JPH0456344A - 樹脂封止製半導体素子及び封止用金型 - Google Patents
樹脂封止製半導体素子及び封止用金型Info
- Publication number
- JPH0456344A JPH0456344A JP16782390A JP16782390A JPH0456344A JP H0456344 A JPH0456344 A JP H0456344A JP 16782390 A JP16782390 A JP 16782390A JP 16782390 A JP16782390 A JP 16782390A JP H0456344 A JPH0456344 A JP H0456344A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- resin
- cavity
- lead wire
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14549—Coating rod-like, wire-like or belt-like articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/0025—Preventing defects on the moulded article, e.g. weld lines, shrinkage marks
- B29C2045/0027—Gate or gate mark locations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば、ダイオードのように半導体チ、ブに
リード線が接続され、かつ半導体チップのまわりに封止
樹脂部が形成されてなる樹脂封止製半導体素子及びこの
半導体素子を製造する封止用金型に関する。
リード線が接続され、かつ半導体チップのまわりに封止
樹脂部が形成されてなる樹脂封止製半導体素子及びこの
半導体素子を製造する封止用金型に関する。
従来、例えば、ダイオードチップを樹脂で封止した樹脂
パッケージ製のダイオード素子は、第４図に示すように
、ダイオードチップの両端にリード線ｌが接続され、か
つこのダイオードチップのまわりに円筒状の封止樹脂部
２が形成されてなり、この封止樹脂部２の一方の端面３
に形成されたゲート４及びこのゲート４に連通ずるラン
ナー５から樹脂を、型板間に形成された封止樹脂部２成
形用のキャビティ（空隙）内に充填することによって製
造していた。従って、樹脂成形後（インサート成形後）
は、金型から取り出した製品とゲート内の固化樹脂との
分離を行う必要がある。
パッケージ製のダイオード素子は、第４図に示すように
、ダイオードチップの両端にリード線ｌが接続され、か
つこのダイオードチップのまわりに円筒状の封止樹脂部
２が形成されてなり、この封止樹脂部２の一方の端面３
に形成されたゲート４及びこのゲート４に連通ずるラン
ナー５から樹脂を、型板間に形成された封止樹脂部２成
形用のキャビティ（空隙）内に充填することによって製
造していた。従って、樹脂成形後（インサート成形後）
は、金型から取り出した製品とゲート内の固化樹脂との
分離を行う必要がある。
ところで、上記ダイオード素子にあっては、近年、その
小型化が進み、特に、封止樹脂部２の径が小さ（なる傾
向にある。このため、ゲートを設定する封止樹脂部２の
端面３の面積が狭くなることになり、ゲートの径を小さ
くする必要があると共に、離型後の製品とゲート内の固
化樹脂との分離が良好に行われないおそれが出てきた。
小型化が進み、特に、封止樹脂部２の径が小さ（なる傾
向にある。このため、ゲートを設定する封止樹脂部２の
端面３の面積が狭くなることになり、ゲートの径を小さ
くする必要があると共に、離型後の製品とゲート内の固
化樹脂との分離が良好に行われないおそれが出てきた。
すなわち、ゲートの径を小さくすると、結果として、ゲ
ートを流通する樹脂の速度が早くなり、キャビティ内の
樹脂の充填が良好に行われず、特に、ゲートを設けた側
の封止樹脂部２のエア抜きが十分に行われずに、ピンホ
ールが出易くなるおそれがある。また、離型後の製品と
ゲート内の固化樹脂との分離工程においても、封止樹脂
部２の径が小さいためにリード線１がじゃまになって切
断が行いにクク、第５図に示すように、ゲート跡６が所
定量以上に突出する場合があり、製品規格で定められて
いる封止樹脂部２の長さの公差内から外れ、かつリード
線１を折り曲げてこのダイオードを使用する場合に、上
記ゲート跡（突起）６がじゃまになり、折り曲げたリー
ド線ｌの間隔を所定値に保持できなくなる等の不具合の
発生が懸念される。
ートを流通する樹脂の速度が早くなり、キャビティ内の
樹脂の充填が良好に行われず、特に、ゲートを設けた側
の封止樹脂部２のエア抜きが十分に行われずに、ピンホ
ールが出易くなるおそれがある。また、離型後の製品と
ゲート内の固化樹脂との分離工程においても、封止樹脂
部２の径が小さいためにリード線１がじゃまになって切
断が行いにクク、第５図に示すように、ゲート跡６が所
定量以上に突出する場合があり、製品規格で定められて
いる封止樹脂部２の長さの公差内から外れ、かつリード
線１を折り曲げてこのダイオードを使用する場合に、上
記ゲート跡（突起）６がじゃまになり、折り曲げたリー
ド線ｌの間隔を所定値に保持できなくなる等の不具合の
発生が懸念される。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、ゲート径を小さくする必要がなく、牛
ヤビティ内に円滑に樹脂を充填することができる上に、
ピンホール等の発生を防止でき、かつ製品とゲート内の
固化樹脂との分離を容易に行うことができて、ゲート跡
の処理を確実にかつ簡単に行うことができる樹脂封止製
半導体素子及び封止用金型を提供することにある。
とするところは、ゲート径を小さくする必要がなく、牛
ヤビティ内に円滑に樹脂を充填することができる上に、
ピンホール等の発生を防止でき、かつ製品とゲート内の
固化樹脂との分離を容易に行うことができて、ゲート跡
の処理を確実にかつ簡単に行うことができる樹脂封止製
半導体素子及び封止用金型を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の請求項１は、半導
体チ・ノブにリード線が接続され、かつ上記半導体チッ
プのまわりに封止樹脂部が形成されてなる樹脂封止製半
導体素子において、上記封止樹脂部の外周部にゲート跡
が形成されたものである。
体チ・ノブにリード線が接続され、かつ上記半導体チッ
プのまわりに封止樹脂部が形成されてなる樹脂封止製半
導体素子において、上記封止樹脂部の外周部にゲート跡
が形成されたものである。
また、本発明の請求項２は、半導体チップにリード線が
接続されてなるインサート部品を一対の型板間に形成さ
れたキャビティに挿入し、このキャビティ内に樹脂を充
填して樹脂封止製半導体素子を製造する封止用金型にお
いて、上記キャビティに、樹脂を注入するゲートが、上
記キャピテイ内のインサート部品に対向して配置された
ものである。
接続されてなるインサート部品を一対の型板間に形成さ
れたキャビティに挿入し、このキャビティ内に樹脂を充
填して樹脂封止製半導体素子を製造する封止用金型にお
いて、上記キャビティに、樹脂を注入するゲートが、上
記キャピテイ内のインサート部品に対向して配置された
ものである。
本発明の樹脂封止製半導体素子及び封止用金型にあって
は、封止樹脂部の外周部に対応する金型にゲートを設け
ることによって、ゲート径を十分に大きくとれ、しかも
製品とゲート内固化樹脂との分離後のゲート跡が処理し
易い。
は、封止樹脂部の外周部に対応する金型にゲートを設け
ることによって、ゲート径を十分に大きくとれ、しかも
製品とゲート内固化樹脂との分離後のゲート跡が処理し
易い。
以下、第１図ないし第３図に基づいて本発明の一実施例
を説明する。
を説明する。
これらの図において符号１０は、ダイオードチップ１１
の両端にそれぞれ接続されたリード線であり、これらの
ダイオードチップ１１及び両リード線１０の一部には円
筒状の封止樹脂部１２が形成されている。そして、この
封止樹脂部１２の外周部の一端寄りにはゲート１３内の
固化樹脂１４が一体的に成形されており、このゲート１
３にはランナー１５が連通されている。
の両端にそれぞれ接続されたリード線であり、これらの
ダイオードチップ１１及び両リード線１０の一部には円
筒状の封止樹脂部１２が形成されている。そして、この
封止樹脂部１２の外周部の一端寄りにはゲート１３内の
固化樹脂１４が一体的に成形されており、このゲート１
３にはランナー１５が連通されている。
上記ダイオードチップ１１及び両リード線１０によって
インサート部品１６が構成されており、このインサート
部品１６を挿入してトランスファー成形するトランスフ
ァー成形金型は、第２図と第３図に示すように、上下一
対の金型１７，１８の対向面に、円柱状のキャビティ１
９が形成され、このキャビテイ１９０両端面に、リード
線１０挿入用の凹所２０が形成される一方、上記キャビ
ティ１９の一端寄りであってかつ下金型１８に、上記ゲ
ート１３が、上記リード線１０に対向して配置されてな
るものである。また、上記ゲー）１３のキャビティ１９
への樹脂の注入方向は、上記リード線１０を避けて、キ
ャビティ１９の内周面に沿って旋回流が形成されるよう
に設定されている。
インサート部品１６が構成されており、このインサート
部品１６を挿入してトランスファー成形するトランスフ
ァー成形金型は、第２図と第３図に示すように、上下一
対の金型１７，１８の対向面に、円柱状のキャビティ１
９が形成され、このキャビテイ１９０両端面に、リード
線１０挿入用の凹所２０が形成される一方、上記キャビ
ティ１９の一端寄りであってかつ下金型１８に、上記ゲ
ート１３が、上記リード線１０に対向して配置されてな
るものである。また、上記ゲー）１３のキャビティ１９
への樹脂の注入方向は、上記リード線１０を避けて、キ
ャビティ１９の内周面に沿って旋回流が形成されるよう
に設定されている。
上記のように構成されたトランスファー成形金型を用い
て、ダイオードチップ１１及びリード線１０からなるイ
ンサート部品１６にインサート成形を行い、樹脂封止製
ダイオード素子を製造する場合には、まず、第２図と第
３図に示すように、上金型１７と下金型１８との間に形
成されたキャビティ１９及び凹所２０内に上記インサー
ト部品１６を挿入すると共に、型締状態において、ポッ
ト内の溶融樹脂を、可動体によって押し出して、ランナ
ー１５及びゲート１３を介してキャビティ１９内に注入
する。
て、ダイオードチップ１１及びリード線１０からなるイ
ンサート部品１６にインサート成形を行い、樹脂封止製
ダイオード素子を製造する場合には、まず、第２図と第
３図に示すように、上金型１７と下金型１８との間に形
成されたキャビティ１９及び凹所２０内に上記インサー
ト部品１６を挿入すると共に、型締状態において、ポッ
ト内の溶融樹脂を、可動体によって押し出して、ランナ
ー１５及びゲート１３を介してキャビティ１９内に注入
する。
この場合、ゲート１３が、キャビティ１９の一端寄りで
あって、かつリード線１０に対向して配置されていると
共に、ゲート１３のキャビティ１９への樹脂の注入方向
が、リード線ｌＯを避けて、キャビティ１９の内周面に
沿って旋回流力（形成されるように設定されているから
、従来のように、ゲート１３がキャビティ１９の端面に
形成されている場合に比べて、ゲート１３の径を十分に
大きくとれ、従って、ゲート１３を流通する樹脂の速度
を遅くでき、キャビティ１９への樹脂の充填が良好に行
われる。また、成形後の、製品とゲート１３内の固化樹
脂１４との分離工程において、リード線ｌＯがじゃまに
ならず、円滑に切断、分離することができる上に、分離
後のゲート跡２１についても、製品の円筒状の封止樹脂
部１２の外周面に形成されているから、封止樹脂部１２
を回転させることにより、容易にゲート跡２１の処理を
行うことができる。
あって、かつリード線１０に対向して配置されていると
共に、ゲート１３のキャビティ１９への樹脂の注入方向
が、リード線ｌＯを避けて、キャビティ１９の内周面に
沿って旋回流力（形成されるように設定されているから
、従来のように、ゲート１３がキャビティ１９の端面に
形成されている場合に比べて、ゲート１３の径を十分に
大きくとれ、従って、ゲート１３を流通する樹脂の速度
を遅くでき、キャビティ１９への樹脂の充填が良好に行
われる。また、成形後の、製品とゲート１３内の固化樹
脂１４との分離工程において、リード線ｌＯがじゃまに
ならず、円滑に切断、分離することができる上に、分離
後のゲート跡２１についても、製品の円筒状の封止樹脂
部１２の外周面に形成されているから、封止樹脂部１２
を回転させることにより、容易にゲート跡２１の処理を
行うことができる。
なお、上記実施例においては、ゲート１３をキャビティ
１９の一端寄りに配置した構成で説明したが、一対のゲ
ート１３をキャビティ１９の両端寄りにそれぞれ配置し
た構成でもよい。
１９の一端寄りに配置した構成で説明したが、一対のゲ
ート１３をキャビティ１９の両端寄りにそれぞれ配置し
た構成でもよい。
以上説明したように、本発明の請求項１は、半導体チッ
プにリード線が接続され、かつ上記半導体チップのまわ
りに封止樹脂部が形成されてなる樹脂封止製半導体素子
において、上記封止樹脂部の外周部にゲート跡が形成さ
れたものであり、また、本発明の請求項２は、半導体チ
ップにリード線が接続されてなるインサート部品を一対
の型板間に形成されたキャビティに挿入し、このキャピ
テイ内に樹脂を充填して樹脂封止製半導体素子を製造す
る封止用金型において、上記キャビティに、樹脂を注入
するゲートが、上記キャビティ内のインサート部品に対
向して配置されたものであるから、封止樹脂部の外周部
に対応する金型にゲートを設けることによって、ゲート
径を小さくする必要がなく、ゲート径を十分に大きくと
ることができて、キャビティ内に円滑に樹脂を充填する
ことができる上に、ピンホール等の発生を防止できると
共に、製品とゲート内の固化樹脂との分離を容易に行う
ことができて、ゲート跡の処理を確実にかつ簡単に行う
ことができる。
プにリード線が接続され、かつ上記半導体チップのまわ
りに封止樹脂部が形成されてなる樹脂封止製半導体素子
において、上記封止樹脂部の外周部にゲート跡が形成さ
れたものであり、また、本発明の請求項２は、半導体チ
ップにリード線が接続されてなるインサート部品を一対
の型板間に形成されたキャビティに挿入し、このキャピ
テイ内に樹脂を充填して樹脂封止製半導体素子を製造す
る封止用金型において、上記キャビティに、樹脂を注入
するゲートが、上記キャビティ内のインサート部品に対
向して配置されたものであるから、封止樹脂部の外周部
に対応する金型にゲートを設けることによって、ゲート
径を小さくする必要がなく、ゲート径を十分に大きくと
ることができて、キャビティ内に円滑に樹脂を充填する
ことができる上に、ピンホール等の発生を防止できると
共に、製品とゲート内の固化樹脂との分離を容易に行う
ことができて、ゲート跡の処理を確実にかつ簡単に行う
ことができる。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示すモノで、
第１図は斜視図、第２図はトランスファー成形金型の下
金型の平面図、第３図はトランスファー成形金型の断面
図、第４図と第５図は従来のダイオード素子を示すもの
で、第４図は斜視図、第５図は正面図である。 １６・・・インサート部品、１７・・・上金型、１８・
・・下金型、１９・・・キャビティ。
第１図は斜視図、第２図はトランスファー成形金型の下
金型の平面図、第３図はトランスファー成形金型の断面
図、第４図と第５図は従来のダイオード素子を示すもの
で、第４図は斜視図、第５図は正面図である。 １６・・・インサート部品、１７・・・上金型、１８・
・・下金型、１９・・・キャビティ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体チップにリード線が接続され、かつ上記半導
体チップのまわりに封止樹脂部が形成されてなる樹脂封
止製半導体素子において、上記封止樹脂部の外周部にゲ
ート跡が形成されたことを特徴とする樹脂封止製半導体
素子。 ２）半導体チップにリード線が接続されてなるインサー
ト部品を一対の型板間に形成されたキャビティに挿入し
、このキャビティ内に樹脂を充填して樹脂封止製半導体
素子を製造する封止用金型において、上記キャビティに
、樹脂を注入するゲートが、上記キャビティ内のインサ
ート部品に対向して配置されたことを特徴とする半導体
素子封止用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16782390A JPH0456344A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 樹脂封止製半導体素子及び封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16782390A JPH0456344A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 樹脂封止製半導体素子及び封止用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456344A true JPH0456344A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15856758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16782390A Pending JPH0456344A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 樹脂封止製半導体素子及び封止用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12441879B2 (en) | 2019-08-21 | 2025-10-14 | Ticona Llc | Polymer composition for laser direct structuring |
-
1990
- 1990-06-26 JP JP16782390A patent/JPH0456344A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12441879B2 (en) | 2019-08-21 | 2025-10-14 | Ticona Llc | Polymer composition for laser direct structuring |
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