JPH0461012A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は高周波信号を効率良く、記録再生するのに好適
な磁気へＶドに関する。

（ロ）従来の技術 従来、ＶＴＲ等の高周波信号を記録再生する装置におい
ては、ビデオへンド用磁性材料として高周波損失の少な
いフェライト材料が用いられている。しかし、近年にな
って高品位ＶＴＲやデジタル〜７ＴＲのように更に広帯
域の信号を取り扱うシステムの開発が盛んになってきて
おり、記録媒体もこのような大量の情報を記録する為の
高密度化の流れの中で酸化鉄系から合金粉末媒体や金属
蒸着媒体等の高抗磁力媒体・＼移行しつつある。これに
対してフェライトヘッドではその最大磁束密度が高々５
０００ガウス程度であり、又短波長信号を効率よく再生
する為には狭ギャップにする必要があり、上述のような
保磁力Ｈａが１００００ｅ以上の高抗磁力媒体ではギャ
ップ先端部のフエライトコアが飽和し、十分な記録が出
来ない。そこで最大磁束密度の高いセンダストやアモル
ファス磁性合金等の金属磁性材料を用いた磁気へｔドの
開発が行！つれている。

従来、このような欠点を解消するため、例えば特開昭６
２−３３３０９号公報（Ｇ１１Ｂ５．／１４７Ｃ等に開
示されているような高周波用積層型磁気ヘッドが提案さ
れている。

この磁気ヘッドは、第８図に示すように非磁性基板（１
）（］’）間にセンダスト等の強磁性金属薄膜（２）と
Ｓ　ＩＯを等の絶縁薄膜（３）との積層薄膜（４）が被
着形成されている一対の第１、第２コア半体（５ａ）（
５ｂ）の前記積層薄膜（４）（４）の端面同士を磁気ギ
ヤツプ（６）となる非磁性材料（７）を介して衝き合わ
すことにより形成されている。前記−対の第１、第２コ
ア半体（５ａ）（５ｂ）のうち一方の第１コア半体（５
ａ）には巻線溝（８）が形成されており、該巻線溝（８
）には巻線（９）が巻回されている。前記磁気ギャップ
（６）のギャフプ長は前記非磁性材料（７）の厚みによ
り決定し、トラ／り幅は積層薄膜（４，）（４）の端面
同士が衝き合わされている部分の厚みにより決定する。

しかし乍ら、上記従来の磁気ヘッドでは、第１、第２コ
ア半体（５ａ）（５ｂ）の積層薄膜（４Ｘ４　）の端面
同士を正確に衝き合わせることが困難であり、磁気ギャ
ップ（６）のトラック幅を高精度に規定することは困難
である。

上述の欠点を解消した磁気ヘッドとしては、例えば特開
昭６３−２６９３１０号公報（ＧＬＩＢ５　／　１２７
　）等に開示されているものがある。

この磁気ヘッドは第９図に示すように巻線溝（８）が形
成されている第１コア半体（５ａ）は、上述の第８図に
示した磁気ヘッドと同様に非磁性基板（１）（１’）間
に積層薄膜（４）が形成された構造であるのに対して、
第２コア半体（５ｂ）は非磁性体（１０）のギャップ形
成側の端面（１０ａ）全域に単層の強磁性金属薄膜（１
１）を被着形成し、該強磁性金属薄膜（１１）上にギャ
ップスペーサとなる非磁性薄膜（７）を被着形成した構
造である。前記第１、第２コア半体（５ａ）（５ｂ）は
積層薄膜（４）の端面と非磁性薄膜（７）の上面とが衝
き合わされた状態で接合固定され、磁気ギヤツプ（６）
を形成している。この磁気へ、・ドでは、磁気ギャップ
（６）のトラ／り幅は、第１、第２コア半体（５ａ）（
５ｂ）の衝き合わせ精度には関係なく、積層薄膜（４）
のｌｌＮ厚により規定され、トラック精度を非常に高め
ることができる。

しかし乍ら、この構造の磁気ヘッドにおいても、高周波
領域で記録再生を行う場合、第２コア半体（５ｂ）の強
磁性金属薄膜（１１）の膜厚を薄くする必要があるが、
逆に前記強磁性金属薄膜（１１）が薄くなると、該薄膜
（１１）がすぐに磁気飽和してしまい、良好な記録を行
うことが出来ないという問題が生じる。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
磁気ギャップのトラック精度が高く、且つ磁気飽和を起
こすことなく、高周波領域においても良好な記録再生を
行うことが出来る磁気ヘッドを提供することを目的とす
るものである。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明は一対の非磁性基板間に第１の強磁性金属薄膜と
絶縁薄膜とよりなり、厚みが磁気ギヤツプの所望のトラ
ンク幅に等しい第１の積層薄膜が被着形成され、ギャッ
プ形成側の端面に前記積層薄膜の端面が露出している第
１コア半体と、非磁性体のギャップ形成側の端面のうち
媒体摺接面とは反対側に溝を備え、該溝内に第２の強磁
性金属薄膜と絶縁薄膜とよりなり、上面が前記非磁性体
のギャップ形成側の端面と面一である第２の積層薄膜が
被着形成され、該第２の積層薄膜上に幅が前記第１の積
層薄膜の厚みより大きい第３の強磁性金属薄膜が被着形
成されている第２コア半体とから成り、前記第１コア半
体と前記第２コア半体とを上記第１の積層薄膜の端面と
上記第３の強磁性金属薄膜の上面とが磁気ギャップとな
る非磁性材料を介して衝き合わされた状態で接合固定し
たことを特徴とする。

（ホ）作　用 上記構成に依れば、第１コア半体と第２コア半体の衝き
合わせに多少のズレが生じても、前記第１コア半体の第
１の積層薄膜の端面は、その全幅において非磁性材料を
介して前記第２コア半体の第３の強磁性金属薄膜に衝き
合わされ、前記積層薄膜の端面の幅が磁気ギャノブのト
ラック幅となり、また、第２コア半体は第２の積層薄膜
によ）、高周波領域においても渦電流損失は抑えられ、
しかもこの部分での磁気飽和は起こらない。

（へ）実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を詳細に説明
する。

第１図は本実施例の磁気ヘッドの外観を示す斜視図であ
る。

図中、（１２ａ）（１２ｂ）は第１、第２コア半体であ
り、そのうち一方の第１コア半体（１２ａ）は結晶化ガ
ラス、非磁性セラミック等よりなる非磁性基板（１３）
上にセンダスト等の膜厚５ｇｍの第１の強磁性金属薄膜
（１４）と８１０２等の膜厚０．１μｍの絶縁薄膜（１
５）とよりなる第１の積層薄膜（１６）が被着形成され
ており、該第１の積層薄膜（１６）上には接着材として
作用する高融点のガラス層（１７）により結晶化ガラス
、非磁性セラミ７り等よりなる非磁性基板り１３°）が
接合固定されている。前記第１コア半体（１２ａ）のギ
ャンプ形成側の端面には巻線ｉｌ！（１８）が形成され
ている。

また、前記第２コア半体（１２ｂ）は、結晶化ガラス、
非磁性セラミック等よりなり前記第１コア半体（１２ａ
）と厚みが等しい非磁性体（１９）のギャップ形成側の
端面のうち媒体摺接面とは反対側（バ／クギャップ側）
に斜面（２０）を有する溝（２１）が形成されている。

前記溝（２１）内にはセンダスト等の膜厚５μｍの第２
の強磁性金属薄膜（２２）とＳｉｎ、等の膜厚０．１μ
ｍの絶縁薄膜（２３）とよりなる第２の積層薄膜（２４
）が被着形成されている。前記非磁性体（１９）のギャ
ップ形成側の端面（１９１）と前記第２の積層薄膜（２
４）の上面（２４１）とは面一であり、該端面（１９１
）から第２の積層薄膜（２４）の上面（２４１）に亘っ
てはセンダスト等よりなる膜厚５μｍの第３の強磁性金
属薄膜（２５）が被着形成されている。前記第３の強磁
性金属薄膜（２５）上には、ギャップスペーサ用の低融
点のガラス層（非磁性材料）　（２６）が被着形成され
ている。

前記第１、第２コア半体（１，２ａ）（１２ｂ）は、第
１コア半体（１２ａ）のギャノブ形成側の端面と＠記ガ
ラス層（２６）とが衝き合わされた状態で接合されて３
す、この接合は前記ガラス層（２６）の溶融同化により
為されている。前記ガラス層（２６）は磁気ギャップ（
２７）として作用し、該磁気ギヤノブ（２７）のキャッ
プ長は前記ガラス層（１７）の厚みに等しく、トランク
幅は前記第１の積層薄膜（１６）の膜厚に等しい。

次に、上記実施例の磁気ヘッドの製造方法について説明
する。

先ず、第２図に示すように非磁性基板（１３）の上面に
第１の強磁性金属薄膜（１４）と絶縁薄膜（１５）とか
らなる所望のトラック幅に等しい膜厚の第１の積層薄膜
（１６）及び高融点のガラス層（１７）がスパッタリン
グ等で被着形成されている積層基板（競）を複数枚、前
記ガラス（１７）により接合固定して積層ブロック（２
９）を形成する。

次に、前記積層ブロック（２９）を破線Ａ−Ａ’にィａ
って切断して第１コア半体ブロツク（３０ａ）を形成し
、第３図に示すように前記第１コア半体ブロツク（３０
ａ）の切断面、即ち積層薄膜（１６）の端面（＋６１）
が露出しているギャップ形成側の端面（３１）に巻線溝
（１８）を形成する。

一方、第４図に示すように結晶化ガラス、非磁性セラミ
ック等よりなり、前記第１コア半体ブロツク（３０ａ）
に相当する大きさの長方体状の非磁性体（１９）を用意
し、該非磁性体（１９）の上面即ち、ギャンプ形成側の
端面（１９１）のうちバックギャンプ側（媒体摺接側の
端面（１９２）とは反対側）に斜面（２０）を有する溝
（２１）を形成する。

次に、第５図に示すように前記溝（２１）内に第２の強
磁性金属薄膜（２２）と絶縁薄膜（２３）とよりなる第
２の積層薄膜（２４）を該積層薄膜（２４）の上面（２
４１）が前記非磁性体（１９）のギャップ形成側の端面
（１９１）と面一になるように形成する。これは非磁性
体（１９）の上面全域に第２の積層薄膜（２４）を形成
した後、該積層薄膜（２４）をギャップ形成側の端面（
１９１）が露出するまで、研磨、エツチング等により除
去することにより形成する。

次に、第６図に示すように前記非磁性体（１９）のギャ
ップ形成側の端面（１９１）から前記第２の積層薄膜（
２４）の上面（２４１）に亘って第３の強磁性金属薄膜
（２５）を被着形成し、該強磁性金属薄膜（２５）上に
ギャップスペーサ用のガラス層（２６）をスパッタリン
グ等により被着形成して第２コア半体ブロツク（３０ｂ
）を形成する。

次に、第３図に示す第１コア半体ブロンク（３ｔ）ａ）
と第６図に示す第２コア半体ブロツク（３０ｂ）とを用
意し、該第１、第２コア半体ブロンク（±）（識）を第
７図に示すように第１コア半体ブロンク（３０ａ）のギ
ャップ形成側の端面（３１）とガラス１ｉｔ（２６）と
が対向する状態で衝き合わせて該ガラス層（２６）を溶
融固化することにより接合してコアブロック（３２）を
形成する。

次に、前記コアブロック（３２）を破線Ｂ−Ｂ’に沿っ
て切断してヘントチツブを複数個形成し、該ヘッドチッ
プに媒体摺接面のＲ付加工等の外形加工を行い、巻線溝
（１８）を通して巻線（３３）（３３）を巻回して第１
図に示す本実施例の磁気ヘッドを形成する。

上述のような本実施例の磁気へノドでは、第１コア半体
（１２ａ）の第１の積層薄膜（１６）の膜厚、即ちギャ
ップ形成面に露出している第１の積層薄膜（１６）の端
面の幅は磁気ギャップ（２７）の所望のトランク幅に等
しく、第２コア半体（１，２ｂ）の第２の強磁性金属薄
膜（２５）のギャップ衝き合わせ部の幅は磁気ギャップ
ク２７）の所望のトラック幅よりも大きいため、第１、
第２コア半体（１２ａ）（１２ｂ）の衝き合わせ位置に
ズレが生じても、磁気ギャップ（２７）は前記積層薄膜
（１６）の端面に形成されるため、前記磁気ギャップ（
２７）のトランク幅は常に前記第１の積層薄膜（１６）
の膜厚により正確に規定される。

また、上述の磁気へノドでは、第２コア半体（１２ｂ）
の磁路が第２の積層薄膜（２４）で形成されているので
高周波領域においても磁気飽和を生じることなく、渦電
流損失を抑え、記録再生特性の劣化を防止出来る。また
、媒体摺接面には前記第２の積層薄膜（２４）が露出さ
れておらず、該第２の積層薄膜（２４）の絶縁薄膜（２
３）が擬似ギャップとして作用することもない。

（ト）発明の効果 本発明に依れば、磁気ギャップのトランク幅制度が向上
し、且つ高周波領域においても良好な記録再生を行うこ
とが出来る磁気ヘッドを提供し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明に係り、第１図は磁気へノド
の外観を示す斜視図、第２図、第３図、第４図、第５図
、第６図及び第７図は夫々磁気ヘッドの製造方法を示す
斜視図である。第８図及び第９図は夫々従来の磁気ヘッ
ドの外観を示す斜視図である。 （１２ａ）・・・第１コア半体、（１２ｂ）・・・第２
コア半体、（１３）（１３’）・・・非磁性基板、（１
４）・・・第１の強磁性金属薄膜、（１５）（２３）・
・・絶縁薄膜、（１６）・・・第１の積層薄膜、（１９
）・・・非磁性体、（２１）・・・溝、（２２）・・・
第２の強磁性金属薄膜、（２４）・・・第２の積層薄膜
、（２５）・・・第３の強磁性金属薄膜、（２６）・・
・ガラス層（非磁性材料ン、　（２７）・・・磁気ギヤ
ノブ、（１９１）・・ギヤノγ形吸側の端面。 出１人　三洋電機株式会社 代理人　弁理士　西野卓嗣（外２名） 第１図 一’／ 第４図 第８図 第９図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）一対の非磁性基板間に第１の強磁性金属薄膜と絶
   縁薄膜とよりなり、厚みが磁気ギャップの所望のトラッ
   ク幅に等しい第１の積層薄膜が被着形成され、ギャップ
   形成側の端面に前記積層薄膜の端面が露出している第１
   コア半体と、非磁性体のギャップ形成側の端面のうち媒
   体摺接面とは反対側に溝を備え、該溝内に第２の強磁性
   金属薄膜と絶縁薄膜とよりなり、上面が前記非磁性体の
   ギャップ形成側の端面と面一である第２の積層薄膜が被
   着形成され、該第２の積層薄膜上に幅が前記第１の積層
   薄膜の厚みより大きい第３の強磁性金属薄膜が被着形成
   されている第２コア半体とから成り、前記第１コア半体
   と前記第２コア半体とを上記第１の積層薄膜の端面と上
   記第３の強磁性金属薄膜の上面とが磁気ギャップとなる
   非磁性材料を介して衝き合わされた状態で接合固定した
   ことを特徴とする磁気ヘッド。