JPH0510764B2 - - Google Patents
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- JPH0510764B2 JPH0510764B2 JP14362684A JP14362684A JPH0510764B2 JP H0510764 B2 JPH0510764 B2 JP H0510764B2 JP 14362684 A JP14362684 A JP 14362684A JP 14362684 A JP14362684 A JP 14362684A JP H0510764 B2 JPH0510764 B2 JP H0510764B2
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
この発明は高誘電率系の誘電体磁器組成物に関
するものである。 （従来の技術） 誘電率が2000以上の磁器組成物としては、
BaTiO3またはBaTiO3を変性したものが実用化
されてきた。しかしながら、このような組成から
なるセラミツクコンデンサは、その静電容量値が
バイアス電界に強く影響されて大きく減少し、１
mm当り2KVの高圧直流電圧を印加すると、静電
容量値が−30〜−50％も変化するという欠点が見
られた。そしてこの欠点についての改良はほとん
ど行われていない。 また、SrTiO3−PbTiO3−Bi2O3−TiO2などを
主成分とする磁器組成物が近年実用化されてい
る。この系の磁器組成物は室温で500〜2000の誘
電率を有し、かつそのバイアス電界に対する静電
容量値の変化がBaTiO3系にくらべて小さいとい
う特徴を有している。しかしながら、最適な誘電
特性を得るための焼成温度が1220〜1320℃と高い
ため、蒸発しやすいPbO，Bi2O3を含んでいるこ
とから、かかる焼成温度での鉛やビスマスの焼成
雰囲気をコントロールしなければ均一な焼結体を
得ることができず、工業生産上の量産性、品質の
上で解決すべき種々の問題を含んでいる。 さらに、セラミツクコンデンサの小型化、薄板
化の傾向の中で、さらに誘電率が高く、バイアス
電界に対する静電容量値の変化の小さい誘電体磁
器組成物の出現が要求されている。 （発明の目的） したがつて、この発明は誘電率が2000以上で、
バイアス電界に対する静電容量値の変化の小さい
誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。 （発明の概要） この発明にかかる誘電体磁器組成物を要約すれ
ば、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、チタ
ン酸カルシウム、酸化ビスマス、酸化錫、酸化チ
タンを主成分とし、これに酸化亜鉛、酸化ニオ
ブ、酸化セリウム、酸化アルミニウムからなる副
成分が添加含有されたものである。 （実施例） 素原料として、Pb2O3，SrCO3，CaCO3，TiO2
SnO2，Bi2O3，ZnO，Nb2O5，CeO2およびAl2O3
準備した。各素原料を第１表に示す組成比率の磁
器が得られるように秤量した。各秤量原料をポツ
トミルに入れ、アルミナボールを用いて16時間湿
式混合粉砕したのち脱水乾燥した。乾燥した混合
原料をジルコニア質の匣に入れ、1000℃の温度で
２時間仮焼し、その後粉砕した。粉砕した粉末に
バインダーを加えて造粒し、造粒粉末を1000Kg／
cm2の圧力で加圧成形し、直径17mm、厚み1.2mmの
成形物を得た。この成形物を1060〜1290℃の温度
で２時間焼成して磁器素体を得た。得られた磁器
素体の両面に銀ペーストを塗布し、空気中800℃
で焼付けして電極を形成し、これを試料とした。 得られた試料について、周波数1KHzで誘電率
（ε）、誘電損失正接（tanδ）を測定した。また、
試料に2KV／mmの直流電圧を重畳したときの誘
電率の変化（バイアス特性）を測定した。さら
に、−25℃における誘電率＋85℃における誘電率
を測定し、常温（＋25℃）に対する変化率（温度
特性）を示した。 第２表は各測定結果を示したものである。 なお、第１表、第２表中※印はこの発明範囲外
であり、それ以外はこの発明範囲内のものであ
る。また、第２表には各試料の最適焼成温度を示
した。
するものである。 （従来の技術） 誘電率が2000以上の磁器組成物としては、
BaTiO3またはBaTiO3を変性したものが実用化
されてきた。しかしながら、このような組成から
なるセラミツクコンデンサは、その静電容量値が
バイアス電界に強く影響されて大きく減少し、１
mm当り2KVの高圧直流電圧を印加すると、静電
容量値が−30〜−50％も変化するという欠点が見
られた。そしてこの欠点についての改良はほとん
ど行われていない。 また、SrTiO3−PbTiO3−Bi2O3−TiO2などを
主成分とする磁器組成物が近年実用化されてい
る。この系の磁器組成物は室温で500〜2000の誘
電率を有し、かつそのバイアス電界に対する静電
容量値の変化がBaTiO3系にくらべて小さいとい
う特徴を有している。しかしながら、最適な誘電
特性を得るための焼成温度が1220〜1320℃と高い
ため、蒸発しやすいPbO，Bi2O3を含んでいるこ
とから、かかる焼成温度での鉛やビスマスの焼成
雰囲気をコントロールしなければ均一な焼結体を
得ることができず、工業生産上の量産性、品質の
上で解決すべき種々の問題を含んでいる。 さらに、セラミツクコンデンサの小型化、薄板
化の傾向の中で、さらに誘電率が高く、バイアス
電界に対する静電容量値の変化の小さい誘電体磁
器組成物の出現が要求されている。 （発明の目的） したがつて、この発明は誘電率が2000以上で、
バイアス電界に対する静電容量値の変化の小さい
誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。 （発明の概要） この発明にかかる誘電体磁器組成物を要約すれ
ば、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、チタ
ン酸カルシウム、酸化ビスマス、酸化錫、酸化チ
タンを主成分とし、これに酸化亜鉛、酸化ニオ
ブ、酸化セリウム、酸化アルミニウムからなる副
成分が添加含有されたものである。 （実施例） 素原料として、Pb2O3，SrCO3，CaCO3，TiO2
SnO2，Bi2O3，ZnO，Nb2O5，CeO2およびAl2O3
準備した。各素原料を第１表に示す組成比率の磁
器が得られるように秤量した。各秤量原料をポツ
トミルに入れ、アルミナボールを用いて16時間湿
式混合粉砕したのち脱水乾燥した。乾燥した混合
原料をジルコニア質の匣に入れ、1000℃の温度で
２時間仮焼し、その後粉砕した。粉砕した粉末に
バインダーを加えて造粒し、造粒粉末を1000Kg／
cm2の圧力で加圧成形し、直径17mm、厚み1.2mmの
成形物を得た。この成形物を1060〜1290℃の温度
で２時間焼成して磁器素体を得た。得られた磁器
素体の両面に銀ペーストを塗布し、空気中800℃
で焼付けして電極を形成し、これを試料とした。 得られた試料について、周波数1KHzで誘電率
（ε）、誘電損失正接（tanδ）を測定した。また、
試料に2KV／mmの直流電圧を重畳したときの誘
電率の変化（バイアス特性）を測定した。さら
に、−25℃における誘電率＋85℃における誘電率
を測定し、常温（＋25℃）に対する変化率（温度
特性）を示した。 第２表は各測定結果を示したものである。 なお、第１表、第２表中※印はこの発明範囲外
であり、それ以外はこの発明範囲内のものであ
る。また、第２表には各試料の最適焼成温度を示
した。
【表】
【表】
【表】
【表】
第１表、第２表から明らかなように、この発明
範囲内のものによれば、誘電率は2000〜6500の値
を示し、tanδは１％以下とすぐれた値を示してい
る。またバイアス特性は−25％以内であり、バイ
アス電界に対する誘電率の変化が小さいという特
徴を有している。さらに最適焼成温度が1060〜
1180℃と従来のそれにくらべ100〜200℃と低温で
の焼成が可能となつている。 ここで、組成範囲を限定した理由は以下の通り
である。 SrTiO3が30重量％未満になると、tanδが１％
以上になるとともにバイアス特性が−30％以上と
なり、一方46重量％を越えると、誘電率が2000未
満になる。 PbTiO3が31.5重量％未満になると、誘電率が
2000未満となり、一方44重量％を越えると、tanδ
が１％以上になるとともにバイアス特性が−30％
以上となる。 CaTiO3が２重量％未満になると、tanδが１％
以上になるとともにバイアス特性が−30％以上と
なり、一方17重量％を超えると、誘電率が2000未
満となる。 Bi2O3が５重量％未満になると、誘電率が2000
に達せず、一方15重量％を超えると、tanδが１％
以上になるとともにバイアス特性が悪くなる。 SnO2が0.5重量％未満になると、tanδが１％以
上となり、温度特性が悪くなる。一方10重量％を
超えると、誘電率が2000に達しない。 TiO2が１重量％未満になると、誘電率が2000
未満となり、一方10重量％を超えると、tanδが１
％以上となり、バイアス特性が悪くなる。 ZnOが0.1重量％未満になると、焼成温度が高
くなり、一方４重量％を超えると、誘電率が2000
未満となる。 Nb2O5が0.1重量％未満になると、焼成温度が
高くなり、一方４重量％を超えると、誘電率が
2000未満となる。 CeO2が0.1重量％未満になると、焼成温度が高
くなり、一方４重量％を超えると、誘電率が2000
未満となる。 Al2O3が0.1重量％未満になると、焼成温度が高
くなり、一方２重量％を超えると、誘電率が2000
未満となる。 （発明の効果） 以上の実施例から明らかならようにこの発明に
よれば、誘電率が2000〜6500と高い値を示し、
tanδが１％以下とすぐれた値を示す。またバイア
ス特性も−25％以内に抑えることができ、さらに
焼成温度も1060〜1180℃と比較的低い温度での焼
成が可能な誘電体磁器組成物を提供することがで
きる。
範囲内のものによれば、誘電率は2000〜6500の値
を示し、tanδは１％以下とすぐれた値を示してい
る。またバイアス特性は−25％以内であり、バイ
アス電界に対する誘電率の変化が小さいという特
徴を有している。さらに最適焼成温度が1060〜
1180℃と従来のそれにくらべ100〜200℃と低温で
の焼成が可能となつている。 ここで、組成範囲を限定した理由は以下の通り
である。 SrTiO3が30重量％未満になると、tanδが１％
以上になるとともにバイアス特性が−30％以上と
なり、一方46重量％を越えると、誘電率が2000未
満になる。 PbTiO3が31.5重量％未満になると、誘電率が
2000未満となり、一方44重量％を越えると、tanδ
が１％以上になるとともにバイアス特性が−30％
以上となる。 CaTiO3が２重量％未満になると、tanδが１％
以上になるとともにバイアス特性が−30％以上と
なり、一方17重量％を超えると、誘電率が2000未
満となる。 Bi2O3が５重量％未満になると、誘電率が2000
に達せず、一方15重量％を超えると、tanδが１％
以上になるとともにバイアス特性が悪くなる。 SnO2が0.5重量％未満になると、tanδが１％以
上となり、温度特性が悪くなる。一方10重量％を
超えると、誘電率が2000に達しない。 TiO2が１重量％未満になると、誘電率が2000
未満となり、一方10重量％を超えると、tanδが１
％以上となり、バイアス特性が悪くなる。 ZnOが0.1重量％未満になると、焼成温度が高
くなり、一方４重量％を超えると、誘電率が2000
未満となる。 Nb2O5が0.1重量％未満になると、焼成温度が
高くなり、一方４重量％を超えると、誘電率が
2000未満となる。 CeO2が0.1重量％未満になると、焼成温度が高
くなり、一方４重量％を超えると、誘電率が2000
未満となる。 Al2O3が0.1重量％未満になると、焼成温度が高
くなり、一方２重量％を超えると、誘電率が2000
未満となる。 （発明の効果） 以上の実施例から明らかならようにこの発明に
よれば、誘電率が2000〜6500と高い値を示し、
tanδが１％以下とすぐれた値を示す。またバイア
ス特性も−25％以内に抑えることができ、さらに
焼成温度も1060〜1180℃と比較的低い温度での焼
成が可能な誘電体磁器組成物を提供することがで
きる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、チタ
ン酸カルシウム、酸化ビスマス、酸化錫酸化チタ
ン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化セリウムおよび
酸化アルミニウムからなり、 これら各成分をSrTiO3，PbTiO3，CaTiO3，
Bi2O3，SnO2，TiO2，ZnO，Nb2O5，CeO2およ
びAl2O3と表わしたとき、 SrTiO3 30〜46重量％ PbTiO3 31.5〜44重量％ CaTiO3 ２〜17重量％ Bi2O3 ５〜15重量％ SnO2 0.5〜10重量％ TiO2 １〜10重量％ からなる主成分に対し、 ZnO 0.1〜４重量％ Nb2O5 0.1〜４重量％ CeO2 0.1〜４重量％ Al2O3 0.1〜２重量％ からなる副成分が添加含有されてなることを特徴
とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14362684A JPS6122507A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14362684A JPS6122507A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122507A JPS6122507A (ja) | 1986-01-31 |
| JPH0510764B2 true JPH0510764B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=15343124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14362684A Granted JPS6122507A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122507A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2521055B2 (ja) * | 1986-08-21 | 1996-07-31 | 日本ビクター株式会社 | 水平偏向回路 |
| JP3294983B2 (ja) * | 1996-01-08 | 2002-06-24 | 富士通株式会社 | ドットラインプリンタ装置 |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP14362684A patent/JPS6122507A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6122507A (ja) | 1986-01-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |