JPH0458890B2 - - Google Patents
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- JPH0458890B2 JPH0458890B2 JP25288485A JP25288485A JPH0458890B2 JP H0458890 B2 JPH0458890 B2 JP H0458890B2 JP 25288485 A JP25288485 A JP 25288485A JP 25288485 A JP25288485 A JP 25288485A JP H0458890 B2 JPH0458890 B2 JP H0458890B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- measured
- semiconductor substrate
- measurement control
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザパワーを測定するレーザパワ
ー測定方法に関するものである。
ー測定方法に関するものである。
（従来の技術）
従来のレーザパワーを測定するレーザパワーメ
ータは、第３図に示すように熱伝導性基板１の被
測定レーザ光２の照射側の面に黒化吸収面３を設
け、この黒化吸収面３に対して同心状に基板１に
熱電対４と冷却ジヤケツト５を設けた構造であつ
た。かかるレーザパワーメータでは、被測定レー
ザ光２を黒化吸収面３で熱エネルギーに変換し、
基板１の温度上昇を熱電対４で電気的に検出する
ことにより被測定レーザ光２のパワーの測定を行
つていた。
ータは、第３図に示すように熱伝導性基板１の被
測定レーザ光２の照射側の面に黒化吸収面３を設
け、この黒化吸収面３に対して同心状に基板１に
熱電対４と冷却ジヤケツト５を設けた構造であつ
た。かかるレーザパワーメータでは、被測定レー
ザ光２を黒化吸収面３で熱エネルギーに変換し、
基板１の温度上昇を熱電対４で電気的に検出する
ことにより被測定レーザ光２のパワーの測定を行
つていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このようなレーザパワーの測定
の仕方では、パワーレベルが高くなると、大熱量
を扱うことになり、構造上の制約、冷却上の制
約、黒化吸収面３の耐久性等により設計が困難に
なり、安定な測定ができにくい問題点があつた。
例えば、銅製の厚さ10mmの基板１に69mmの内径で
冷却ジヤケツト５を設け、黒化吸収面３にビーム
径が40mmで5kwの被測定レーザ光２を入射させた
場合、基板１の中心の温度上昇は280℃になり、
黒化吸収面３が損傷される問題点があつた。基板
１の厚さを厚くすれば、温度上昇は少なくなる
が、誤差が発生し、また冷却ジヤケツト５の設計
上の点からも余り厚くはできない。
の仕方では、パワーレベルが高くなると、大熱量
を扱うことになり、構造上の制約、冷却上の制
約、黒化吸収面３の耐久性等により設計が困難に
なり、安定な測定ができにくい問題点があつた。
例えば、銅製の厚さ10mmの基板１に69mmの内径で
冷却ジヤケツト５を設け、黒化吸収面３にビーム
径が40mmで5kwの被測定レーザ光２を入射させた
場合、基板１の中心の温度上昇は280℃になり、
黒化吸収面３が損傷される問題点があつた。基板
１の厚さを厚くすれば、温度上昇は少なくなる
が、誤差が発生し、また冷却ジヤケツト５の設計
上の点からも余り厚くはできない。
本発明の目的は、黒化吸収面等の問題点を回避
して高出力のレーザパワーも容易に測定すること
ができるレーザパワー測定方法を提供することに
ある。
して高出力のレーザパワーも容易に測定すること
ができるレーザパワー測定方法を提供することに
ある。
（問題点を解決するための手段）
上記の目的を達成するための本発明の手段を、
実施例に対応する第１図及び第２図を参照して説
明すると、本発明は被測定レーザ光２は透過させ
測定制御レーザ光７は吸収してその部分では前記
被測定レーザ光２を反射させる特性を有する半導
体基板６を用い、前記被測定レーザ光２が照射さ
れる位置に前記測定制御レーザ光７を照射し、前
記被測定レーザ光２が前記半導体基板６を経てセ
ンサ８に入射される時間を、前記測定制御レーザ
光７の照射時間を制御することにより制御するこ
とを特徴とする。
実施例に対応する第１図及び第２図を参照して説
明すると、本発明は被測定レーザ光２は透過させ
測定制御レーザ光７は吸収してその部分では前記
被測定レーザ光２を反射させる特性を有する半導
体基板６を用い、前記被測定レーザ光２が照射さ
れる位置に前記測定制御レーザ光７を照射し、前
記被測定レーザ光２が前記半導体基板６を経てセ
ンサ８に入射される時間を、前記測定制御レーザ
光７の照射時間を制御することにより制御するこ
とを特徴とする。
（作用）
このようにして測定を行うと、センサ８に入射
される被測定レーザ光２は、そのエネルギーに応
じて照射時間が短時間に制限され、従つてセンサ
８の温度上昇が抑制される。このため、高出力で
も支障なく測定できる。
される被測定レーザ光２は、そのエネルギーに応
じて照射時間が短時間に制限され、従つてセンサ
８の温度上昇が抑制される。このため、高出力で
も支障なく測定できる。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面を参照して詳細に説
明する。第１図は本発明の第１実施例を示したも
のである。本実施例では被測定レーザ光２の光路
に斜視させて半導体基板６を設置する。この半導
体基板６は、被測定レーザ光２は透過させ、測定
制御レーザ光７は吸収してその部分では自由電子
が発生し被測定レーザ光２を反射させる特性を有
する。このような半導体基板６としては、例えば
ゲルマニウム板を用いる。ゲルマニウムは、波長
が0.5〜1.5umでは吸収特性をもち、自由電子の発
生が大であり、波長が３〜15umでは透過特性を
もつているので、被測定レーザ光２としてはCO，
CO2レーザ光、測定制御レーザ光７としてはレビ
ーレーザ光やYAGレーザ光が適当である。測定
制御レーザ光７は、被測定レーザ光２が当たる半
導体基板路６の位置と同じ位置に、被測定レーザ
光２のビームスポツトと同じか或いはそれより大
きいビームスポツトで当たるようにする。被測定
レーザ光２が半導体基板６で反射し反射光が通る
光路上の位置にはセンサを配置して受光し、パワ
ーを電気的に検出し、これを増幅・表示器９で増
幅して表示させるようになつている。半導体基板
６を透過した被測定レーザ光２が通る光路上に
は、黒化吸収・冷却器１０を配置し、不要レーザ
光を吸収させるようになつている。
明する。第１図は本発明の第１実施例を示したも
のである。本実施例では被測定レーザ光２の光路
に斜視させて半導体基板６を設置する。この半導
体基板６は、被測定レーザ光２は透過させ、測定
制御レーザ光７は吸収してその部分では自由電子
が発生し被測定レーザ光２を反射させる特性を有
する。このような半導体基板６としては、例えば
ゲルマニウム板を用いる。ゲルマニウムは、波長
が0.5〜1.5umでは吸収特性をもち、自由電子の発
生が大であり、波長が３〜15umでは透過特性を
もつているので、被測定レーザ光２としてはCO，
CO2レーザ光、測定制御レーザ光７としてはレビ
ーレーザ光やYAGレーザ光が適当である。測定
制御レーザ光７は、被測定レーザ光２が当たる半
導体基板路６の位置と同じ位置に、被測定レーザ
光２のビームスポツトと同じか或いはそれより大
きいビームスポツトで当たるようにする。被測定
レーザ光２が半導体基板６で反射し反射光が通る
光路上の位置にはセンサを配置して受光し、パワ
ーを電気的に検出し、これを増幅・表示器９で増
幅して表示させるようになつている。半導体基板
６を透過した被測定レーザ光２が通る光路上に
は、黒化吸収・冷却器１０を配置し、不要レーザ
光を吸収させるようになつている。
かかる状態で、測定制御レーザ光７はパルス状
として繰り返し半導体基板６に照射する。その同
じ半導体基板６上の位置に被測定レーザ光２を連
続的に照射する。かくすると、測定制御レーザ光
７が照射されている時は、その部分が半導体基板
６に自由電子が発生し、反射特性をもつようにな
つて被測定レーザ光２の一部を反射させる。この
反射された被測定レーザ光２をセンサ８で平均値
として検出し、その値を増幅・表示器９に表示さ
せる。測定制御レーザ光７が照射されていない時
は、被測定レーザ光２は半導体基板６を透過し、
黒化吸収・冷却器１０で吸収され冷却される。測
定制御レーザ光７の照射時間を短かくすることに
より、センサ８に入射する被測定レーザ光２の平
均パワーを小さくすることができるので、小電力
用のセンサ８で安定して大電力の測定ができるよ
うになる。測定制御レーザ光７による半導体基板
６の反射率を予め測定しておくことにより、セン
サ８には被測定レーザ光２のパワーに比例したパ
ワーが照射されているので、増幅・表示器９で比
例定数等を掛けることにより被測定レーザ光２の
正しい測定が行える。
として繰り返し半導体基板６に照射する。その同
じ半導体基板６上の位置に被測定レーザ光２を連
続的に照射する。かくすると、測定制御レーザ光
７が照射されている時は、その部分が半導体基板
６に自由電子が発生し、反射特性をもつようにな
つて被測定レーザ光２の一部を反射させる。この
反射された被測定レーザ光２をセンサ８で平均値
として検出し、その値を増幅・表示器９に表示さ
せる。測定制御レーザ光７が照射されていない時
は、被測定レーザ光２は半導体基板６を透過し、
黒化吸収・冷却器１０で吸収され冷却される。測
定制御レーザ光７の照射時間を短かくすることに
より、センサ８に入射する被測定レーザ光２の平
均パワーを小さくすることができるので、小電力
用のセンサ８で安定して大電力の測定ができるよ
うになる。測定制御レーザ光７による半導体基板
６の反射率を予め測定しておくことにより、セン
サ８には被測定レーザ光２のパワーに比例したパ
ワーが照射されているので、増幅・表示器９で比
例定数等を掛けることにより被測定レーザ光２の
正しい測定が行える。
第２図は本発明の他の実施例を示したものであ
る。この実施例では、被測定レーザ光２が半導体
基板６を通過して通る光路上にセンサ８を配置
し、被測定レーザ光２が反射して通る光路上に黒
化吸収・冷却器１０を配置している。
る。この実施例では、被測定レーザ光２が半導体
基板６を通過して通る光路上にセンサ８を配置
し、被測定レーザ光２が反射して通る光路上に黒
化吸収・冷却器１０を配置している。
かかる状態で半導体基板６に被測定レーザ光２
を連続的に印加し、その印加箇所に測定制御レー
ザ光７をパルス状に繰り返し印加する。かくする
と、測定制御レーザ光７が照射されている時は、
被測定レーザ光２は反射され、黒化吸収・冷却器
１０で吸収・冷却される。測定制御レーザ光２が
照射されていない時には、被測定レーザ光２は半
導体基板６を透過してセンサ８に繰り返し入射さ
れ、平均値として検出され、これが増幅・表示器
９で表示される。
を連続的に印加し、その印加箇所に測定制御レー
ザ光７をパルス状に繰り返し印加する。かくする
と、測定制御レーザ光７が照射されている時は、
被測定レーザ光２は反射され、黒化吸収・冷却器
１０で吸収・冷却される。測定制御レーザ光２が
照射されていない時には、被測定レーザ光２は半
導体基板６を透過してセンサ８に繰り返し入射さ
れ、平均値として検出され、これが増幅・表示器
９で表示される。
（発明の効果）
以上説明したように本発明に係るレーザパワー
測定方法では、半導体基板を介してセンサに入射
される被測定レーザ光の入射時間を、この半導体
基板に照射する測定制御レーザ光により制御して
いるので、センサの温度上昇を抑制して測定を行
うことができる。従つて、高出力でも小電力用の
センサで安定して測定することができる。
測定方法では、半導体基板を介してセンサに入射
される被測定レーザ光の入射時間を、この半導体
基板に照射する測定制御レーザ光により制御して
いるので、センサの温度上昇を抑制して測定を行
うことができる。従つて、高出力でも小電力用の
センサで安定して測定することができる。
第１図乃び第２図は本発明に係るレーザパワー
測定方法を実施する装置の第１、第２の実施例の
概略構成図、第３図は従来のレーザパワー測定方
法の要部縦断面図である。 ２……被測定レーザ光、６……半導体基板、７
……測定制御レーザ光、８……センサ。
測定方法を実施する装置の第１、第２の実施例の
概略構成図、第３図は従来のレーザパワー測定方
法の要部縦断面図である。 ２……被測定レーザ光、６……半導体基板、７
……測定制御レーザ光、８……センサ。
Claims (1)
- １ 被測定レーザ光は透過させ測定制御レーザ光
は吸収してその部分では前記被測定レーザ光を反
射させる特性を有する半導体基板を用い、前記被
測定レーザ光が照射される位置に前記測定制御レ
ーザ光を照射し、前記被測定レーザ光が前記半導
体基板を経てセンサに入射される時間を、前記測
定制御レーザ光の照射時間を制御することにより
制御することを特徴とするレーザパワー測定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25288485A JPS62113031A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | レ−ザパワ−測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25288485A JPS62113031A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | レ−ザパワ−測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113031A JPS62113031A (ja) | 1987-05-23 |
| JPH0458890B2 true JPH0458890B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=17243499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25288485A Granted JPS62113031A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | レ−ザパワ−測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62113031A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610827U (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-10 | 株式会社自由電子レーザ研究所 | レーザ光および電子ビームの検出器 |
| BE1007005A3 (nl) * | 1993-04-16 | 1995-02-14 | Vito | Inrichting voor het bepalen van het vermogen van een energieflux. |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP25288485A patent/JPS62113031A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62113031A (ja) | 1987-05-23 |
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