JPH0276111A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0276111A JPH0276111A JP22740388A JP22740388A JPH0276111A JP H0276111 A JPH0276111 A JP H0276111A JP 22740388 A JP22740388 A JP 22740388A JP 22740388 A JP22740388 A JP 22740388A JP H0276111 A JPH0276111 A JP H0276111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- thin film
- magnetic
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気コア、導体コイル、層間絶縁膜を薄膜形
成技術で作成する薄膜磁気ヘッドに関する。
成技術で作成する薄膜磁気ヘッドに関する。
近時の磁気記録媒体の高記録密度化に伴ない、従来のフ
ェライトバルク型磁気ヘッドに較べて。
ェライトバルク型磁気ヘッドに較べて。
インダクタンスが少く、狭トラツク幅化が実現容易な薄
膜磁気ヘッドが実用化されつつある。
膜磁気ヘッドが実用化されつつある。
斯る従来における薄膜磁気ヘッドは、例えば。
特開昭５５−８４０１９号公報に示されている如く、基
板上に、下部磁気コア、層間絶縁膜に埋設されたコイル
、上部磁気コア、保Ｓ膜等を順次薄膜形成技術及びホト
リソ技術によって成膜するものであった。
板上に、下部磁気コア、層間絶縁膜に埋設されたコイル
、上部磁気コア、保Ｓ膜等を順次薄膜形成技術及びホト
リソ技術によって成膜するものであった。
これに対し、磁気コアにのみ磁性薄膜を用いた磁気ヘッ
ドも、例えば特開昭６１−１８８７０４号公報等で公知
であり、該種磁°気ヘッドは２つのコア半休同志を作動
ギャップをもつように接合した後、巻線窓部にコイルを
巻回することによって作製されていた。
ドも、例えば特開昭６１−１８８７０４号公報等で公知
であり、該種磁°気ヘッドは２つのコア半休同志を作動
ギャップをもつように接合した後、巻線窓部にコイルを
巻回することによって作製されていた。
上述した前者の薄膜磁気ヘッドにおいては、高精度な作
動ギャップ、パターンの形成が可能ではある。しかしな
がら、従来の該種ｌｔ膜磁気ヘッドにおいては、１つの
基板に対し薄膜形成、フォトリソグラフィなどのウェハ
ープロセスが連続して多数工程流されるため、１基板に
対しての製造工程が長くなって完成までに長時間を要し
、このため製造コストが上昇する。また、１基板に対し
てのウェハープロセスが多いので、工程不良などにより
歩留りが悪くなり易い。さらには、該種従来の薄膜磁気
ヘッドは、磁気記録媒体との摺動面が非磁性基板、磁気
コア、保護膜という３つの異種材料で構成されているた
め、摺動面に偏摩耗を生じ易いという問題があった。
動ギャップ、パターンの形成が可能ではある。しかしな
がら、従来の該種ｌｔ膜磁気ヘッドにおいては、１つの
基板に対し薄膜形成、フォトリソグラフィなどのウェハ
ープロセスが連続して多数工程流されるため、１基板に
対しての製造工程が長くなって完成までに長時間を要し
、このため製造コストが上昇する。また、１基板に対し
てのウェハープロセスが多いので、工程不良などにより
歩留りが悪くなり易い。さらには、該種従来の薄膜磁気
ヘッドは、磁気記録媒体との摺動面が非磁性基板、磁気
コア、保護膜という３つの異種材料で構成されているた
め、摺動面に偏摩耗を生じ易いという問題があった。
一方、２つのコア半休同士を接合することによって作製
される、前述した後者の磁性薄膜を用いた略々バルク型
の磁気ヘッドは、比較的安価にかつ短時間で作成するこ
とも可能であるが、コイルを巻回するための巻線患部を
確保する必要があることから、磁路長を短かくことがで
きず高効率化を達成できない、また、作動ギャップが２
つのコア半休を貼合わせることによって形成されるので
。
される、前述した後者の磁性薄膜を用いた略々バルク型
の磁気ヘッドは、比較的安価にかつ短時間で作成するこ
とも可能であるが、コイルを巻回するための巻線患部を
確保する必要があることから、磁路長を短かくことがで
きず高効率化を達成できない、また、作動ギャップが２
つのコア半休を貼合わせることによって形成されるので
。
ギャップ精度が得にくいという問題があった。
従って、本発明の解決すべき技術的ａｙｓは上記従来技
術のもつ問題点を解消することにあり、その目的とする
ところは、磁気コア、導体コイル、層間絶縁膜などを薄
膜形成技術で作成する薄膜磁気ヘッドにおいて、１つの
基板に対するウェハープロセスを短かくできて歩留りを
向上可能とし、また、偏摩耗の虞れの少い製品を提供す
ることにある。
術のもつ問題点を解消することにあり、その目的とする
ところは、磁気コア、導体コイル、層間絶縁膜などを薄
膜形成技術で作成する薄膜磁気ヘッドにおいて、１つの
基板に対するウェハープロセスを短かくできて歩留りを
向上可能とし、また、偏摩耗の虞れの少い製品を提供す
ることにある。
本発明の薄膜磁気ヘッドは、上記した目的を達成するた
め、ギャップ規制膜を介して接合された磁性薄膜よりな
る２つのフロントコアを形成した第１の基板と、磁性薄
膜よりなるバックコアを形成した第２の基板とを、前記
両フロントコアの後部と前記バックコア同志が接合する
ように貼合せ・一体化するように、構成される。
め、ギャップ規制膜を介して接合された磁性薄膜よりな
る２つのフロントコアを形成した第１の基板と、磁性薄
膜よりなるバックコアを形成した第２の基板とを、前記
両フロントコアの後部と前記バックコア同志が接合する
ように貼合せ・一体化するように、構成される。
第１の基板上にはギャップ規制膜を介して接合された磁
性薄膜よりなる２つのフロントコアを形成し、また、第
２の基板上には磁性薄膜よりなるバックコアと例えば層
間絶縁膜に埋設された薄膜コイルとが形成される。斯様
に１つの薄膜磁気ヘッドの構成要素を、２つの基板上で
分割して別個に形成しているので、１つの基板に対する
ウェハープロセスを従来の薄膜磁気ヘッドに比して大幅
に低減でき、歩留りも向上して作製時間も短縮できる。
性薄膜よりなる２つのフロントコアを形成し、また、第
２の基板上には磁性薄膜よりなるバックコアと例えば層
間絶縁膜に埋設された薄膜コイルとが形成される。斯様
に１つの薄膜磁気ヘッドの構成要素を、２つの基板上で
分割して別個に形成しているので、１つの基板に対する
ウェハープロセスを従来の薄膜磁気ヘッドに比して大幅
に低減でき、歩留りも向上して作製時間も短縮できる。
また、作動ギャップは、薄膜技術で成膜されるギャップ
規制膜を介してフォトリソ技術を用いて形状規定される
磁性薄膜よりなる２つのフロントコア間に形成されるの
で、トラック幅、ギャップ長、ギヤツブ深さなどを高精
度なものに維持できる。
規制膜を介してフォトリソ技術を用いて形状規定される
磁性薄膜よりなる２つのフロントコア間に形成されるの
で、トラック幅、ギャップ長、ギヤツブ深さなどを高精
度なものに維持できる。
さらには、第１と第２の基板とが上下でフロントコアを
間に挟んだ形で摺動面を構成するので、両基板をほぼ同
一摩耗特性をもつ材料とすることで、偏摩耗の虞れは大
幅に低減できる。
間に挟んだ形で摺動面を構成するので、両基板をほぼ同
一摩耗特性をもつ材料とすることで、偏摩耗の虞れは大
幅に低減できる。
［実施例］
以下本発明を図示した実施例によって説明する。
第１図〜第４図は本発明の第１実施例に係り、第１図は
薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断
面図、第３図及び第４図は各々製造工程を示す説明図で
ある。
薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断
面図、第３図及び第４図は各々製造工程を示す説明図で
ある。
第１，２図において、１は上部基板たる第１の基板、２
は下部基板たる第２の基板で、該両基板１．２は、例え
ばセラミック等の非磁性材料よりなっており１両者１．
２は同一の摩耗特性をもつよう同一材料より作成されて
いる。３及び４は、上記第１の基板１上に形成された磁
性薄膜よりなるフロントコアで１両フロントコア３，４
はその前部においてギャップ規制膜５を介して互いに接
合されて作動ギャップ６を形成している。７は第１の基
板１上に形成された非磁性薄膜で、上記両フロントコア
３，４と面一に形成されており、また、前記第１．第２
の基板１．２とほぼ同ｒの摩耗特性をもつ材料が選定さ
れている。なお、前記フロントコア３，４は、高透磁率
、高飽和磁束密度の非晶質磁性合金あるいは結晶質磁性
合金よりなり、前者の非晶質磁性合金としては、鉄、ニ
ッケル、コバルトのグループから選択された１種以上の
元素と、リン、炭素、ホウ素、ケイ素のグループから選
択された１種以上の元素とからなる合金、またはこれを
主成分として、アルミニウム。
は下部基板たる第２の基板で、該両基板１．２は、例え
ばセラミック等の非磁性材料よりなっており１両者１．
２は同一の摩耗特性をもつよう同一材料より作成されて
いる。３及び４は、上記第１の基板１上に形成された磁
性薄膜よりなるフロントコアで１両フロントコア３，４
はその前部においてギャップ規制膜５を介して互いに接
合されて作動ギャップ６を形成している。７は第１の基
板１上に形成された非磁性薄膜で、上記両フロントコア
３，４と面一に形成されており、また、前記第１．第２
の基板１．２とほぼ同ｒの摩耗特性をもつ材料が選定さ
れている。なお、前記フロントコア３，４は、高透磁率
、高飽和磁束密度の非晶質磁性合金あるいは結晶質磁性
合金よりなり、前者の非晶質磁性合金としては、鉄、ニ
ッケル、コバルトのグループから選択された１種以上の
元素と、リン、炭素、ホウ素、ケイ素のグループから選
択された１種以上の元素とからなる合金、またはこれを
主成分として、アルミニウム。
ゲルマニウム、ベリリウム、スズ、モリブデン。
インジュウム、タングステン、チタン、マンガン、クロ
ム、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブなどの元素を添
加した合金、あるいはコバルト、ジルコニウムなどを主
成分として、上述の添加元素を含んだ合金などから適宜
のものが選択可能であり、また、後者の結晶質合金とし
ては鉄−アルミニウム−ケイ素合金、鉄−ケイ素系合金
、鉄−ニッケル系合金などを選択可能であるが、この実
施例では、ＣｏＮｂＺｒ非晶質磁性合金が用いられてい
る。
ム、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブなどの元素を添
加した合金、あるいはコバルト、ジルコニウムなどを主
成分として、上述の添加元素を含んだ合金などから適宜
のものが選択可能であり、また、後者の結晶質合金とし
ては鉄−アルミニウム−ケイ素合金、鉄−ケイ素系合金
、鉄−ニッケル系合金などを選択可能であるが、この実
施例では、ＣｏＮｂＺｒ非晶質磁性合金が用いられてい
る。
８は、前記第２の基板２上に形成された磁性薄膜よりな
るバックコアで、前記フロン１〜コア３゜４と同一磁性
材料よりなり、その突部８ａ（第２図参照）が両フロン
トコア３，４の後部と磁気的的・物理的に接合されてい
る。９は、第２の基板２の上記バックコア８上に、層間
絶縁膜１０に埋設される形で配設された薄膜コイルで、
該薄膜コイル９の両端は、第２の基板２の後部上に形成
された外部接続用のポンディングパッド１１に各々接続
されている。なお、上記薄膜コイル９は例えばＡｆｉな
どよりなり、上記層間絶縁膜１０は例えばＳ ｉ Ｏｚ
などよりなっている。
るバックコアで、前記フロン１〜コア３゜４と同一磁性
材料よりなり、その突部８ａ（第２図参照）が両フロン
トコア３，４の後部と磁気的的・物理的に接合されてい
る。９は、第２の基板２の上記バックコア８上に、層間
絶縁膜１０に埋設される形で配設された薄膜コイルで、
該薄膜コイル９の両端は、第２の基板２の後部上に形成
された外部接続用のポンディングパッド１１に各々接続
されている。なお、上記薄膜コイル９は例えばＡｆｉな
どよりなり、上記層間絶縁膜１０は例えばＳ ｉ Ｏｚ
などよりなっている。
２ａは、前記第２の基板２の前端縁に沿って形成された
突堤部で、該突堤部２ａの上面と前記層間絶縁膜１０の
上面とは面一に設定されている。
突堤部で、該突堤部２ａの上面と前記層間絶縁膜１０の
上面とは面一に設定されている。
そして、この層間絶縁膜１０を貫通する形で後述するよ
うに前記バックコア８の２つの突部８ａが。
うに前記バックコア８の２つの突部８ａが。
眉間絶縁膜１０の上面までこれと面一に形成されていて
、これによってバッグコア８とフロントコア３，４の後
部とが接合されるようになっている。
、これによってバッグコア８とフロントコア３，４の後
部とが接合されるようになっている。
なお、第１，２図において、１２は、第１の基板ｌ側と
第２の基板２側との接合・固着面を示しており、該接合
・固着面１２は例えば低融点ガラスによってボンディン
グされている。
第２の基板２側との接合・固着面を示しており、該接合
・固着面１２は例えば低融点ガラスによってボンディン
グされている。
次に第３図及び第４図によって、上記構成の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明する。第３図（ａ）〜（ｆ）は、
第１の基板１側に形成される前記フロントコア３，４並
びに非磁性薄膜７の形成工程をそれぞれ示す説明図であ
る。
ッドの製造方法を説明する。第３図（ａ）〜（ｆ）は、
第１の基板１側に形成される前記フロントコア３，４並
びに非磁性薄膜７の形成工程をそれぞれ示す説明図であ
る。
先ず第３図（ａ）に示すように、非磁性セラミックより
なる第１の基板１の片面上に、第１磁性薄膜１３が、例
えばＤＣ対向スパッタリング法などによって約２０μｍ
厚程度に全面被着される。続いて、フォトリソ技術によ
って上記第１磁性薄膜１３を、同図（ｂ）に示すように
半分除去した後、第１磁性薄膜１３のエツチングされた
端面１３ａに、５ｊＯｚなどからなるギャップ規制膜５
が、例えばマグネトロンスパッタ法などによって所望の
厚みだけ被着・形成される。
なる第１の基板１の片面上に、第１磁性薄膜１３が、例
えばＤＣ対向スパッタリング法などによって約２０μｍ
厚程度に全面被着される。続いて、フォトリソ技術によ
って上記第１磁性薄膜１３を、同図（ｂ）に示すように
半分除去した後、第１磁性薄膜１３のエツチングされた
端面１３ａに、５ｊＯｚなどからなるギャップ規制膜５
が、例えばマグネトロンスパッタ法などによって所望の
厚みだけ被着・形成される。
続いて同図（ｃ）に示すように、第２磁性薄膜１４をＤ
Ｃ対向スパッタリング法などによって、前記第１磁性薄
膜１３並びに第１の基板ｌ上に約２０μ工程度の厚みに
形成し、同図（ｄ）に示すようにフォトリソ技術により
、第２磁性薄膜１４を半分だけ除去し、第１と第２磁性
薄膜１３．１４が、第１の基板Ｉ上に略同−厚みで半分
づつ被着・形成された状態とする。
Ｃ対向スパッタリング法などによって、前記第１磁性薄
膜１３並びに第１の基板ｌ上に約２０μ工程度の厚みに
形成し、同図（ｄ）に示すようにフォトリソ技術により
、第２磁性薄膜１４を半分だけ除去し、第１と第２磁性
薄膜１３．１４が、第１の基板Ｉ上に略同−厚みで半分
づつ被着・形成された状態とする。
然る後、同図（ｅ）に示すようにフォトリソ技術によっ
て、第１と第２磁性薄膜１３．１４をエツチングして、
前記したフロントコア３，４を形成すると共に、所望の
ギャップデプスをもって前記作動ギャップ６を形成し、
続いて同図（ｆ）に示すように１例えば５ｉＯｚなどよ
りなる前記非磁性薄膜７を、マグネトロンスパッタ法な
どで約２０μ工程度に被着・形成して、両フロントコア
３゜４を非磁性薄膜７に埋込み、最後にフロントコア３
．４並びに非磁性薄膜７の表面を面一となるようにラッ
プすることで、第１の基板ｌ側のウェハープロセスは完
了する。
て、第１と第２磁性薄膜１３．１４をエツチングして、
前記したフロントコア３，４を形成すると共に、所望の
ギャップデプスをもって前記作動ギャップ６を形成し、
続いて同図（ｆ）に示すように１例えば５ｉＯｚなどよ
りなる前記非磁性薄膜７を、マグネトロンスパッタ法な
どで約２０μ工程度に被着・形成して、両フロントコア
３゜４を非磁性薄膜７に埋込み、最後にフロントコア３
．４並びに非磁性薄膜７の表面を面一となるようにラッ
プすることで、第１の基板ｌ側のウェハープロセスは完
了する。
第４図（ａ）〜（ｆ）は、前記第２の基板２側に形成さ
れる前記バックコア８、薄膜コイル９１層間絶縁膜１０
などの形成工程をそれぞれ示す説明図である。
れる前記バックコア８、薄膜コイル９１層間絶縁膜１０
などの形成工程をそれぞれ示す説明図である。
先ず、第４図（ａ）に示すように、前記第２の基板２の
片面上に、フォトリソ技術とイオンミリング法、あるい
はダイサー加工などの手法を用いて、平坦な凹地２ｂ並
びにバックコア用溝２Ｃを形成すると共に、これによっ
て第２の基板２の前縁部に前記した突堤部２ａを形成す
る。該実施例においては、上記凹地２ｂの深さは突堤部
２ａの上面（元の基板の上面）から約１２μｍ、バック
コア用溝２ｃの深さは凹地２ｂから約２０μｍとされて
いる。
片面上に、フォトリソ技術とイオンミリング法、あるい
はダイサー加工などの手法を用いて、平坦な凹地２ｂ並
びにバックコア用溝２Ｃを形成すると共に、これによっ
て第２の基板２の前縁部に前記した突堤部２ａを形成す
る。該実施例においては、上記凹地２ｂの深さは突堤部
２ａの上面（元の基板の上面）から約１２μｍ、バック
コア用溝２ｃの深さは凹地２ｂから約２０μｍとされて
いる。
次に、上述したように加工された第２の基板２上に、同
図（ｂ）に示したように、バックコア用の第３磁性薄膜
１５をＤＣ対向スパッタリング法によって約３２μｍ以
上の厚みに被着した後、第３磁性薄膜１５を元の基板高
さまでラップ法などで研磨して、同図（Ｃ）に示したよ
うに、第３磁性薄膜１５の表面を突堤部２ａの表面と面
一にする。
図（ｂ）に示したように、バックコア用の第３磁性薄膜
１５をＤＣ対向スパッタリング法によって約３２μｍ以
上の厚みに被着した後、第３磁性薄膜１５を元の基板高
さまでラップ法などで研磨して、同図（Ｃ）に示したよ
うに、第３磁性薄膜１５の表面を突堤部２ａの表面と面
一にする。
続いて、第３磁性薄膜１５をフォトリソ技術によってエ
ツチングして、同図（ｄ）、 （ｅ）に示したように、
フロントコア３，４の後部と接合される前記した２つの
突部８ａを有するバックコア８を形成する。
ツチングして、同図（ｄ）、 （ｅ）に示したように、
フロントコア３，４の後部と接合される前記した２つの
突部８ａを有するバックコア８を形成する。
続いて、同図（ｆ）に示すように、Ｓ ｉ Ｏｚ膜及び
ＡΩ膜を各々マグネトロンスパッタ法及びＥＢ蒸着法を
用いて形成すると共に、フォトリソ技術による加工を加
えて、前記薄膜コイル９（該実施例では２層構造）並び
に層間絶縁膜１０を形成し、同時に前記ポンディングパ
ッド１１も形成する。
ＡΩ膜を各々マグネトロンスパッタ法及びＥＢ蒸着法を
用いて形成すると共に、フォトリソ技術による加工を加
えて、前記薄膜コイル９（該実施例では２層構造）並び
に層間絶縁膜１０を形成し、同時に前記ポンディングパ
ッド１１も形成する。
然る後、適宜手法によってポンディングパッド１１を露
呈させると共に、適宜平坦化技術によって層間絶縁膜１
０を平坦化することによって、第２の基板２側のウェハ
ープロセスは完了する。
呈させると共に、適宜平坦化技術によって層間絶縁膜１
０を平坦化することによって、第２の基板２側のウェハ
ープロセスは完了する。
上述したように作成された各種薄膜を成膜・形成された
第１と第２の基板１．２は、適宜治具などを用いて位置
合せして突合わされ、低融点ガラスなどによって第１，
２図示の如く接合・一体化される。これによって、フロ
ントコア３，４とバックコア８とは磁気的に接合されて
、３者３．．４゜８で閉ループを形づくることになる。
第１と第２の基板１．２は、適宜治具などを用いて位置
合せして突合わされ、低融点ガラスなどによって第１，
２図示の如く接合・一体化される。これによって、フロ
ントコア３，４とバックコア８とは磁気的に接合されて
、３者３．．４゜８で閉ループを形づくることになる。
このように作製される該実施例の薄膜磁気ヘッドは、１
つの基板に対する薄膜形成、加工プロセス（ウェハープ
ロセス）が少くて済むので１歩留りが向上し、作製時間
も短縮できる。また、第１の基板１側に作動ギャップ６
をもつ磁性薄膜よりなるフロントコア３，４が形成され
ているので、トラック幅、ギャップ長、ギヤツブ深さな
どを高精度なものに維持できる。さらに、２０ターンの
薄膜コイル９を形成した場合でも磁路長を約５００μｍ
とバルク型磁気ヘッドに比して１／４程度に短かくでき
、バルク型磁気ヘッドに較べて再生効率を３〜６ｄＢア
ツプと大幅に向上できる。さらにまた、第１図示のよう
に作動ギャップ６から見て、磁気記録媒体との摺動面は
上下及び左右がほぼ同じ摩耗特性をもつ材料がほぼ対称
に配置されているので、偏摩耗を生じることがなく、長
期にわたって良好な摺動特性を得ることができる。
つの基板に対する薄膜形成、加工プロセス（ウェハープ
ロセス）が少くて済むので１歩留りが向上し、作製時間
も短縮できる。また、第１の基板１側に作動ギャップ６
をもつ磁性薄膜よりなるフロントコア３，４が形成され
ているので、トラック幅、ギャップ長、ギヤツブ深さな
どを高精度なものに維持できる。さらに、２０ターンの
薄膜コイル９を形成した場合でも磁路長を約５００μｍ
とバルク型磁気ヘッドに比して１／４程度に短かくでき
、バルク型磁気ヘッドに較べて再生効率を３〜６ｄＢア
ツプと大幅に向上できる。さらにまた、第１図示のよう
に作動ギャップ６から見て、磁気記録媒体との摺動面は
上下及び左右がほぼ同じ摩耗特性をもつ材料がほぼ対称
に配置されているので、偏摩耗を生じることがなく、長
期にわたって良好な摺動特性を得ることができる。
第５図〜第７図は本発明の第２実施例に係り、。
第５図は薄膜磁気ヘッドの斜視図、第６図は第５図のＢ
−Ｂ線断面図、第７図は製造工程を示す説明図である。
−Ｂ線断面図、第７図は製造工程を示す説明図である。
なお、同各回において前記した実施例と均等な部材、部
位には同一符号を付し、その説明は重複を避けるため省
略する。
位には同一符号を付し、その説明は重複を避けるため省
略する。
第５，６図から明らかなように、該実施例における前記
第２の基板２側の構成は前記第１実施例と全く同一であ
る。同図において、１５．１６は前記第１の基板ｌ上に
形成された前記実施例と同一材料の磁性薄膜よりなるフ
ロントコアで、両フロントコア１５，１６はその前部に
おいて前記ギャップ規制膜５を介して接合されて作動ギ
ャップ１７を形成している。但し、前記実施例において
はフロントコアの膜端面同志がギャップ規制膜を介して
接合されて作動ギャップを形成していたのに対し、該実
施例においては、フロントコア１７゜１８の前部の膜平
面同志がギャップ規制［１！ｉ５を介して接合されて作
動ギャップ１７を形成している。
第２の基板２側の構成は前記第１実施例と全く同一であ
る。同図において、１５．１６は前記第１の基板ｌ上に
形成された前記実施例と同一材料の磁性薄膜よりなるフ
ロントコアで、両フロントコア１５，１６はその前部に
おいて前記ギャップ規制膜５を介して接合されて作動ギ
ャップ１７を形成している。但し、前記実施例において
はフロントコアの膜端面同志がギャップ規制膜を介して
接合されて作動ギャップを形成していたのに対し、該実
施例においては、フロントコア１７゜１８の前部の膜平
面同志がギャップ規制［１！ｉ５を介して接合されて作
動ギャップ１７を形成している。
次に第３図によって、第１の基板１側のウェハープロセ
スを説明する。
スを説明する。
先ず第７図（ａ）に示すように、第１の基、板１の片面
上に、第１磁性薄膜１８が、例えばＤＣ対向スパッタリ
ング法によって約１０μｍ厚程度に全面被着される。続
いて、フォトリソ技術によって上記第１磁性薄膜１８を
、同図（ｂ）に示すようにエツチングして、前記フロン
トコア１５，１６の一部をそれぞれ構成するフロントコ
ア単膜１５ａ。
上に、第１磁性薄膜１８が、例えばＤＣ対向スパッタリ
ング法によって約１０μｍ厚程度に全面被着される。続
いて、フォトリソ技術によって上記第１磁性薄膜１８を
、同図（ｂ）に示すようにエツチングして、前記フロン
トコア１５，１６の一部をそれぞれ構成するフロントコ
ア単膜１５ａ。
１６ａを形成する。続いて同図（ｃ）に示すように、非
磁性薄膜７をマグネトロンスパッタ法などによって約１
０μｍの厚みで被着して、フロントコア半［１１５ａ、
１６ａを埋込み、然る後、必要に応じ表面を平坦化する
。そして次に、前記ギャップ規制膜５を、マグネトロン
スパッタ法などによってフロントコア単膜１５ａの作動
ギャップ形成予定領域に被着する。
磁性薄膜７をマグネトロンスパッタ法などによって約１
０μｍの厚みで被着して、フロントコア半［１１５ａ、
１６ａを埋込み、然る後、必要に応じ表面を平坦化する
。そして次に、前記ギャップ規制膜５を、マグネトロン
スパッタ法などによってフロントコア単膜１５ａの作動
ギャップ形成予定領域に被着する。
続いて同図（ｄ）に示すように、第２磁性薄膜１９をＤ
Ｃ対向スパッタリング法などによって、約ｌＯμｍ程度
の厚みに全面被着した後、フォトリソ技術によって第２
磁性薄ｆｉ１９をエツチングして、同図（ｅ）に示すよ
うに、フロントコア単膜１５ｂ、１６ｂを形成する。こ
れによって、フロントコア単膜１５ａと１５ｂで前記一
方のフロントコア１５が、フロントコア半ｇｊ １６
ａと１６ｂで前記他方のフロントコア１６が各々形成さ
れ、また、同時に所望のギャップデプスをもつ作動ギャ
ップ１７も形成されることとなる。
Ｃ対向スパッタリング法などによって、約ｌＯμｍ程度
の厚みに全面被着した後、フォトリソ技術によって第２
磁性薄ｆｉ１９をエツチングして、同図（ｅ）に示すよ
うに、フロントコア単膜１５ｂ、１６ｂを形成する。こ
れによって、フロントコア単膜１５ａと１５ｂで前記一
方のフロントコア１５が、フロントコア半ｇｊ １６
ａと１６ｂで前記他方のフロントコア１６が各々形成さ
れ、また、同時に所望のギャップデプスをもつ作動ギャ
ップ１７も形成されることとなる。
続いて同図（ｆ）に示すように、非磁性薄膜７を、マグ
ネトロンスパッタ法で約１０μ工程度に被着・形成して
、両フロントコア１５，１６を非磁性薄膜７に埋込み、
最後に表面を面一となるようにラップすることで、第１
の基板ｌ側のウェハープロセスは完了する。
ネトロンスパッタ法で約１０μ工程度に被着・形成して
、両フロントコア１５，１６を非磁性薄膜７に埋込み、
最後に表面を面一となるようにラップすることで、第１
の基板ｌ側のウェハープロセスは完了する。
上述したように作成された各種薄膜を成膜・形成された
第１の基板１と、前述した第１実施例と同一手法で各種
薄膜を成膜・形成された第２の基板２とは、前述と同様
に、適宜治具などを用いて位置合せして突合わされ、低
融点ガラスなどによって第５，６図示の如く接合・一体
化される。これによって、フロントコア１５，１６とバ
ックコア８とは磁気的に接合されて、３者１５，１６゜
８で閉ループを形づくることになる。
第１の基板１と、前述した第１実施例と同一手法で各種
薄膜を成膜・形成された第２の基板２とは、前述と同様
に、適宜治具などを用いて位置合せして突合わされ、低
融点ガラスなどによって第５，６図示の如く接合・一体
化される。これによって、フロントコア１５，１６とバ
ックコア８とは磁気的に接合されて、３者１５，１６゜
８で閉ループを形づくることになる。
このように作製される該第２実施例の薄膜磁気ヘッドも
、前記第１実施例と同等の効果を奏することができる。
、前記第１実施例と同等の効果を奏することができる。
ここで、前述した第１．第２実施例では、バックコア８
の突部８ａの高さを前記した接合・固着面１２と面一の
ものとして説明したが、第８図に示す第３実施例のよう
に、バックコア８の突部８ａの高さを接合・固着面１２
よりも高くして、フロントコア２０，２１の後部と接合
するようにしても良い。（なお、該第３実施例のフロン
トコア２０．２１の平面形状は前記第２実施例のものと
略同−で、作動ギャップ２２の形成部分のみがギャップ
規制膜を介して２層に形成・接合されている。）あるい
はまた、第９図に示す第４実施例のように、バックコア
８′を突部のない形状として、前記第１実施例と略同等
構成のフロントコア３′。
の突部８ａの高さを前記した接合・固着面１２と面一の
ものとして説明したが、第８図に示す第３実施例のよう
に、バックコア８の突部８ａの高さを接合・固着面１２
よりも高くして、フロントコア２０，２１の後部と接合
するようにしても良い。（なお、該第３実施例のフロン
トコア２０．２１の平面形状は前記第２実施例のものと
略同−で、作動ギャップ２２の形成部分のみがギャップ
規制膜を介して２層に形成・接合されている。）あるい
はまた、第９図に示す第４実施例のように、バックコア
８′を突部のない形状として、前記第１実施例と略同等
構成のフロントコア３′。
４′の後部に突部３ａ’、４ａ’を形成して、フロント
コア３’、４’とバックコア８′とを接合するようにし
ても良い、なおまた、前述した実施例では第１と第２の
基板１，２を同一材料で作成するようにしているが、第
１の基板１と第２の基板２はほぼ同じ摩耗特性をもつも
のであれば、別異の材料であってもよい。
コア３’、４’とバックコア８′とを接合するようにし
ても良い、なおまた、前述した実施例では第１と第２の
基板１，２を同一材料で作成するようにしているが、第
１の基板１と第２の基板２はほぼ同じ摩耗特性をもつも
のであれば、別異の材料であってもよい。
以上本発明を図示した各実施例によって説明したが、当
業者には本発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変形が
考えられるところである。
業者には本発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変形が
考えられるところである。
［発明の効果］
叙上のように本発明によれば、磁気コア、導体コイル、
層間絶縁膜などを薄膜技術で作成する磁路長が短かく再
生効率等が良好で、かつ作動ギャップ精度の高い薄膜磁
気ヘッドにおいて、１つの基板に対するウェハープロセ
スを短縮できて１歩留りを大幅に向上させることが可能
となり、該種薄膜磁気ヘッドにあってその産業的価値は
多大である。また、第１と第２の基板とをほぼ同じ摩耗
特性をもつものとできるので、偏摩耗の虞れがなく、長
期にわたって安定した摺動特性を保証できる。
層間絶縁膜などを薄膜技術で作成する磁路長が短かく再
生効率等が良好で、かつ作動ギャップ精度の高い薄膜磁
気ヘッドにおいて、１つの基板に対するウェハープロセ
スを短縮できて１歩留りを大幅に向上させることが可能
となり、該種薄膜磁気ヘッドにあってその産業的価値は
多大である。また、第１と第２の基板とをほぼ同じ摩耗
特性をもつものとできるので、偏摩耗の虞れがなく、長
期にわたって安定した摺動特性を保証できる。
第１図〜第４図は本発明の第１実施例に係り、第１図は
薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断
面図、第３図及び第４図は各々製造工程を示す説明図、
第５図〜第７図は本発明の第２実施例に係り、第５図は
薄膜磁気ヘッドの斜視図、第６図は第５図のＢ−Ｂ線断
面図、第７図は製造工程を示す説明図、第８図は本発明
の第３実施例に係る薄膜磁気ヘッドの断面図、第９図は
本発明の第４実施例に係る薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。 １・・・・・・第１の基板、２・・・・・・第２の基板
、２ａ・・・・・・突堤部、２ｂ・・・・・・凹地、２
ｃ・・・・・・バックコア用溝、３，４．３’、４’１
５，１６，２０．２１・・・・・・フロントコア、３
ａＩ 、 ４ ａＩ・・・・・・突部、５・・・・・・
ギャップ規制膜、６，１７．２２・・・・・・作動ギャ
ップ、７・・・・・・非磁性薄膜、８．８’・・・・・
・バックコア、８ａ・・・・・・突部、９・・・・・・
薄膜コイル、１０・・・・・・層間絶縁膜、１１・・・
・・・ポンディングパッド、１２・・・・・・接合・固
着面。 第２図 ８１ｇ 第３図 （ａ） （ｂ）（ｅ）
（ｆ）４／１４ノ 第４図 ２
ｌ第５図 第６図 第７図 第８図 第９図
薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断
面図、第３図及び第４図は各々製造工程を示す説明図、
第５図〜第７図は本発明の第２実施例に係り、第５図は
薄膜磁気ヘッドの斜視図、第６図は第５図のＢ−Ｂ線断
面図、第７図は製造工程を示す説明図、第８図は本発明
の第３実施例に係る薄膜磁気ヘッドの断面図、第９図は
本発明の第４実施例に係る薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。 １・・・・・・第１の基板、２・・・・・・第２の基板
、２ａ・・・・・・突堤部、２ｂ・・・・・・凹地、２
ｃ・・・・・・バックコア用溝、３，４．３’、４’１
５，１６，２０．２１・・・・・・フロントコア、３
ａＩ 、 ４ ａＩ・・・・・・突部、５・・・・・・
ギャップ規制膜、６，１７．２２・・・・・・作動ギャ
ップ、７・・・・・・非磁性薄膜、８．８’・・・・・
・バックコア、８ａ・・・・・・突部、９・・・・・・
薄膜コイル、１０・・・・・・層間絶縁膜、１１・・・
・・・ポンディングパッド、１２・・・・・・接合・固
着面。 第２図 ８１ｇ 第３図 （ａ） （ｂ）（ｅ）
（ｆ）４／１４ノ 第４図 ２
ｌ第５図 第６図 第７図 第８図 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ギャップ規制膜を介して接合された磁性薄膜よりな
る２つのフロントコアを形成した第１の基板と、磁性薄
膜よりなるバックコアを形成した第２の基板とを、前記
両フロントコアの後部と前記バックコア同志が接合する
ように貼合せ・一体化したことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 ２、請求項１記載において、前記第２の基板には層間絶
縁膜に埋設された形で薄膜コイルが形成され、前記層間
絶縁膜を貫通する形で、前記両フロントコアの後部と前
記バックコアとが接合されることを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。 ３、請求項１記載において、前記２つのフロントコアは
、その膜端面同志が前記ギャップ規制膜を介して接合さ
れたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ４、請求項１記載において、前記２つのフロントコアは
、その前部の膜平面同志が前記ギャップ規制膜を介して
接合されたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ５、請求項１記載において、前記第１と第２の基板とは
、両者がほぼ同じ摩耗特性をもつ非磁性材料から形成さ
れていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ６、請求項１記載において、前記第２の基板の前縁部の
突堤部が、前記第１の基板の前記両フロントコアの少く
とも一方と作動ギャップ近傍で密着し、前記突堤部の前
端面が磁気記録媒体との摺動面の一部を構成することを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22740388A JPH0276111A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22740388A JPH0276111A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276111A true JPH0276111A (ja) | 1990-03-15 |
Family
ID=16860285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22740388A Pending JPH0276111A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0276111A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296992A (en) * | 1990-07-17 | 1994-03-22 | Sony Corporation | Thin film magnetic head having increased core cross section |
| WO2001071714A1 (fr) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Commissariat A L'energie Atomique | Tete magnetique integree pour l'enregistrement magnetique helicoidal sur bande et son procede de fabrication |
-
1988
- 1988-09-13 JP JP22740388A patent/JPH0276111A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296992A (en) * | 1990-07-17 | 1994-03-22 | Sony Corporation | Thin film magnetic head having increased core cross section |
| WO2001071714A1 (fr) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Commissariat A L'energie Atomique | Tete magnetique integree pour l'enregistrement magnetique helicoidal sur bande et son procede de fabrication |
| FR2806826A1 (fr) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique integree pour l'enregistrement magnetique helicoidal sur bande et son procede de fabrication |
| US6885520B2 (en) | 2000-03-22 | 2005-04-26 | Commissariat A L'energie Atomique | Integrated magnetic head comprising a thin layer structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0546010B2 (ja) | ||
| JP3394266B2 (ja) | 磁気書込／読取ヘッドの製造方法 | |
| JPH0276111A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH045046Y2 (ja) | ||
| JP2891817B2 (ja) | 磁気ヘッド製造方法 | |
| JPH0548244Y2 (ja) | ||
| KR0152601B1 (ko) | 복합형 자기헤드 코아 및 그 제조방법 | |
| JP2618860B2 (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2933638B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2002279608A (ja) | 薄膜型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| KR970008603B1 (ko) | 복합형 자기헤드 | |
| KR100200809B1 (ko) | 자기헤드 및 그 제조방법 | |
| JPS62246112A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS59203210A (ja) | 磁気コアおよびその製造方法 | |
| JPH09231512A (ja) | 磁気ヘッドの製法 | |
| JPH0648529B2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH02302908A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0283807A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0278007A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH04168614A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0346108A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH04229407A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH01185811A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0461012A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH11213319A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 |