JPH0456355U - - Google Patents

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JPH0456355U
JPH0456355U JP1990099123U JP9912390U JPH0456355U JP H0456355 U JPH0456355 U JP H0456355U JP 1990099123 U JP1990099123 U JP 1990099123U JP 9912390 U JP9912390 U JP 9912390U JP H0456355 U JPH0456355 U JP H0456355U
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JP
Japan
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bare chip
light emitting
light
emitting diode
emitting bare
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JP1990099123U
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の実施例に係るマルチカラー発
光ダイオードの要部拡大図、第２図は本考案の実
施例に係る高輝度マルチカラー発光ダイオードを
示す断面図、第３図は本考案の実施例に係るマル
チカラー発光ダイオードに使用する赤色発光ベア
チツプを示す斜視図、第４図は本考案の実施例に
よる発光ダイオードの配光特性を示す特性図、第
５図は従来と本実施例とに共通する化合物半導体
としてＧａＰを用いた緑色ベアチツプを示す斜視
図、第６図はＧａＡｓＰを用いた従来の赤色ベア
チツプを示す斜視図、第７図は第５図および第６
図に示す２個のベアチツプを備えた従来のマルチ
カラー発光ダイオードを示す断面図、第８図は従
来のマルチカラー発光ダイオードの配線図、第９
図は化合物半導体としてＧａＡｌｓを用いた高輝
度赤色発光ベアチツプを示す斜視図、第１０図は
従来の高輝度マルチカラー発光ダイオードを示す
断面図、第１１図は第１０図に示す発光ダイオー
ドの配線図、第１２図は従来の高輝度マルチカラ
ー発光ダイオードの配光特性を示す特性図である
。 ９……第１の発光ベアチツプ（ＧａＰ緑色ベア
チツプ）、１２……ｎ型層（ｎ型ＧａＡｌＡｓエ
ピタキシヤル層）、１３……ｐ型層（ｐ型ＧａＡ
ｌＡｓエピタキシヤル層）、１４……ｐ型基板（
ｐ型ＧａＡｌＡｓエピタキシヤル層）、２４……
第２の発光ベアチツプ（ＧａＡｌＡｓ緑色発光ベ
アチツプ）、７ａ……ステム、７ｂ……リードフ
レーム。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ｎ型基板上にｎ型層及びｐ型層を順次形成
    してなる第１の発光ベアチツプと、ｐ型基板上に
    ｐ型層及びｎ型層を順次形成して前記第１の発光
    ベアチツプと異なる色の光を発光する第２の発光
    ベアチツプとよりなるマルチカラー発光ダイオー
    ドにおいて、 前記第１の発光ベアチツプと前記第２の発光ベ
    アチツプとのいずれか一方を上下に反転させて相
    互に逆方向の積層順位にした状態で前記第１の発
    光ベアチツプの下面と前記第２に発光ダイオード
    の下面とをそれぞれ共通のステムにダイボンデイ
    ングし、 前記第１の発光ベアチツプの上面と前記第２の
    発光ベアチツプの上面をそれぞれ異なつたリード
    フレームにワイヤボンデイングしてなることを特
    徴とするマルチカラー発光ダイオード。 (2) 前記第１の発光ベアチツプが化合物半導体
    ＧａＰを用いた緑色発光ベアチツプであり、前記
    第２の発光ベアチツプが化合物半導体ＧａＡｌＡ
    ｓを用いた赤色発光ベアチツプであることを特徴
    とする請求項１記載のマルチカラー発光ダイオー
    ド。
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