JPH0461404B2

JPH0461404B2 -

Info

Publication number: JPH0461404B2
Application number: JP1053805A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Kumasaka; Hideo Fujiwara; Moichi Ootomo; Takeo Yamashita
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1989-03-08
Filing date: 1989-03-08
Publication date: 1992-09-30
Also published as: JPH01264610A

Description

【発明の詳細な説明】【産業上の利用分野】

本発明はVTR等の高周波信号の記録再生に適
した磁気ヘツドに係り、特に高保磁力記録媒体に
対して好適な複合型磁気ヘツドに関する。

【従来の技術】高密度磁気記録再生装置においては、磁気記録
媒体の保磁力Hcを大きくすれば有利であること
はよく知られているが、高保磁力の磁気記録媒体
に情報を記録するためには、強い磁場が必要とな
る。ところが、現在磁気ヘツドに用いられている
フエライト材は、その飽和磁束密度Bsが4000〜
5000ガウス程度であるため、得られる記録磁界の
強さに限度があり、磁気記録媒体の保磁力Hcが
1000エルステツドを越える場合には、記録が不十
分になるという欠点がある。一方、金属磁性材料で総称されるFe−Al−Si
合金（センダストと称されている）、Ni−Fe合金
（パーマロイ）等の結晶質磁性合金、あるいは、
非晶質磁性合金を用いた磁気ヘツドは、一般にフ
エライト材より飽和磁束密度の高いものがあり、
かつ摺動ノイズが低いという優れた特性を有す
る。しかし、一般に使用されるトラツク幅（10μ
ｍ以上）の厚みでは渦電流損失によりビデオ周波
数領域での実効透磁率がフエライトより低下し、
再生能率が低くなる欠点を有する。また、耐摩耗
性に関してはフエライトより数段劣る。そこで、上記のような問題を解決するために、
フエライトと金属磁性材を組み合せて両者の良い
点を利用した複合型磁気ヘツドが提案されてい
る。たとえば、第１図にその磁気ヘツドコアの斜視
図を示すごとく、コア部１０が高透磁率フエライ
トからなり、記録作用の主要部となる作動ギヤツ
プ近傍部１１が物理蒸着によつて形成された金属
磁性材からなる複合型磁気ヘツドが提案されてい
る。さらに、高密度記録用磁気ヘツドに対しては
狭トラツク化のために、作動ギヤツプ近傍にトラ
ツク幅絞り用の切り欠き溝１２を設け、ここに補
強用の非磁性材で充填されている。１３はコイル
巻線用の窓である。第２図は上記従来の磁気ヘツ
ドの記録媒体対向面の平面図を示したものであ
る。ここでフエライトコア部１０，１０′と金属
磁性材部１１，１１′との結合境界部１４，１
４′が疑似の作動ギヤツプとして作用して記録再
生特性を損なう欠点がある。特に、結合境界部１
４，１４′と作動ギヤツプ１５が平行になるとそ
の境界部で相当量の信号を拾うことになり、コン
タ効果が激しいという欠点を有する。また、コンタ効果を除くためにフエライトコア
部１０，１０′と金属磁性材部１１，１１′の結合
境界部１４，１４′に適当な凹凸を設ける方法が
知られている。しかし、コンター効果を完全除去
することは難かしい。他の従来例としては第３図に示すような構造の
ヘツドが知られている。該ヘツドは非磁性基板２
０の上に高飽和磁束密度を有する金属磁性材２１
をスパツタリングや真空蒸着等の物理蒸着によつ
てトラツク幅に等しい膜厚に形成し、その上に非
磁性材２０′をガラス薄膜で接着した後、２等分
してギヤツプ突き合せ面をラツプし、コイル巻線
窓２２を形成し、ギヤツプ突き合せ面２３に規定
の非磁性膜を介して接合することによつて得られ
る。この構造はギヤツプ形成法に問題があり、能
率的で、ギヤツプ長精度も得難く、歩留が悪く生
産性に欠点を持つ。特開昭56−169214号には、第１１図ニ，ホに示
すようなヘツドが開示されている。該ヘツドは第
１１図イに示すように、第１１図ハに示す巻線窓
１３より上の部分に三角形が連続した屋根形のフ
エライトブロツク１００を用意し、その屋根形の
部分にセンダスト合金のような磁性合金１１をス
パツタリング法等で被着形成し、第１１図ロに示
すような複合磁性ブロツクとする、ついで磁性合
金１１のみからなる屋根形の頂上の部分を研磨し
てヘツドギヤツプ突き合わせ面を形成し、ここに
酸化珪素膜を被着形成してヘツドチツプの一方を
なす複合磁性ブロツク１００ａを製作する。次に
第１１図ハに示すように巻線窓１３が設けられた
チツプの他方をなす複合磁性ブロツク１００ｂと
上述の１００ａを突き合わせ接着する。その後第
１１図ハの点線で示す部分を切断し、第１１図
ニ，ホホで示すごとき複合磁気ヘツドとする。この様に製作された複合磁気ヘツドは、フエラ
イトコア部１０，１０′との磁性合金１１との接
合面の方向と、作動ギヤツプ１５の方向が斜交す
るため、不所望の等価ヘツドギヤツプに起因する
特性の劣化を低減できる。

【発明が解決しようとする課題】

本発明の目的は、高保磁力記録媒体にも優れた
記録再生特性を示す複合型磁気ヘツドを提供する
ことにある。

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するために、本願発明の複合型
磁気ヘツドは、先端から離れるに従つて幅が広く
なる突起部を有する２個の基体ブロツクの上記突
起部の両側面に磁性体が被着され、上記突起部の
先端において作動ギヤツプを介して上記磁性体が
相対峙し、上記２個の基体ブロツクの突起部の相
対向する側面の磁性体により形成される空間に非
磁性体を充填してなることを特徴とする。本発明は特に、２個の基体ブロツクの突起部の
相対向する側面の磁性体により形成される空間
に、非磁性の補強部材を充填しているため、媒体
摺動面が平らになり、媒体を傷つけることがな
い。さらに突起部先端の磁性体を補強し、かつヘ
ツド全体の強度を保証する。また、磁性体がほぼ
左右対称に形成されていることにより、偏摩耗も
防ぐことができる。前記突起部の幅は、作動ギヤツプより離れるに
従つて広くなるようにするのがよい。このように
することで、溝側面に磁性体を効率的に堆積する
ことができ、基体ブロツクとの接触面積を広くす
ることができる。また、突起部の頂角が大き過ぎ
るとトラツク幅に誤差を生じ易くなり、小さ過ぎ
ると突起部が機械的に弱くなるので、突起部の頂
角（または両側面により形成される角）は45°〜
90°好ましい。前記基体ブロツクは通常、Mn−Znフエライト
又はNi−Znフエライトとする。また、前記磁性
体は前記基体ブロツクよりも飽和磁束密度が高く
且つ磁歪が０付近の高透磁率材料であれば何でも
よいが、代表的なものとしては周知のFe−Si合
金、Fe−Al−Si合金（いわゆるセンダスト系合
金）、Ni−Fe合金（いわゆるパーマロイ系合金）
および各種の高透磁率非晶質合金等を挙げること
ができる。また、例えばSiO₂、Al₂O₃のような非
磁性体からなる厚さ100Å〜1μｍの非磁性体相と
前記高飽和磁束密度磁性体層と交互に積層した磁
性体でもよい。このように、磁性体層と非磁性体
層を交互に積層することにより磁気特性を向上せ
しめることができる。作動ギヤツプ形成面は、ギヤツプ近傍の飽和磁
束密度を高めるため、前記磁性体のみで形成する
のが望ましいが、前記磁性体と前記基体ブロツク
の両者で形成しても単一部材より成るコアで形成
する従来のものに比較して本願発明の効果は認め
られる。基体ブロツク突起部の両側面上の前記磁性体膜
上には、望ましくはコア側面に達するまで非磁性
材料が充填される。作動ギヤツプ形成面が前記高飽和磁束密度の磁
性体のみからなる場合、前記突起部における先端
部の基体ブロツクトラツク幅方向の幅はトラツク
幅の1/2以下とするのが好ましく、先端部の基体
ブロツク幅を０にする、即ち先端部を角形にして
もよい。このようにすることによつて、コンタ効
果がほとんど問題にならない程度まで低下する。
また前記先端部の基体ブロツク面が平坦にならな
いように加工すればコンタ効果の面でさらに好ま
しい結果が得られる。作動キヤツプ形成面が前記高飽和磁束密度の磁
性体と前記基体ブロツクの両者からなる場合、作
動キヤツプ近傍の飽和磁束密度を高めるため、ギ
ヤツプ形成面における前記磁性体のトラツク幅方
向の幅の合計を基体ブロツクの幅の２倍以上とす
ることが望ましい。前記基体ブロツクの突起部の両側面上に被着さ
れた前記高飽和磁束密度の磁性体の厚さは、通
常、トラツク幅の1/2以下とする。これは、作動
ギヤツプ部において記録媒体対向面に露出してい
る前記磁性体のトラツク幅方向の幅が、基体ブロ
ツク突起部の両側面に被着された磁性体厚さの和
もしくはそれ以上の値となるからである。前記基
体ブロツク突起部の先端部が角形の場合には、作
動ギヤツプ部の幅はほぼ前記磁性体の厚さの和に
なるので、磁性体の厚さはトラツク幅のほぼ1/2
にするのがよい。本発明においては、前記磁性体は基体ブロツク
突起部の両側面に被着せしめるものであり、一方
の側面のみに被着したのでは該磁性体と該基体ブ
ロツクとの接合面積が小さくなり磁気回路の磁気
抵抗が増大し、また被着する該磁性体の厚さをト
ラツク幅程度まで厚くしなければならず、さらに
は一方の側面のみに被着するために工程が複雑に
なり、好ましくない。なお、以上述べた磁気ヘツドは、コイル巻線窓
以外は実質的に同じ上記構造の２個のコア半体か
らなるものであるが、これを一方のコア半体のみ
として他方については、作動キヤツプ形成面に基
体ブロツクより高飽和磁束密度の第２の磁性体が
存在することを除いては異なる構造としてもよ
い。例えば、非磁性材料からなる作動ギヤツプを
介して相対峙している高飽和磁束密度磁性体のう
ち、一方は上記構造の複合材において基体ブロツ
クに複合してなる第１の高飽和磁束密度磁性体
で、他方はこの複合材の上に堆積された第２の高
飽和磁束密度磁性体であつてもよい。この場合、
巻線コイルは薄膜作成技術によつて設けるこが可
能である。両磁性体の材料は同一であつても、異
なつていてもよい。本発明の複合型磁気ヘツドの構造において、本
明細書記載以外のことはすべて従来技術を踏襲す
るものとする。本発明の複合型磁気ヘツドはコアの占める大部
分は高透磁率のMn−ZnフエライトあるいはNi−
Znフエライトのバルク材からなり、作動ギヤツ
プ部を構成する部分およびその近傍の大部分は高
飽和磁束密度を有する磁性材、たとえば、Fe−
Si系、Fe−Al−Si系、Ni−Fe系などの結晶質合
金あるいは非晶質合金からなり、スパツタリン
グ、真空蒸着等の物理蒸着によつて得られる。場
合によつてはケミカル蒸着、メツキ等によつても
形成可能である。また、磁性体は堆積可能なもの
であれば金属磁性体以外のものでもよい。

【作用】

本願発明による複合型磁気ヘツドは、異種の材
料の複合によりヘツドが構成されているため、飽
和磁束密度、実効透磁率、耐摩耗性に優れた特性
が得られ、また、異種材料の結合境界部が非平行
でありコンタ効果による悪影響も低減できる。さ
らに突起部を有する２個の基体ブロツクの上記突
起部の両側面に磁性体が被着され、上記突起部の
先端において作動ギヤツプを介して上記磁性体が
相対峙し、かつ上記２つの基体ブロツクの突起部
側面の磁性体にはさまれた空間に非磁性の補強部
材を充填しているため、突起部先端の強度も保証
され、また媒体摺動面を平らに構成でき媒体を磁
性膜の縁部で傷つける心配がない。さらに磁性膜
形状が左右対称であり偏摩耗や段差摩耗の心配も
ない。

【実施例】

以下、本発明の磁気ヘツドの構造について実施
例によつて詳しく説明する。実施例１第４図ａ，ｂは本発明の第１の実施例における
複合型磁気ヘツドの構造を示す傾斜図と平面図で
ある。３０，３０′はトラツク部および作動ギヤ
ツプ部を形成し、高飽和磁束密度の金属磁性体か
らなり、Fe−Si、Fe−Al−Si、Ni−Feの結晶質
合金もしくは非晶質合金で構成されており、それ
ぞれ、ほぼ磁歪零近傍の組成を有するものであ
る。一方、３１，３１′はMn−Znフエライト、
Ni−Znフエライト等の高透磁率のバルク材から
なり、前記金属磁性平と磁気的に連結されてい
る。また、一対の金属磁性体の突き合せ部には所
定の非磁性膜が形成され、作動ギヤツプ３２を構
成している。なお、トラツク幅はコア幅より狭く
なつており、トラツク幅を決めるための切り溝が
設けてある。この切り溝はあらかじめフエライト
ブロツクのギヤツプ形成側の面にトラツク幅より
狭い幅のフエライト部を残してその両側にコア前
部から後部まで形成される。この残されたフエラ
イト突起部の側部に向けてスパツタリングあるい
は真空蒸着等の薄膜形成技術によつて前記金属磁
性材料３０，３０′が付着される。なお、溝部に
はガラス、セラミツク、樹脂等の非磁性材３３，
３３′が補強材として充填されてなる。３４はコ
イル巻線用窓である。また、第４図ｂは磁気テー
プ摺動面の拡大図を示す。本発明において、フエ
ライト突起部３５，３５′の両側部に金属磁性体
膜３０，３０′を付着する。そのため金属磁性体
の厚みはトラツク幅ｔの半分程度ですみ、膜形成
時間が短縮される。第４図ｂの磁気テープ摺動面
において、フエライト突起部３５，３５′が作動
ギヤツプ３２から離れるにしたがつて広くなる形
状にすればコア半体の時に作動ギヤツプ面側から
金属磁性体膜をスパツタリングすれば効率良く膜
形成ができる。また、前記金属磁性体膜が２本に
分割されているので単層膜でも渦電流損失の影響
を低減できる。さらに、フエライト部と金属磁性
体膜の接合部の形状が作動ギヤツプ３２と平行部
を持たない構造になつているためコンタ効果によ
る特性劣化の心配がない。さらに、フエライト突
起部３５，３５′が金属磁性体膜の芯となつてお
り、しかも、作動ギヤツプの近傍まであるので耐
摩耗性が保障され、機械的強度も高いものであ
る。さらに、本発明が十数ミクロン以下のトラツ
ク幅を有する磁気ヘツドに適しているのは、金属
磁性体膜を付着した後にトラツク幅規制用の切り
欠き溝加工を不用とするものであり、加工中にお
こる膜のはく離の問題が解決される。上述した本発明の複合型磁気ヘツドは、(i)高透
磁率フエライトからなるブロツクのギヤツプ形成
側の面に、トラツク幅より狭い幅の先端部を有す
る突起部を挟持するように隣接する２本の溝を１
組とする少なくとも１組の溝を平行に設ける工
程、(ii)工程(i)を終了した前記フエライトブロツク
のギヤツプ形成側の面の少なくとも前記溝面上に
前記フエライトより飽和磁束密度の高い磁性体を
被着せしめる工程、(iii)前記磁性体が表面に被着さ
れている前記溝に非磁性材を充填する工程、(iv)前
記非磁性材ならびに磁性体の不要部を除去し、所
定のトラツク幅を有するギヤツプ形成面を露呈せ
しめる工程、(v)工程(iv)を終了したブロツクを一対
用意し、少なくともその一方のブロツクのギヤツ
プ形成側の面に、前記溝とほぼ直交するようにコ
イル巻線窓用溝を形成する工程、(vi)工程(v)を終了
した前記１対のブロツクの少なくとも一方のギヤ
ツプ形成側の面に所要の厚さの非磁性層を形成す
る工程、(vii)工程(vi)を終了した前記１対のブロツク
のギヤツプ形成面を相対峙せしめ、互に接合して
一体化する工程、および(viii)接合された前記ブロツ
クを所定の位置にて切断し、少なくとも１個の磁
気コアを得る工程を有する製造方法により容易に
製造することができる。工程(i)において、前記溝を、前記ブロツクのギ
ヤツプ形成側の面の一つの稜から稜にかけて縦断
するように設けてもよいが、一稜部側にのみ設け
てもよい。また、工程(i)において、前記隣接する
溝間の突起部の先端部には平坦面が存在するよう
に加工してもよいし、平坦面が存在しないように
加工してもよい。さらにまた、工程(i)において、
前記突起部の先端が前記各組の溝に隣接する平坦
部と同一レベルになるようにしてもよく、あるい
は該隣接する平坦部より低くなるようにしてもよ
い。隣接平坦部より低くする場合には突起部の先
端と隣接平坦部とのレベル差は前記高飽和速密度
の磁性体の厚さ以下、すなわちトラツク幅の半分
以下とする。そのようにしないと、前記磁性体を
突起部に被着後も前記レベル差が存在することに
なり、前記工程(vii)が困難となる。以下本発明の前記複合型磁気ヘツドの構造の理
解のためにその製造方法を図を用いてさらに詳細
に説明する。製造方法の各工程の説明図を第８図イ〜リに示
す。 (i) 第８図イは高透磁率フエライトよりなるブロ
ツク４０のギヤツプ突き合せ面となる面４１に
トラツク幅より狭い突起を残して隣接する２本
の溝４２，４２′を組とする複数組の溝を平行
に設ける工程である。ここで高透磁率フエライ
トはMn−Znフエライト、Ni−Znフエライト
の単結晶あるいは多結晶からなり、磁気コアの
主要部を形成する。溝は先端がＶ字もしくはＵ
字状に形成されたメタルボンド砥石もしくはレ
ジンボンド砥石が用いられ、高速ダイサ等によ
つて加工される。また、溝４２，４２′は２枚
の砥石を重ね同時に加工することも可能であ
る。第８図ロは第８図イで示す工程で加工され
た溝４２，４２′の拡大側面を示す（以下、第
８図イ、第８図ロ等に対応する工程を工程イ、
工程ロとする）。ここで、各組の溝の間に残さ
れた平坦部４３は後工程、たとえば工程ホの研
摩や工程チのブロツクの接合時における金属磁
性体膜の補強部であり、基準面となる。 (ii) 工程ハは前記イの工程で得られた溝部を含め
ギヤツプ突き合せ面全面にフエライトより飽和
磁束密度の高い金属磁性体膜４４をスパツタリ
ングによつて堆積させる工程である。金属磁性
体はFe−Si（Si6.5重量％）、Fe−Al−Si合金
（センダスト）、Ni−Fe合金（パーマロイ）等
で代表される結晶質合金であり、非晶質合金は
Co−Fe−Si−Ｂ系で代表される周知のメタル
−メタロイド系合金やCo−Ti、Co−Mo−Zr
等の周知のメタル−メタル系合金等が用いられ
る。堆積法は他に真空蒸着、イオンプレーテイ
ング、化学蒸着あるいはメツキ法等でも可能で
あるが、限られた金属しかできないことや組成
変動が大きい等の難点があり、スパツタリング
法が適している。また、スパツタリング法は付
着強度が高く、溝部にも廻り込みがよいという
利点があり本発明法に対して適している。堆積
する金属磁性体の膜厚は所要のトラツク幅の約
１／２でよい。したがつて、従来法に比較して単
一の磁性体膜でも渦電流損失が低減できる。ま
た、必要ならば非磁性物質を交互に積層した多
層膜としてもよい。 (iii) 工程ニはハで得られた金属磁性体膜の上に少
なくとも残りの溝部が埋まる程度に非磁性材４
５を充填する工程である。非磁性材４５はガラ
ス、セラミツク系の無機接着材あるいは硬質の
樹脂が用いられる。安定性面からガラスが適し
ている。ガラス材は金属磁性体膜４４が結晶質
合金であれば作業温度が800℃以下の広い範囲
で選ぶことが可能である。一方非結晶質合金の
場合は少なくとも結晶化温度以下のものが選ば
れ、作業温度が500℃以下の低融点にガラスに
する必要がある。 (iv) 工程ホは工程ニで得られたブロツクの不要の
非磁性材４５および金属磁性体膜４４を除去
し、所要のトラツク幅ｔの金属磁性体膜からな
る作動ギヤツプ形成面を露呈させる工程であ
る。除去法は研削および研摩によつて行われ、
ギヤツプ突き合せ面を得るため、最終仕上げは
鏡面研摩面とする。鏡面研摩は前記トラツク幅
ｔが得られるまで行う。 (v) 工程ヘは工程ホで得られたブロツクを一対用
意し、少なくとも一方のブロツク４０′にコイ
ル巻線用溝４６を形成し、次にギヤツプ形成面
にSiO₂、ガラス等非磁性材を所要の厚さにス
パツタリングしてギヤツプ形成膜とする工程で
ある。 (vi) 工程トは前記一対のブロツク４０，４０′の
ギヤツプ突き合面を互いにトラツク部が合うよ
うに突き合せて加熱、加圧しながら接合一体化
する工程である。この場合、接合は溝に充填さ
れている非磁性材４５がガラスならばお互いの
ガラスによつて行われ、樹脂を用いた場合には
別途コイル巻線窓の一部、および後部接合部に
切り欠き溝を設けて樹脂によつて行われる。 (vii) 第８図チは工程トで得られた接合ブロツク４
７の磁気テープ摺動面を示す。工程チはトラツ
ク幅を中心にして点線で示す所要のコア幅Ｔに
なるように切断して複合型磁気ヘツドを複数個
得る工程である。場合によつてはアジマス角だ
け傾けて切断される。このようにして、第８図
リにその磁気テープ摺動面を示すような構造の
狭トラツク複合型磁気ヘツドコアが得られる。
これにコイルを巻装することにより本発明の複
合型磁気ヘツドが得られる。実施例２第５図ａ，ｂは本発明の他の実施例における複
合型磁気ヘツドの構成を示す斜視図と平面図であ
る。概略は切り込み溝を磁気ヘツドコアの前部す
なわち記録媒体対向面側のみに形成し、後部はフ
エライトのコア幅全面で接触する構造になつてい
るものである。このようにすれば、さらに狭トラ
ツクを有する磁気ヘツドに対しても、後部の磁気
抵抗が増大しないため効率のよい狭トラツクヘツ
ドを得ることができる。それぞれに付記した符号
は第４図と同一である。なお、補強材３３，３
３′の充填溝形状は砥石の形状によつて種々選ぶ
ことができ、いずれもフエライトの突起部３５，
３５′は作動ギヤツプより離れるに従つて広がる
構造となつており、所定のアジマス損失を生じさ
せてクロストークの減少が図られている。また、
フエライト突起部が作動ギヤツプ部に近づければ
作動ギヤツプ面近傍での渦電流損失を低減するこ
とができ望ましい。なお、第５図の構造の磁気ヘ
ツドの場合にはコア後部の接合部に切り欠き溝を
設けこれに補強材３６を充填するとよい。実施例１の複合型磁気ヘツドでは、これを製造
する際、第８図イに示すように溝がギヤツプ形成
面にコア後部（磁気記録媒体対向面と反対の側）
まで通し形成されており、一度に大ブロツクに溝
が形成でき、後で小ブロツクに分割すればよく、
この点で量産に適しているが、トラツク幅が狭く
なつた場合に後部コア部の接触面積が狭くコア後
部の磁気抵抗が高くなつてしまい好ましくない。
また、前部（磁気記録媒体対向面側）でトラツク
幅の突き合せを行つても後部に合せずれが起り10
ミクロン以下のトラツク幅ではほとんど磁性体部
での接触部がなくなつてしまう場合がある。この
問題に対して実施例２の複合型磁気ヘツドでは、
第９図に示すように高透磁率フエライトブロツク
４０の稜部に切り欠き溝４２，４２′を形成する
ことによつて解決している。以後は第８図ハ以後
の工程により磁気ヘツドを得るものである。完成
ヘツドは第５図に示すような複合型磁気ヘツドが
得られる。第１０図ａ〜ｄに種々の溝形状ならび
に加工法について他の例を示す。第１０図ａは先
端がＶ字状の成形砥石を用いて加工した溝４２，
４２′で示す。この場合、溝の角度θがあまり大
きいと突起部４８の角度θ′が大きくなり、金属磁
性体膜を形成した後研摩して第８図ホに示すよう
にトラツク幅ｔを得る寸法精度のばらつきが大き
くなる。逆に角度θを小さくすると狭トラツクの
場合突起部が機械的に弱くなり、加工中に欠けて
しまうことがある。したがつて、突起部角度θ′は
45〜90°程度が好ましい。しかし、この範囲外で
も製造可能であり、これに限定されない。一方、
第１０図ｂに示すように突起部４８の先端部だけ
を矩形にすることができるが、この場合、突起部
の先端に平坦部がない方が好ましい。この加工法
は機械加工によつてもよいが、金属磁性体膜を堆
積する前に逆スパツタリング法によつて点線４９
で示すように角部を加工することによつてもよ
い。以上のような溝加工は、第１０図ｃに示すよう
に２枚重ねの砥石５０を用いれば、一度に突起を
形成することができる。また、第１０図ｄに示す
ようにマルチワイヤーソを用いれば同時に多数の
ブロツク加工が可能である。この場合溝４２の形
状はＵ字状に形成される。また、レザー加工やホ
トエツチング技術が適用でき、これらの技術を併
用してもよい。実施例３第６図は本発明のさらに他の実施例における複
合型磁気ヘツドの平面図を示す。この図は磁気テ
ープ摺動面の拡大図を示している。金属磁性体膜
３０，３０′の芯となるフエライト突起部３５，
３５′の先端部の接合面は、作動ギヤツプ面と平
行部を形成してもトラツク幅ｔに対してフエライ
ト突起部の幅ａが1/2以下なら再生におけるコン
タ効果が0.5dB以下となりほとんど問題とならな
い。この時、フエライト突起部の先端部が平坦に
ならないように加工しておけばより好ましい。実施例４第７図は本発明の別の実施例における複合型磁
気ヘツドの概略平面図であり、磁気テープ摺動面
を拡大して示している。本実施例の磁気ヘツドは
作動ギヤツプ部３２が金属磁性体膜３０，３０′
とフエライト３５，３５′からなり、トラツク幅
ｔを構成する前記金属磁性体膜の幅が前記フエラ
イト幅ｂの２倍以上にしてなる。このようにすれ
ば記録の場合は高飽和磁束密度を有する金属磁性
体部で支配的に行われ、特に再生の場合に高透過
率のフエライト部が支配的となり全体に再生効率
が高められる。なお、フエライトの幅が広いとト
ラツク中央部の記録が不十分となり、再生出力が
劣化してしまう。以上に説明したごとく、本発明による複合型磁
気ヘツドは高保磁力を有する記録媒体にも十分記
録可能な高飽和磁束密度の金属磁性体と高透磁率
で高耐摩耗性を有するフエライト等とを組み合
せ、互いに欠点を補なつて、記録および再生特性
の優れた狭トラツク磁気ヘツドとなつている。なお、磁気ヘツドを示す各図面において、コイ
ルの図示を省略してあるが、コイルは装着するも
のとする。以上に説明したごとく本発明の複合型磁気ヘツ
ドは、従来の複合型磁気ヘツドに比べ、 (1) 渦電流損失が小さくできる構造となつてい
る。 (2) コンター効果が無視できる。 (3) 金属磁性体膜とフエライトとの接触面積が広
く取れる、等の構造的利点があり優れたヘツド
性能が得られる。 (4) 一枚の金属磁性体膜を作動ギヤツプ部で２倍
に利用しているので金属磁性体膜の堆積時間が
半分で済み量産性がある。 (5) トラツク幅決め加工の時に金属磁性体膜の側
面を砥石で加工する必要がなく、加工部のチツ
ピングやバリおよび膜のはく離等の問題がな
い。 (6) 非磁性の補強部材を充填しているため、媒体
摺動面が平らになり、媒体を傷つけず、ヘツド
全体の強度も保証される。また、偏摩耗もな
い。等の大きな利点があり、その製造も容易で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は従来の複合型磁気ヘツドの斜
視図および上面図、第３図は他の従来の複合型磁
気ヘツドの斜視図、第４図ａ，ｂは本発明の一実
施例における複合型磁気ヘツドの斜視図および磁
気テープ摺動面の拡大図、第５図ａ，ｂは本発明
の他の実施例における複合型磁気ヘツドの斜視図
および磁気テープ摺動面拡大図、第６図、第７図
は本発明のさらに他の実施例における複合型磁気
ヘツドの磁気テープ摺動面拡大図、第８図イ〜リ
は本発明の複合型磁気ヘツドの製造工程の説明
図、第９図は本発明の複合型磁気ヘツドの製造に
おける加工されたフエライトブロツクの斜視図、
第１０図ａ，ｂ，ｄは本発明の各種実施例に用い
られる加工されたフエライトブロツクの平面図、
第１０図ｃは本発明の製造において用いるフエラ
イトブロツク加工用砥石の断面図、第１１図イ〜
ホは従来の複合型磁気ヘツドの製造方法の各工程
の説明図、斜視図及び平面図である。３０，３０′……金属磁性体膜、３１，３１′…
…高透磁率フエライトブロツク、３２……作動ギ
ヤツプ、３３，３３′……非磁性充填材、３４…
…コイル巻線窓、３５，３５′……フエライト突
起部、４０……高透磁率フエライトブロツク、４
１……ギヤツプ形成側の面、４２，４２′……溝、
４４……金属磁性体膜、４５……非磁性材、４７
……接合ブロツク、５０……砥石。

Claims

【特許請求の範囲】１先端から離れるに従つて幅が広くなる突起部
を有する２個の基体ブロツクの上記突起部の両側
面に記録媒体対向面からその反対側の面に渡つて
磁性体が被着され、上記突起部の先端の少なくと
も一部において作動ギヤツプを介して上記磁性体
が相対峙し、上記２個の基体ブロツクの突起部の
相対向する側面の磁性体により形成される空間に
非磁性体を充填してなることを特徴とする複合型
磁気ヘツド。２前記磁性体は非晶質合金であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の複合型磁気ヘツ
ド。３前記磁性体は結晶質であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の複合型磁気ヘツド。４前記非磁性体はガラス、セラミツク、樹脂の
うちの少なくとも１つであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項乃至第３項のうちいずれかに
記載の複合型磁気ヘツド。５前記非磁性体の融点は、前記非晶質の磁性体
の結晶化温度以下であることを特徴とする特許請
求の範囲第３項記載の複合型磁気ヘツド。６作動ギヤツプ形成面が前記磁性体のみからな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
５項のうちいずれかに記載の複合型磁気ヘツド。７前記突起部の先端部における幅がトラツク幅
の1/2以下であることを特徴とする特許請求の範
囲第６項記載の複合型磁気ヘツド。８前記突起部の先端部における幅がほぼ０であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の
複合型磁気ヘツド。９前記磁性体の厚さがトラツク幅の1/2以下で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
第５項のうちいずれかに記載の複合型磁気ヘツ
ド。１０前記磁性体の厚さがトラツク幅のほぼ1/2
であることを特徴とする特許請求の範囲第８項記
載の複合型磁気ヘツド。１１作動ギヤツプ形成面が前記磁性体ならびに
前記基体ブロツクからなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項乃至第５項のうちいずれかに記
載の複合型磁気ヘツド。１２前記作動ギヤツプ形成面における前記磁性
体のトラツク幅方向の幅が前記突起部の先端部に
おける幅の少なくとも２倍であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１１項記載の複合型磁気ヘツ
ド。１３前記基体ブロツクがMn−Znフエライトも
しくはNi−Znフエライトであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第１２項のうちいず
れかに記載の複合型磁気ヘツド。１４前記磁性体が一部除去され、コイル巻線用
溝の一部又は全部が形成されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１３項記載の複合型磁気ヘ
ツド。１５前記磁性体がFe−Si合金、Fe−Al−Si合
金、Ni−Fe合金もしくは高透磁率非晶質合金で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の複合型磁気ヘツド。１６前記磁性体は多層構造となつていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の複合型磁
気ヘツド。１７前記磁性体は非磁性体と交互に積層された
多層構造となつていることを特徴とする特許請求
の範囲第１６項記載の複合型磁気ヘツド。１８前記非磁性体はSiO₂又はAl₂O₃であること
を特徴とする特許請求の範囲第１７項記載の複合
型磁気ヘツド。１９前記多層構造はスパツタリング法により形
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１６項乃至第１８項のうちいずれかに記載の複合
型磁気ヘツド。２０前記突起部の頂角もしくは該突起部の両側
面により形成される角度は45°〜90°であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１９項の
うちいずれかに記載の複合型磁気ヘツド。