JPS6228763A

JPS6228763A - 感光体

Info

Publication number: JPS6228763A
Application number: JP16875985A
Authority: JP
Inventors: Yoshihide Fujimaki; 藤巻　義英; Eiichi Sakai; 坂井　栄一; Toshiki Yamazaki; 山崎　敏規; Hiroyuki Nomori; 野守　弘之
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1985-07-30
Filing date: 1985-07-30
Publication date: 1987-02-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。口、従来技術従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｏにＡｓ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。　し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がある。一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。　　ａ−８ｔは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたいわゆる
ダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因して
エネルギーギャップ内（−多くの局在準位が存在する。　このため（＝、熱励起担体のホッピング伝導が生じて
暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップ
されて光伝導性が悪くなっている。　そこで、上記欠陥
を水素原子（６）で補償してＳｉｌ二Ｈを結合させるこ
とによって、ダングリングボンドを埋めることが行われ
る。このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｔ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０〜１０　
Ω−国であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万
分の１も低い。　従って、ａ−８ｔ：Ｈの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰連関が大きく、初期帯環電位
が低いという問題点を有している。しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。第８図には、上記のａ−８ｔ：Ｈを母材としたａ−Ｓｔ
系悪感光体９組込んだ電子写真複写機が示されている。　この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原
稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプ
ラテンカバー４とが配されている。　原稿台３の下方で
は、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラ
ーユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線
移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光
路長を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１
ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側から
の反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持
体としての感光体ドラム９上へスリット状（ユ入射する
ようになっている。　　ドラム９の周囲には、コロナ帯
電器１０、現像器１１、転写部１２、分離部１３クリー
ニング部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各
給紙ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はド
ラム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され
、トレイ３５へ排紙される。　定着部１９では、ヒータ
ー２２を内臓した加熱ローラーおと圧着ローラー２４と
の間に現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。しかしながら、ａ　−８１：Ｈを表面とする感光体は、
長期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コ
ロナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学
的安定性に関して、これまで十分な検討がなされていな
い。　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受
け、受容電位が著しく低下することが分っている。　一
方、アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉ
Ｃ：Ｈと称する。）：二ついて、その製法や存在が“Ｐ
ｈ１ｌ。Ｍａｇ、　ＶｏＬ　３５”　（１９７８）等に記載され
ており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと
、ａ−８ｔ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０〜１０
　Ω−譚）を有すること、炭素量により光学的エネルギ
ーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲（＝亘りて変化
すること等が知られている。　但、炭素の含有（二より
バンドギャップが拡がるために長波長感度が不良となる
という欠点がある。こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。　これによれば、ａ　−８ｉ
：Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下
にａ−８ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ　−８ｉ：Ｈによ
り広い波長域での光感度を得、かつａ−８ｉ　：Ｈ層と
へテロ接合を形成する下層のａ、　−Ｓ　ｉ　Ｃ：Ｈに
より帯電電位の向上を図っている。　しかしながら、ａ
−８ｔＣＨ層の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位は
なお不充分であって実用性のあるものとはならない上に
、表面にａ−８ｉ：Ｈ層が存在していることにより化学
的安定性や機械的強度、耐熱性等が不良となる。一方、特開昭５７−１７９５２号公報（二は、ａ−８ｔ
二Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層を
表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第
２のａ−ｓｉｃ：Ｈ層を形成している。また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層との間に傾斜層
（＆　−５ｔｔ−ｚＣｚ　：　Ｈ）を設け、この傾斜層
（−おいてａ−８ｔ：Ｈ側でＸ＝Ｏとし、ａ−８ｉＣ：
Ｈ層側でＸ−０，５とした感光体が知られている。しかしながら、上記の公知の感光体（二ついて本発明者
が検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる
効果は特に連続繰返し使用において、それ程発押されな
いことが判明した。　即ち、２０〜３０万回の連続ラン
ニング時に表面のａ−３ｉＣ層が７〜８万回程度で機械
的に損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠
陥として生じるため、耐刷性が充分ではない。　しかも
、繰返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上
に、電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温
度、湿度）（＝よる影響を無視できない。　また、表面
改質層と電荷発生層との接着性も更に改善する必要があ
る。ハ０発明の目的本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐刷性に優れている上）二
、画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の
光疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境
（温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供す
ることにある。二８発明の構成及びその作用効果即ち、本発明は、周期表第ＩＩＩａ族元素がヘビードー
プされかつ炭素原子、窒素原子及フッ素化シリコンから
なる電荷ブロッキング層と；アモルファス水素化シリコ
ンからなる光導電性層と；周期表第１１ａ族又は第Ｖａ
族元素がドープされかつ炭素原子、窒素原子及フッ素化
シリコンからなる電荷ブロッキング層と；アモルファス
水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる中間層と；
炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１
種を前記中間層よりも多く含有するアモルファス水素化
及び／又はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが順
次積１僧されてなる感光体に係るものである。本発明（＝よれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の
少なくとも１つの原子を含有しているために、機械的損
傷に対して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化が
なく、耐刷性が優れたものとなる。　また、本発明にお
いては、表面改質層と光導電性層との間に不純物ドープ
ド中間層を設けているので、表面改質層と光導電性層と
の接着性が向上する。　また、′・表面改質層と中間層
とを光導電性層上に設けているので、上記に加えて、繰
返し使用時の耐光疲労（＝優れ、また画像流れもなく、
残留電位も低下し、電気的・光学的特性が常時安定化し
て使用環境に影響を受けないことが確認されている。ホ、実施例以下、本発明を実施例（二ついて詳細に説明する。第１図は、本実施例による正帯電用のａ−８ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。　この感光体３９はＡ
ｔ等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第ＩＩ
Ｉａ族元素（例えばホウ素）が〜ビードープされかつＣ
，Ｎ及び０の少なくとも１つを含有するａ−８ｉ：Ｈ（
これをａ　−Ｓ　ｔ　（Ｃ）（Ｎ）（０）　：　Ｈと表
わす。）からなるＰ型電荷ブロッキング層４４と、ａ　
−８ｉ：Ｈからなる光導電性層（不純物ドーピングなし
又は真性化されたもの）４３と周期表第１ｆｌａ族又は
第Ｖａ族元素がヘビードープされたＰ型又はＮ＋型であ
ってＣ％Ｎ及びＯの少なくとも１つを含有するアモルフ
ァス水素化シリコンからなる中間層４６と、周期表第１
１１ａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型又はＮ型
或いは真性化（若しくは不純物ドーピングなしの）され
かっＮ、Ｃ及び０の少なくとも１つを含有するアモルフ
ァス水素化シリコンからなる表面改質層４５とが積層さ
れた構造からなっている。　電荷発生図４３は暗所抵抗
率ρＤと光照射時の抵抗率ρＬとの比が電子写真感光体
として充分大きく光感度（特に可視及び赤外領域の光に
対するもの）が良好である。なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
１２ｇ　＋　ｏｐｔ）とほぼ直線的な関係があるので、
炭素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換え
て規定することができる。また、ａ−３ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのよう（二比抵抗の上昇、帯電
電位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。　
即ち、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有量が
３０〜９０％のａ−８ｉＣ：Ｈを用いた場合、その比抵
抗は炭素含有量に従りで変化し、１０　　Ω−譚以上（
二なる。上記の傾向は、炭素に代えてＮ又はＯを含むａ−８ＩＮ
：Ｈ，ａ−８ｉＯ：Ｈについても同様である。上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−８ｔ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。　即ち、表面での電荷保持と、光照射による表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。　これに反し、ａ−８ｔ：Ｈな
表面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲
気等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくな
る。また、層４５は表面硬度が高いために現像、転写、クリ
ーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱性
も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセス
を適用することができる。上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｉ＋Ｃ−１Ｃ−１０
０ａｔｏ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単シー％で表わす
。）としたとき１％≦（Ｃ）６９０％、更には１０％≦
〔０３６７０％であることが望ましい。　このＣ含有量
（二よって上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学
的エネルギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、可
視及び赤外光に対しいわゆる光学的（−透明な窓効果に
より照射光はａ　−８ｉ　：Ｈ層（電荷発生層）４３に
到達し易くなる。　しかし、Ｃ含有量が１％以下では、
機械的損傷等の欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下
となり易く、かつ一部分の光は表面層４旧ユ吸収され、
感光体の光感度が低下し易くなる。　また、Ｃ含有量が
９０％を越えると眉の炭素量が多くなり、半導体特性が
失われ易い上（二ａ−８ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形
成するときの堆積速度が低下し易いので、Ｃ含有量は９
０％以下とするのがよい。　同様に、窒素又は酸素を含
有する屑４５の場合、１％≦（Ｎ）６９０％（更には１
０％≦（Ｎ）５７０％）がよく、０％＜〔０３６７０％
（更には５％≦

〔０〕≦３０％）がよい。帯電能を向上させる為には、表面改質層４５を高抵抗化
してもよい。　その為には表面改質層を真性化してもよ
い。正又は負帯電使用において、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
る為には、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。　各
場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は次
の通りであってよい。真性化：　Ｂ、Ｈ，／ＳｉＨ，（”〜２０００容ｉ　ｐ
ｐｍ（ａ−ｓｓＮＯ：ａ（Ｂ５）２〜５０容量ｐｐｍ（
ａ　−８ｉｃＯ：Ｈ（Ｆ）　）Ｐ型、　Ｂ２Ｈ，／ｓｔ
ｎ、　（２０００〜５０００　　＃　　（ａ−８ｉＮＯ
：Ｈ（Ｆ））５ｏ　〜１０００　　ｚ　　（ａ−８ｉＣ
Ｏ：Ｈ（Ｆ’））’Ｎ　型：ＰＨ３／ＳｉＨ４１〜１０
００　　ｚ　　（ａ−８ｉＣＯ：Ｈ（”ａ−８ｉＮＯ：
Ｈ（Ｆ）共通）また、層４５はａ−８ｉＣＯ５ａ−８Ｉ　Ｎ　Ｑ　％ａ
−８ｉ　０１ａ−８ｉ０２等からなっていてよく、その
膜厚を４００＾≦ｔ　≦５ｏｏｏ　；、ノ範囲内（’Ｉ
’Ｈ−４ｏｏＸ　≦ｔ（ｚｏｏｏＸに選択することも重
要である。　即ち、その膜厚が５０００　Ｘを越える場
合には、残留電位ｖＲが高くなりすぎかつ光感度の低下
も生じ、ａ−８ｔ系痛感光としての良好な特性を失い易
い。　また、膜厚を４００Ｘ未満とした場合（−は、ト
ンネル効果によって電荷が表面上に帯電されなくなるた
め、暗減衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。　中
間層４６は、感度の向上、残留電位の低下、表面改質層
の接着性の向上及び画像の安定化の為（＝設置する。　
上記特性改善の為（二は、Ｐ又はＮ型化する必要がある
。　不純物ドープ量は（ＰＨｓ　）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ
，：ｌ−１〜ｔｏｏｏ　（好ましくは５０〜５００）容
量ｐｐｍ　（ＢｔＨａ）　／（Ｓ　ｉＨ４）−１〜１０
００　（好ましくは５０〜５００）容ｉｐｐｍとしてよ
い。　中間層４６のＣ，Ｎ、０の含有量は、０　＜　（
Ｃ）５１０％、０　＜　（Ｎ）５１０％、０　＜　（０）≦５％とするのがよい。この中間層の膜厚は５０〜５０００＾とするのがよいが
、５０００　Ｘを越えると上記したと同様の現象が生じ
易く、５０Ａ未満では中間層としての効果が乏しくなる
。　光導電性層４３（二ついては、帯電能を向上する為
には、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよく、その為に
は電荷発生局を真性化しても良い。　このためには、Ｂ
１Ｈ６／ＳｉＨ４：ｌ！Ｏ〜５０容量ｐｐｍ、好ましく
は１〜２０容ｉｐｐｍとするのがよい。また、光導電性層は５〜８０μｍ、好ましくは１０〜３
０μ隅とするのがよい。　光導電性１畜４３が５μｍ未
満であると十分な帯電電位が得られず、また８０μ瀉を
越えると残留電位が上昇し、実用上不充分である。また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第１１１ａ族元素（例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更に＋はＰ型）化する。　ブロクキング層の組成によって、次
のようにドーピング量を制御する。ａ−８ｉＣ’１２ｊｔａ−８ｉＣＯ：　Ｐ型（ｐ）；Ｂ
ｔＨ６／ＳｉＨ，２０〜５０００容ｔｐｐＩＩＩａ−８１Ｎ１ｔａ−８ｉＮＯ：　Ｐ型（Ｐ　）　ｔ
　ＢｔＨ４／Ｓ　ｔ　＆２０００〜５０００容量ｐｐｍブロッキング層はｓ　３ｔＱ、　　ｓｔｏ、等の化合物
でもよい。また、ブロッキング層具は膜厚５００Ａ〜２μ溝がよい
。　　５００Ａ未満であるとブロッキング効果が弱く、
また２μ篤を越えると電荷輸送能が悪くなり易い。ブロッキング層４４の組成：二ついては、次のようにす
るのが望ましい。　即ち、１％＜〔０３５９０％、好ま
しくは１０％≦（Ｃ）５７０％とし、１％〈〔Ｎ３５９
０％、好ましくは１０％＜〔８３５７０％とし、０％≦

〔０〕≦７０％、好ましくはθ％≦

〔０〕≦３０％とす
るのがよい。なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。　特に、電荷発生層４３中の水素含有壇は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必須不可欠でありて、１０〜３０％であるのが
望ましい。　この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッ
キング層４４も同様である。また、導電型を制御するための不純物として、Ｐ型化の
ためにボロン以外にもＡｔ、　Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｔ等の周
期表第［ａ族元素を使用できる。　Ｎ型化のためにはリ
ン以外にも、Ａｓ、ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用
できる。次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直（一回転可能にセットされ、ヒーター５５で基４１
を内側から所定温度（：加熱し得るようになっている。　基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付き
の円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間（＝
高周波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。　
なお、図中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物
の供給源、６３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６
４はＮ７等の窒素化合物ガスの供給源、６５はＯｌ等の
酸素化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス
供給源、６７は不純物ガス（例えばｎｔｚ）供給源、６
８は各流量計である。　このグロー放電装置において、
まず支持体である例えばＡｔ基板４１の表面を清浄化し
た後に真空槽５２内（＝配置し、真空槽５２内のガス圧
が１０　　Ｔｏｒｒとなるよう（−調節して排気し、か
つ基板４１を所定温度、特＋：１００〜３５０℃（望ま
しくは１５０〜３００℃）（＝加熱保持する。　次いで
、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４
又はガス状シリコン化合物、ＣＨ，、Ｎ、　、　０．等
を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０　
Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６（−より高周波電
圧（例えば１３．５６ＭＨｚ）を印加する。これによって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１と
の間でグロー放電分解し、Ｐ型ａ−８，ＩＣＯ：Ｈｌａ
−ｓｔ：Ｈ％ｐ又はＮ型ａ−８ｉＣＯ：Ｈ，ａ−８ｉＣ
Ｏ：Ｈを上記の層祠、４３．４６．４５として基板上に
連続的に（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積さ
せる。上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。なお、上記ａ−８ｔ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形
で導入し、ａ−８ｉ　：Ｆ１ａ−８ｉ　：Ｈ：Ｆ、ａ−
８ＩＮ：Ｆ％　ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−８ｉＣ：Ｆ。ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。　この場合の
フッ素量は０．５〜１０％が望ましい。なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活神化又はイオン化され
た水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等（＝よっても上記感光体の製造が
可能である。以下、本発明を具体的な実施例について説明する。グロー放電分解法により、ドラム状Ｍ支持体上に第１図
の構造の電子写真感光体を作製した。即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｔ基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内（二装置し、真空槽５２内のガス圧か１０　
　Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１
を所定温度、とくに１００〜３５０℃（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。　次いで、高純度のＡ
ｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの
背圧のもとで周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を
印加し、１０分間の予備放電を行った。　次いで、Ｓｉ
Ｈ４とＢ、Ｈ，からなる反応ガスを導入し、流量比１　
：　１　：　１　：　（１，５Ｘ１０−”）の（Ａｒ＋
　Ｓ　ｉＨ４＋　ＣＨ４＋　Ｂ、Ｈ６）混合ガスをグロ
ー放電分解すること（二より、電荷ブロッキング機能を
担う＋Ｐ型のａ−８ｉＣ：Ｉ（層４４（但、Ｂｔ　Ｈ６／　Ｓ
　Ｉ　Ｈ４＝　６容量％、（Ｃ）＝１２％、（０）　＝
　１０００　ｐｐｍ　（Ｓｉに対し））を６μｌＩＩ／
ｈｒの堆積速度で所定厚さに製膜した。　引き続き、Ｂ
、Ｈ８及びＣＨ４を供給停止し、ＳｉＨ，を放電分解し
、厚さ５μ廊のａ−８ｔ：Ｈ層４３を形成した。　引続
いて、不純物ガスの流１比を変化させてグロー放電分解
し、膜厚も変化さセた中間層４６を形成し、更にａ−８
ｉＣＯ：Ｈ又はａ　−Ｓ　Ｉ　ＮＯ：Ｈ表面保護層４５
を更（二設け、電子写真感光体を完成させた。　比較例
として、中間層のない感光体を作成した。こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。（１）０表面改質層：ａ−ＳｉＮＯ：Ｈ又はａ−８ｉＣ
Ｏ：Ｈ（２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図参
照）（３）、　　ａ−８ｉ　：　Ｈ光導電性層：膜厚＝
２２Ａ１ｍ（４）。ａ−８ｉＣＯ：Ｈ又はａ−８ｉＮ０
二Ｈ電荷ブロッキング層：膜厚−１μ島炭素含有量−１１％正帯電用：Ｂドープ有り（！５）、支持体：Ａｔンリング−（鏡面研旧仕上げ）
次に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよう
に行なった。引っかき強度第６図に示すよう（−１感光体３９面に垂直に当てた０
、３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７
エで回転させ、傷をつける。　次に、電子写真複写機Ｕ
　−Ｂｉｘ　１６００　（小西六写真工業社製）改造機
にて画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが
現われるかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする
。画像流れ温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−ＢｉＸ　４５００（小西六写真工業社
製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後
、画像出しを行ない、以下の基票で画像流れの程度を判
定した。 ◎：画画像れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 ○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 △：５．５ポイントの英字がつぶれて涜みづらい。Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。Ｕ　−Ｂｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、４
００ｎｍにピークをもつ除電光３０　ｔｕｘ−ｓｅｃを
照射した後も残りている感光体表面電位。帯電電位Ｖ。（■）Ｕ　−Ｂｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業■製）
を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの条
件で３６０ＳＸ型′電位計（トレック社製）で測定した
現像直前の表面電位。半減露光＋ｆｋＥ’ｙ５２　（ｔｕｘ−ｓｅａ　）上記
の装置を用い、ダイクロイックミラーく元押光学社製）
（二より像露光波長のうち６２０　ｎｍ以上の長波長成
分をンヤーブカットし、表面電位を５００　Ｖから２５
０Ｖｌ二半減するのに必要な露光量。（露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）（
二て測定）結果を第７図にまとめて示した。　この結果から、本発
明に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分る。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、第１図はａ−８ｔ系感光体のｌ断面図、第２図はａ−８
ｉＣの光学的エネルギーギャップをしめずグラフ、第３図はａ−８ｉＣの比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表である。第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。なお、図面に示された符号において、３９・・・・・・・・・・ａ−８ｔ系感光体４１・・・
・・・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・
−電荷輸送層４３・・・・・・・・・・電荷発生層４４・・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・
・・・・・・・・表面改質層４６・・・・・・・・・・中間層である。代理人　弁理士　逢　坂　　　宏第１図第２図ａ−５ｉｔ−ｘＣｘ：ｌ−（ｘ第３図第６図第４図第７図

Claims

【特許請求の範囲】

１、周期表第IIIａ族元素がヘビードープされかつ炭素
原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を
含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
ンからなる電荷ブロッキング層と；アモルファス水素化
及び／又はフッ素化シリコンからなる光導電性層と；周
期表第IIIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつ炭素
原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を
含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
ンからなる中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子
のうちの少なくとも１種を前記中間層よりも多く含有す
るアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンから
なる表面改質層とが順次積層されてなる感光体。