JPH045657U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH045657U JPH045657U JP4518390U JP4518390U JPH045657U JP H045657 U JPH045657 U JP H045657U JP 4518390 U JP4518390 U JP 4518390U JP 4518390 U JP4518390 U JP 4518390U JP H045657 U JPH045657 U JP H045657U
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- JP
- Japan
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- potential
- diffusion island
- semiconductor device
- diffused
- isolator
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第１図は本考案の半導体装置の実施例の構成を
示す断面図、第２図は従来の技術の半導体装置の
実施例に係る構成を示す断面図、第３図は従来の
技術の半導体装置の説明に供される図である。 Ａ，Ｂ……拡散抵抗、２２……Ａｌ層、２４…
…ＳｉＯ２、２６ａ，２６ｂ……Ｐ−層（拡散抵
抗）、２８ａ，２８ｂ……Ｎ−層（拡散島）、３
０ａ，３０ｂ……Ｎ＋層、３２……Ｐ−Ｓｉ基板
、３４……アイソレータ、３６……Ａｌ接続部、
４０，４２……アイソレータ。
示す断面図、第２図は従来の技術の半導体装置の
実施例に係る構成を示す断面図、第３図は従来の
技術の半導体装置の説明に供される図である。 Ａ，Ｂ……拡散抵抗、２２……Ａｌ層、２４…
…ＳｉＯ２、２６ａ，２６ｂ……Ｐ−層（拡散抵
抗）、２８ａ，２８ｂ……Ｎ−層（拡散島）、３
０ａ，３０ｂ……Ｎ＋層、３２……Ｐ−Ｓｉ基板
、３４……アイソレータ、３６……Ａｌ接続部、
４０，４２……アイソレータ。
Claims (1)
- アイソレータで分離して夫々拡散島に形成され
た複数の拡散抵抗が直列接続され、且つ夫々の拡
散島の電位と前記拡散抵抗の高電位とを同電位に
形成されることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4518390U JPH045657U (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4518390U JPH045657U (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH045657U true JPH045657U (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=31559137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4518390U Pending JPH045657U (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH045657U (ja) |
-
1990
- 1990-04-28 JP JP4518390U patent/JPH045657U/ja active Pending