JPS6228747A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産東上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。しか
しながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性、
機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ　　３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切れたいわゆるダ
ングリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエ
ネルギーギャップ内に多くの局在単位が存在する。この
ために、熱励起担体のボ、７ピング伝導が生じて暗抵抗
が小さく、また光励起担体が局在準位に１−ラップされ
て光伝！性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素
原子（旧で補償してＳｉにＩ−（を結合させることによ
って、ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０８〜１０
９Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約
１万分のＮも低い。従って、ａ−３ｉ：ＩＩの単層から
なる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電
電位が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を存している。 第８図には、上記のａ−Ｓｔ：Ｈを母材としたａ−Ｓｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニ・ント７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移
動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路
長を一定にするだめの第２ミラーユニツト２０が第１ミ
ラーユニツトの速度に応じて移動し・原稿台３側からの
反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体
としての感光体ドラムＳ上へスリット状に入射するよう
になっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器ｌＯ
１現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング
部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロ
ーラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９
のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレ
イ３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を
内臓した加熱ローラー２３を圧着ローラー２４との間に
現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。 しかしながら、ａ−５ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで充分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放霞したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ　−Ｓ　ｉ　
Ｃ：　Ｈと称する。）について、その製法や存在が“Ｐ
ｈ１ｌ。 Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、３５″（１９７８）等に記載されて
おり、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、
ａ−３ｉ　：　Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０１２
〜１０１３Ω−１Ｊ）を有すること、炭素量により光学
的エネルギーギャップが１．６〜２，８ｅＶの範囲に亘
って変化すること等が知られている。但し、炭素の含有
によりバンドギャップが拡がるために長波長感度が不良
となるという欠点がある。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ　−Ｓ　ｉ
　：　Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生
層下にａ−３ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−３ｉ：Ｈに
より広い波長域での光感度を得、かっａ−３ｉ：Ｈ層と
へテロ接合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電
電位の向上を図っている。しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈ
Ｆの暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分
であって実用性のあるものとはならない上に、表面にａ
−３ｔ：Ｈ層が存在していることにより化学的安定性や
機械的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣ：Ｈ９を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−８ｉＣ：１１層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ層との間
に傾斜層（ａ　−Ｓ　ｉ　、−ｘ’Ｃｘ　：　Ｈ）を設
け、この傾斜層においてａ−３ｉ：ｆｌ側でＸ−０とし
、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　０層側でＸ＝０．５とした感光
体が知られている。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ−ＳｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥と
して生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、繰返
し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電
気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、湿
度）による影響を無視できない。また、表面改質層と電
荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ０発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（
温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。 二０発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のう
らの少なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷ブロッキング層と
；炭素原子及び酸素原子を含有するアモルファス水素化
及び／又はフ・ノ素化と；周期表第１［［ａ族又は第Ｖ
ａ族元素がドープされかつアモルファス水素化及び／又
はフッ素化シリコンからなる第１中間層と；炭素原子、
窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を含有す
るアモルファス水素化及び／又は）・ノ素化シリコンか
らなる第２中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子
のうちの少なくとも１種を前記第２中間層よりも多（含
有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコン
からなる表面改質層とが順次積層されてなる感光体に係
るものである。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１つの原子を含有している上に、この層下に第
２及び第１中間層を設けているために、機械的損傷に対
して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐剛性が優れたものとなる。また、本発明においては、
表面改質層と電荷発生層との間に第１及び第２中間層を
設けているので、表面改質層と電荷発生層との接着性が
向上する。また、表面改質層と中間層とを電荷発生層上
に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時の耐光
疲労に優れ、また画像流れもなく、残留電位も低下し、
電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に影響を
受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系主電子
写真感光３９を示すものである。この感光体３９はＡβ
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第Ｖａ族
元素（例えばリン）がヘビードープされかつＣ，Ｎ及び
０の少なくとも１つを含有するａ−３ｔ：Ｈ（これをａ
−３ｉ　　（Ｃ）（Ｎ）（０）：Ｈと表わす。）からな
るＮ゛型重電荷ブロッキング層４４、周期表第１［ａ族
元素（例えばホウ素）がライトドープされて真性化され
かつＣ及び０を含有するａ−３ｉ：Ｈ（これをａ−３ｉ
ＣＯ：Ｈと表わす。）からなる電荷輸送層４２と、ａ−
３ｉ：Ｈからなる電荷発生層（不純物ドーピングなし又
は真性化されたもの）４３と、周期表第■ａ族又は第Ｖ
ａ族元素がヘビードープされたＰ°型又はＮ゛型アモル
ファス水素化シリコンからなる第１中間層４７と、周期
表第■ａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型又はＮ
型或いは真性化（若しくは不純物ドーピングなしの）さ
れかつＮ、Ｃ及び０の少なくとも１つを含有するアモル
ファス水素化シリコン（これをａ−３ｉ（Ｃ）（Ｎ）（
０）：）（と表わす。）からなる第２中間層４６と、周
１■表第１ｎａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型
又はＮ型或いは真性化（若しくはドーピングなし）され
かつａ−３ｉ　　（Ｃ）（Ｎ）（０）：Ｈからなる表面
改質層４５とが積層された構造からなっている。電荷発
生層４３は暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との
比が電子写真感光体として充分大きく光感度（特に可視
及び赤外領域の光に対するもの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
Ｅｇ、　ｏｐｔ）とほぼ直線的な関係があるので、炭素
原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換えて規
定することができる。 また、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　１］は、炭素原子含有量を
適切に選択すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上
昇、帯電電位保持能の向上という顕著な作用効果が得ら
れる。即ち、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含
有量が３０〜９０％のａ−３ｉＣ：Ｈを用いた場合、そ
の比抵抗は炭素含有量に従って変化し、１０１２Ω−ｃ
ｍ以上になる。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又はＯを含むａ−３ｉＮ
：ＨＳａ−３ｉＯ：Ｈについても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｔ系悪感
光を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：１１を
表面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲
気等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくな
る。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、３ｉ＋Ｃ＝１００ａｔ
ｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表わす。 ）としたとき１％≦（Ｃ）５９０％、更には１０％≦〔
０３５７０％であることが望ましい。このＣ含有量によ
って上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネ
ルギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、可視及び
赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射
光はａ−３ｉ：８層（電荷発生層）４３に到達し易くな
る。しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等の
欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、か
つ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度
が低下し易くなる。また、Ｃ含有量が９０％を越えると
層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上にａ
−３ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積速
度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするのが
よい。同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の場合、
１％≦（Ｎ）５９０％（更には１０％≦　ＣＮ）　　５
７０％）がよく、０％く〔０３５７０％（更には５％≦
〔０〕≦３０％）がよい。 帯電能を向上させる為には、表面改質層４５を高抵抗化
してもよい。その為には表面改質層を真性１；、　、１
．、ても良い。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
る為には、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。各場
合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は次の
通りであってよい。 真性化： Ｂ　ｚ　Ｈｂ／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　　　２〜５０容ｉｐｐ
ｍＰ型： Ｂ　ｚ　Ｈｂ／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　　５０〜１００Ｏ容量
ｐｐｍＮ型： Ｐ　Ｈ：ｌ／　Ｓ　ｉ　Ｈ４１〜１０００容ｆｆｉｐｐ
ｍまた、層４５はａ−３ｉＣＯ１ａ−３ｉＮ、ａ−３ｉ
ｏ、ａ−３ｉｏ□等からなっていてよく、その膜厚を４
００人≦ｔ≦５０００人の範囲内（特に４００人≦ｔ≦
２０００人に選択することも重要である。即ち、その膜
厚が５０００人を越える場合には、残留電位ＶＲが高く
なりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−３ｔ系悪感光と
しての良好な特性を失い易い。 また、膜厚を４００　人未満とした場合には、トンネル
効果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗
減衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 第２中間層４６については、残留電位低下の為には、電
荷発生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層をＰ
又はＮ型としてもよい。導電型制御の為のドーピング量
は表面改質層と同じでよい。 また、Ｃ，Ｎ、０の含有量は層４５のそれよりも少なく
する。即ち、０＜［Ｃ）５１０％、０＜（Ｎ）５１０％
、０＜　（０）≦５％とするのがよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 好ましくは、１００Å以上、１０００Å以下とするのが
良い。 第１中間層４７は感度の向上、残留電位の低下、表面改
質層、中間層４６の接着性の向上及び画像の安定化の為
に設置する。 中間層４７は、上記特性改善の為には、Ｐ又はＮ型化す
る必要がある。不純物ドープ量は（ｐＨｉ）／（ｓｉＨ
４）＝ｔ〜１０００　（好ましくは１０〜５００）容：
＋ｉ、ｐｐｇｌ、（ＢｇＨａ）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）
　＝１０〜１０００（好ましくは５０〜５００）容量ｐ
ｐｍとしてよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
り、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 電荷発生層４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。 その為には、電荷発生層を真性化しても良い。この真性
化には、ＢｚＨａ／Ｓ　ｉ　Ｈ４＝　１〜２０容ｌｐｐ
ｍとするのがよい。 また、電荷発生層は１〜１１０ｌ１、好ましくは５〜７
μｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満であ
ると光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留
電位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
為には、真性化してよい。真性化の為のドープ量は、Ｃ
ＢＺＨ＆）／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）＝２〜２０容ｆｆｉｐ
ｐｍが最適である。但し、上記値はＣ濃度に依存する為
、必ずしも上記値に限定されるものではない。電荷輸送
層の膜厚は１０〜３０μｍとするのがよい。また、電荷
輸送層の組成は、１％く〔０３５３０％、好ましくは１
０％≦〔Ｃ〕　５３０％がよく、０％く〔０３５１０％
、好ましくは０％く　〔ｏ〕≦１％がよい。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
ホールの注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のため
には、必要に応じて周期表第Ｖａ族元素（例えばリン）
をグロー放電分解でドープして、真性化、更にはＮ型（
更にはＮ゛型）化する。 ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピング
量を湘Ｈ卸する。 ａ−５ｉＣ又はａ−３ｉＣＯ： 真性化　ＢＺＨ＆／Ｓ　ｉＨ４２〜２０容量ｐｐｍＮ型
（Ｎ’）　　Ｐ　Ｈ：＋／　Ｓ　ｉ　Ｈ４１”’１００
０容量　ｐ　ｐ　ｍａ−３ｉＮ又はａ−３ｉＮＯ： 真性化　Ｂ　ｚ　Ｈｂ／　Ｓ　ｉ　Ｈ４１〜２０００容
量ｐｐｍＮ型（Ｎ’）　Ｐ　Ｈ３／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　　
１〜２０００　　”ブロッキング層は、５ｉＯ１ＳｉＯ
□等の化合物でもよい。 また、ブロッキング層４４は膜厚５００人〜２μｍがよ
い。５００人未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。即ち、１％く〔０１５９０％、好ましく
は１０％≦（Ｃ）　　５７０％とし、１％く（Ｎ）６９
０％、好ましくは１０％く〔Ｎ３６７０％とし、０％≦
　〔０〕　５７０％、好ましくはＯ％≦〔０〕≦３０％
とするのがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質１４５、ブロンキン
グ層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、導電
型を制御するための不純物として、Ｐ型化のためにボロ
ン以外にもＡｆ、Ｇａ、Ｉ　ｎ、ＴＡ等の周期表第ｍａ
族元素を使用できる。Ｎ型化のためにはリン以外にも、
Ａ　Ｓ　％　Ｓ　ｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用でき
る。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセ・ントされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。 基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、
図中の６２はＳ　ｉ　Ｈａ　又はガス状シリコン化合物
の供給源、６３はｃ　ｒｔ、等の炭化水素ガスの供給源
、６４はＮ２等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０□
等の酸素化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリア
ガス供給源、６７は不純物ガス（例えばＢ、Ｈ，）供給
源、６８は各流量計である。このグロー放電装置におい
て、まず支持体である例えばＡβ基板４１の表面を清浄
化した後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス
圧が１０−６Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、か
つ基板４１を所定温度、特に１００〜３５０°Ｃ（望ま
しくは１５０〜３００°Ｃ）に加熱保持する。次いで、
高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、３ｉＨ４又
はガス状シリコン化合物、ＣＩ］４、Ｎ２．０□等を適
宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒ
ｒの反応圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例え
ば１３．５６　Ｍｌｌｚ）を印加する。これによって、
上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放
電分解し、Ｎ゛型ａ３ｉＣＯ：Ｈ，＋型ａ−３ｉＣＯ：
Ｈ，，ａ−３ｉ：Ｈ，Ｐ”又はＮ１型ａ−３ｉ：Ｈ，、
ａ−３ｉＣＯ：Ｈｌａ−３ｉＣＯ：Ｈを上記の層４４．
４２．４３．４７．４６．４５として基板上に連続的に
（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−３ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＩ（と併用してフッ素をＳｉ　Ｆ、等
の形で導入し、ａ−３ｉ：Ｆ、ａ−３ｉ　：Ｈ：ＦＸａ
−３ｉＮ：ＦＳａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｆ、
ａ−３＞Ｃ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフ
ン素置は０．５〜１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８／１１３号（特願昭５４−１５
２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が
可能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状ＡＰ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａ７！基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の
真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−
　’Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４
１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒ
ガスをキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒの
背圧のもとて周波数１３．５６　Ｍｌｌｚの高周波電力
を印加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、Ｓｉ
Ｈ４とＰＨ３からなる反応ガスを導入し、流量比１　：
　１　：　１　：　　（１，５ｘｌＯ−３）の（Ａ　ｒ
　＋　Ｓ　ｉＨ４＋　ＣＨａ又はＮＺ−）ＰＨ：＋）混
合ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブロッキ
ング機能を担うＮ゛型のａ−３ｉＣＯ：ＨＦ４４とａ−
３ｉＣＯ：Ｈ電荷輸送層４２とを６ｕｍ／ｈｒの堆積速
度で順次所定厚さに！！！！膜した。引き続き、ＰＨ，
及びＣＨ，を供給停止し、５ｉｌ−１−を放電分解し、
厚さ５μｍのａ−３ｉ：０層４３を形成した。引き続い
て、不純物ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し
、膜厚も変化させた中間層４７を形成し、更にａ−３ｉ
ＣＯ：Ｈ又はａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　Ｏ：　Ｈ中間層４６、
表面保護層４５を更に設け、電子写真感光体を完成させ
た。比較例として、中間層４７のない感光体を作成した
。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）９表面改質ＪｉＪ　：　ａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　Ｏ：
　Ｈ又はａ−３ｉＣＯ：Ｈ （２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図参照）（
３１，ａ−３ｉ　：　Ｈ電荷発生層：膜厚−５μｍｆ４
）、　　ａ−３ｉ　Ｃｏ　：　Ｈ電荷輸送層：膜厚＝１
５μｍＣ含有量−１２％ ０含有量＝０．２％ （５）。ａ−３ｉＣＯ：Ｈ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ電荷ブ
ロッキング層：膜厚＝０．５μｍ炭素含有量＝１１％ （６）、支持体：Ａｌシリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行なった。 引っかき強度 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ　−
Ｂ　ｉｘ　１６００（小西六写真工業社製）改造機にて
画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが現わ
れるかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。 貞鬼梳起 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　４５００（小西六写真工業
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を
判定した。 ◎二画像流れが全（なく　、５．５ポイントの英字や細
線の再現性が良い。 ○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 △：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。 残留電位ＶＲ（■） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、
４００ｎｍにピークをもつ除電光３０１　ｕｘ−ｓｅｃ
を照射した後も残っている感光体表面電位。 畳雪雪亡Ｖｏ　　（Ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業■製
）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの
条件で３６０　ＳＸ型電位計（トレソク社製）で測定し
た現像直前の表面電位。 半減露光ｆｆ１Ｅ　’Ａ　（（ｌ　ｕｘ−ｓｅｃ）上記
の装置を用い、グイクロイックミラー（光伸光学社製）
により像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分を
シャープカットし、表面電位を５００■から２５０■に
半減するのに必要な露光量。 （露光量は５５０−１型光量計（ＥＣ，ａｎｄＧ社製）
にて測定） 結果を第７図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分る。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系感光体の履断面図、第２図はａ−３
ｉＣの光学的エネルギーギャップを示すグラフ、 第３図はａ−３ｉＣの比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表、 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−・−−−−−−−−−−ａ　−Ｓ　ｉ系感光体４
１・−−−一−−−−−−・−支持体（基板）４２−−
−−−−一・・−・・電荷輸送層４３−−−−−−−−
・・−電荷発生層４４−・−・−・・−電荷ブロッキン
グ層４５−−−一−・−−−−−ｍ−表面改質層４６．
４７・−・−・−−一一一−・・中間層である。 代理人　弁理士　　逢　坂　　宏 第２図 ａ−８ｉｔ−ｘＣｘ：ＨＸ 第３図 炭素含有引ＯｔＯｍｉＣ％） 第６図 第４図 第７図 第８図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくと
   も１種を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素
   化シリコンからなる電荷ブロッキング層と；炭素原子及
   び酸素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化シリコンからなる電荷輸送層と；アモルファス水
   素化及び／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層と
   ；周期表第IIIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつ
   アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
   る第１中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のう
   ちの少なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び
   ／又はフッ素化シリコンからなる第２中間層と；炭素原
   子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を前
   記第２中間層よりも多く含有するアモルファス水素化及
   び／又はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次
   積層されてなる感光体。