JPH0436472B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0436472B2 JPH0436472B2 JP57000085A JP8582A JPH0436472B2 JP H0436472 B2 JPH0436472 B2 JP H0436472B2 JP 57000085 A JP57000085 A JP 57000085A JP 8582 A JP8582 A JP 8582A JP H0436472 B2 JPH0436472 B2 JP H0436472B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- scintillator
- detection element
- light
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/29—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の属する技術分野）
この発明は放射線検出器に関する。
（従来技術およびその問題点・要求）
本発明に関係の深い従来技術例を第１図に示
す。図中、１はAl電極、２はｎ−Si、３はAu電
極、４はNaI（Tl）、５はＷコリメータ、６は電流
増幅器をそれぞれ示している。この多チヤンネル
放射線検出器はＸ線CT（コンピユータ・トモグラ
フイ）装置へ適用されるもので、半導体検出器で
直接的にＸ線を検出するだけでなく、半導体検出
器を通り抜けたＸ線をさらに利用してシンチレー
タ（NaI（Tl））を発光せしめ、この光をふたたび
半導体検出器で受光して感度の増加をはかつてい
る。したがつて半導体検出器はＸ線検出およびシ
ヨツトキー型光検出という二つの役割を有してい
る。
す。図中、１はAl電極、２はｎ−Si、３はAu電
極、４はNaI（Tl）、５はＷコリメータ、６は電流
増幅器をそれぞれ示している。この多チヤンネル
放射線検出器はＸ線CT（コンピユータ・トモグラ
フイ）装置へ適用されるもので、半導体検出器で
直接的にＸ線を検出するだけでなく、半導体検出
器を通り抜けたＸ線をさらに利用してシンチレー
タ（NaI（Tl））を発光せしめ、この光をふたたび
半導体検出器で受光して感度の増加をはかつてい
る。したがつて半導体検出器はＸ線検出およびシ
ヨツトキー型光検出という二つの役割を有してい
る。
この半導体検出器の問題点は次の点である。即
ち、光に対する有感部分である空乏層は電極材料
の仕事関数の関係からAu電極側にのみ形成され
ており、Al電極側へ入射する光に対してはほと
んど感度がなく、光の利用効率が低い点である。
ち、光に対する有感部分である空乏層は電極材料
の仕事関数の関係からAu電極側にのみ形成され
ており、Al電極側へ入射する光に対してはほと
んど感度がなく、光の利用効率が低い点である。
（発明の目的）
この発明の目的は、シンチレータと組合せて使
用した場合に非常に高い感度を有する半導体放射
線検出器を提供することにある。
用した場合に非常に高い感度を有する半導体放射
線検出器を提供することにある。
（発明の概要）
本発明は結晶性半導体素材を基体とし表裏２つ
の主面に電極を形成した放射線検出素子と、該放
射線検出素子の受光感度を有しない側の電極の表
面に形成したアモルフアス半導体層を構成要素と
する光検知素子と、シンチレータとを備え、前記
光検知素子により前記放射線検出素子の前記シン
チレータからの光を検知する機能を補うようにし
たことを特徴とする半導体放射線検出器である。
の主面に電極を形成した放射線検出素子と、該放
射線検出素子の受光感度を有しない側の電極の表
面に形成したアモルフアス半導体層を構成要素と
する光検知素子と、シンチレータとを備え、前記
光検知素子により前記放射線検出素子の前記シン
チレータからの光を検知する機能を補うようにし
たことを特徴とする半導体放射線検出器である。
（発明の実施例）
本発明の一実施例を第２図に示す。図中、７は
Au電極、８はia−Si：Ｈ（ノンドープアモルフア
スシリコン層）、９はn+a−Si：Ｈ（ｎ型アモルフ
アスシリコン層）、１０はAl電極、１１はｎ−Si
（ｎ型結晶性シリコン）、１２はAu電極、１３は
Ｗコリメータ、１４は電流増幅器、１５はNal
（Tl）（シンチレータの一種）をそれぞれ示す。
このような構造において、Ｘ線をＮ−Si１１で検
出しかつAu電極１２の下に形成される空乏層に
よりシンチレータからの光を受光する点は従来例
と同様である。しかしながら、Al電極１０上に
堆積されているアモルフアスシリコン層はシヨツ
トキー型アモルフアス光検出素子として動作し、
シンチレータの光をさらに検出することができ
る。製造方法に関しては、種々考えられるが、一
例として以下に示すプロセスが可能である。
Au電極、８はia−Si：Ｈ（ノンドープアモルフア
スシリコン層）、９はn+a−Si：Ｈ（ｎ型アモルフ
アスシリコン層）、１０はAl電極、１１はｎ−Si
（ｎ型結晶性シリコン）、１２はAu電極、１３は
Ｗコリメータ、１４は電流増幅器、１５はNal
（Tl）（シンチレータの一種）をそれぞれ示す。
このような構造において、Ｘ線をＮ−Si１１で検
出しかつAu電極１２の下に形成される空乏層に
よりシンチレータからの光を受光する点は従来例
と同様である。しかしながら、Al電極１０上に
堆積されているアモルフアスシリコン層はシヨツ
トキー型アモルフアス光検出素子として動作し、
シンチレータの光をさらに検出することができ
る。製造方法に関しては、種々考えられるが、一
例として以下に示すプロセスが可能である。
(1) １１のｎ−Si上に１０のAl電極を抵抗加熱
法で真空蒸着する。
法で真空蒸着する。
(2) その上に９のn+a−Si：Ｈおよび８のia−
Si：Ｈをグロー放電法により堆積する。
Si：Ｈをグロー放電法により堆積する。
(3) その上に７のAu電極を抵抗加熱法で真空蒸
着する。
着する。
(4) 最後に１１のｎ−Si上に１２のAu電極を抵
抗加熱法で真空蒸着する。
抗加熱法で真空蒸着する。
（発明の効果）
以上に説明したように本発明の半導体放射線検
出器は、シンチレータと組み合せて使用する場合
に、従来の半導体放射線検出器をしのぐ感度特性
を有する。
出器は、シンチレータと組み合せて使用する場合
に、従来の半導体放射線検出器をしのぐ感度特性
を有する。
（発明の変形例）
第２図の実施例においてアモルフアス光検知素
子構造としてシヨツトキー型を使用しているが、
PIN型やPN型も応用することが可能である。ま
た、結晶性半導体放射線検出素子に関しても第２
図の実施例では表面障壁型であるが、この他にも
PN型、PIN型など任意の構造のものを適用でき
る。
子構造としてシヨツトキー型を使用しているが、
PIN型やPN型も応用することが可能である。ま
た、結晶性半導体放射線検出素子に関しても第２
図の実施例では表面障壁型であるが、この他にも
PN型、PIN型など任意の構造のものを適用でき
る。
第１図は従来例を示す図第２図は本発明の一実
施例を示す図である。 ７…Au電極、８…ia−Si：Ｈ、９…n+a−Si：
Ｈ、１０…Al電極、１１…ｎ−Si、１２…Au電
極、１３…Ｗコリメータ、１４…電流増幅器、１
５…NaI（Tl）。
施例を示す図である。 ７…Au電極、８…ia−Si：Ｈ、９…n+a−Si：
Ｈ、１０…Al電極、１１…ｎ−Si、１２…Au電
極、１３…Ｗコリメータ、１４…電流増幅器、１
５…NaI（Tl）。
Claims (1)
- １ 結晶性半導体素材を基体とし表裏２つの主面
に電極を形成した放射線検出素子と、該放射線検
出素子の受光感度を有しない側の電極の表面に形
成したアモルフアス半導体層を構成要素とする光
検知素子と、シンチレータとを備え、前記光検知
素子により前記放射線検出素子の前記シンチレー
タからの光を検知する機能を補うようにしたこと
を特徴とする半導体放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000085A JPS58118163A (ja) | 1982-01-05 | 1982-01-05 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000085A JPS58118163A (ja) | 1982-01-05 | 1982-01-05 | 半導体放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118163A JPS58118163A (ja) | 1983-07-14 |
| JPH0436472B2 true JPH0436472B2 (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=11464295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57000085A Granted JPS58118163A (ja) | 1982-01-05 | 1982-01-05 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118163A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61221689A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
| US4926052A (en) * | 1986-03-03 | 1990-05-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detecting device |
-
1982
- 1982-01-05 JP JP57000085A patent/JPS58118163A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58118163A (ja) | 1983-07-14 |
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