JPH045658U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH045658U JPH045658U JP4518090U JP4518090U JPH045658U JP H045658 U JPH045658 U JP H045658U JP 4518090 U JP4518090 U JP 4518090U JP 4518090 U JP4518090 U JP 4518090U JP H045658 U JPH045658 U JP H045658U
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- JP
- Japan
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- diffusion
- potential
- island
- semiconductor device
- isolator
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- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
第１図は本考案の半導体装置の実施例の構成を
示す断面図、第２図は従来の技術の半導体装置の
説明に供される図である。 Ａ，Ｂ……拡散抵抗、２……Ａｌ層、４……Ｓ
ｉＯ２、６ａ，６ｂ……Ｐ−層、８ａ，８ｂ……
Ｎ−層（拡散島）、３０ａ，３０ｂ……Ｎ＋層、
１２……Ｐ−Ｓｉ基板、１４……アイソレータ。
示す断面図、第２図は従来の技術の半導体装置の
説明に供される図である。 Ａ，Ｂ……拡散抵抗、２……Ａｌ層、４……Ｓ
ｉＯ２、６ａ，６ｂ……Ｐ−層、８ａ，８ｂ……
Ｎ−層（拡散島）、３０ａ，３０ｂ……Ｎ＋層、
１２……Ｐ−Ｓｉ基板、１４……アイソレータ。
Claims (1)
- 複数の抵抗を互いにアイソレータで分離して複
数の拡散島が形成され、かつ前記拡散島の電位と
前記拡散島内に形成された抵抗の高電側とを同電
位に形成してなる構成の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4518090U JPH045658U (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4518090U JPH045658U (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH045658U true JPH045658U (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=31559131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4518090U Pending JPH045658U (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH045658U (ja) |
-
1990
- 1990-04-28 JP JP4518090U patent/JPH045658U/ja active Pending