JPH0458225A - 透明導電膜およびその製造方法 - Google Patents
透明導電膜およびその製造方法Info
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- JPH0458225A JPH0458225A JP17050390A JP17050390A JPH0458225A JP H0458225 A JPH0458225 A JP H0458225A JP 17050390 A JP17050390 A JP 17050390A JP 17050390 A JP17050390 A JP 17050390A JP H0458225 A JPH0458225 A JP H0458225A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は透明導電膜およびその製造方法に関する。
従来より液晶表示体、エレクトロルミネッセンス、太陽
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、鋼、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜と酸化第二スズ、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛などの酸化物半導体がある。
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、鋼、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜と酸化第二スズ、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛などの酸化物半導体がある。
金属薄膜は低い基板温度で容易に低抵抗の膜を作製する
ことができるが、高い透過率を得るためには膜厚を非常
に薄くしなければならず機械的強度が劣るという欠点を
持っている。一方酸化物半導体は優わた透光性と膜強度
を有しており導電性も良いことから実用的であり広く応
用されている。
ことができるが、高い透過率を得るためには膜厚を非常
に薄くしなければならず機械的強度が劣るという欠点を
持っている。一方酸化物半導体は優わた透光性と膜強度
を有しており導電性も良いことから実用的であり広く応
用されている。
中でもＩＴＯ膜は電気抵抗が低く透明電極などとして最
も広く使われている。 通常ＩＴＯ膜は、成膜された後
に、塩酸と水の混合液等のエツチング液によって目的に
あった形状にエツチング加工されて使用される。
も広く使われている。 通常ＩＴＯ膜は、成膜された後
に、塩酸と水の混合液等のエツチング液によって目的に
あった形状にエツチング加工されて使用される。
しかしながら、ガラス基板上にＩＴＯ膜をスパッタ法に
よって作製した場合、ミクロ的に酸化スズ成分が基板面
に付着し、前記のエツチング液で工Ｔｏ膜をエツチング
しても酸化スズは剥離されず基板上に残るため、きれい
なエツチング加工ができない場合がある。そうした場合
液晶表示体などの透明電極として使った時には電極間の
ショートを起こしてしまうという問題がある。そこで本
発明の目的は、このような剥離部の酸化スズ残りを発生
させない透明導電膜を提供することにある。
よって作製した場合、ミクロ的に酸化スズ成分が基板面
に付着し、前記のエツチング液で工Ｔｏ膜をエツチング
しても酸化スズは剥離されず基板上に残るため、きれい
なエツチング加工ができない場合がある。そうした場合
液晶表示体などの透明電極として使った時には電極間の
ショートを起こしてしまうという問題がある。そこで本
発明の目的は、このような剥離部の酸化スズ残りを発生
させない透明導電膜を提供することにある。
本発明の透明導電膜は、基板上に第１層として酸化イン
ジウム層が形成された後、第２層としてＩＴＯ層が形成
された積層構造を持つことを特徴としている。また、本
発明の透明導電膜の製造方法は、基板上に透明導電膜を
形成する際、第１層として酸化インジウム層を、第２層
としＩＴＯ層を順次設けることを特徴としている。
ジウム層が形成された後、第２層としてＩＴＯ層が形成
された積層構造を持つことを特徴としている。また、本
発明の透明導電膜の製造方法は、基板上に透明導電膜を
形成する際、第１層として酸化インジウム層を、第２層
としＩＴＯ層を順次設けることを特徴としている。
真空チャンバー内を５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの圧力まで排
気した後、酸素の圧力が４Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、アルゴ
ンと酸素の圧力の和が５Ｘ１０−３Ｔ。
気した後、酸素の圧力が４Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、アルゴ
ンと酸素の圧力の和が５Ｘ１０−３Ｔ。
ｒｒになるようにガスを導入し、３００°Ｃに加熱した
ガラス基板上にＤＣマグネトロンスパッタ法で第１層の
酸化インジウム層を２００オンダストローム、第２層の
ＩＴｏ層を１０００オングストローム順次形成し実施例
とした。また、比較例として実施例と同様な手順でＩＴ
Ｏ膜を１０００オングストローム作製した。
ガラス基板上にＤＣマグネトロンスパッタ法で第１層の
酸化インジウム層を２００オンダストローム、第２層の
ＩＴｏ層を１０００オングストローム順次形成し実施例
とした。また、比較例として実施例と同様な手順でＩＴ
Ｏ膜を１０００オングストローム作製した。
これらの膜を塩酸と硝酸と水の混合液で、ＩＴＯ線の幅
が１００オングストローム、線と線の間隔が４０オング
ストロームのストライブ状にエツチング加工した。その
結果、比較例の方は線と線の間、すなわち膜が剥離され
ていなければならない部分に、酸化スズが点状に残って
おりガラス面が汚れていた。それと比較して本実施例は
線間に酸化スズが残る事なくきれいにエツチングされて
いる。
が１００オングストローム、線と線の間隔が４０オング
ストロームのストライブ状にエツチング加工した。その
結果、比較例の方は線と線の間、すなわち膜が剥離され
ていなければならない部分に、酸化スズが点状に残って
おりガラス面が汚れていた。それと比較して本実施例は
線間に酸化スズが残る事なくきれいにエツチングされて
いる。
以上述べたように、本発明の透明導電膜は基板上に第１
層として酸化インジウム層が形成された後、第２層とし
てＩＴｏ層が形成された積層構造を持つので、ＩＴＯ膜
をエツチング加工する際酸化スズが剥離部に残るという
問題がなくなった。
層として酸化インジウム層が形成された後、第２層とし
てＩＴｏ層が形成された積層構造を持つので、ＩＴＯ膜
をエツチング加工する際酸化スズが剥離部に残るという
問題がなくなった。
したがって、本発明の透明導電膜を用いることによって
液晶表示体などの透明電極間のショートをなくすことが
でき、生産性・品質の向上といった効果を有する。なお
本発明の透明導電膜は真空蒸着法、ＲＦスパッタリング
法、イオンブレーティング法、イオンビームスパッタ法
、ＣＶＤ法など様々な手法により成膜可能でありその応
用分野も各種表示デバイス、太陽電池、撮像素子などの
透明電極や発熱膜、帯電防止膜、熱線反射膜、選択透過
膜など広い分野で応用可能である。また、本発明の透明
導電膜の製造方法は、基板上に透明導電膜を形成する際
、第１層として酸化インジウム層を、第２層としてＩＴ
Ｏ層を順次設けたのでエツチング加工性が優れた透明導
電膜を得ることができる。
液晶表示体などの透明電極間のショートをなくすことが
でき、生産性・品質の向上といった効果を有する。なお
本発明の透明導電膜は真空蒸着法、ＲＦスパッタリング
法、イオンブレーティング法、イオンビームスパッタ法
、ＣＶＤ法など様々な手法により成膜可能でありその応
用分野も各種表示デバイス、太陽電池、撮像素子などの
透明電極や発熱膜、帯電防止膜、熱線反射膜、選択透過
膜など広い分野で応用可能である。また、本発明の透明
導電膜の製造方法は、基板上に透明導電膜を形成する際
、第１層として酸化インジウム層を、第２層としてＩＴ
Ｏ層を順次設けたのでエツチング加工性が優れた透明導
電膜を得ることができる。
以 上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人弁理士 鈴木喜三部（他１名）
Claims (1)
- （１）基板上に第１層として酸化インジウム層が形成さ
れた後、第２層としてスズがドーピングされた酸化イン
ジウム（ＩＴＯ）層が形成された積層構造を持つことを
特徴とする透明導電膜。（２）基板上に透明導電膜を形
成する際、第１層として酸化インジウム層を、第２層と
してＩＴＯ層を順次設けたことを特徴とする透明導電膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17050390A JPH0458225A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17050390A JPH0458225A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0458225A true JPH0458225A (ja) | 1992-02-25 |
Family
ID=15906169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17050390A Pending JPH0458225A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0458225A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100859148B1 (ko) * | 2007-03-23 | 2008-09-19 | 희성금속 주식회사 | 고평탄 투명도전막 및 그 제조 방법 |
-
1990
- 1990-06-28 JP JP17050390A patent/JPH0458225A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100859148B1 (ko) * | 2007-03-23 | 2008-09-19 | 희성금속 주식회사 | 고평탄 투명도전막 및 그 제조 방법 |
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