JPH046208Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH046208Y2 JPH046208Y2 JP1982003411U JP341182U JPH046208Y2 JP H046208 Y2 JPH046208 Y2 JP H046208Y2 JP 1982003411 U JP1982003411 U JP 1982003411U JP 341182 U JP341182 U JP 341182U JP H046208 Y2 JPH046208 Y2 JP H046208Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- bonding
- element mounting
- heating
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体素子を単体でボンデイング位置
に供給して、半導体素子の電極と、回路基板の導
電端子との一括ボンデイングに用いられる、発熱
部を有する半導体素子搭載台の構造に関する。
に供給して、半導体素子の電極と、回路基板の導
電端子との一括ボンデイングに用いられる、発熱
部を有する半導体素子搭載台の構造に関する。
従来の半導体素子搭載合の構造は、第１図、第
２図に示されるごとく、半導体素子１の電極２
と、回路基板３の導電端子４の一括ボンデイング
に用いられ、半導体素子搭載面５と、発熱体６を
有する熱容量部７よりなる加熱台８から構成され
ていた。発熱体６を有する熱容量部７により加熱
された半導体素子搭載面５に、半導体素子１は図
示されていない搬送アームにより、上下するボン
デイングツール９の位置と対応して位置決めされ
搭載される。さらに位置決めして搭載された半導
体素子１の電極２と正確に位置出しされた導電端
子４を有する回路基板３をおき、加熱したバンデ
イングツール９を導電端子４に押し当て、導電端
子４と電極２を加熱、加圧して接合し、ボンデイ
ングツール９を引き上げる動作で一回のボンデイ
ングを終了していた。このとき半導体素子搭載面
５は、発熱体６を有する熱容量部７により、一定
温度に加熱され、ボンデイング時のボンデイング
ツール９のボンデイング温度と、半導体素子搭載
面５に搭載された半導体素子１の、素子温度との
温度差を少くして、ボンデイング温度による導電
端子４と電極２の接合条件の緩和に寄与してい
た。この場合、半導体素子搭載面５は、発熱体６
を有する熱容量部７により、常時加熱されるため
に、半導体素子搭載面５に搭載された半導体素子
１は、加熱された状態となり、半導体素子１は、
加熱時間が長いために電気特性等の信頼性が劣る
おそれがあり、発熱体６の温度を上昇させること
が困難であつた。本考案はかかる欠点を除去する
ためになされたものであり、その目的は、半導体
素子１の信頼性をそこなうことなくボンデイング
することが可能な半導体素子搭載台の構造を提供
することである。
２図に示されるごとく、半導体素子１の電極２
と、回路基板３の導電端子４の一括ボンデイング
に用いられ、半導体素子搭載面５と、発熱体６を
有する熱容量部７よりなる加熱台８から構成され
ていた。発熱体６を有する熱容量部７により加熱
された半導体素子搭載面５に、半導体素子１は図
示されていない搬送アームにより、上下するボン
デイングツール９の位置と対応して位置決めされ
搭載される。さらに位置決めして搭載された半導
体素子１の電極２と正確に位置出しされた導電端
子４を有する回路基板３をおき、加熱したバンデ
イングツール９を導電端子４に押し当て、導電端
子４と電極２を加熱、加圧して接合し、ボンデイ
ングツール９を引き上げる動作で一回のボンデイ
ングを終了していた。このとき半導体素子搭載面
５は、発熱体６を有する熱容量部７により、一定
温度に加熱され、ボンデイング時のボンデイング
ツール９のボンデイング温度と、半導体素子搭載
面５に搭載された半導体素子１の、素子温度との
温度差を少くして、ボンデイング温度による導電
端子４と電極２の接合条件の緩和に寄与してい
た。この場合、半導体素子搭載面５は、発熱体６
を有する熱容量部７により、常時加熱されるため
に、半導体素子搭載面５に搭載された半導体素子
１は、加熱された状態となり、半導体素子１は、
加熱時間が長いために電気特性等の信頼性が劣る
おそれがあり、発熱体６の温度を上昇させること
が困難であつた。本考案はかかる欠点を除去する
ためになされたものであり、その目的は、半導体
素子１の信頼性をそこなうことなくボンデイング
することが可能な半導体素子搭載台の構造を提供
することである。
以下実施例に基づき第３図を用いて本考案を詳
しく説明する。
しく説明する。
第３図は、本考案の実施例の半導体素子搭載台
の断面図であり、半導体素子搭載部１０ａと、電
源部１１に電気的に接続された電源端子１０ｂを
有する導電性材料からなる半導体素子搭載台１０
に載置された半導体素子１と、半導体素子１の電
極２と、回路基板３の導電端子４とボンデイング
ツール９より構成されている。
の断面図であり、半導体素子搭載部１０ａと、電
源部１１に電気的に接続された電源端子１０ｂを
有する導電性材料からなる半導体素子搭載台１０
に載置された半導体素子１と、半導体素子１の電
極２と、回路基板３の導電端子４とボンデイング
ツール９より構成されている。
半導体素子搭載部１０ａに、ボンデイングツー
ル９の位置と対応して位置決めされ搭載された半
導体素子１の電極２と、整合された回路基板３の
導電端子４は、ボンデイングツール９により加
熱、加圧することで接合する。このとき、ボンデ
イングツール９で加熱、加圧する直前に、電源部
１１より供給された電力により、半導体素子投載
台１０は、電気抵抗により自己発熱し、半導体素
子搭載部１０ａに載置された半導体素子１を加熱
する。またボンデイングが終了する直前に自己発
熱を停止する。
ル９の位置と対応して位置決めされ搭載された半
導体素子１の電極２と、整合された回路基板３の
導電端子４は、ボンデイングツール９により加
熱、加圧することで接合する。このとき、ボンデ
イングツール９で加熱、加圧する直前に、電源部
１１より供給された電力により、半導体素子投載
台１０は、電気抵抗により自己発熱し、半導体素
子搭載部１０ａに載置された半導体素子１を加熱
する。またボンデイングが終了する直前に自己発
熱を停止する。
これにより、半導体素子１に必要十分な熱量を
供給することができる。本考案は以上説明したご
とく、半導体素子を単体でボンデイング位置に供
給し、半導体素子の電極と、回路基板の導電端子
との一括ボンデイングに用いられる半導体素子ボ
ンデイング装置の半導体素子搭載台に、電気抵抗
による、自己発熱機能を付与することにより、半
導体素子搭載部に載置された半導体素子は、ボン
デイング時のみに加熱されることにより、半導体
素子の高温度中にさらされる時間を短くして、半
導体素子の信頼性の向上をはかることができる。
したがつて、従来の半導体素子搭載台に比較し
て、半導体素子の信頼性を損なうことが少なくボ
ンデイングを行うことができる優れた効果を有す
る半導体素子搭載台の構造である。
供給することができる。本考案は以上説明したご
とく、半導体素子を単体でボンデイング位置に供
給し、半導体素子の電極と、回路基板の導電端子
との一括ボンデイングに用いられる半導体素子ボ
ンデイング装置の半導体素子搭載台に、電気抵抗
による、自己発熱機能を付与することにより、半
導体素子搭載部に載置された半導体素子は、ボン
デイング時のみに加熱されることにより、半導体
素子の高温度中にさらされる時間を短くして、半
導体素子の信頼性の向上をはかることができる。
したがつて、従来の半導体素子搭載台に比較し
て、半導体素子の信頼性を損なうことが少なくボ
ンデイングを行うことができる優れた効果を有す
る半導体素子搭載台の構造である。
第１図は半導体素子の電極と回路基板の導電端
子との位置関係を説明する平面図。第２図は従来
の半導体素子搭載台を説明する断面図。第３図は
本考案の一実施例を示す断面図。 １……半導体素子、２……電極、３……回路基
板、４……導電端子、５……半導体素子搭載面、
６……発熱体、７……熱容量部、８……加熱台、
９……ボンデイングツール、１０……半導体素子
搭載台、１０ａ……半導体素子搭載部、１０ｂ…
…電源端子、１１……電源部。
子との位置関係を説明する平面図。第２図は従来
の半導体素子搭載台を説明する断面図。第３図は
本考案の一実施例を示す断面図。 １……半導体素子、２……電極、３……回路基
板、４……導電端子、５……半導体素子搭載面、
６……発熱体、７……熱容量部、８……加熱台、
９……ボンデイングツール、１０……半導体素子
搭載台、１０ａ……半導体素子搭載部、１０ｂ…
…電源端子、１１……電源部。
Claims (1)
- 半導体素子を単体でボンデイング位置に供給
し、前記半導体素子の電極と、回路基板の導電端
子との一括ボンデイングに用いられる半導体素子
ボンデイング装置の、発熱部を有する半導体素子
搭載台において、前記半導体素子ボンデイング装
置の、前記半導体素子搭載台に、電気抵抗による
自己発熱機能を付与したことを特徴とする半導体
素子搭載台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982003411U JPS58122450U (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 半導体素子搭載台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982003411U JPS58122450U (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 半導体素子搭載台 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122450U JPS58122450U (ja) | 1983-08-20 |
| JPH046208Y2 true JPH046208Y2 (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=30016351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982003411U Granted JPS58122450U (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 半導体素子搭載台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122450U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666361B2 (ja) * | 1985-10-23 | 1994-08-24 | 松下電器産業株式会社 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
-
1982
- 1982-01-14 JP JP1982003411U patent/JPS58122450U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58122450U (ja) | 1983-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960028730A (ko) | 반도체장치 및 그실장방법 | |
| JPH02192876A (ja) | ヒーター装置および部材の接合方法 | |
| JP2009164400A (ja) | ヒータチップ及び接合装置及び接合方法 | |
| JPH0531231U (ja) | ワイヤボンダーのヒータブロツク | |
| US3936928A (en) | Method for providing mounting assemblies for a plurality of transistor integrated circuit chips | |
| JP2009160617A (ja) | ヒータチップ及び接合装置 | |
| JP3449185B2 (ja) | 電子部品のボンディング装置 | |
| CN218396338U (zh) | 一种吸热焊接元件的手焊预热平台 | |
| JP3348830B2 (ja) | はんだバンプボンディング装置およびはんだバンプボンディング方法 | |
| JP2002141373A (ja) | 半導体実装方法および半導体実装装置 | |
| JP2803211B2 (ja) | 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置 | |
| JPS58122450U (ja) | 半導体素子搭載台 | |
| US3911569A (en) | Method and apparatus for bonding miniature semiconductor pill-type components to a circuit board | |
| JPH03180270A (ja) | ボンディングヘッド | |
| JP2728230B2 (ja) | リードの接合法 | |
| JP2548988B2 (ja) | 巻線端末処理装置 | |
| JPS63313662A (ja) | 熱圧着ヘッド | |
| JPH0158866B2 (ja) | ||
| JPS5578552A (en) | Semiconductor | |
| JPS5645041A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS6367740A (ja) | テ−プボンディング装置及び方法 | |
| JPS6379331A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JPH0119418Y2 (ja) | ||
| JP2001244040A (ja) | ガラスエポキシ基板や電気回路等に装備されたランド若しくはパッドとマグネットワイヤ等の樹脂被覆線の接続工法 | |
| JPH01278961A (ja) | ボンディングツール |