JPH0458016B2 - - Google Patents
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- JPH0458016B2 JPH0458016B2 JP57197101A JP19710182A JPH0458016B2 JP H0458016 B2 JPH0458016 B2 JP H0458016B2 JP 57197101 A JP57197101 A JP 57197101A JP 19710182 A JP19710182 A JP 19710182A JP H0458016 B2 JPH0458016 B2 JP H0458016B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gas
- sih
- amorphous silicon
- film
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は、たとえば電子複写機、電子プリンタ
等に適用し得る電子写真感光体の改良に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来電子写真感光体としては、Se，Se−Te，
Se−As系およびCdS系、有機光導電体（O.P.
C.），ZnOとう用いられて来た。ところでSe−系
感光体はビツカース硬度が40前後と小さいことに
より機械的摩耗に弱く、またガラス転移点が45℃
近辺にあるため、複写機内が45℃を越えてしまう
と、結晶化してしまい表面電位の低下等の特性の
劣化が起こる。CdS系は、CdS自身が有毒物質で
あるという基本的問題を内在している。O.P.C.，
ZnO等は塗布によつて作成できるため安価である
という反面、寿命が短かく、耐湿性が劣るという
欠点がある。 そこで近年、アモルフアス・シリコン（以下ａ
−Siと記す）感光体が注目をあびて来た。ａ−Si
感光体はビツカース硬度が1000以上と硬い上、ガ
ラス転移点が300℃以上であり、感光体の長寿命
化が可能である。また分光感度が800μｍと長波
長の側にまで延ばすことが可能であり、その応用
範囲がSe，CdSに比べて広い。近年の報告ではこ
のSiにＢ（ホウ素）またはＰ（リン）をドープする
と、Ｐ型、Ｎ型の光導電体に自由に変えることが
可能であるというメリツトがある。 ａ−Si感光体は主にSiH4ガスのプラズマ放電
によつてAl等の導電性基板上に成膜される。と
ころがSiH4ガスのプラズマ分解によつて成膜さ
れたａ−Si；Ｈ膜では最良の特性であつても暗抵
抗ρD＝1011Ωcmである。一方では電子写真感光体
として直流のコロナ帯電によつて表面電位500V
以上得るためにはρD＝1013Ωcm以上の高暗抵抗で
なければならないことが種々の文献、特許等で知
られている。そこで種々の不純物ガスのドープに
よつてこの暗抵抗を上げる成膜条件の検討がなさ
れている。例えば、O2／SiH4流量比で４％以上
の酸素をドープした混合ガスのプラズマ状態によ
つて成膜されたａ−Si；Ｈ，Ｏ膜ではρD＝1013Ω
cm以上の高暗抵抗を得られるが、同時に光抵抗も
大きくなつてしまい高い静電コントラストが得ら
れない。 一方では、CH4／SiH4流量比100％以上で、高
周波電力（R.F.パワー）が200W以上の高パワー
でCH4，SiH4ガスをプラズマ分解するとCH3ラ
ジカルが少なくなりＣ−Ｈが多くなることからＣ
−ドープのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜であつてもρD＝1012
Ωcm，ρpｈ＝108Ωcmの好特性が得られる成膜条
件の実験の結果判明している。 そこで例えばCH4／SiH4流量比200％でパワー
400W、圧力1.0torr、基板温度200℃でAlドラム
基板上へ単層で成膜した電子写真感光体を試作し
た。この様に作成されたａ−Si；Ｈ，Ｃ感光体
の直流コロナ帯電を行なつたところ＋550Vの表
面電位を得、10luxのタングステン光に対して
7.0l.a.の光感度を示した。また機械による画出し
を行なつても良好な画質が得られた。 ところが、このサンプルのオプテイカルバンド
ギヤツプを測定したところEgopt＝2.3eVであつ
た。これは分光吸収端では540μｍに相当する。
この結果をもとに、この感光体ドラムを用いてカ
ラー原稿に画出しを行なつたところ、黄や赤に光
感度がないことが判明した。 〔発明の目的〕 本発明は、上記事情にもとずきなされたもの
で、高感度で広い分光吸収を示し、カラー原稿に
対しても良好な画質が得られるアモルフアス・シ
リコン感光体を提供しようとするものである。 〔発明の概要〕 本発明は、導電性基板上に、第１層として水素
および炭素を含むアモルフアス・シリコン膜、第
２層として暗抵抗が109Ωcm以上で光抵抗が107Ω
cm以下の水素、炭素およびホウ素を含むとともに
SiH4ガス、CH4／SiH4流量比100％以上のCH4ガ
ス、及びB2H6／SiH4流量比10-2〜10-3のB2H6ガ
スの混合ガスによるプラズマ状態下で成膜された
アモルフアス・シリコン膜および第３層として暗
抵抗が1013Ωcm以上の水素および炭素を含むアモ
ルフアス・シリコン膜を順次積層したことを特徴
とするものである。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を第１図に示す一実施例を参照し
て説明する。 ａ−Si感光体は前述したようにＢをドープする
ことにより容易にＰ型光導電体に変えることが出
来る。Ｃ及びＢをドープしたSiはB2H6／SiH4流
量比で10-3〜10-2とヘビードープするとＰ型光導
電体になると同時にオプテイカルバンドギヤツプ
Egoptが1.9eVと小さくなることが実験的に判明
している。ところがＢをヘビードープしたａ−
Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜のρD＝109，ρpｈ＝106と暗抵抗
が小さくなることも測定の結果判明している。従
つてＢをヘビードープしたａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜
単層では、直流のコロナ帯電で表面電位が乗らな
いことは明らかである。 そこで、第１図に示す様な３層構成の感光体を
発明した。これは導電性基板１上に第１の層とし
てρD＝1013Ωcm以上、ρpｈ＝108Ωcm、及びEgopt
＝1.9eVのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２を10μｍ以上成膜
し、次いで第２の層としてＢをヘビードープした
ａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜３、ρD＝109Ωcm，ρpｈ＝
106Ωcm，Egopt＝1.9eVを200〜10000Å成膜し、
さらに最後に第３の層としてρD＝1013Ωcm以上、
Egopt＝2.5eV以上のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜４を200〜
2000Å積層したものである。 この３層構成の感光体の帯電、及び光感度の機
態は、まず直流のコロナ帯電を行なつた時はρDが
1013Ωcm以上のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２，４で耐圧を
もたせて表面電位を乗せ、光照射時にはEgopt＝
2.5eVのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜４ではほとんどの光が
透過し、Egopt＝1.9eVでρpｈ＝106Ωcmのａ−
Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ層で650nmの波長の光まで吸収
し、キヤリアを発生する。発生したキヤリアはρp
ｈ＝108Ωcmのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２を通過して表
面電位の光減衰が起こる。 つぎに、本発明の作成手順の１例を説明する。
まず、径が130mmのAlドラム基板上を真空キヤン
バー内で200℃に加熱しキヤンバー内を10-6torr
まで真空に引いた後、 SiH4流量180SCCM、及びCH4／SiH4流量比
200％のCH4をキヤンバー内に導入する。真空
排気系のバルブの調接によつてキヤンバー内圧
力を1.0torrにした後13.56MHzのR.H.パワーを
400W対向電極に印加し、５時間（約18μｍ）
ａ−Si；Ｈ，Ｃ膜を成膜する。 R.FパワーをOFFにした後前述のSiH4，CH4
以外にB2H6／SiH4流量比10-3のB2H6ガス（水
素ベース）をさらにキヤンバー内に導入し、圧
力0.4，R.Fパワー25Wで30分間（約5000Å）ａ
−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜を成膜する。 R.FパワーをOFFにした後B2H6ガスを切り、
SiH473SCCM，CH4／SiH4流量比300％にした
後、圧力0.4torrでR.Fパワー25Wで約10分間
500Åａ−Si；Ｈ，Ｃ膜を成膜した。 それぞれの膜の特性は先に小片プレート成膜し
たサンプルの測定によつて判明しており、下記の
表の通りである。
等に適用し得る電子写真感光体の改良に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来電子写真感光体としては、Se，Se−Te，
Se−As系およびCdS系、有機光導電体（O.P.
C.），ZnOとう用いられて来た。ところでSe−系
感光体はビツカース硬度が40前後と小さいことに
より機械的摩耗に弱く、またガラス転移点が45℃
近辺にあるため、複写機内が45℃を越えてしまう
と、結晶化してしまい表面電位の低下等の特性の
劣化が起こる。CdS系は、CdS自身が有毒物質で
あるという基本的問題を内在している。O.P.C.，
ZnO等は塗布によつて作成できるため安価である
という反面、寿命が短かく、耐湿性が劣るという
欠点がある。 そこで近年、アモルフアス・シリコン（以下ａ
−Siと記す）感光体が注目をあびて来た。ａ−Si
感光体はビツカース硬度が1000以上と硬い上、ガ
ラス転移点が300℃以上であり、感光体の長寿命
化が可能である。また分光感度が800μｍと長波
長の側にまで延ばすことが可能であり、その応用
範囲がSe，CdSに比べて広い。近年の報告ではこ
のSiにＢ（ホウ素）またはＰ（リン）をドープする
と、Ｐ型、Ｎ型の光導電体に自由に変えることが
可能であるというメリツトがある。 ａ−Si感光体は主にSiH4ガスのプラズマ放電
によつてAl等の導電性基板上に成膜される。と
ころがSiH4ガスのプラズマ分解によつて成膜さ
れたａ−Si；Ｈ膜では最良の特性であつても暗抵
抗ρD＝1011Ωcmである。一方では電子写真感光体
として直流のコロナ帯電によつて表面電位500V
以上得るためにはρD＝1013Ωcm以上の高暗抵抗で
なければならないことが種々の文献、特許等で知
られている。そこで種々の不純物ガスのドープに
よつてこの暗抵抗を上げる成膜条件の検討がなさ
れている。例えば、O2／SiH4流量比で４％以上
の酸素をドープした混合ガスのプラズマ状態によ
つて成膜されたａ−Si；Ｈ，Ｏ膜ではρD＝1013Ω
cm以上の高暗抵抗を得られるが、同時に光抵抗も
大きくなつてしまい高い静電コントラストが得ら
れない。 一方では、CH4／SiH4流量比100％以上で、高
周波電力（R.F.パワー）が200W以上の高パワー
でCH4，SiH4ガスをプラズマ分解するとCH3ラ
ジカルが少なくなりＣ−Ｈが多くなることからＣ
−ドープのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜であつてもρD＝1012
Ωcm，ρpｈ＝108Ωcmの好特性が得られる成膜条
件の実験の結果判明している。 そこで例えばCH4／SiH4流量比200％でパワー
400W、圧力1.0torr、基板温度200℃でAlドラム
基板上へ単層で成膜した電子写真感光体を試作し
た。この様に作成されたａ−Si；Ｈ，Ｃ感光体
の直流コロナ帯電を行なつたところ＋550Vの表
面電位を得、10luxのタングステン光に対して
7.0l.a.の光感度を示した。また機械による画出し
を行なつても良好な画質が得られた。 ところが、このサンプルのオプテイカルバンド
ギヤツプを測定したところEgopt＝2.3eVであつ
た。これは分光吸収端では540μｍに相当する。
この結果をもとに、この感光体ドラムを用いてカ
ラー原稿に画出しを行なつたところ、黄や赤に光
感度がないことが判明した。 〔発明の目的〕 本発明は、上記事情にもとずきなされたもの
で、高感度で広い分光吸収を示し、カラー原稿に
対しても良好な画質が得られるアモルフアス・シ
リコン感光体を提供しようとするものである。 〔発明の概要〕 本発明は、導電性基板上に、第１層として水素
および炭素を含むアモルフアス・シリコン膜、第
２層として暗抵抗が109Ωcm以上で光抵抗が107Ω
cm以下の水素、炭素およびホウ素を含むとともに
SiH4ガス、CH4／SiH4流量比100％以上のCH4ガ
ス、及びB2H6／SiH4流量比10-2〜10-3のB2H6ガ
スの混合ガスによるプラズマ状態下で成膜された
アモルフアス・シリコン膜および第３層として暗
抵抗が1013Ωcm以上の水素および炭素を含むアモ
ルフアス・シリコン膜を順次積層したことを特徴
とするものである。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を第１図に示す一実施例を参照し
て説明する。 ａ−Si感光体は前述したようにＢをドープする
ことにより容易にＰ型光導電体に変えることが出
来る。Ｃ及びＢをドープしたSiはB2H6／SiH4流
量比で10-3〜10-2とヘビードープするとＰ型光導
電体になると同時にオプテイカルバンドギヤツプ
Egoptが1.9eVと小さくなることが実験的に判明
している。ところがＢをヘビードープしたａ−
Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜のρD＝109，ρpｈ＝106と暗抵抗
が小さくなることも測定の結果判明している。従
つてＢをヘビードープしたａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜
単層では、直流のコロナ帯電で表面電位が乗らな
いことは明らかである。 そこで、第１図に示す様な３層構成の感光体を
発明した。これは導電性基板１上に第１の層とし
てρD＝1013Ωcm以上、ρpｈ＝108Ωcm、及びEgopt
＝1.9eVのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２を10μｍ以上成膜
し、次いで第２の層としてＢをヘビードープした
ａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜３、ρD＝109Ωcm，ρpｈ＝
106Ωcm，Egopt＝1.9eVを200〜10000Å成膜し、
さらに最後に第３の層としてρD＝1013Ωcm以上、
Egopt＝2.5eV以上のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜４を200〜
2000Å積層したものである。 この３層構成の感光体の帯電、及び光感度の機
態は、まず直流のコロナ帯電を行なつた時はρDが
1013Ωcm以上のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２，４で耐圧を
もたせて表面電位を乗せ、光照射時にはEgopt＝
2.5eVのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜４ではほとんどの光が
透過し、Egopt＝1.9eVでρpｈ＝106Ωcmのａ−
Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ層で650nmの波長の光まで吸収
し、キヤリアを発生する。発生したキヤリアはρp
ｈ＝108Ωcmのａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２を通過して表
面電位の光減衰が起こる。 つぎに、本発明の作成手順の１例を説明する。
まず、径が130mmのAlドラム基板上を真空キヤン
バー内で200℃に加熱しキヤンバー内を10-6torr
まで真空に引いた後、 SiH4流量180SCCM、及びCH4／SiH4流量比
200％のCH4をキヤンバー内に導入する。真空
排気系のバルブの調接によつてキヤンバー内圧
力を1.0torrにした後13.56MHzのR.H.パワーを
400W対向電極に印加し、５時間（約18μｍ）
ａ−Si；Ｈ，Ｃ膜を成膜する。 R.FパワーをOFFにした後前述のSiH4，CH4
以外にB2H6／SiH4流量比10-3のB2H6ガス（水
素ベース）をさらにキヤンバー内に導入し、圧
力0.4，R.Fパワー25Wで30分間（約5000Å）ａ
−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜を成膜する。 R.FパワーをOFFにした後B2H6ガスを切り、
SiH473SCCM，CH4／SiH4流量比300％にした
後、圧力0.4torrでR.Fパワー25Wで約10分間
500Åａ−Si；Ｈ，Ｃ膜を成膜した。 それぞれの膜の特性は先に小片プレート成膜し
たサンプルの測定によつて判明しており、下記の
表の通りである。
【表】
上記の条件で作成された３層構成感光体にの
直流コロナ帯電を行なつたところ、第１層ρD＝
1013Ωcm，18μｍの耐圧のために600Vの表面電
位を得かつ、タングステン光10luxの照射に対し
て半減露光で0.7l.sの高感度を示した。 さらにはモノクロメーターを用いて分光感度を
測定したところ700nmまで光感度を示し、赤外ま
で感度があることが判明した。 (a) 第１層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２は作成条件から
ρD＝1013以上有りρpｈの方は種々の実験結果さ
ら第２層の高感度層がる場合には109Ωcm程度
の抵抗であつても全体層で5l.s程度の半減露光
感度が得られることがわかつた。 (b) また第２層のａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜３はρDが
109Ωcm以上ないと光照射時に発生したキヤリ
アが横方向に広がつてしまい、文字のボケが生
ずることがわかつている。また、感光体の層全
体で1.0〜5.0l.sの高感度を得るためにはρpｈは
107Ωcm以下でなければならない。分光波長が
少なくとも650nmまであるためにはEgoptが
2.0eV以下でなければならないことも判明して
いる。 (c) 第３層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜４は第２層のρDが
小さいため帯電電荷を保持するための層である
が、そのためにρDは少なくとも1013Ωcm以上必
要である。また、照射した光が第２層にまで入
りこむため、透明に近くなければならずそのた
めEgoptは少なくとも2.5eV以上必要である。 (d) 第１層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜の膜厚は、少なく
とも＋500V以上の表面電位を得るためには5μ
ｍ以上必要であるが、第２層で発生したキヤリ
アが速やかに基板側へ走行するためには80μｍ
以下が適当である。 (e) 第２層のａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜の膜厚は、多
くのキヤリアをくり返し発生するためには50Å
以上は必要である。しかし膜厚があまり厚くな
るとρDが109Ωcmと小さいため光照射時に発生
したキヤリアが第２層を走行中に横方向へ広が
つてしまうので10000Å以下が望ましい。 (f) 第３層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜の膜厚は表面電位
を保持するために最低200Å必要であるが、
2000Å以上の厚さになると、光照射時の残留電
位の上昇及び光感度を悪くしてしまう。 〔発明の効果〕 本発明は、以上説明したように、高感度で広い
分光吸収を示し、カラー原稿に対しても良好な画
質形成が可能となるといつた効果を奏する。
直流コロナ帯電を行なつたところ、第１層ρD＝
1013Ωcm，18μｍの耐圧のために600Vの表面電
位を得かつ、タングステン光10luxの照射に対し
て半減露光で0.7l.sの高感度を示した。 さらにはモノクロメーターを用いて分光感度を
測定したところ700nmまで光感度を示し、赤外ま
で感度があることが判明した。 (a) 第１層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜２は作成条件から
ρD＝1013以上有りρpｈの方は種々の実験結果さ
ら第２層の高感度層がる場合には109Ωcm程度
の抵抗であつても全体層で5l.s程度の半減露光
感度が得られることがわかつた。 (b) また第２層のａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜３はρDが
109Ωcm以上ないと光照射時に発生したキヤリ
アが横方向に広がつてしまい、文字のボケが生
ずることがわかつている。また、感光体の層全
体で1.0〜5.0l.sの高感度を得るためにはρpｈは
107Ωcm以下でなければならない。分光波長が
少なくとも650nmまであるためにはEgoptが
2.0eV以下でなければならないことも判明して
いる。 (c) 第３層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜４は第２層のρDが
小さいため帯電電荷を保持するための層である
が、そのためにρDは少なくとも1013Ωcm以上必
要である。また、照射した光が第２層にまで入
りこむため、透明に近くなければならずそのた
めEgoptは少なくとも2.5eV以上必要である。 (d) 第１層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜の膜厚は、少なく
とも＋500V以上の表面電位を得るためには5μ
ｍ以上必要であるが、第２層で発生したキヤリ
アが速やかに基板側へ走行するためには80μｍ
以下が適当である。 (e) 第２層のａ−Si；Ｈ，Ｃ，Ｂ膜の膜厚は、多
くのキヤリアをくり返し発生するためには50Å
以上は必要である。しかし膜厚があまり厚くな
るとρDが109Ωcmと小さいため光照射時に発生
したキヤリアが第２層を走行中に横方向へ広が
つてしまうので10000Å以下が望ましい。 (f) 第３層のａ−Si；Ｈ，Ｃ膜の膜厚は表面電位
を保持するために最低200Å必要であるが、
2000Å以上の厚さになると、光照射時の残留電
位の上昇及び光感度を悪くしてしまう。 〔発明の効果〕 本発明は、以上説明したように、高感度で広い
分光吸収を示し、カラー原稿に対しても良好な画
質形成が可能となるといつた効果を奏する。
図面は本発明の一実施例を示す概略的縦断側面
図である。 １……導電性基板、２……第１のアモルフア
ス・シリコンＨ，Ｃ膜、３……第２のアモルフア
ス・シリコンＨ，Ｃ，Ｂ膜、４……第３のアモル
フアス・シリコンＨ，Ｃ膜。
図である。 １……導電性基板、２……第１のアモルフア
ス・シリコンＨ，Ｃ膜、３……第２のアモルフア
ス・シリコンＨ，Ｃ，Ｂ膜、４……第３のアモル
フアス・シリコンＨ，Ｃ膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性基板上に、第１層として水素および炭
素を含むアモルフアス・シリコン膜、第２層とし
て暗抵抗が109Ωcm以上で光抵抗が107Ωcm以下の
水素、炭素およびホウ素を含むとともにSiH4ガ
ス、CH4／SiH4流量比100％以上のCH4ガス、お
よびB2H6／SiH4流量比10-2〜10-3のB2H6ガスの
混合ガスによるプラズマ状態下で成膜されたアモ
ルフアス・シリコン膜および第３層として暗抵抗
が1013Ωcm以上の水素および炭素を含むアモルフ
アス・シリコン膜を順次積層したことを特徴とす
る電子写真感光体。 ２ 第１層としてのアモルフアス・シリコン膜が
具体的にはCH4ガスとCH4／SiH4流量比100％以
上のCH4ガスとの混合ガスを用いて高周波電力
200W以上のＣ−Ｈ結合の多いプラズマ状態下で
成膜されたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の電子写真感光体。 ３ 第３層としてのアモルフアス・シリコン膜が
具体的にはSiH4ガスとCH4／SiH4流量比100％以
上のCH4ガスとの混合ガスを用いて高周波電力
50W以下のＣ−Ｈラジカルの少ないプラズマ状態
下で成膜されたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の電子写真感光体。 ４ 第１層としてのアモルフアス・シリコン膜の
膜厚が5μｍ以上80μｍ以下であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の電子
写真感光体。 ５ 第２層としてのアモルフアス・シリコン膜の
膜厚が50Å〜10000Åであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 ６ 第３層としてのアモルフアス・シリコン膜の
膜厚が200Å〜2000Åであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第３項記載の電子写真
感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19710182A JPS5987461A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19710182A JPS5987461A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987461A JPS5987461A (ja) | 1984-05-21 |
| JPH0458016B2 true JPH0458016B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=16368737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19710182A Granted JPS5987461A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987461A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5664346A (en) * | 1979-10-30 | 1981-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor and its preparation |
| JPS5717952A (en) * | 1980-07-09 | 1982-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS58194732A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアス炭化シリコン層の形成方法 |
| JPS5967545A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP19710182A patent/JPS5987461A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5987461A (ja) | 1984-05-21 |
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