JPH0461247A - クワッド・フラット・パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置用として、半導体装ｒ−を気密封
止して収納するクワ・７ド・フラット・パッケージ（Ｑ
ｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋ、ａｇｅ）に関し、特に半
導体素子とリードフレームとが高耐熱フＬ・キシプル配
線板にて接続されているクワッド・フラット・パッケー
ジに関するものである。

〔従来の技術〕

望積回路の高集積化に伴−７て、゛１モ導体素子を収納
する１２導体装置用のパッケージにおける多ビン化は急
激に進んでいる。そしで、多ピン化に対応できるパッケ
ージとして、４方向に外部配線用のリードフレームが延
在し７てセラミック製のノ＼つ】・ングを有するセラミ
ック・クワット・フラット・パッケージが知られている
。この種のバ・フリーダの代表的な例は、セラミック製
の基板に半導体装ｒを固着さ一廿、この基板の外縁部に
シーリングガラスを介して外部配線用のり一トフレー１
、を同着させ、更にシーリングガラスを介してリードフ
し・−ムードにセラミ・７り製の蓋体を同着させた構成
をなす。

１−述したような構成をなすセラミ・７り・り・ノット
・クワット・パッケージにおい°６半導体素子とリード
フレームとをＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　
ＢｏｎｃｌｉｎＨ）テープ等の高耐熱フレキシブル配線
板にて接Ｖｊさセることが考案されている。これば、ク
ワ・ノド・フラット・パッケージの特性と高山」熱フレ
キシブル配線板の特性とをそれぞれ活かして、高密度化
電気的特性の向上及び気密Ｉｔ　ＩＪ−性のＧ化を図る
パッケージごある◇ （発明が解決しようとする課題］ ところが、高面１坤じ７　Ｌ、　４’　：：、プル配線
板を用いイ）このよ・うなｔｌ＆　成のり１，１ソトパ
ノラソトバ、＋　／ツレで１、ま、半導体素ｒにおける
高周波ネ５性の影響イー考慮し７Ｃおらづ”、史なる改
良の余地があっ人二゛。

本発明はかかる事情６１″、鑑のでなされたもの°こあ
り、半導体素子の特性に自せた特性インピーダンスを有
する分布定数′ｇ５にてり・−ドフＩ・−ノ、及び、／
または高耐熱フＩ、・キシゾル配線板を構成することに
より、半導体素ｒの高周波特性を考慮（２，て電気的特
性を向−トできるクワ７・ド・フシソ［・パンが−ジを
提供すること４目的とする。

〔課題苓解決げ−るためのｆ段〕

本発明ζご係るり”ニア　７ド・フレ、）、バ、２ヶ、
−ジは、半導体素子とリードフレームとを高耐熱フレキ
シブル配線板ｔ、−で接続し７であるクワ２ド・ソーノ
ン）・バ、ツノｙ−ジにおいて、前記υ−＃：’　−；
７１／−ム及び／′土たし。”；　１Ｖｉｉ記高耐熱フ
Ｌ／Ａシブル配綿枦を分４ｊ定数線路にこ構成しご：あ
る、−とを特徴と４る。

［１１月１］ ４・発明のクワット・“、ハク・、・１　・ベソリ“−
ジにあ−）７は、゛１′導体素ｆの特１１トイ゛７・ビ
ーダンスとり　−１′−フレーＪ・及び／または高耐熱
ツレキシゾル配線板の特性インピーダンス＜：１ノｈＫ
合っている４、〔実施例〕 以Ｉ・、本発明をその実施例を示す図面（５、て基づい
て尺体的に説明３゛る。

第１図は本発明に係るクリッド・））ノド・パッケージ
の断面図でよ、す、図中１は基板苓示寸。

基板１は、アルミプ゛製の基体１ａと、基体１ａ十に形
成されたアース用の導体１１）と１、基体１，１の夕）
縁部十にＷ体ｌｂを介して設けられたアルミナ製の縁部
基体１ｃとから構成さ４７八′−いる。基板Ｊの中央部
には、熱伝導性樹脂２４．介して半導体素子３が固着さ
れ−でいる。また、５＋ｆｆ１ｌの縁部基体１ｃには、
リー［“Ｖ　Ｌ、　−１，４における祥数本の信号用ビ
ン４．ａ（第１図には１本のめ図示）と、リードフＩｉ
ｉ、４ζ１こ台６Ｊる１本の）”　＝−ス用ビ゛：’　
４　ｂとが、例えばｉ’　ｂ　Ｏ−Ｖ　ｚ　Ｏ！。

系ガ・ンスからなるシーリングガラス５により１司着さ
れている。アース用ビン４１）はアース用の導体１ｂと
接続されている。リードフレーム４（ＡＡＡ質は、コバ
ールまたは４２合企ごある。リードフレー１、・１の各
ビンの先端部は１、金メ・ツキまた：４、」′［旧メ２
・キが施されていて接続、部となっている。イし−こ、
リートソＩ／−ム４（信号用ビン４ａ、アース用ビン、
１．ｂ）のこの各接続部と、￥：導体素子３の各電極と
は高耐熱フし・キシプル配線板６により接続、されてい
る。

シーリングガラス５Ｇごは、半導体素子３を１」止する
よ・うにアルミナ製の蓋体７が固着されている。

第２図、第３図は−１、述の高耐熱ルキシグル配線板６
の側面図及び平面図である。高耐熱フＬ、−キシプル配
線板６は、ポリイミド樹脂からなる絶縁部６ｂとＣ＋１
からなる′アース部６（：との積層体に（ｌ　ｕからな
る多数本の（３号線部６ａをパターン形成した構成をな
す。各信号用ビン４ａの接続部は、高耐熱］Ｌ・片シプ
ル配綿板６の信号線部６ａを介して゛ト導体素了３の対
ｂｚ、する各電極と接続し、アース用ビン４ｂの接続部
は、アース部６【、を介して半導体素ｐ−３の電極と接
続している。

イ゛して、このリードフ１．・−ム４及び高耐熱−ノＬ
−ギシゾル配線板６（ま、゛１′−導体素子３の特性Ｃ
，＝合わせた同一・の特性インピーダンスを有１ｚ〕分
布定数線路にて構成さねでいる。本実施例のように１片
−ト　７レー１．４及び高耐熱フレキシグル配線板６を
何れも分布定数線路Ｃコて構成する場合には、両方の特
性インピーダンスを一致させる必要がある。

なお、リードフレーム４または高面］熱フＬ−４ジブル
配線択６の−・方のみを分子ｊ定数線路にて構成するこ
ととし、でも良い。

リートフレ・〜１゜４．高耐熱゛ルキシゾル配線机（ｊ
の特性インピーダンスを調整するには、次のようにずれ
ば良い。リードフＬ、−，ｉ、４の特性インピーダンス
を調整するためには、リードフし・−）、４０幅と基板
１の縁部基体１ｃの高さとを調整する。

高耐熱フレキシブル配線板６の特性インピーダンスを調
整づ−るためには、信号線部６．］の幅と絶縁部６ｂの
厚さと絶縁部６ｂの材質とを調整する。

次に、このような構成苓なすセラミック・クヮソト・フ
ッソ１−・バノう−ジの組立１順Ｑご・ついて説明する
。アース用の電極Ｈ＋を設りた２、層構造のアルミナ製
の基板１乙こ、リー・叫・フし−ム１１を・′５・リン
グガラス５に゛ζζ同定。９゛１（導体ｆｆＷ−７−３
を熱伝導性樹脂２にご基板１の中央部に同定４”る。パ
・・ングルボイントボンディングによ、シ、高耐熱）し
・キシグル配線板６を１．１−）フレーｊ、４の接続、
部ルび゛＋′ニア導体素子３の電極に接続、−シる。最
移・に、アルミナ製の蓋体７４シーリングガうス５Ｑこ
固着さゼで、半濶体素」′−３の封止４完ｒ′ｉｉイ）
。

なお１．１−述した実施例ではアルミナ製のハ・”ｙ）
ング庖有するパッケージ乙こ−）いて説明したが、ハウ
ジング、具体的には基体１ａ、縁部粘体１（・及び蓋体
７はムライ）・、窒化アルミー：−ラム）の３、うな別
のセ゛シミツク４ｍで構成されこいても良い。

また、−１述し７た実施例は本発明を適用できる１つの
構成例を示”ｑものごあり、半導体素子とり−ドソト・
−ムとが高耐熱フＬ・キシプル配線板に−こ接続、され
こいるようなりリッド・フラット・パソ）ｙ−シフであ
れば、別の構成例においても本発明を通用できることは
一勿論Ｃある。

〔発明の効［］ 以上のように本発明のクリノＦ・フパフノ（・・バラう
−、−ジでは、リート）Ｌ・−ム及び、／″ま−た（・
。Ｙ高耐熱）ｌ、・−１−ジブル配綿＋）ｙが、封止さ
れる゛１′導体素−ｒの特性にＣセた特ｆ↓インピーダ
ンス４イｊする分布定数線路にて構成されζいるので、
本発明：１、）、電気的特性に優れたクソソド・フラッ
ト・バ・・Ｊ。

ジを提供ごきるとい・う効果４奏する。

【図面の簡単な説明】

第】図は本発明のクワッド・フそ・ノド・バ、）γ−ジ
の構成を示″ｄ断曲図、第２図は本発明のクリア１゛・
ソ’）　ン＃’・パッケージ乙ご用いるＫ　耐？？”ル
キこンブル配線板の側面図、第３閏は同し５（ぞの高耐
熱フレキシブル配線板の゛ト面図である。 １・・・基板　３・・・半導体素子　４・・・リードフ
Ｕム　５・・・シーリングガうス　６・・・高耐熱フレ
）シブル配線板　７・・・７体 特　許　出願人　鳴海製向株式会′ｆＪ：　（！Ａ、　
１名）代理人　弁理士　河　　野　　立　　大第 ］ 図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体素子とリードフレームとを高耐熱フレキシブ
   ル配線板にて接続してあるクワッド・フラット・パッケ
   ージにおいて、 前記リードフレーム及び／または前記高耐熱フレキシブ
   ル配線板を分布定数線路にて構成してあることを特徴と
   するクワッド・フラット・パッケージ。