JPH0646595B2 - 薄膜型ｅｌ素子及びその製造方法 - Google Patents
薄膜型ｅｌ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0646595B2 JPH0646595B2 JP60252267A JP25226785A JPH0646595B2 JP H0646595 B2 JPH0646595 B2 JP H0646595B2 JP 60252267 A JP60252267 A JP 60252267A JP 25226785 A JP25226785 A JP 25226785A JP H0646595 B2 JPH0646595 B2 JP H0646595B2
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- Japan
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- film
- zinc sulfide
- thin film
- insulating film
- sputtering method
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 薄膜型ＥＬ素子の発光効率と輝度とを向上する改良と、
薄膜型ＥＬ素子の生産性を向上する改良とである。
薄膜型ＥＬ素子の生産性を向上する改良とである。
薄膜型ＥＬ素子を構成するＥＬ膜の配向性・結晶性を向
上して発光効率を改善するために、透光性基板と透光性
電極との間に硫化亜鉛の膜を介在させておき、ＥＬ膜の
結晶状態がその全領域において、硫化亜鉛特有の結晶構
造とされ、配向性・結晶性が向上するようにしたもので
ある。さらに、このようにして、ＥＬ膜の配向性・結晶
性が向上しうることを利用して、蒸着法に比して本来所
要時間が短いため生産性が高く、しかも、ＥＬ膜の上下
の膜をなす第１・第２の絶縁膜と同一工程となすことが
できる利益を有するスパッタ法を使用してＥＬ膜を形成
することとして、薄膜型ＥＬ素子の製造時間を短縮し、
その生産性と再現性とを向上したものである。
上して発光効率を改善するために、透光性基板と透光性
電極との間に硫化亜鉛の膜を介在させておき、ＥＬ膜の
結晶状態がその全領域において、硫化亜鉛特有の結晶構
造とされ、配向性・結晶性が向上するようにしたもので
ある。さらに、このようにして、ＥＬ膜の配向性・結晶
性が向上しうることを利用して、蒸着法に比して本来所
要時間が短いため生産性が高く、しかも、ＥＬ膜の上下
の膜をなす第１・第２の絶縁膜と同一工程となすことが
できる利益を有するスパッタ法を使用してＥＬ膜を形成
することとして、薄膜型ＥＬ素子の製造時間を短縮し、
その生産性と再現性とを向上したものである。
本発明は薄膜型ＥＬ素子及びその製造方法に関する。特
に、発光効率と輝度とが向上した薄膜型ＥＬ素子と、生
産性と再現性との向上した薄膜型ＥＬ素子の製造方法と
に関する。
に、発光効率と輝度とが向上した薄膜型ＥＬ素子と、生
産性と再現性との向上した薄膜型ＥＬ素子の製造方法と
に関する。
薄膜型ＥＬ素子は、発光中心として機能するマンガンや
希土類元素例えば三フッ化テルビウム、三塩化テルビウ
ム等を含有する硫化亜鉛等の蛍光体の多結晶薄膜に電界
を印加し、エレクトロルミネッセンス現象にもとづいて
発光させる発光素子であるが、従来、第３図に示すよう
な構造が知られている。
希土類元素例えば三フッ化テルビウム、三塩化テルビウ
ム等を含有する硫化亜鉛等の蛍光体の多結晶薄膜に電界
を印加し、エレクトロルミネッセンス現象にもとづいて
発光させる発光素子であるが、従来、第３図に示すよう
な構造が知られている。
第３図参照 ガラス基板等１上に、ＩＴＯよりなり厚さが約2,000Å
の透光性電極３をスパッタ法を使用して形成する。次
に、酸窒化シリコンよりなり厚さが約2,000Åの第１の
絶縁膜４をスパッタ法を使用して形成する。ここで、一
旦真空を破って蒸着装置に装入し、発光中心として機能
するマンガンまたは希土類元素例えば三フッ化テルビウ
ム、三塩化テルビウムを含有する硫化亜鉛よりなるＥＬ
膜５を厚さ約5,000Åに蒸着する。温度約500℃において
約１時間熱処理を施す。ここで、再び真空を破ってスパ
ッタ装置に装入し、スパッタ法を使用して、酸窒化シリ
コンよりなり厚さが約2,000Åの第２の絶縁膜６を形成
する。その後、アルミニュウムよりなる対向電極７を形
成する。
の透光性電極３をスパッタ法を使用して形成する。次
に、酸窒化シリコンよりなり厚さが約2,000Åの第１の
絶縁膜４をスパッタ法を使用して形成する。ここで、一
旦真空を破って蒸着装置に装入し、発光中心として機能
するマンガンまたは希土類元素例えば三フッ化テルビウ
ム、三塩化テルビウムを含有する硫化亜鉛よりなるＥＬ
膜５を厚さ約5,000Åに蒸着する。温度約500℃において
約１時間熱処理を施す。ここで、再び真空を破ってスパ
ッタ装置に装入し、スパッタ法を使用して、酸窒化シリ
コンよりなり厚さが約2,000Åの第２の絶縁膜６を形成
する。その後、アルミニュウムよりなる対向電極７を形
成する。
薄膜型ＥＬ素子の発光効率や輝度特性は、発光中心とし
て機能するマンガンまたは希土類元素例えば三フッ化テ
ルビウム、三塩化テルビウムを含有する硫化亜鉛よりな
るＥＬ膜の配向性・結晶性に支配されるが、硫化亜鉛膜
の結晶性は、下地の表面状態の影響を受けやすいので、
上記せる従来技術に係る薄膜型ＥＬ素子のＥＬ膜５の結
晶性は、絶縁膜４と接触する領域近傍において不良とな
りいわゆるデッドレーヤとなりやすく、その発光効率・
輝度特性が必ずしも満足しうるものではない。例えば発
光中心がフッ化テルビウムの場合、0.1〜0.2ルーメン／
Ｗであり、発光中心がマンガンの場合、１〜1.5ルーメ
ン／Ｗである。そこで、発光効率・輝度特性がよりすぐ
れた薄膜型ＥＬ素子の開発が望まれていた。
て機能するマンガンまたは希土類元素例えば三フッ化テ
ルビウム、三塩化テルビウムを含有する硫化亜鉛よりな
るＥＬ膜の配向性・結晶性に支配されるが、硫化亜鉛膜
の結晶性は、下地の表面状態の影響を受けやすいので、
上記せる従来技術に係る薄膜型ＥＬ素子のＥＬ膜５の結
晶性は、絶縁膜４と接触する領域近傍において不良とな
りいわゆるデッドレーヤとなりやすく、その発光効率・
輝度特性が必ずしも満足しうるものではない。例えば発
光中心がフッ化テルビウムの場合、0.1〜0.2ルーメン／
Ｗであり、発光中心がマンガンの場合、１〜1.5ルーメ
ン／Ｗである。そこで、発光効率・輝度特性がよりすぐ
れた薄膜型ＥＬ素子の開発が望まれていた。
また、従来技術においては、スパッタ法を使用して第１
の絶縁膜３を形成した後、一旦真空を破り、抵抗加熱蒸
着法または電子線加熱蒸着法を使用してＥＬ膜５を形成
し、再び真空を破ってからスパッタ法を使用して第２の
絶縁膜６を形成していたが、もし、スパッタ法を使用し
て第１の絶縁膜３とＥＬ膜５と第２の絶縁膜６とを一工
程をもって形成しうれば、真空蒸着法より堆積速度が速
いというスパッタ法の本質的利益に加えて、特に真空を
回復するための時間が減縮され、所要時間が短縮されて
生産性が向上する筈である。ところが、ＥＬ膜の形成に
スパッタ法を使用すると、硫化亜鉛膜の配向性・結晶性
が悪く発光効率・輝度特性は極度に悪くなり使用に耐え
ない。そこで、ＥＬ膜の形成にスパッタ法の使用が許さ
れ、生産性のすぐれた薄膜型ＥＬ素子の製造方法の開発
が望まれていた。
の絶縁膜３を形成した後、一旦真空を破り、抵抗加熱蒸
着法または電子線加熱蒸着法を使用してＥＬ膜５を形成
し、再び真空を破ってからスパッタ法を使用して第２の
絶縁膜６を形成していたが、もし、スパッタ法を使用し
て第１の絶縁膜３とＥＬ膜５と第２の絶縁膜６とを一工
程をもって形成しうれば、真空蒸着法より堆積速度が速
いというスパッタ法の本質的利益に加えて、特に真空を
回復するための時間が減縮され、所要時間が短縮されて
生産性が向上する筈である。ところが、ＥＬ膜の形成に
スパッタ法を使用すると、硫化亜鉛膜の配向性・結晶性
が悪く発光効率・輝度特性は極度に悪くなり使用に耐え
ない。そこで、ＥＬ膜の形成にスパッタ法の使用が許さ
れ、生産性のすぐれた薄膜型ＥＬ素子の製造方法の開発
が望まれていた。
上記第１の目的を達成するために本発明が採った手段
は、薄膜型ＥＬ素子を構成する透光性基板と絶縁膜との
間に硫化亜鉛の膜を介在させることにある。この硫化亜
鉛の膜の膜厚は、その下地である透光性基板の影響が消
滅しうる程度に十分厚く形成されることが望ましい。
は、薄膜型ＥＬ素子を構成する透光性基板と絶縁膜との
間に硫化亜鉛の膜を介在させることにある。この硫化亜
鉛の膜の膜厚は、その下地である透光性基板の影響が消
滅しうる程度に十分厚く形成されることが望ましい。
上記第２の目的を達成するために本発明が採った手段
は、透光性基板上に、硫化亜鉛の膜を、その下地である
透光性基板の影響が消滅する程度に十分厚く形成し、そ
の上に、従来技術と同様の薄膜型ＥＬ素子を形成するも
のであるが、ＥＬ膜の形成をスパッタ法を使用してなす
ものである。
は、透光性基板上に、硫化亜鉛の膜を、その下地である
透光性基板の影響が消滅する程度に十分厚く形成し、そ
の上に、従来技術と同様の薄膜型ＥＬ素子を形成するも
のであるが、ＥＬ膜の形成をスパッタ法を使用してなす
ものである。
硫化亜鉛膜の結晶性が下地となる膜の表面状態の影響を
受けやすく、その下地がガラス等硫化亜鉛の結晶構造と
相違する場合、この下地の上に形成される硫化亜鉛膜の
結晶性が特にその接触領域近傍において悪くなり、薄膜
型ＥＬ素子の発光効率・輝度特性が悪くなることは上記
せるとおりである。
受けやすく、その下地がガラス等硫化亜鉛の結晶構造と
相違する場合、この下地の上に形成される硫化亜鉛膜の
結晶性が特にその接触領域近傍において悪くなり、薄膜
型ＥＬ素子の発光効率・輝度特性が悪くなることは上記
せるとおりである。
特に、下地がガラスであると表面の凹凸が少ないので、
上記の欠点が顕著である。
上記の欠点が顕著である。
そこで、まず、ガラス等よりなる透光性基板上に、透光
性基板の影響が消滅する程度に十分厚く例えば約5,000
Åの厚さに硫化亜鉛膜を形成し、その表面を硫化亜鉛固
有の結晶状態としておき、その上に従来技術と同様の薄
膜型ＥＬ素子を形成すると、硫化亜鉛よりなるＥＬ膜は
当初から硫化亜鉛固有の結晶状態とすることができ、い
わゆるデッドレーヤが発生せず、発光効率や輝度特性が
向上する。
性基板の影響が消滅する程度に十分厚く例えば約5,000
Åの厚さに硫化亜鉛膜を形成し、その表面を硫化亜鉛固
有の結晶状態としておき、その上に従来技術と同様の薄
膜型ＥＬ素子を形成すると、硫化亜鉛よりなるＥＬ膜は
当初から硫化亜鉛固有の結晶状態とすることができ、い
わゆるデッドレーヤが発生せず、発光効率や輝度特性が
向上する。
上記の構造とすると、透光性基板と透光性電極との間に
設けられる硫化亜鉛膜の効果により、第１の絶縁膜と第
２の絶縁膜との間に形成されるＥＬ膜をなす硫化亜鉛の
膜の配向性・結晶性は良好になるため、ＥＬ膜をなす硫
化亜鉛の膜の形成に蒸着法を使用するに及ばず（ＥＬ膜
形成方法に対する制約は解除され）、より生産性の高い
スパッタ法を使用して形成することができ、特に、真空
回復時間が不要となり生産性が大幅に向上する。
設けられる硫化亜鉛膜の効果により、第１の絶縁膜と第
２の絶縁膜との間に形成されるＥＬ膜をなす硫化亜鉛の
膜の配向性・結晶性は良好になるため、ＥＬ膜をなす硫
化亜鉛の膜の形成に蒸着法を使用するに及ばず（ＥＬ膜
形成方法に対する制約は解除され）、より生産性の高い
スパッタ法を使用して形成することができ、特に、真空
回復時間が不要となり生産性が大幅に向上する。
以下、図面を参照しつゝ、本発明の第１の手段と第２の
手段との実施例を各１例説明して、本発明の構成と特有
の効果とを明らかにする。
手段との実施例を各１例説明して、本発明の構成と特有
の効果とを明らかにする。
第１例 第１図参照 電子ビーム蒸着法または抵抗加熱蒸着法を使用して、ガ
ラス基板１上に、硫化亜鉛膜２を厚さ約5,000Åに形成
する。
ラス基板１上に、硫化亜鉛膜２を厚さ約5,000Åに形成
する。
次に、スパッタ法を使用して、厚さ約2,000ÅのＩＴＯ
膜よりなる透光性電極３を形成する。
膜よりなる透光性電極３を形成する。
再びスパッタ法を使用して、厚さ約2,000Åの酸窒化シ
リコン膜よりなる第１の絶縁膜４を形成する。
リコン膜よりなる第１の絶縁膜４を形成する。
以上の工程をもって形成された第１の絶縁膜４の表面
は、硫化亜鉛膜２の表面のミクロな構造特に結晶粒によ
る凹凸がそのまゝ反映されて、硫化亜鉛膜特有の結晶状
態となっている。
は、硫化亜鉛膜２の表面のミクロな構造特に結晶粒によ
る凹凸がそのまゝ反映されて、硫化亜鉛膜特有の結晶状
態となっている。
再び電子ビーム蒸着法また抵抗加熱蒸着法を使用して、
発光中心として機能するマンガンを含有する硫化亜鉛膜
51を厚さ約5,000Åに形成し、約500℃の温度において約
１時間熱処理を施こして、ＥＬ膜51を形成する。
発光中心として機能するマンガンを含有する硫化亜鉛膜
51を厚さ約5,000Åに形成し、約500℃の温度において約
１時間熱処理を施こして、ＥＬ膜51を形成する。
さらに、スパッタ法を使用して、厚さ約2,000Åの酸窒
化シリコン膜よりなる第２の絶縁膜６を形成する。
化シリコン膜よりなる第２の絶縁膜６を形成する。
最後にスパッタ法を使用して、アルミニュウム電極７を
形成して薄膜型ＥＬ素子を完成する。
形成して薄膜型ＥＬ素子を完成する。
以上の工程をもって製造された薄膜型ＥＬ素子は、その
ＥＬ膜の配向性・結晶性が良好であり、いわゆるデッド
レーヤが殆ど存在しない。このことは、Ｘ線回折法を使
用して測定したＸ線回折強度が従来技術の場合に比し約
３倍であることから明らかである。
ＥＬ膜の配向性・結晶性が良好であり、いわゆるデッド
レーヤが殆ど存在しない。このことは、Ｘ線回折法を使
用して測定したＸ線回折強度が従来技術の場合に比し約
３倍であることから明らかである。
また、発光効率は２〜３ルーメン／Ｗであり、従来技術
に比し約２倍に改善されている。輝度も同様に大幅に改
善されている。
に比し約２倍に改善されている。輝度も同様に大幅に改
善されている。
ここで、特筆すべきことは、特性の再現性が極めて良好
なことであり、精密制御の必要が少ないため、現実的利
益は極めて大きい。
なことであり、精密制御の必要が少ないため、現実的利
益は極めて大きい。
第２例 第３図参照 電子ビーム蒸着法または抵抗加熱蒸着法を使用して、ガ
ラス基板１上に、硫化亜鉛膜２を厚さ約5,000Åに形成
する。
ラス基板１上に、硫化亜鉛膜２を厚さ約5,000Åに形成
する。
次に、スパッタ法を使用して、厚さ約2,000ÅのＩＴＯ
膜よりなる透光性電極３を形成する。
膜よりなる透光性電極３を形成する。
再びスパッタ法を使用して、厚さ約2,000Åの酸窒化シ
リコン膜よりなる第１の絶縁膜４を形成する。
リコン膜よりなる第１の絶縁膜４を形成する。
上記の工程をもって形成された第１の絶縁膜４の表面
は、硫化亜鉛膜２の表面のミクロな構造特に結晶粒によ
る凹凸がそのまゝ反映されて、硫化亜鉛膜特有の結晶状
態となっている。
は、硫化亜鉛膜２の表面のミクロな構造特に結晶粒によ
る凹凸がそのまゝ反映されて、硫化亜鉛膜特有の結晶状
態となっている。
上記の絶縁膜４形成のためのスパッタ工程後に、真空を
破ることなく続けて、スパッタ法を使用して、発光中心
として機能するフッ化テルビウムを含有する硫化亜鉛膜
52を厚さ約5,000Åに形成し、約500℃の温度において約
１時間熱処理を施こして、ＥＬ膜52を形成する。
破ることなく続けて、スパッタ法を使用して、発光中心
として機能するフッ化テルビウムを含有する硫化亜鉛膜
52を厚さ約5,000Åに形成し、約500℃の温度において約
１時間熱処理を施こして、ＥＬ膜52を形成する。
真空を破ることなく、さらに続けてスパッタ法を使用し
て、厚さ約2,000Åの酸窒化シリコン膜よりなる第２の
絶縁膜６を形成する。
て、厚さ約2,000Åの酸窒化シリコン膜よりなる第２の
絶縁膜６を形成する。
最後にスパッタ法を使用して、アルミニュウム電極７を
形成して薄膜型ＥＬ素子を完成する。
形成して薄膜型ＥＬ素子を完成する。
以上の工程をもって製造された薄膜型ＥＬ素子は、その
ＥＬ膜の配向性・結晶性が良好であり、いわゆるデッド
レーヤが殆ど存在しない。このことは、Ｘ線回折法を使
用して測定したＸ線回折強度が従来技術の場合に比し約
３倍であることから明らかである。
ＥＬ膜の配向性・結晶性が良好であり、いわゆるデッド
レーヤが殆ど存在しない。このことは、Ｘ線回折法を使
用して測定したＸ線回折強度が従来技術の場合に比し約
３倍であることから明らかである。
また、発光効率は0.8〜1.5ルーメン／Ｗであり、従来技
術に比し約８倍に改善されている。輝度も同様に大幅に
改善されている。
術に比し約８倍に改善されている。輝度も同様に大幅に
改善されている。
ここで、特筆すべきことは、スパッタ法を使用してＥＬ
膜の形成が可能となった結果、ＥＬ膜の堆積速度の向上
（スパッタ法の堆積速度は蒸着法のそれより２倍以上で
ある。）に加えて、第１の絶縁膜とＥＬ膜と第２の絶縁
膜とを、真空を破ることなく、一工程をもって形成可能
となったことであり、その結果真空回復のための時間
（各回約２時間）が不要となり、製造時間が大幅に短縮
して生産性が向上したことである。また、特性の再現性
が極めて良好であり、精密制御の必要が少なく現実的利
益は極めて大きいことは上記第１の例の場合と同様であ
る。
膜の形成が可能となった結果、ＥＬ膜の堆積速度の向上
（スパッタ法の堆積速度は蒸着法のそれより２倍以上で
ある。）に加えて、第１の絶縁膜とＥＬ膜と第２の絶縁
膜とを、真空を破ることなく、一工程をもって形成可能
となったことであり、その結果真空回復のための時間
（各回約２時間）が不要となり、製造時間が大幅に短縮
して生産性が向上したことである。また、特性の再現性
が極めて良好であり、精密制御の必要が少なく現実的利
益は極めて大きいことは上記第１の例の場合と同様であ
る。
以上説明せるとおり、本発明の第１の手段に係る薄膜型
ＥＬ素子は、透光性基板と透光性電極との間に硫化亜鉛
の膜が設けられているので、第１の絶縁膜を介してこの
上に形成されるＥＬ膜の結晶状態が、介在する硫化亜鉛
膜の表面状態を反映して、その全領域において良好であ
り、いわゆるデッドレーヤが存在せず、Ｘ線回析強度が
大きく、発光効率が高く、輝度特性もすぐれており、し
かも、再現性もすぐれている。
ＥＬ素子は、透光性基板と透光性電極との間に硫化亜鉛
の膜が設けられているので、第１の絶縁膜を介してこの
上に形成されるＥＬ膜の結晶状態が、介在する硫化亜鉛
膜の表面状態を反映して、その全領域において良好であ
り、いわゆるデッドレーヤが存在せず、Ｘ線回析強度が
大きく、発光効率が高く、輝度特性もすぐれており、し
かも、再現性もすぐれている。
また、本発明の第２の手段に係る薄膜型ＥＬ素子の製造
方法は、透光性基板上に硫化亜鉛の膜を形成した後、従
来技術と同様の構造の薄膜型ＥＬ素子を形成することと
されているが、透光性基板と透光性電極との間に設けら
れる硫化亜鉛膜の効果により、第１の絶縁膜と第２の絶
縁膜との間に形成されるＥＬ膜をなす硫化亜鉛の膜の配
向性・結晶性は良好になるため、ＥＬ膜をなす硫化亜鉛
の膜の形成に蒸着法を使用するに及ばず（ＥＬ膜形成方
法に対する制約は解除され）、より生産性の高いスパッ
タ法を使用してＥＬ膜を形成することとされているの
で、上記第１の手段の効果に加えて、スパッタ法の本来
的利益である短い所要時間に加えて、特に、真空回復時
間が不要となり、製造時間が短縮され生産性が向上す
る。
方法は、透光性基板上に硫化亜鉛の膜を形成した後、従
来技術と同様の構造の薄膜型ＥＬ素子を形成することと
されているが、透光性基板と透光性電極との間に設けら
れる硫化亜鉛膜の効果により、第１の絶縁膜と第２の絶
縁膜との間に形成されるＥＬ膜をなす硫化亜鉛の膜の配
向性・結晶性は良好になるため、ＥＬ膜をなす硫化亜鉛
の膜の形成に蒸着法を使用するに及ばず（ＥＬ膜形成方
法に対する制約は解除され）、より生産性の高いスパッ
タ法を使用してＥＬ膜を形成することとされているの
で、上記第１の手段の効果に加えて、スパッタ法の本来
的利益である短い所要時間に加えて、特に、真空回復時
間が不要となり、製造時間が短縮され生産性が向上す
る。
第１図は、本発明の第１の手段に係る薄膜型ＥＬ素子の
断面図である。 第２図は、本発明の第２の手段に係る薄膜型ＥＬ素子の
断面図である。 第３図は、従来技術に係る薄膜型ＥＬ素子の断面図であ
る。 １……透光性基板（ガラス基板）、２……本発明の要旨
に係る硫化亜鉛膜、３……透光性電極（ＩＴＯ電極）、
４……第１の絶縁膜（酸窒化シリコン膜）、５……ＥＬ
膜、51……本発明の第１の実施例に係るＥＬ膜、52……
本発明の第１の実施例に係るＥＬ膜、６……第２の絶縁
膜（酸化窒化シリコン膜）、７……対向電極（アルミニ
ュウム電極）。
断面図である。 第２図は、本発明の第２の手段に係る薄膜型ＥＬ素子の
断面図である。 第３図は、従来技術に係る薄膜型ＥＬ素子の断面図であ
る。 １……透光性基板（ガラス基板）、２……本発明の要旨
に係る硫化亜鉛膜、３……透光性電極（ＩＴＯ電極）、
４……第１の絶縁膜（酸窒化シリコン膜）、５……ＥＬ
膜、51……本発明の第１の実施例に係るＥＬ膜、52……
本発明の第１の実施例に係るＥＬ膜、６……第２の絶縁
膜（酸化窒化シリコン膜）、７……対向電極（アルミニ
ュウム電極）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 精威 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−169095（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−108496（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−101378（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−91697（ＪＰ，Ａ) 特公 昭55−14517（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】透光性基板（１）上に、透光性電極（３）
が形成され、 該透光性電極（３）上に第１の絶縁膜（４）と第２の絶
縁膜（６）とに挟まれて、硫化亜鉛と希土類元素または
マンガンとの組成物よりなるＥＬ膜（５）が形成され、 前記第２の絶縁膜（６）上に対向電極（７）が形成され
てなる薄膜型ＥＬ素子において、 前記透光性基板（１）と前記透光性電極（３）との間
に、硫化亜鉛の膜（２）が介在してなることを特徴とす
る薄膜型ＥＬ素子。 - 【請求項２】透光性基板（１）上に、透光性電極（３）
を形成し、 該透光性電極（３）上に第１の絶縁膜（４）を形成し、 第１の絶縁膜（４）上に、硫化亜鉛と希土類元素または
マンガンとの組成物よりなるＥＬ膜（５）を形成し、 該ＥＬ膜（５）上に第２の絶縁膜（６）を形成し、 該第２の絶縁膜（６）上に対向電極（７）を形成する薄
膜型ＥＬ素子の製造方法において、 前記透光性基板（１）と前記透光性電極（３）との間
に、硫化亜鉛の膜（２）を形成し、 前記ＥＬ膜（５）をスパッタ法を使用して形成すること
を特徴とする薄膜型ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252267A JPH0646595B2 (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 薄膜型ｅｌ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252267A JPH0646595B2 (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 薄膜型ｅｌ素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113387A JPS62113387A (ja) | 1987-05-25 |
| JPH0646595B2 true JPH0646595B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=17234859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60252267A Expired - Lifetime JPH0646595B2 (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 薄膜型ｅｌ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646595B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5514517B2 (ja) | 2009-11-11 | 2014-06-04 | キリンビバレッジ株式会社 | ストロー |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP60252267A patent/JPH0646595B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5514517B2 (ja) | 2009-11-11 | 2014-06-04 | キリンビバレッジ株式会社 | ストロー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62113387A (ja) | 1987-05-25 |
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