示している。
ラマブルROMIIへのプログラムの書き込み回路及び
読み出し回路部分を示している。
プログラムの書き込み動作は、外部からマイクロコンピ
ュータlOを書き込みモードに設定して開始する。この
書き込みモードにおいて、プログラムアドレスA。−A
7が入出力ポート17に印加されると、アドレスデコー
ダ18によってプログラマブルROMIIのメモリマト
リクスにおける1バイトのメモリセルが選択される。こ
の時、書き込み信号が外部からプログラマブルROMI
Iへ与えられると、入出力ポート17に入力されたプロ
グラムデータD。〜D7と同じデータDvo−Dv7が
上述の選択された1バイトのメモリセルに書き込まれる
。全てのアドレスについて、この手順でプログラムを書
き込むことにより書き込みが完了する。
ュータlOを書き込みモードに設定して開始する。この
書き込みモードにおいて、プログラムアドレスA。−A
7が入出力ポート17に印加されると、アドレスデコー
ダ18によってプログラマブルROMIIのメモリマト
リクスにおける1バイトのメモリセルが選択される。こ
の時、書き込み信号が外部からプログラマブルROMI
Iへ与えられると、入出力ポート17に入力されたプロ
グラムデータD。〜D7と同じデータDvo−Dv7が
上述の選択された1バイトのメモリセルに書き込まれる
。全てのアドレスについて、この手順でプログラムを書
き込むことにより書き込みが完了する。
プログラムの読み出し動作は、マイクロコンピュータl
Oを読み出しモードに設定した状態で読み出しアドレス
A。−A。を入出力ポート17へ印加する。これにより
、メモリマトリクスの該当アドレスのプログラムデータ
D RO−D R?が出力され、入出力ポート17を介
して外部へ出力される。
Oを読み出しモードに設定した状態で読み出しアドレス
A。−A。を入出力ポート17へ印加する。これにより
、メモリマトリクスの該当アドレスのプログラムデータ
D RO−D R?が出力され、入出力ポート17を介
して外部へ出力される。
[発明が解決しようとする課題]
上述したごとき従来のマイクロコンピュータによると、
プログラマブルROM内のプログラムが読み出し機能を
用いることにより不正に読み出されてしまう恐れがある
。
プログラマブルROM内のプログラムが読み出し機能を
用いることにより不正に読み出されてしまう恐れがある
。
従って本発明の目的は、プログラマブルROM内に書き
込まれているプログラムを不正に読み出すことのできな
いマイクロコンピュータを提供することにある。
込まれているプログラムを不正に読み出すことのできな
いマイクロコンピュータを提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上述の目的を達成する本願の第1の発明の要旨は、プロ
グラムが書き込まれるプログラマブルROMと、プログ
ラマブルROM内のプログラムを読み出すための読み出
し回路と、プログラマブルROMの一部領域に割り当て
られた読み出し制御情報記憶領域と、読み出し制御情報
記憶領域の内容に応じて上述の読み出し回路の読み出し
動作を阻止する読み出し阻止回路とを備えたことにある
。
グラムが書き込まれるプログラマブルROMと、プログ
ラマブルROM内のプログラムを読み出すための読み出
し回路と、プログラマブルROMの一部領域に割り当て
られた読み出し制御情報記憶領域と、読み出し制御情報
記憶領域の内容に応じて上述の読み出し回路の読み出し
動作を阻止する読み出し阻止回路とを備えたことにある
。
本願の第2の発明の要旨は、プログラムが書き込まれる
プログラマブルROMと、プログラマブルROM内のプ
ログラムを読み出すための読み出し回路と、上述のプロ
グラマブルROMに隣接して配置されたプログラマブル
ROMの一部領域に割り当てられた読み出し制御情報記
憶領域と、読み出し制御情報記憶領域の内容に応じて上
述の読み出し回路の読み出し動作を阻止する読み出し阻
止回路とを備えたことにある。
プログラマブルROMと、プログラマブルROM内のプ
ログラムを読み出すための読み出し回路と、上述のプロ
グラマブルROMに隣接して配置されたプログラマブル
ROMの一部領域に割り当てられた読み出し制御情報記
憶領域と、読み出し制御情報記憶領域の内容に応じて上
述の読み出し回路の読み出し動作を阻止する読み出し阻
止回路とを備えたことにある。
本願の第3の発明の要旨は、上述の一部領域にさらに、
当該マイクロコンピュータの機能を変更するための情報
を記憶する機能変更制御情報記憶領域が割り当てられて
いることにある。
当該マイクロコンピュータの機能を変更するための情報
を記憶する機能変更制御情報記憶領域が割り当てられて
いることにある。
[作用コ
プログラムの書き込まれるプログラマブルROMの一部
領域に割り当てられた読み出し制御情報記憶領域又はプ
ログラムの書き込まれるプログラマブルROMに隣接し
て配置されたプログラマブルROMの一部領域に割り当
てられた読み出し制御情報記憶領域に書き込まれた情報
により読み出し回路の読み出し動作を制御し、読み出し
動作を禁止する情報を書き込んだ後ではプログラムを読
み出せないようにする。
領域に割り当てられた読み出し制御情報記憶領域又はプ
ログラムの書き込まれるプログラマブルROMに隣接し
て配置されたプログラマブルROMの一部領域に割り当
てられた読み出し制御情報記憶領域に書き込まれた情報
により読み出し回路の読み出し動作を制御し、読み出し
動作を禁止する情報を書き込んだ後ではプログラムを読
み出せないようにする。
[実施例コ
以下本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例の構成を概略的に示すブロッ
ク図である。
ク図である。
同図において、20はマイクロコンピュータを示してお
り、このマイクロコンピュータ20内にはプログラマブ
ルROM2にプログラムカウンタ22、ALU23、レ
ジスタ24、RAM25、周辺回路26、入出力ポート
27、アドレスデコーダ28、及びこれらを相互に接続
するバス29等が通常の接続形態で設けられている。
り、このマイクロコンピュータ20内にはプログラマブ
ルROM2にプログラムカウンタ22、ALU23、レ
ジスタ24、RAM25、周辺回路26、入出力ポート
27、アドレスデコーダ28、及びこれらを相互に接続
するバス29等が通常の接続形態で設けられている。
本実施例では、さらに、プログラマブルROM21から
読み出されるプログラムの読み出し回路中に読み出し阻
止回路30が設けられている。
読み出されるプログラムの読み出し回路中に読み出し阻
止回路30が設けられている。
なお、本実施例においては、プログラム記憶用のプログ
ラマブルROM21としてEPROM(イレーザブルF
ROM)が用いられており、このプログラマブルROM
21の一部領域(1バイト)には、マイクロコンピュー
タ20の機能の一部を制御するための機能変更制御情報
記憶領域21aとプログラムの外部への読み出しを制御
するための読み出し制御情報記憶領域21bとが形成さ
れている。
ラマブルROM21としてEPROM(イレーザブルF
ROM)が用いられており、このプログラマブルROM
21の一部領域(1バイト)には、マイクロコンピュー
タ20の機能の一部を制御するための機能変更制御情報
記憶領域21aとプログラムの外部への読み出しを制御
するための読み出し制御情報記憶領域21bとが形成さ
れている。
機能変更制御情報記憶領域21aは図示しない機能変更
部に接続されており、マイクロコンピュータ20の一部
機能を用途に合せて変更するための情報が格納されてい
る。例えば、入出力ポートを入力専用ポート又は出力専
用ポートに設定する機能、入力ポートへ取り付ける内部
抵抗をプルアップ抵抗にするかプルダウン抵抗にするか
を設定する機能、もしくは入力又は出力の信号レベルの
極性を変更する機能等である。もちろん、これ以外の機
能に変更するためのものであっても構わない。
部に接続されており、マイクロコンピュータ20の一部
機能を用途に合せて変更するための情報が格納されてい
る。例えば、入出力ポートを入力専用ポート又は出力専
用ポートに設定する機能、入力ポートへ取り付ける内部
抵抗をプルアップ抵抗にするかプルダウン抵抗にするか
を設定する機能、もしくは入力又は出力の信号レベルの
極性を変更する機能等である。もちろん、これ以外の機
能に変更するためのものであっても構わない。
読み出し制御情報記憶領域21bは読み出し阻止回路3
0に接続されており、この読み出し阻止回路30の制御
を行うための1ビツトの情報が書き込まれている。
0に接続されており、この読み出し阻止回路30の制御
を行うための1ビツトの情報が書き込まれている。
本実施例においては、第1図に示すように、プログラム
データが8ビツト、プログラムアドレスが(m+1)ビ
ットとなっている。しかしながら、本発明はこれ以外の
ビット数でも同様に実現できる。また、プログラムアド
レス選択を1ビツトでシリアルに行なってもよい。
データが8ビツト、プログラムアドレスが(m+1)ビ
ットとなっている。しかしながら、本発明はこれ以外の
ビット数でも同様に実現できる。また、プログラムアド
レス選択を1ビツトでシリアルに行なってもよい。
第2図は第1図の読み出し阻止回路30の構成例を表す
回路図である。
回路図である。
同図に示すように、読み出し阻止回路30はプログラマ
ブルROM2+から出力されるプログラムデータDRO
〜DR7がそれぞれ一方の入力端子へ印加され、他方の
入力端子へ読み出し制御情報記憶領域21bからの1ビ
ツトの情報が印加されるように構成された8つの2人カ
アンドゲート30a〜3Qhから構成されている。従っ
て、読み出し制御情報記憶領域21bからの1ビツトの
情報が「1」の場合にプログラムデータD RO−’−
D R7が通過可能となり、「0」の場合にプログラム
データD、。〜DR7の通過が阻止される。
ブルROM2+から出力されるプログラムデータDRO
〜DR7がそれぞれ一方の入力端子へ印加され、他方の
入力端子へ読み出し制御情報記憶領域21bからの1ビ
ツトの情報が印加されるように構成された8つの2人カ
アンドゲート30a〜3Qhから構成されている。従っ
て、読み出し制御情報記憶領域21bからの1ビツトの
情報が「1」の場合にプログラムデータD RO−’−
D R7が通過可能となり、「0」の場合にプログラム
データD、。〜DR7の通過が阻止される。
この読み出し阻止回路30の構成は第2図の例に限定さ
れるものではなく、読み出し制御情報記憶領域21bか
らの情報に応じてプログラムデータの通過を阻止できる
構成であればどのようなものでもよい。
れるものではなく、読み出し制御情報記憶領域21bか
らの情報に応じてプログラムデータの通過を阻止できる
構成であればどのようなものでもよい。
次に本実施例の動作を説明する。
プログラムの書き込み動作は、外部からマイクロコンピ
ュータ20を書き込みモードに設定して開始する。この
書き込みモードにおいて、入出力ポート27に印加され
たプログラムアドレスA。〜A、は、バス29を介して
アドレスデコーダ28へ印加される。そしてこのアドレ
スデコーダ28により、プログラマブルROM21のメ
モリマトリクスにおける1バイトのメモリセルが選択さ
れる。この時、書き込み信号が外部からプログラマブル
ROM21へ与えられると、入出力ポート21に入力さ
れたプログラムデータD。−D7と同じデータD、。〜
D、7が上述の選択された1バイトのメモリセルに書き
込まれる。全てのアドレスについて、この手順でプログ
ラムを書き込むことにより書き込みが完了する。
ュータ20を書き込みモードに設定して開始する。この
書き込みモードにおいて、入出力ポート27に印加され
たプログラムアドレスA。〜A、は、バス29を介して
アドレスデコーダ28へ印加される。そしてこのアドレ
スデコーダ28により、プログラマブルROM21のメ
モリマトリクスにおける1バイトのメモリセルが選択さ
れる。この時、書き込み信号が外部からプログラマブル
ROM21へ与えられると、入出力ポート21に入力さ
れたプログラムデータD。−D7と同じデータD、。〜
D、7が上述の選択された1バイトのメモリセルに書き
込まれる。全てのアドレスについて、この手順でプログ
ラムを書き込むことにより書き込みが完了する。
プログラムを照合するためにプログラマブルROM21
からプログラムを読み出す場合は次のように動作する。
からプログラムを読み出す場合は次のように動作する。
まず、読み出し制御情報記憶領域21bの初期状態を「
1」としておく。この状態はプログラマブルROM2+
が紫外線の消去により初期化されている状態に対応する
。
1」としておく。この状態はプログラマブルROM2+
が紫外線の消去により初期化されている状態に対応する
。
この状態でマイクロコンピュータ20を読み出しモード
に設定し、読み出しアドレスA。−A、を入出力ポート
27へ印加すると、メモリマトリクスからは該当アドレ
スのプログラムデータD、。〜D、7が出力される。読
み出し制御情報記憶領域21bからの1ビツトの情報が
「1」であるため、読み出し阻止回路30はプログラム
データD !10−’−D l?を通過可能とする状態
にあり、従ってプログラムデータD 10〜D R7と
同じデータD+to’ 〜D117’ が入出力ポート
27を介して外部へ出力される。
に設定し、読み出しアドレスA。−A、を入出力ポート
27へ印加すると、メモリマトリクスからは該当アドレ
スのプログラムデータD、。〜D、7が出力される。読
み出し制御情報記憶領域21bからの1ビツトの情報が
「1」であるため、読み出し阻止回路30はプログラム
データD !10−’−D l?を通過可能とする状態
にあり、従ってプログラムデータD 10〜D R7と
同じデータD+to’ 〜D117’ が入出力ポート
27を介して外部へ出力される。
このように、読み出し制御情報記憶領域21bの情報が
「1」の期間には、プログラマブルROM21に書き込
んだプログラムを外部へ読み出して照合することができ
る。
「1」の期間には、プログラマブルROM21に書き込
んだプログラムを外部へ読み出して照合することができ
る。
この照合が終了した後、読み出し制御情報記憶領域21
bに情報「0」を書き込む。これにより、読み出し阻止
回路30はプログラムデータDio−D117の通過を
阻止する状態となる。その結果、マイクロコンピュータ
20の外部からアクセスしても、プログラマブルROR
21に記憶されているプログラムは入出力ポート27か
ら出力されない。
bに情報「0」を書き込む。これにより、読み出し阻止
回路30はプログラムデータDio−D117の通過を
阻止する状態となる。その結果、マイクロコンピュータ
20の外部からアクセスしても、プログラマブルROR
21に記憶されているプログラムは入出力ポート27か
ら出力されない。
読み出し制御情報記憶領域21bに「0」の情報を一度
書き込むと、以後プログラムの読み出しはできなくなる
。即ち、読み出し阻止回路30をプログラムデータ通過
可能状態にしようとして読み出し制御情報記憶領域21
bの情報を「1」に戻すためには、EFROMであるプ
ログラマブルROM21に紫外線を照射しなければなら
ない。しかしながら、プログラマブルROM2+に紫外
線を照射すると、記憶されているプログラム自体も全て
消去されてしまうため、結局、プログラムを読みaすこ
とができないこととなる。
書き込むと、以後プログラムの読み出しはできなくなる
。即ち、読み出し阻止回路30をプログラムデータ通過
可能状態にしようとして読み出し制御情報記憶領域21
bの情報を「1」に戻すためには、EFROMであるプ
ログラマブルROM21に紫外線を照射しなければなら
ない。しかしながら、プログラマブルROM2+に紫外
線を照射すると、記憶されているプログラム自体も全て
消去されてしまうため、結局、プログラムを読みaすこ
とができないこととなる。
本実施例ではプログラム記憶用のプログラマブルROR
21の一部領域(1バイト)に、機能変更制御情報記憶
領域21aと読み出し制御情報記憶領域21bとを形成
しているので、プログラマブルROM21のアドレスラ
インを共有できる。従って、プログラマブルROM21
のメモリ容量に対応したFROMライタを使用し、プロ
グラムの書き込みと同時に機能変更制御情報記憶領域2
1a及び読み出し制御情報記憶領域21bにも情報を書
き込むことができるため機能の変更及びプログラムの呼
び出し制御を容易に行える。
21の一部領域(1バイト)に、機能変更制御情報記憶
領域21aと読み出し制御情報記憶領域21bとを形成
しているので、プログラマブルROM21のアドレスラ
インを共有できる。従って、プログラマブルROM21
のメモリ容量に対応したFROMライタを使用し、プロ
グラムの書き込みと同時に機能変更制御情報記憶領域2
1a及び読み出し制御情報記憶領域21bにも情報を書
き込むことができるため機能の変更及びプログラムの呼
び出し制御を容易に行える。
なお、同一のマイクロコンピュータに内蔵されたプログ
ラム記憶用EFROMとは別個のEFROMに読み出し
制御情報記憶領域を設けてもよい。
ラム記憶用EFROMとは別個のEFROMに読み出し
制御情報記憶領域を設けてもよい。
この場合、レイアウト設計時に両EFROMを隣接して
配置する。これにより、紫外線を照射した場合に記憶さ
れているプログラム自体も全て消去されてしまうため、
プログラムを読み出すことができない。
配置する。これにより、紫外線を照射した場合に記憶さ
れているプログラム自体も全て消去されてしまうため、
プログラムを読み出すことができない。
以上の実施例ではプログラマブルROMとじてEPRO
Mを用いているが、フラッシュ型E2FROMを用いて
もよく、その場合の作用効果も同様である。即ち、読み
出し制御情報記憶領域21bの情報を変更してプログラ
ムを読み出すためには、ブロック単位の情報又は全情報
を消去する必要があり、このためプログラムも消去され
てプログラムを読み出すことが不可能となる。
Mを用いているが、フラッシュ型E2FROMを用いて
もよく、その場合の作用効果も同様である。即ち、読み
出し制御情報記憶領域21bの情報を変更してプログラ
ムを読み出すためには、ブロック単位の情報又は全情報
を消去する必要があり、このためプログラムも消去され
てプログラムを読み出すことが不可能となる。
プログラマブルROMとして不揮発性FROMを用いて
もよく、その場合の作用効果も同様である。即ち、書き
込んだプログラムを読み出し照合した後に読み出し制御
情報記憶領域21bの情報を変更すれば、以後はプログ
ラムを読み出すことが不可能となる。
もよく、その場合の作用効果も同様である。即ち、書き
込んだプログラムを読み出し照合した後に読み出し制御
情報記憶領域21bの情報を変更すれば、以後はプログ
ラムを読み出すことが不可能となる。
[発明の効果コ
以上詳細に説明したように本発明によれば、プログラム
が書き込まれるプログラマブルROMと、プログラマブ
ルROM内のプログラムを読み出すための読み出し回路
と、このプログラマブルROMの一部領域に割り当てら
れた読み出し制御情報記憶領域又はプログラムの書き込
まれるプログラマブルROMに隣接して配置されたプロ
グラマブルROMの一部領域に割り当てられた読み出し
制御情報記憶領域と、読み出し制御情報記憶領域の内容
に応じて上述の読み6し回路の読み出し動作を阻止する
読み出し阻止回路とを備えているため、プログラムを読
み出し照合した後に読み出し制御情報記憶領域の情報を
変更することによりプログラムの不正読み出しを防止す
ることができる。
が書き込まれるプログラマブルROMと、プログラマブ
ルROM内のプログラムを読み出すための読み出し回路
と、このプログラマブルROMの一部領域に割り当てら
れた読み出し制御情報記憶領域又はプログラムの書き込
まれるプログラマブルROMに隣接して配置されたプロ
グラマブルROMの一部領域に割り当てられた読み出し
制御情報記憶領域と、読み出し制御情報記憶領域の内容
に応じて上述の読み6し回路の読み出し動作を阻止する
読み出し阻止回路とを備えているため、プログラムを読
み出し照合した後に読み出し制御情報記憶領域の情報を
変更することによりプログラムの不正読み出しを防止す
ることができる。
第1図は本発明の一実施例の構成を概略的に示すブロッ
ク図、第2図は第1図の読み出し阻止回路の構成例を表
す回路図、第3図は従来のマイクロコンピュータの構成
を概略的に示すブロック図、第4図は第3図のプログラ
マブルROMへのプログラムの書き込み回路及び読み出
し回路部分を示すブロック図である。 20・・・・・・マイクロコンピュータ、21・・・・
・・プログラマブルROM、21a・・・・・・機能変
更制御情報記憶領域、21b・・・・・・読み出し制御
情報記憶領域、22・・・・・・プログラムカウンタ、
23・・・・・・ALU、24・・・・・・レジスタ、
25・・・・・・RAM、26・・・・・・周辺回路、
27・・・・・・入出力ポート、28・・・・・・アド
レスデコーダ、29・・・・・・バス、30・・・・・
・読み出し阻止回路、30a〜30h・・・・・・アン
ドゲート。
ク図、第2図は第1図の読み出し阻止回路の構成例を表
す回路図、第3図は従来のマイクロコンピュータの構成
を概略的に示すブロック図、第4図は第3図のプログラ
マブルROMへのプログラムの書き込み回路及び読み出
し回路部分を示すブロック図である。 20・・・・・・マイクロコンピュータ、21・・・・
・・プログラマブルROM、21a・・・・・・機能変
更制御情報記憶領域、21b・・・・・・読み出し制御
情報記憶領域、22・・・・・・プログラムカウンタ、
23・・・・・・ALU、24・・・・・・レジスタ、
25・・・・・・RAM、26・・・・・・周辺回路、
27・・・・・・入出力ポート、28・・・・・・アド
レスデコーダ、29・・・・・・バス、30・・・・・
・読み出し阻止回路、30a〜30h・・・・・・アン
ドゲート。
Claims (3)
- (1)プログラムが書き込まれるプログラマブルROM
と該プログラマブルROM内のプログラムを読み出すた
めの読み出し回路とを有するマイクロコンピュータであ
って、前記プログラマブルROMの一部領域に割り当て
られた読み出し制御情報記憶領域と、該読み出し制御情
報記憶領域の内容に応じて前記読み出し回路の読み出し
動作を阻止する読み出し阻止回路とを備えたことを特徴
とするマイクロコンピュータ。 - (2)プログラムが書き込まれるプログラマブルROM
と該プログラマブルROM内のプログラムを読み出すた
めの読み出し回路とを有するマイクロコンピュータであ
って、前記プログラマブルROMに隣接して配置された
プログラマブルROMの一部領域に割り当てられた読み
出し制御情報記憶領域と、該読み出し制御情報記憶領域
の内容に応じて前記読み出し回路の読み出し動作を阻止
する読み出し阻止回路とを備えたことを特徴とするマイ
クロコンピュータ。 - (3)前記一部領域にさらに、当該マイクロコンピュー
タの機能を変更するための情報を記憶する機能変更制御
情報記憶領域が割り当てられていることを特徴とする請
求項1又は2に記載のマイクロコンピュータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2166472A JPH0455961A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | マイクロコンピュータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2166472A JPH0455961A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | マイクロコンピュータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0455961A true JPH0455961A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15832032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2166472A Pending JPH0455961A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | マイクロコンピュータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0455961A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674899A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | Memory information protecting circuit |
| JPS5928300A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-14 | Usac Electronics Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6235958A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Hitachi Ltd | マイクロ・コンピユ−タ |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2166472A patent/JPH0455961A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674899A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | Memory information protecting circuit |
| JPS5928300A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-14 | Usac Electronics Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6235958A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Hitachi Ltd | マイクロ・コンピユ−タ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5293610A (en) | Memory system having two-level security system for enhanced protection against unauthorized access | |
| US4430709A (en) | Apparatus for safeguarding data entered into a microprocessor | |
| US5826007A (en) | Memory data protection circuit | |
| US4821240A (en) | Semiconductor integrated circuit with nonvolatile memory | |
| US6339815B1 (en) | Microcontroller system having allocation circuitry to selectively allocate and/or hide portions of a program memory address space | |
| US5206938A (en) | Ic card with memory area protection based on address line restriction | |
| US6229731B1 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device with security function and protect function | |
| US5345413A (en) | Default fuse condition for memory device after final test | |
| US5001332A (en) | Method and circuit for manipulation-proof devaluation of EEPROMS | |
| US5890191A (en) | Method and apparatus for providing erasing and programming protection for electrically erasable programmable read only memory | |
| JPH0812646B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH11203204A (ja) | 読出しおよび/または書込み保護可能領域を含む電気的に消去再書込み可能な不揮発性メモリ、ならびにこのメモリを内蔵した電子システム | |
| JPH10228422A (ja) | デ−タ処理装置 | |
| US5553019A (en) | Write-once read-many memory using EEPROM cells | |
| US6874069B2 (en) | Microcontroller having an embedded non-volatile memory array with read protection for the array or portions thereof | |
| US6883075B2 (en) | Microcontroller having embedded non-volatile memory with read protection | |
| US5978915A (en) | Device for the protection of the access to memory words | |
| US5559989A (en) | Device for protecting memory areas of an electronic microprocessor | |
| US20040186947A1 (en) | Access control system for nonvolatile memory | |
| KR930004944B1 (ko) | 데이타 저장용 메모리 시스템을 구비하는 집적회로 | |
| JP3073748B2 (ja) | 消去及び再書き込み可能なrom用保護装置 | |
| US20040208058A1 (en) | Device and method for partial read-protection of a non-volatile storage | |
| JP2842442B2 (ja) | マイクロコンピュータ、不揮発性半導体記憶装置、ならびにその書込みおよび消去方法 | |
| KR100341424B1 (ko) | 마이크로컴퓨터 | |
| JPH0455961A (ja) | マイクロコンピュータ |