JPH0462201B2 - - Google Patents

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JPH0462201B2
JPH0462201B2 JP58120161A JP12016183A JPH0462201B2 JP H0462201 B2 JPH0462201 B2 JP H0462201B2 JP 58120161 A JP58120161 A JP 58120161A JP 12016183 A JP12016183 A JP 12016183A JP H0462201 B2 JPH0462201 B2 JP H0462201B2
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dielectric resonator
insulating substrate
transistors
microstrip lines
oscillator
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Beeru Aran
Kamiado Maruku
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Thomson CSF SA
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Publication date
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Publication of JPH0462201B2 publication Critical patent/JPH0462201B2/ja
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は複数個のトランジスタの周囲に配置さ
れ単一の誘電共振器によつて安定化されており、
極超短波周波数範囲で作動する低雑音発振器に係
る。
本発明はマイクロストリツプ及び誘電共振器と
結合して作動するトランジスタを配置した分野に
係る。本発明はバイポーラトランジスタと共に、
例えば1GHz又は2GHzという比較的低い周波数に
適用することができる。但し、本発明は電界効果
トランジスタと結合させて、例えば11GHzから
14GHzという高周波数で適用すれば特に有利であ
る。
トランジスタ化された発振器を安定化するため
に誘電共振器、即ち、高次誘電材料で作られたペ
レツトを使用することは、この種の安定化に有利
なものとして公知である。この種の装置は熱安定
レベルを、共振器の材料の特徴を選択することに
よつて調節することを可能ならしめ、更にこの目
的で使用される材料の誘電損失を低減することに
よつて、キヤリヤに近い雑音特性は特に低減され
る。このタイプの発振器の安定化作業は、倍周器
チエーンを用いずに直接発振による純粋周波数を
得ることを可能ならしめる。
但し、本発明の適用中いくつかの場合には、所
定周波数に於いて単一のトランジスタによつて得
られる電力より大きな電力を持つ電源を備えるこ
とが必要とされる。この場合、電力は非常に安定
しており、且つ発振器から生じる周波数周辺のバ
ツクグランド雑音は、ごく僅かでしかないことが
しばしば必要とされる。
第一の公知の解決法は複数個の発振器を並列接
続し、各々の発振器に少なくともトランジスタ１
つと誘電共振器による安定器１つとを具備すると
いうものである。但し、この場合いずれについて
も同じ雑音レベルを持ち、すべてが同じように発
振器と結合された共振器を得ることは実際上不可
能である。
故に、同じ１つの共振器に対して数個の発振器
を結合し、しかもそのために発振器の送出する電
力に雑音が付加されることがないような結合を可
能ならしめる回路が有利であるのはこのためであ
る。但し、たとえ電力レベルが主たる目的ではな
いとは云え、同一の共振器に結合された能動素子
の数の増加は、発振器のキヤリヤ周囲の雑音に関
しては有利である。
その第一の理由は、係数Qext、即ち、この係数
は共振器中に周期によつて蓄積されたエネルギと
負荷に与えられる電力との間の比の増加に結びつ
くからである。所定の出力については、単一の共
振器内で更に多くのエネルギを結合することが可
能である。
第二の理由は、様々なトランジスタから送出さ
れる極超短波周波数信号は同位相で総合され、従
つて、雑音レベルは相関関係無しに総合される、
即ち、装置の信号対雑音比が改良されるからであ
る。
本発明に従う低雑音発振器は、同一ケース内に
組込まれており、且つ絶縁基板の周囲に集められ
た複数のトランジスタチツプを結合する。この絶
縁基板は、これらのトランジスタチツプと結合し
たマイクロストリツプを担持している。この絶縁
基板の中央部分には単一の誘電共振器が配置され
ており、更にこれらのマイクロストリツプは、
個々のストリツプの発振器の磁場に対して垂直を
なす長さ方向だけが共振器と結合し、磁場と平行
な部分は影響を受けないようにして、ストリツプ
の一部は共振器と垂直に一部は共振器と平行に設
計されている。
更に詳細には、本発明は超高周波範囲で作動
し、絶縁基板に担持されており同調された複数の
マイクロストリツプ線路と、絶縁基板に担持され
絶縁基板よりも小さな寸法を有しており複数のマ
イクロストリツプ線路に結合された単一の誘電共
振器と、複数のマイクロストリツプ線路に結合さ
れており誘電共振器によつて安定化された複数の
トランジスタとを備えており、誘電共振器は絶縁
基板上にセンタリングされており、複数のトラン
ジスタは絶縁基板の周辺部に配置されており、複
数のマイクロストリツプ線路の各々は２つの先端
部分と１つの中心部分とを有するＵ字形に近い形
状に形成されており、２つの先端部分は絶縁基板
の周辺部から誘電共振器の方へ伸びており、中心
部分は２つの先端部分に交差する方向に伸びてお
り、誘電共振器により生成された磁場が中心部分
の伸びる方向に対してほぼ垂直であり先端部分の
伸びる方向に対してほぼ平行である領域において
中心部分と磁場とが結合されている。
添付図面を参照して、本発明の一実施例につい
て以下に詳しく説明する。
第１図は誘電共振器によつて安定化されたトラ
ンジスタの電気回路図であつて、特に有利な結果
を与える配置のものである。
この回路は公知の型のものである。同図に示す
トランジスタは電界効果型のものであるが、前述
のように更に低い周波数についてはバイポーラト
ランジスタにも適用できる。
電界効果型のトランジスタ１は、そのソース、
ゲート及びドレインをそれぞれＳ、Ｇ及びＤで示
してあり通例のドレイン方式で接続されており、
従つて、トランジスタ１は電位的に不安定化さ
れ、比較的広い周波数範囲で振動することができ
る。
誘電共振器３はその共振周波数に於いてゲート
線路内に結合面内で非常に高いインピーダンスを
導入し、従つて、マイクロストリツプ線路２に従
つて誘電共振器３の適切な位置決めを行うための
発振条件が出揃うことになる。
発振器の給電はそのゲート側では負電圧−Ｖか
ら出発して直接電気結線４によつて、又、そのソ
ース側では抵抗R0を介して行われる。給電端子
上に現れるインピーダンスによつて給電が高イン
ピーダンスであることがわかる。
同様の変形例では、負電圧は専らソースＳ側に
印加され、ゲートＧ側の電気結線４は省略され
て、ゲートＧは実己分極によつて適正電位に固定
される。更に、抵抗R2とコンデンサC2とは、マ
イクロストリツプ線路２とアースとの間の結合を
表している。
第２図は第１図の回路の変形例であつて、同じ
部品については同じ符号が理解の便のために用い
られている。
この変形例では、ドレインＤがアースに接続さ
れる代りに、ゲートＧの第一のマイクロストリツ
プ線路２と同じ誘電共振器３と結合された第二の
マイクロストリツプ線路５に結合されている。
従つて、共振周波数に於いて更に、もしドレイ
ンＤに対するこの誘電共振器３の位置が適性に調
節されていれば、誘電共振器３はドレインＤのレ
ベルで選択的短絡を引き起こし、第１図の回路の
場合と同一の、但し、より選択的な方法で発振条
件を生起する。このようにして発振器はより安定
化される。同じ方法で抵抗R1及びコンデンサC1
は、ドレインＤの第二のマイクロストリツプ５と
アースとの間の接続を示している。
第１図及び第２図の２つの場合、発振器の出力
信号は、出力側の符号“０”で示した共通端子上
で採取される。
既に述べた通り、共通端子“０”上の出力がよ
り大きな発振器を得るためには、この種の基本型
発振器を数個集結することが依然として可能であ
る。但し、誘電共振器は誘電性材料のワツシヤで
あつてこの誘電性材料の誘電係数εは高く、例え
ば30に等しいか又はそれ以上であるから、所定の
周波数、即ち11GHzから14GHzの帯域内に厳密に
一致する特性値を持つこのようなワツシヤを実現
することは困難であるか、あるいは不可能でさえ
ある。
従つて、個別に誘電共振器を備えている数個の
局部発振器を付加することによつて出力を増加す
ることができるが、但し、この場合、著しい妨害
雑音が介入してくるであろう。
この妨害雑音は、本発明に従う低雑音発振器に
よつて防ぐことができる。この発振器の第一の実
施例で円形のタイプのものを第３図に示す。
第３図は第２図の原理図に従つて接続された電
界効果型のトランジスタを数個集結した低雑音発
振器である。
即ち、ゲート及びドレインの両方がマイクロス
トリツプ線路に結合されている。
本装置は４つのトランジスタを備えており、但
し、その精度及び形状がいわゆる複数のトランジ
スタを集めた発振器に適用する本発明の範囲を限
定することはない。
トランジスタチツプ６は、例えばアルミナ製の
円形の誘電基板７の周囲にまとめられている。誘
電基板７は電界効果型のトランジスタチツプ６が
内に配置されるスロツト８を含んでいる。
この方法によつて、誘電基板上の上面に付着さ
れたトランジスタチツプとマイクロストリツプ線
路との間の結合接点の接続を容易化することがで
きる。これらの接続は熱溶接金属線によつて行わ
れる。
周波数同調及びインピーダンス整合したマイク
ロストリツプ線路は、誘電基板７の表面に薄層法
又は厚層法によつて付着される。しかし、これら
のマイクロストリツプ線路は、共振器と結合する
必要がある場合はＵ字形をしており、２つの放射
状部分と、誘電基板７と同心の１つの部分とを含
んでいる。
従つて、これら３つのマイクロストリツプ線路
は、電界効果型のトランジスタの各々に対して形
成される。
マイクロストリツプ線路９は第３図の場合は、
トランジスタチツプ６のゲートＧ接点に金属線で
結合されている。このマイクロストリツプ線路９
はＵ字形をしており、円形基板と同軸のその中央
部分である結合帯域１０のみが誘電共振器１５に
結合される。
同様にマイクロストリツプ線路１１は、金属線
によつて同じトランジスタチツプ６のドレインＤ
接点に結合され、その中央部分である結合帯域１
２のみが誘電共振器１５に結合される。
最後に、トランジスタチツプ６のソースＳ接点
に結合されたマイクロストリツプ線路１３は完全
に放射状である。故に、このマイクロストリツプ
線路１３は、誘電共振器１５に結合されず、中央
同軸１４によつて出力として機能する。
点線で示した円は誘電基板の平面に付いた誘電
共振器１５の外郭線痕跡を表す。この誘電共振器
１５は装置の上に配置されている。
マイクロストリツプ線路が放射状部分と、誘電
基板に対して、又同時に誘電共振器１５に対して
同心を成す部分とから構成されている配置法は、
基礎論としてマイクロストリツプ線路の円形部
分、即ち、誘電共振器に対して同心を成すものと
して先に説明した部分だけが誘電共振器の磁場に
結合するという事実と関連する。放射状部分はす
べて相互連結がなく、共振器のような伝播は不在
であつた。
従つて、トランジスタに対して適切な距離、即
ちλ／４（λはマイクロストリツプ線路上の伝播
波長）を配して結合帯域が分散される。故に、こ
の距離λ／４はトランジスタの結合接点、例えば
ゲートから誘電共振器と結合するマイクロストリ
ツプ線路部分の中心までの距離である。
第３図に示す実施例では、ゲートＧとドレイン
Ｄとが同一の誘電体上に結合されており、誘電基
板７の直径は既定されており、マイクロストリツ
プ線路の全長λ／２も同じく作動周波数によつて
与えられているから、第３図に斜線で示された結
合帯域１０及び１２は、誘電共振器１５の半径を
下廻わる中心距離を持ち、誘電共振器１５の磁場
とマイクロストリツプ線路９及び１１の結合帯域
１０及び１２との間の結合を最適化することを目
指している。その詳細については、後に第５図に
関する説明に加えて行う。
更に、誘電共振器１５は発振器の効率を最適化
する共振条件下に置かれ、TE01〓の呼称で当業者
に公知の方式に従つて作動する。
他方で第２図に対応して第３図に示した実施例
では、ソースＳを負電圧にするよりむしろドレイ
ンＤに正電圧を供給するという有利な解決法が採
用された。正電圧の供給は負電圧をかける場合よ
りはるかに実施し易いことは自明だからである。
ゲートＧは直流用アースに電気的に接続され、ソ
ースＳは抵抗R0によつて自己分極される。
本発明に従う発振の一変形例は、第１図の原理
図に一致する回路図を容易に得るこことを可能な
らしめる。例えば、もしマイクロストリツプ線路
によつて単一の誘電共振器にドレインＤを結合し
たくない場合は、出力のマイクロストリツプ線路
１１は放射形断面を含まず、アースのため又はこ
の場合であれば正電圧印加のために誘電基板の周
縁に直接達する。
マイクロストリツプ線路９，１１及び１３は、
本発明の複数のマイクロストリツプ線路の一実施
例である。誘電共振器１５は本発明の誘電共振器
の一実施例である。44つのトランジスタチツプ６
は本発明の複数のトランジスタの一実施例であ
る。マイクロストリツプ線路９及び１１の放射状
部分はそれぞれ、本発明の複数のマイクロストリ
ツプ線路の各々の２つの先端部分の一実施例であ
る。結合帯域１０及び１２はそれぞれ、本発明の
複数のマイクロストリツプ線路の各々の１つの中
心部分の一実施例である。
第４図は本発明に従う低雑音発振器の断面を表
しており、構造のより詳しい理解を可能ならしめ
るであろう。
この発振器は金属ベース１６上に形成されてお
り、この金属ベース１６は点線で示したカバー１
８で閉じられた被覆ケースの底板としても機能し
ている。被覆ケースの底板として機能する金属ベ
ース１６とカバー１８との間のカプセル封じの問
題は本発明の範囲外であり、必要に応じてセラミ
ツクを選ぶか金属を選ぶかは当業者の意向によ
る。
金属ベース１６の底部は封入された超高周波装
置のためのアース平面として役立ち、そしてこの
場合、この金属ベース１６の中心には、出力同軸
ケーブル１４を通すためのオリフイス１７が穿孔
されている。この被覆ケースの底板として機能す
る金属ベース１６には誘電基板７が配置されてお
り、選定した断面によれば、２つのトランジスタ
チツプ６が見分けられる。上面即ち誘電基板７の
自由面はマイクロストリツプ線路、特にトランジ
スタチツプ６のゲートＧのマイクロストリツプ線
路９及びトランジスタの結合帯域１０を担持して
いる。
誘電共振器１５はマイクロストリツプ線路全体
の上側に配置されており、基板及び出力同軸ケー
ブル１４を中心に取つている。但し、この誘電共
振器１５は0.5mmに等しいか、それ以下の厚さの
粗調整部材１９に担持されており、粗調整部材１
９は小さな誘電係数ε≦９の材料で作られており
発振器の効率と結合を最適化するためのものであ
る。
このため、この粗調整部材１９は厚さの調節が
可能で、発振器に対して最適結合を与える厚さを
得るまで切削又は研磨される。
第５図はマイクロストリツプ線路の結合帯域１
０と誘電共振器１５との結合を説明する拡大詳細
図である。
誘電共振器１５から発する磁場Ｈ→は、誘電共振
器１５の下面とマイクロストリツプ線路の上面と
の間に差“ｅ”を生じる粗調製部材１９によつて
同調されたマイクロストリツプ線路の結合帯域１
０内で最適である。本発明に従う低雑音発振器は
粗調整部材１９無しでも機能するが、同調及び最
適化の質は劣るであろう。
第６図は本発明に従う低雑音発振器の第３図の
タイプの変形例である。
第３図の低雑音発振器は、同軸ケーブルを介し
てケースと結合した中央出力を含んでいた。第６
図の低雑音発振器は、装置の他のマイクロストリ
ツプ線路と同一平面内に誘電基板７によつて支持
されたマイクロストリツプ線路２０を介する共面
出力を含んでいる。
勿論、第６図の装置は、第３図の装置からこれ
らの装置の間に可能な範囲で誘電基板７によつて
担持されたトランジスタとそのマイクロストリツ
プ線路とを押しつめ、発振器のトランジスタのゲ
ート及びドレインの２つのマイクロストリツプ線
路間に出力のマイクロストリツプ線路２０を通す
ことによつて直接に製作することができる。
第７図は本発明の低雑音発振器の長方形タイプ
を表す。但し、発振器の形状は正方形であつても
よい。
この種の装置の機能は円形タイプに関して説明
した通りである。但し、このような線形配置及び
長方形ケースの採用が有利であろう。
このタイプは単純化した型であるとはいえ、や
はり長方形の誘電基板７の周縁のスロツト８内に
トランジスタチツプ６が集結されていることが、
同図から理解される。長方形の単一の誘電共振器
１５は点線で表されている。マイクロストリツプ
９，１１及び１３は、もはや放射状又は同心形で
はなく、誘電共振器１５の周縁に対して垂直又は
平行である。
マイクロストリツプ線路２０より成る共面出力
はこの第７図に示されており、但し、同軸ケーブ
ルによる中央出力は本発明の範囲に属する。
第７図の長方形構造は、特にモノリシツクチツ
プ上に発振器を集積化するのに適しており、絶縁
基板はこの場合、ドーピング法によつて絶縁化さ
れた半導体のチツプである。
この場合、発振器はケースを除いて、単一の発
振器と絶縁性モノリシツクチツプとから成つてお
り、このチツプの周縁に公知の方法、例えば拡
散、注入、等々によつてトランジスタが製作さ
れ、更にチツプの表面には同調したマイクロスト
リツプ線路が付着されている。この場合、出力は
好ましくは共面マイクロストリツプ線路で構成さ
れる。
このようなモノリシツク型の集積回路は、30G
Hz程度の高い周波数に対して有利である。理由は
このようなマイクロストリツプ線路によれば、１
辺が数ミリメートル（約２mm）のチツプの打抜き
加工と両立する寸法の装置が可能だからである。
この周波数で数個の電界効果型のトランジスタを
結合することは、これらのトランジスタの出力が
小さいことも加えて一層適切であることが認めら
れる。例えば、本発明に従う低雑音発振器は、
11GHzに於いて100ミリワツトを提供する。
更に、トランジスタのタイプの変更、又は本明
細書に挙げた材料の変更は、発明の範囲に包含さ
れる。本発明は単一の誘電共振器上に複数のトラ
ンジスタを結合することを主たる目的としてお
り、その詳細は特許請求の範囲に示す通りであ
る。
以上説明したように、本発明は、絶縁基板に担
持されており同調された複数のマイクロストリツ
プ線路と、絶縁基板に担持され絶縁基板よりも小
さな寸法を有しており複数のマイクロストリツプ
線路に結合された単一の誘電共振器と、複数のマ
イクロストリツプ線路に結合されており誘電共振
器によつて安定化された複数のトランジスタとを
備えており、誘電共振器は絶縁基板上にセンタリ
ングされており、複数のトランジスタは絶縁基板
の周辺部に配置されており、複数のマイクロスト
リツプ線路の各々は２つの先端部分と１つの中心
部分とを有するＵ字形に近い形状に形成されてお
り、２つの先端部分は絶縁基板の周辺部から誘電
共振器の方へ伸びており、中心部分は２つの先端
部分に交差する方向に伸びており、誘電共振器に
より生成された磁場が中心部分の伸びる方向に対
してほぼ垂直であり先端部分の伸びる方向に対し
てほぼ平行である領域において中心部分と磁場と
が結合されているので、従つて、単一の誘電共振
器に複数のトランジスタが結合されているため強
力な出力が得られるだけでなく、複数のトランジ
スタの各々は、単一の誘電共振器の磁場とその中
心部分のみが結合しているマイクロストリツプ線
路を介して、絶縁基板の周辺部において誘電共振
器と離れて結合されているため、そのような強力
な出力がバツクグランド雑音の影響を受けずに安
定して得られるのである。
【図面の簡単な説明】
第１図は先行技術に従う誘電共振器によつて安
定化されたトランジスタの電気回路図、第２図は
その変形例の同じく電気回路図、第３図は本発明
に従う円形状の低雑音発振器の平面図、第４図は
第３図の円形状低雑音発振器の断面図、第５図は
本発明の低雑音発振器内の粗調整部材の効果を説
明するための詳細図、第６図は第３図の低雑音発
振器の変形例であつてマイクロストリツプタイプ
の共面出力を有する低雑音発振器の同じく平面
図、及び第７図は長方形の低雑音発振器の平面図
である。 ６……トランジスタチツプ、７……誘電基板、
８……スロツト、９，１１，１３，２０……マイ
クロストリツプ線路、１０，１２……結合帯域、
１４……中央同軸、１５……誘電共振器、１６…
…金属ベース、１７……オリフイス、１８……カ
バー、１９……粗調整部材、R0〜R2……抵抗器、
C1，C2……コンデンサ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板に担持されており同調された複数の
    マイクロストリツプ線路と、前記絶縁基板に担持
    され該絶縁基板よりも小さな寸法を有しており前
    記複数のマイクロストリツプ線路に結合された単
    一の誘電共振器と、前記複数のマイクロストリツ
    プ線路に結合されており前記誘電共振器によつて
    安定化された複数のトランジスタとを備えてお
    り、前記誘電共振器は前記絶縁基板上にセンタリ
    ングされており、前記複数のトランジスタは前記
    絶縁基板の周辺部に配置されており、前記複数の
    マイクロストリツプ線路の各々は２つの先端部分
    と１つの中心部分とを有するＵ字形に近い形状に
    形成されており、前記２つの先端部分は前記絶縁
    基板の周辺部から前記誘電共振器の方へ伸びてお
    り、前記中心部分は前記２つの先端部分に交差す
    る方向に伸びており、前記誘電共振器により生成
    された磁場が前記中心部分の伸びる方向に対して
    ほぼ垂直であり前記先端部分の伸びる方向に対し
    てほぼ平行である領域において前記中心部分と前
    記磁場とが結合されていることを特徴とする極超
    短波周波数範囲で作動する低雑音発振器。 ２ 前記複数のトランジスタが電界効果トランジ
    スタであり、該複数のトランジスタは前記単一の
    誘電共振器に結合された前記複数のマイクロスト
    リツプ線路によつて前記複数のトランジスタのゲ
    ート電極で安定化されるように構成されているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の低
    雑音発振器。 ３ 前記複数のトランジスタが前記単一の誘電共
    振器に結合された前記複数のマイクロストリツプ
    線路によつて前記複数のトランジスタのドレイン
    電極で安定化されるように構成されていることを
    特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の低雑音
    発振器。 ４ 前記絶縁基板が円形であり、前記単一の誘電
    共振器が同様に円形であり、前記複数のマイクロ
    ストリツプ線路の前記先端部分が放射状であり、
    前記単一の誘電共振器に結合された前記複数のマ
    イクロストリツプ線路の前記中心部分が該誘電共
    振器の直径を下廻わる直径を有する円形状に配置
    されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項に記載の低雑音発振器。 ５ 前記絶縁基板が長方形であり、前記単一の誘
    電共振器が同様に長方形であり、前記複数のマイ
    クロストリツプ線路の前記先端部分が前記絶縁基
    板の端部に対して垂直であり、前記単一の誘電共
    振器に結合された前記複数のマイクロストリツプ
    線路の前記中心部分が前記絶縁基板及び前記誘電
    共振器の端部に対して平行であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項に記載の低雑音発振器。 ６ 前記絶縁基板が平面形であり、該絶縁基板が
    該絶縁基板の周辺部にスロツトを有しており、該
    スロツト内に前記複数のトランジスタのチツプが
    位置決めされており、前記スロツトの端部から発
    する前記複数のマイクロストリツプ線路が前記複
    数のトランジスタと同一平面上にあることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項に記載の低雑音発振
    器。 ７ 前記複数のトランジスタの各々のソースで前
    記複数のマイクロストリツプ線路を介して取出さ
    れた当該発振器の出力信号が前記絶縁基板の面に
    対して垂直な同軸線路によつて該絶縁基板の中央
    に付与されるように構成されていることを特徴と
    する特許請求の範囲第６項に記載の低雑音発振
    器。 ８ 前記複数のトランジスタの各々のソースで前
    記複数のマイクロストリツプ線路を介して取出さ
    れた当該発振器の出力信号が前記絶縁基板の面と
    同一面にあるインピーダンス整合された線路及び
    前記複数のマイクロストリツプ線路によつて前記
    先端基板の端部に付与されるように構成されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第６項に記載
    の低雑音発振器。 ９ 誘電係数が小さく（ε≦９）厚さを調節可能
    な誘電体材料の部材が前記複数のマイクロストリ
    ツプ線路と前記誘電共振器との間の結合を最適化
    し且つ当該発振器の効率を向上させることを目指
    して前記誘電共振器と前記複数のマイクロストリ
    ツプ線路の前記中心部分との間に配置されている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第８
    項のいずれかに記載の低雑音発振器。 １０ 前記複数のトランジスタ、前記複数のマイ
    クロストリツプ線路及び前記絶縁基板がモノリシ
    ツクであり、前記複数のトランジスタがドーピン
    グ法によつて絶縁化された半導体材料の基板内に
    形成されており、前記複数のマイクロストリツプ
    線路が前記基板上に付着されていることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項に記載の低雑音発振
    器。 １１ 前記複数のマイクロストリツプ線路に対し
    てアース平面として役立つ金属底板を有するカプ
    セル封入ケース内に当該発振器が取付けられてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第
    ９項のいずれかに記載の低雑音発振器。
JP58120161A 1982-07-02 1983-07-01 極超短波周波数範囲で作動する低雑音発振器 Granted JPS5922405A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8211659A FR2529725B1 (fr) 1982-07-02 1982-07-02 Oscillateur a faible bruit, fonctionnant dans la gamme des hyperfrequences
FR8211659 1982-07-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5922405A JPS5922405A (ja) 1984-02-04
JPH0462201B2 true JPH0462201B2 (ja) 1992-10-05

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ID=9275638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58120161A Granted JPS5922405A (ja) 1982-07-02 1983-07-01 極超短波周波数範囲で作動する低雑音発振器

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US (1) US4567449A (ja)
EP (1) EP0099779B1 (ja)
JP (1) JPS5922405A (ja)
DE (1) DE3371020D1 (ja)
FR (1) FR2529725B1 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
EP0099779B1 (fr) 1987-04-15
FR2529725A1 (fr) 1984-01-06
US4567449A (en) 1986-01-28
DE3371020D1 (en) 1987-05-21
FR2529725B1 (fr) 1987-12-18
EP0099779A1 (fr) 1984-02-01
JPS5922405A (ja) 1984-02-04

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