JPH0244904A - マイクロ波発振装置 - Google Patents

マイクロ波発振装置

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JPH0244904A
JPH0244904A JP1155922A JP15592289A JPH0244904A JP H0244904 A JPH0244904 A JP H0244904A JP 1155922 A JP1155922 A JP 1155922A JP 15592289 A JP15592289 A JP 15592289A JP H0244904 A JPH0244904 A JP H0244904A
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adhesive region
electrode
inductance
region
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JP1155922A
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Stewart B Jones
スティワード・ベリー・ジョーンズ
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 吸血分界 本発明はトランジスタの本体を有するマイクロ波発振装
置に関するもので、その１〜ランジスタは主として、だ
がそれだけに限るのではないが、ガリウム砒素のショッ
トキー・ゲート電界効果トランジスタ（いわゆるＭＥＳ
ＦＥＴと呼ばれるもの）で、フィードバック径路中にイ
ンダクタンスを形成する長さをもつ接続線を含む電気的
接続を伴うものである。更にまた本発明は、ガン（Ｇｕ
ｎｎ）ダイオードに代替するこの形の２端子装置として
も用いられる。
マイクロ波周波数の持続定常発振を生成するためには、
能動半導体機器は負性抵抗特性を必要とする。かかる負
性抵抗はガン・ダイオード（転位電極機器ともいわれる
）、インバラ）　（ＩＭＰＡＴＴ）ダイオード、トンネ
ル・ダイオードのような機器には本来備わっているもの
で、該機器の２つの電極に単に直流バイアスを与えるだ
けで得られる。トランジスタの場合（バイポーラ・トラ
ンジスタ、ＰＥＴのいずれでも）には、負性抵抗状態は
トランジスタの電極間の適切なフィードバックでシミュ
レートされなければならず、誘導接続はこの目的に用い
られる。その結果として得られるのが３端子機器又は２
端子機器である。
ｌ米■肢土 ヨーロッパ特許出願第ＨＰ−Ａ−０１５６７０８号で開
示しているのは、マイクロ波発振装置であって、それは
第１及び第２主電極（ソースとドレイン）並びに制御電
極（ゲート）をもつトランジスタ本体（この場合はＦＥ
Ｔ　）を有し、外被のベースの上に搭載されたトランジ
スタ本体を取囲む電気的絶縁外周をもつマイクロ波機器
の外被を有し、またトランジスタの電極と機器の電気的
端子との間の電気的接続を有する。第１端子はベースに
あり、第２、端子は外周にある。第２主電極（ソース）
への接続は少くとも第１及び第２の接続線を直列に有す
る。制御電極への接続は第３の接続線を有する。
少くとも第２と第３の接続線は制御電極と第２主電極と
の間のフィードバック径路中のインダクタンスを形成す
る。
ヨーロッパ特許出願筒ＥＰ−Ａ−０１５６７０８号の発
振器は、ＦＥＴのソース電極に第１の接続線で接続して
いるバラクタ・ダイオードを有する同調回路をもってい
る。この既知の装置では、この第１の接続線の線条長を
できる限り短くして、かつ有意なインダクタンスをもた
せないようにしである。装置の外被はすなわちマイクロ
波トランジスタの外被で、絶縁外周にある第３端子をも
もっている。
ベースは金属でできており装置の接地端子を形成する。
ＦＥＴの本体及びバラクタの本体はベース上の第１キヤ
パシタ上に搭載される。第２キヤパシタとレジスタとが
第１キヤパシタと同様にベース上に搭載されている。第
１キヤパシタのトップは接続線で第３端子に接続し、Ｐ
ＥＴのドレインば別の接続線で第２端子に接続している
。ソース電極は極めて短い第１電線でバラクタ本体のト
ップに接続し、第２接続線はバラクタ本体のトップから
第２キヤパシタのトップに伸びて、それによりこの第２
接続線インダクタンスをマイクロ波周波数においては効
率的に大地に結合している。ＦＥＴのゲートは金属ベー
スに接着しである第３誘導線によって直接大地端子に接
続している。このゲート接続線はＦＥＴのソースへの第
１及び第２接続線よりも長いので、ケート接続にはより
大きいインダクタンスを与える。更に別の電線が第２キ
ヤパシタのトップからレジスタのトップに伸びて大地に
接続するバイアス回路を形成する。
だ　しようとするｉ 本発明は、その発明者による次の認識に立脚している、
すなわち： マイクロ波ダイオードの外被の内部の接続の仕方に異な
るやり方を採用することにより、電気的にも機械的にも
ガン・ダイオードに代替するものとしてトランジスタ本
体を含むマイクロ波発振装置を構築することができる、
その異なる接続のやり方というのは、第１主電極は（第
２端子にではなく）ベース端子に接続され、また制御電
極及び第２主電極の双方に対する接続線はベースがら隔
離されて、外周のトップで第２端子に電気的に相互接続
されており、依って直流カップリングを経て誘導フィー
ドバックがもたらされ、第２主電極に対する接続線は２
つ以上の上向きに伸びる誘導的な長さをもつ線条を（１
つ以上の接着領域を用いて）直列に有して成り、以てゲ
ートに対する接続線のインダクタンスに比して高い合計
インダクタンスをもたらす、という認識に立脚している
のである。
かような接続の仕方は、長い誘導的な線条長を小さな空
間内に圧縮することを許容し、在来からあるガン・ダイ
オード用の２端子の輪郭の外被の内部に収納できる小さ
なスペースと接着領域とにたやすく両立させることがで
きる。このような装置はガン・ダイオードと等価の機能
を有する（端子で見て等しいインピーダンスをもつ）が
、直流からマイクロ波への変換においてはガン・ダイオ
ードより高い効率を示す。
課題照犬■手段 かようにして、本発明によって、 第１及び第２主電極と制御電極とをもつトランジスタ本
体と、 マイクロ波装置の外被であって、それに含まれて電気的
には絶縁されている外周の内部に、トランジスタ本体が
該外被のベース上に搭載されている外被と、 トランジスタ本体の電極と該装置の電気的端子との間の
電気的接続とを有して成り、 該装置の第１端子は外被のベースに設けられ、第２端子
は外周がその役割を果し、 第２主電極への接続線は少くとも第１及び第２の線条を
直列に有し、 制御電極への接続線は第３の線条を有し、該第２及び第
３の線条は制御電極と第２主電極との間のフィードバッ
ク径路中にインダクタンスを形成して成るマイクロ波発
振装置が提供され、該装置においては、 上記外被は、外周のトップに隣接して存在して電気的に
第２端子に接続している上部接着領域と、ベースに隣接
して存在して電気的に第１端子から絶縁されている下部
接着領域とを有することと、第１の線条は下部接着領域
に伸びており、第２の線条は下部接着領域から上部接着
領域に伸びており、第３の線条は上部接着領域に伸びて
いることと、 第２及び第３の線条が共に第２端子に接続していること
により、第２主電極と第２端子間の接続線のインダクタ
ンスが制御電極と第２端子間の接続線のインダクタンス
よりも高くなっている誘導フィードバック径路を介して
、直流カップリングがもたらされていることとを特徴と
する。
第２主電極に対する接続線のインダクタンスを、外被の
内部の小さなスペースと両立するやり方で増大させるた
めに、第１の接続線の長さは線条をアーチ形にすること
で長くすることができ、あるいはまた、１つ以上の別々
の接着領域を利用可能なスペースの底部に設けて、更に
別の線条を直列にもたせることもできる。このようなや
り方においては、下部接着領域はトランジスタ本体の傍
にある別々の第１領域及び第２領域を有することと、第
２主電極への接続線は、該電極から第１領域へ伸びる第
１の線条と、第２領域から上部接着領域へ伸びる第２の
線条と、及び第１領域から第２領域へ伸びる第４の線条
を有することとを特徴とする。更にまた 第４の線条は、ベースから上部接着領域までの高さの半
分以上の高さ（場合により３／４以上の高さ）に伸びて
いることを好適とし、それによって第４の線条の長さが
（従ってインダクタンスが）増大するのである。第１の
線条もほぼ同じ高さにまで伸ばすことができ、それによ
って第１接続線のインダクタンスも増加する。
トランジスタ本体はバイポーラ・トランジスタを有する
こともでき、該バイポーラ・トランジスタは、第１主電
極としてコレクタを、第２主電極としてエミッタを、ま
た制御電極としてベースをもっている。けれども、より
高いマイクロ波性能は電界効果トランジスタのようなユ
ニポーラ機器によって得ることができるのであって、と
りわけ高い電子移動性をもつガリウム砒素その他の■■
族化合物半導体素材で形成されるＦＥＴにおいて特に然
りである。従って、トランジスタ本体はドレイン及びソ
ース主電極とゲート制御電極とをもつショットキー・ゲ
ート電界効果トランジスタであることを好適とする。
この場合、トランジスタ本体はしばしば半絶縁基板を有
し、従ってこれに適する製造工程として、本発明により
提供される下部接着領域は、トランジスタ本体の基板と
ほぼ同一の厚みをもつ半絶縁素材の基板上に金属被覆を
することが採用されるのである。
実施± 以下、本発明の要点を、図面を引用して説明する。なお
これらの図面は概念的なもので、原寸に忠実ではないこ
とに留意されたい。相対的な寸法や割合は、分り易くす
るため及び便宜上、あるいは拡大し、あるいは縮小しで
ある。更にまた、第３図には断面は示してないけれども
、外被の金属環及び台座の上側表面がハツチングしてあ
り、台座が接着剤で覆われている部分は破線でハツチン
グがしであるので、第３図中の異なる部分が一見よく分
るようになっている。
第１図に示すマイクロ波発振装置は第１．第２主電極Ｉ
Ｌ　１２　（第３図参照）と制御電極１３をもつトラン
ジスタ本体１０を有する。マイクロ波装置の外被２０は
電気的絶縁外周２５を有し、その中に外被のベース２１
に搭載されたトランジスタ本体１０がある。電気的接続
１ないし５がトランジスタ本体１０の電極と装置の電気
的端子２１及び２２との間に存在する。これらのうち、
第１端子２１はベースに在り、第２端子２２は外周にあ
る。第２主電極１２への接続は、少くとも第１及び第２
接続線１及び２を直列にもっている。制御電極１３への
接続は第３接続線３をもっている。第２及び第３接続線
２及び３は、制御電極１３と第２主電極１２との間のフ
ィードバック径路中のインクリタンスＬ２及びｌ、３（
第２図参照）を形成する。
本発明によれば外被２０は上部接着領域２３を有し、こ
の領域２３は外周２５のトップに隣接して存在し、第２
端子２２と電気的に接続している。また外被２０は下部
接着領域１５．１６．１７を有し、これはへ−ス２１に
隣接して存在し、第１端子２１からは電気的に絶縁され
ている。第１主電極１１は第１端子２１に接続している
。第１接続線１は下部接着領域１５．１６１７に伸びて
いる。第２接続線２は下部接着領域Ｊ５１６、１７から
上部接着領域２３に伸びている。第３接続線３ば上部接
着領域２３に伸びている。第２及び第３の接続線２及び
３が共に第２端子２２に接続していることにより、フィ
ードバック径路のインダクタンス（Ｌｌ、　Ｌ２．　Ｌ
３及び恐ら＜Ｌ４）を介して直流結合がもたらされ、そ
こでは、第２主電極１２と第２端子２２との間の接続１
，２（及び恐らく４）のインダクタンスＬＬ、　Ｌ２　
（及び恐らくＬ４）は、制御電極１３と第２端子２２と
の間の接続３のインダクタンスＬ３よりも高い。
第１図の装置は、電気的に及び機械的に、ガン・ダイオ
ードに代替するものである。第１図に図式的に描かれて
いる外被２０は、在来から用いられたガン・ダイオード
の外被、例えば円筒形の国際標準５ＯＤ３１形のような
ものと同じ外形であり得る。
外被のベース２１には端子があり、直流バイアス電圧（
第２図の十■）が装置の一方の端に加えられるのはその
端子である。外被２０の反対の端には、カバー２２があ
り、それは絶縁円筒形外周２５のトップに搭載されて接
地端子をもっている。第２及び第３の接続線は共に、こ
の第２端子２２に接続され（ベースにではなくて）、こ
のことはヨーロッパ特許出願筒ＥＰ−へ−０１５６７０
８号とは反対の位置である。
外被２０ば在来のガン・ダイオードの外被と同じ構造の
ものでよい。従って、ベース２１は金属（例えば金メツ
キした銅）で、絶縁外周２５の一方の端で第１端子を形
成する。トランジスタ本体１０はこのベース２１の台座
に搭載されていてもよい。外周２５はセラミック（例え
ばアルミナ）で、金属環２３（例えば商標ｒＫｏｖｅｒ
」）をもち、これは外周２５のトップのフランジを形成
する。接続線工ないし５は例えば金線であり、接続線２
及び３は既知の方法で環２３に接着している。金属のカ
バ一端子（例えば金メツキした銅）は環２３に溶接され
る。
上向きに伸びている線３の長さを、制御条件用の所望の
インダクタンス値を与えるよう適切に選定することによ
り、また上向きに伸びている線１及び２（及び恐らくさ
らにもう１つかそれ以上の線、例えば４）の長さを、こ
の主要接続用の遥かに高いインダクタンス値を与えるよ
うに選定することにより、発振装置は、端子２１及び２
２に現れるものと同じマイクロ波インピーダンスを持つ
ガン・ダイオードと類似の電気的特性をもち、但し直流
からマイクロ波への変換は高い効率で（典型的にはガン
・ダイオードが１〜３％であるのに対し１０〜３０％）
で行うことができる。電極１３と１２との間の誘導フィ
ードバックをもつ適切な回路図は第２図に示すとおりで
ある。
第１図から第３図までに示した形で、トランジスタの本
体１０は、例えばガリウム砒素ＭＥＳＦＥＴのようなシ
ョットキー・ゲート電界効果トランジスタを有し、その
ドレイン電極は１１、ソース電極は１２、ゲート電極は
１３である。これらの電極１１ないし１３は例えば金を
含む。典型的にはこのトランジスタ本体１０は、例えば
クロミウムをドープしたガリウム砒素のような半絶縁基
板上の立型半導電ガリウム砒素のエピタキシャル層の中
又は上に形成される能動トランジスタ構造を有する。こ
のトランジスタ本体１０は、例えば絶縁エポキシその他
の粘着剤の中間層２４によってベース２１に貼り付けで
ある。
ソース接続用の線１，２の長さを最大にするために、ベ
ース２１上の下部接着領域１５．１６．１７を設けるこ
とは好適であり、それをトランジスタ本体と同じやり方
で搭載して線の溶接のための高さをトランジスタ本体１
０の電極とほぼ同じにすることは便利である。従って第
１図及び第２図に示すこの実例では、トランジスタ本体
の基板と同一の半絶縁素材かつ同一の厚さの基板１５の
上の金属（例えば金）による１６．１７を有している。
この基板１５はトランジスタ本体１０の基板の側面方向
への延長であってもよいし、（第１図及び第３図に示す
ように）別の基板を中間接着層２４で別々にベース２１
に取り付けてもよい。
ソース接続は、下部接着領域へ伸びている第１及び第２
接続線１，２のみを有し、線１はカバー２２の下のスペ
ースが許す限り上方にアーチ形の長さをとり（第１図参
照）、接続線１のために十分なインダクタンスＬ１を形
成している。このやり方でインダクタンスＬ１はゲート
接続線３のインダクタンスＬ３よりも大きくなるよう選
定でき、従ってフィードバック径路中のソース接続線１
．２の合計インダクタンス（Ｌ１＋Ｌ２）をゲート接続
線のインダクタンスＬ３よりも２倍以上の大きさにでき
る。
このこともヨーロッパ特許出願第ＥＰ−Ａ−０１５６７
０８号の発振装置とは反対の位置付けである。
外被２０の内側で縦方向に限られたスペースの中のソー
ス接続のインダクタンスを更に増加するため、あるいは
又第１の接続線１のアーチの高さを縮小するためには、
第３図に示すような形体を採るのが好適である。第３図
では、下部接着領域１５１６、１７はトランジスタ本体
１０の傍にあって、それぞれ別個の第１及び第２金属領
域１６及び１７をもっている。この場合第２主電極１２
への接続は、電極１２から第１接着領域１６への第１接
続線１と、第２接着領域１７から外周２５のトップへの
第２接続線２と、第１接着領域１６から第２接着領域１
７への第４接続線４とによるのである。第３図では別々
の金属領域１６及び１７が同一の基板１５上に設けられ
ているが、それらは別々の基板上に設けることもできる
。また茸では別個の線１，４．２で示されでいるが、こ
れらの接続線１．４及び２は、領域１２゜１６、１７と
領域２３との間をまたくステインチ接着した１木の線で
あってもよい。
線１と線４のアーチは、外被のスペース内でほぼ同じ高
さまで伸び、それによって特にステインチ接着の接着操
作がたやすくできる。インダクタンスＬＬ及びＬ４の数
値を高くとるために、接続線１及び４はベース２１の上
に上部接着領域２３までの高さの半分以上（３７４以上
のことさえある）の高さのアーチを構成することがある
。線１及び４がアーチを形成できる最高の高さというの
は、用いられる特定の線条接着機と用いられる線条の特
定の形状とによって到達できる接着操作の信頼性と再現
可能性、並びに外被内の空間の形状によって定まる。第
１図に示す特定の実例においては、カッ＼−２２の下側
の面には窪みがあるので更に空間は広くなり、線１（及
び線４）は上部接着領域２３のトップの近くあるいはそ
の上にまでさえアーチが届くことができる。
１０ＧＨｚ周辺の周波数で発振するＸ帯域ガン・ダイオ
ードに代替し、またガリウム砒素１’１ＥｓＦＥＴに基
く装置の特定の実例においては、ソース接続線１゜２　
（及び恐らく４）の合計インダクタンスＬＬ、　Ｌ２（
及び恐ら＜Ｌ４）は約３ｎＨ程度、またゲート接続線３
のインダクタンスＬ３は約Ｉｎ１１程度であるのに対し
、ドレイン接続線５のインダクタンスは遥かに小さく、
約０．５ｎＨ程度であろう。断面が直径約１．８μｍの
円形の金線を用いるとすれば、線条１ｍｍ当り約１ｎｔ
ｌのインダクタンスが得られる。外被の内部の高さ、即
ちベース２１の台座と接着環２３のトップとの間は約０
．７５ｍｍで、本体１０及び１５の高さはそれぞれ約０
．１ｍｍであろう。従って線２及び３の長さは約１　ｍ
ｍとなり、故にインダクタンスは約１ｎＨで、ソース接
続として更に必要なインダクタンス（約２ｎＨ）は、外
被空間内の下側の高さでア−チを形成する２つの線条１
及び４を用いて得られる。第１図ないし第３図のＦＥＴ
　　（電界効果トランジスタ）のソース及びゲート接続
の線条１．２３等の長さによってインピーダンス・レベ
ルと負性抵抗の程度が決まり、かつこの接続のやり方が
広帯域発振器をもたらし、該発振器はこの装置が搭載さ
れ運用される共振導波管のキャビティの寸法によって定
まる周波数で発振するということに留意されたい。これ
と対照的に、コーロツバ特許出願第ＥＰ−Ａ−０１５６
７０８号のＦＥＴの接続のやり方（ソース接続における
バラクタ同調及びソース接続におけるよりも高いゲート
接続のインダクタンス）がもたらす発振器は、その周波
数がソース接続のインダクタンス（線条の長さ）によっ
て定まるのである。
以上の記述を読めば当業者は本発明の範囲内で多くの変
形が可能なことは明らかであろう。例えば、線条１ない
し５は、断面が円形ではなく所望の別な形の断面、例え
ば矩形断面を、少くとも線条１ないし５のうちのいくつ
かにもたせることができそれらの線条にストラップとし
ての性質をもたせられる。金属環の代りに、上部接着領
域２３は別のやり方で設けることもできる。例えば外周
２５のトップの絶縁外周２５の表面上又は外周２５のト
ップ近くに水平に突出た棚上の金属被覆層等である。
ソース接続線用の下部接着領域１５．１．６．１７はト
ランジスタ本体ＩＯが載っている台座のトップとは別の
表面に設けることもできる。すなわち下部接着領域はベ
ース２１に隣接する絶縁外周２５の下側の水平に突出た
棚の金属被覆とすることもできるし、またベース２１の
下部の水平に突出た棚に搭載し、かつ第１端子からは電
気的に絶縁しておくこともできる。
ヨーロッパ特許出願第ＥＰ−Ａ−０１５６７０８号の発
振器のソース接続線はコンデンサによってベース端子と
電気的に結合しているのに対して、本発明の発振器のソ
ース接続線１，２．４は、ベース端子２１からは（直流
的にもマイクロ波周波数においても）絶縁されており、
上部接地端子２２と直流的に結合している、ということ
にも留意されたい。在来のマイクロ波機器の外被ではカ
バー２２とベース２１とは完全に金属で形成されている
が、蔓では別の構造、即ちカバー２２もしくはベース２
１の一部分が電気的に絶縁され他の部分が導電的で装置
の接続端子を形成するという構造を用いることもできる
。
第２図及び第３図ではＭＢＳＦＥＴになっているけれど
も、本発明の発振器のトランジスタ本体１０はバイポー
ラ・トランジスタをもつこともできる。この場合には該
トランジスタはエミッタ及びベース電極１２及び１３を
それぞれ本体トップの表面にもち、コレクタ電極１１を
底面にもつこともできる。そのようなバイポーラ・トラ
ンジスタの本体は金属ベース２１の金属被覆表面に搭載
され、コレクタ電極１１と装置の端子２１との間に線条
５を必要としないで直接接続を形成できるのである。
ソース電極１２とゲート電極１４との間の直流径路には
（例えば線２と線４との間に）トランジスタに対し所望
のバイアス条件を設定するため抵抗を挿入することがで
きる。この場合には抵抗と並列に反カンプリング・コン
デンサを接続する。併しながらこのようなバイアス設定
は本発明の装置を複雑にし、出費を増嵩する。
この他に以上の開示から当業者にとって容易に到達しう
る種々の変形が、マイクロ波発振システム、半導体装置
及びそのコンポネントの設計、製造、使用等に関して可
能なことはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるマイクロ波発振装置の断面図であ
り、 第２図は第１図に示すような装置の回路図であり、 第３図は第１図に示すような装置をその上方から、該装
置の外被の内側を視た図である。なお、この図には断面
を示してないけれども、外被の金属環及び台座の上側表
面がハツチングしてあり、台座が接着剤で覆われている
部分は破線でハツチングがしであるので、第３図中の異
なる部分が一見よく分るようになっている。 １．２，３，４．５・・・接続線 １０・・・トランジスタ本体 工１・・・第１主電極（ドレイン） １２・・・第２主電極（ソース） １３・・・制御電極（ゲート） １５・・・下部接着領域 １６・・・１５上の第１領域 １７・・・１５上の第２領域 ２０・・・装置の外被 ２１・・・外被のベース（第１端子） ２２・・・外被のカバー（第２端子） ２３・・・上部接着領域（金属環） ２４・・・中間（接着）層 ２５・・・絶縁外周

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、第１及び第２主電極と制御電極とをもつトランジス
    タ本体と、 マイクロ波装置の外被であって、それに含まれて電気的
    には絶縁されている外周の内部に、トランジスタ本体が
    該外被のベース上に搭載されている外被と、 トランジスタ本体の電極と該装置の電気的端子との間の
    電気的接続とを有して成り、 該装置の第１端子は外被のベースに設けられ、第２端子
    は外周がその役割を果し、 第２主電極への接続線は少くとも第１及び第２の線条を
    直列に有し、 制御電極への接続線は第３の線条を有し、 該第２及び第３の線条は制御電極と第２主電極との間の
    フィードバック径路中にインダクタンスを形成して成る
    マイクロ波発振装置において、 上記外被は、外周のトップに隣接して存在して電気的に
    第２端子に接続している上部接着領域と、ベースに隣接
    して存在して電気的に第１端子から絶縁されている下部
    接着領域とを有することと、 第１の線条は下部接着領域に伸びており、 第２の線条は下部接着領域から上部接着領域に伸びてお
    り、第３の線条は上部接着領域に伸びていることと、 第２及び第３の線条が共に第２端子に接続していること
    により、第２主電極と第２端子間の接続線のインダクタ
    ンスが制御電極と第２端子間の接続線のインダクタンス
    よりも高くなっている誘導フィードバック径路を介して
    、直流カップリングがもたらされていることとを特徴と
    するマイクロ波発振装置。 ２、下部接着領域はトランジスタ本体の傍にある別々の
    第１領域及び第２領域を有することと、 第２主電極への接続線は、該電極から第１領域へ伸びる
    第１の線条と、第２領域から上部接着領域へ伸びる第２
    の線条と、及び第１領域から第２領域へ伸びる第４の線
    条を有することとを特徴とする請求項１に記載のマイク
    ロ波発振装置。 ３、第４の線条は、ベースから上部接着領域までの高さ
    の半分以上の高さに伸びていることを特徴とする請求項
    ２に記載のマイクロ波発振装置。 ４、外周のトップに搭載されて第２及び第３線条が共に
    接続されている第２端子を設けているカバーを、外被が
    有していることを特徴とする請求項１、２または３のい
    ずれか１つに記載のマイクロ波発振装置。 ５、トランジスタ本体はドレイン及びソース主電極とゲ
    ート制御電極とをもつショットキー・ゲート電界効果ト
    ランジスタであることを特徴とする請求項１ないし４の
    うちのいずれか１つに記載のマイクロ波発振装置。 ６、トランジスタ本体は半絶縁素材の基板を有すること
    と、 下部接着領域は、トランジスタ本体の基板とほぼ同一の
    厚みをもつ半絶縁素材の基板上に金属被覆を有すること
    とを特徴とする請求項５に記載のマイクロ波発振装置。
JP1155922A 1988-06-22 1989-06-20 マイクロ波発振装置 Pending JPH0244904A (ja)

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GB8814889A GB2220113B (en) 1988-06-22 1988-06-22 Microwave oscillator devices
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GB2220113B (en) 1992-02-12
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EP0347993B1 (en) 1994-06-08
EP0347993A2 (en) 1989-12-27
EP0347993A3 (en) 1991-03-27
GB2220113A (en) 1989-12-28
DE68915862T2 (de) 1994-12-22

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