JPH0462187B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0462187B2 JPH0462187B2 JP57166559A JP16655982A JPH0462187B2 JP H0462187 B2 JPH0462187 B2 JP H0462187B2 JP 57166559 A JP57166559 A JP 57166559A JP 16655982 A JP16655982 A JP 16655982A JP H0462187 B2 JPH0462187 B2 JP H0462187B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance layer
- semiconductor substrate
- semiconductor
- layer
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/95—Circuit arrangements
- H10F77/953—Circuit arrangements for devices having potential barriers
- H10F77/957—Circuit arrangements for devices having potential barriers for position-sensitive photodetectors, e.g. lateral-effect photodiodes or quadrant photodiodes
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Aiming, Guidance, Guns With A Light Source, Armor, Camouflage, And Targets (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
この発明は半導体位置検出器に関する。
［従来技術とその問題点］
従来技術例を第１図に示す。（参考文献・山本
他：半導体光位置検出器．テレビ全大．７、p29
〜30（1979））。
他：半導体光位置検出器．テレビ全大．７、p29
〜30（1979））。
図中１1，１2，１3，１4は信号電極、２はｐ形
抵抗層３は高抵抗Si基盤（ｉ層）、４はn+層（共
通アース電極）、５1，５2，５3，５4は電流増幅
器、６はデータ処理装置、７は光ビーム位置表示
装置、８は光ビームをそれぞれ示す。このような
測定系において、光ビームが半導体位置検出器に
入射すると、Siとの相互作用により電子正孔対が
発生し、光電流としてｐ形抵抗層２へ到着する。
光電流はそれぞれの電極１1，１2，１3，１4まで
の抵抗値に逆比例するように分割され、電流増幅
器５1，５2，５3，５4により増幅されデータ処理
装置６へ入力される。データ処理装置６において
は各信号を比較判別して光ビーム位置を算出し、
光ビーム位置表示装置７へ表示信号を送り、光ビ
ーム位置が表示される。
抵抗層３は高抵抗Si基盤（ｉ層）、４はn+層（共
通アース電極）、５1，５2，５3，５4は電流増幅
器、６はデータ処理装置、７は光ビーム位置表示
装置、８は光ビームをそれぞれ示す。このような
測定系において、光ビームが半導体位置検出器に
入射すると、Siとの相互作用により電子正孔対が
発生し、光電流としてｐ形抵抗層２へ到着する。
光電流はそれぞれの電極１1，１2，１3，１4まで
の抵抗値に逆比例するように分割され、電流増幅
器５1，５2，５3，５4により増幅されデータ処理
装置６へ入力される。データ処理装置６において
は各信号を比較判別して光ビーム位置を算出し、
光ビーム位置表示装置７へ表示信号を送り、光ビ
ーム位置が表示される。
しかるにこの測定系において使用されている半
導体位置検出器には次のような欠点や問題点が存
在する。
導体位置検出器には次のような欠点や問題点が存
在する。
(1) 半導体基板にｐ形あるいはｎ形の不順物拡散
を行うプロセスが必要であり、製作工程の簡素
化が困難である。
を行うプロセスが必要であり、製作工程の簡素
化が困難である。
(2) ｐ形あるいはｎ形の不純物拡散は通常1000℃
前後で行なわれるため、半導体基板の少数キャ
リア寿命を劣化させ、光に対する信号電流が減
少する。
前後で行なわれるため、半導体基板の少数キャ
リア寿命を劣化させ、光に対する信号電流が減
少する。
［発明の目的］
この発明は、上述した従来の半導体位置検出器
の欠点を改良したもので、製作工程が単純で感度
もすぐれている半導体位置検出器を提供すること
を目的とする。
の欠点を改良したもので、製作工程が単純で感度
もすぐれている半導体位置検出器を提供すること
を目的とする。
［発明の概要］
本発明は、半導体基板と、この半導体基板の表
面に接触して前記半導体基板側の界面に空乏層を
形成し、前記半導体基板に照射された光や放射線
のビームによつて生じた電子正孔対が前記空乏層
に収集する金属抵抗層と、この金属抵抗層の表面
に複数個形成され、前記空乏層に収集された電子
正孔対を前記金属抵抗層によつて分割し夫々信号
電流として出力する信号電流取り出し用金属電極
とを具備することを特徴とする半導体位置検出器
を提供するものである。
面に接触して前記半導体基板側の界面に空乏層を
形成し、前記半導体基板に照射された光や放射線
のビームによつて生じた電子正孔対が前記空乏層
に収集する金属抵抗層と、この金属抵抗層の表面
に複数個形成され、前記空乏層に収集された電子
正孔対を前記金属抵抗層によつて分割し夫々信号
電流として出力する信号電流取り出し用金属電極
とを具備することを特徴とする半導体位置検出器
を提供するものである。
［発明の効果］
本発明による最大の効果は、製作工程の簡素化
と検出感度の向上とにある。
と検出感度の向上とにある。
［発明の実施例］
本発明の実施例を第２図に示す。図中、９はｎ
形Si基板、１０は薄膜Au抵抗層（約70Å、
100KΩ／口）１１はAlオーミック性接地電極、
１２1，１２2，１２3，１２4は厚膜Au信号電極
（約400Å）をそれぞれ表わす。動作原理は光ビー
ム８によつてSi中で発生する電子正孔対が薄膜
Au抵抗層下に形成される空乏層により収集され、
その後、薄膜Au抵抗層により分割されて各信号
電極１２1，１２2，１２3，１２4へ流入すること
によつている。即ち、前述の従来技術例における
ｐ形抵抗層の役割を、薄膜Au抵抗層が果してい
ることになる。
形Si基板、１０は薄膜Au抵抗層（約70Å、
100KΩ／口）１１はAlオーミック性接地電極、
１２1，１２2，１２3，１２4は厚膜Au信号電極
（約400Å）をそれぞれ表わす。動作原理は光ビー
ム８によつてSi中で発生する電子正孔対が薄膜
Au抵抗層下に形成される空乏層により収集され、
その後、薄膜Au抵抗層により分割されて各信号
電極１２1，１２2，１２3，１２4へ流入すること
によつている。即ち、前述の従来技術例における
ｐ形抵抗層の役割を、薄膜Au抵抗層が果してい
ることになる。
［発明の他の実施例］
本発明の半導体位置検出器は、半導体および薄
膜金属抵抗層の種類に関しては任意である。又、
構造的にも第３図に示されるような両面型も可能
である。この場合、表面はAu、裏面はAlの薄膜
抵抗層による信号電流分割を利用する。
膜金属抵抗層の種類に関しては任意である。又、
構造的にも第３図に示されるような両面型も可能
である。この場合、表面はAu、裏面はAlの薄膜
抵抗層による信号電流分割を利用する。
第１図は従来の半導体位置検出器を用いた測定
系の概略説明図、第２図は本発明の一実施例を示
す半導体位置検出器の斜視図、第３図は本発明の
他の実施例を示す半導体位置検出器の斜視図。 １1〜4……信号電極、２……ｐ形抵抗層、３…
…高抵抗Si基板、４……n+層、５1〜4……電流増
幅器、６……データ処理装置、７……光ビーム位
置表示装置、８……光ビーム、９……ｎ形Si基
板、１０……薄膜Au抵抗層、１１……Alオーミ
ツク性接地電極、１２1〜4……厚膜Au信号電極、
１３……ｎ形Si基板、１４……薄膜Au抵抗層、
１５……薄膜Al抵抗層、１６1〜2……厚膜Au信号
電極、１７1〜2……厚膜Al信号電極。
系の概略説明図、第２図は本発明の一実施例を示
す半導体位置検出器の斜視図、第３図は本発明の
他の実施例を示す半導体位置検出器の斜視図。 １1〜4……信号電極、２……ｐ形抵抗層、３…
…高抵抗Si基板、４……n+層、５1〜4……電流増
幅器、６……データ処理装置、７……光ビーム位
置表示装置、８……光ビーム、９……ｎ形Si基
板、１０……薄膜Au抵抗層、１１……Alオーミ
ツク性接地電極、１２1〜4……厚膜Au信号電極、
１３……ｎ形Si基板、１４……薄膜Au抵抗層、
１５……薄膜Al抵抗層、１６1〜2……厚膜Au信号
電極、１７1〜2……厚膜Al信号電極。
Claims (1)
- １ 半導体基板と、この半導体基板の表面を接触
して前記半導体基板側の界面に空乏層を形成し、
前記半導体基板に照射された光や放射線のビーム
によつて生じた電子正孔対が前記空乏層に収集す
る金属抵抗層と、この金属抵抗層の表面に複数個
形成され、前記空乏層に収集された電子正孔対を
前記金属抵抗層によつて分割し夫々信号電流とし
て出力する信号電流取り出し用金属電極とを具備
することを特徴とする半導体位置検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57166559A JPS5956778A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体位置検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57166559A JPS5956778A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体位置検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956778A JPS5956778A (ja) | 1984-04-02 |
| JPH0462187B2 true JPH0462187B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=15833502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57166559A Granted JPS5956778A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体位置検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956778A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164281A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-07 | Kyocera Corp | 位置検出装置 |
| JPS63145162U (ja) | 1987-03-16 | 1988-09-26 | ||
| US4961096A (en) * | 1987-07-02 | 1990-10-02 | Rikagaku Kenkyusho | Semiconductor image position sensitive device with primary and intermediate electrodes |
| JPS6410108A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Rikagaku Kenkyusho | Constitution of semiconductor image position detecting element and image position detecting method |
| JPH07118551B2 (ja) * | 1987-09-17 | 1995-12-18 | 富士電機株式会社 | 二次元型光位置検出素子 |
| JP3888450B2 (ja) | 2002-05-10 | 2007-03-07 | 日本電気株式会社 | 標的装置及び光検出装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5950579A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Komatsu Ltd | 半導体光位置検出器 |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57166559A patent/JPS5956778A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5956778A (ja) | 1984-04-02 |
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