JPH0463355A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH0463355A JPH0463355A JP2175560A JP17556090A JPH0463355A JP H0463355 A JPH0463355 A JP H0463355A JP 2175560 A JP2175560 A JP 2175560A JP 17556090 A JP17556090 A JP 17556090A JP H0463355 A JPH0463355 A JP H0463355A
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真用感光体の改良に関する。
近年、電子写真複写機に使用される感光体として、低価
格、生産性及び無公害等の利点を有する有機系の感光材
料を用いたものが普及しはしめている。
格、生産性及び無公害等の利点を有する有機系の感光材
料を用いたものが普及しはしめている。
有機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール
(PVX)に代表される光導電性樹脂、PVK−TNF
(2,4,7−トリニトロフルオレノン)に代表される
電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表さ
れる顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合
せて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特
に機能分離型の感光体が注目されている。
(PVX)に代表される光導電性樹脂、PVK−TNF
(2,4,7−トリニトロフルオレノン)に代表される
電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表さ
れる顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合
せて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特
に機能分離型の感光体が注目されている。
この様な機能分離型の高感度感光体を、カールソンプロ
セスに適用した場合、帯電性が低く、電荷保持特性が悪
い(暗減衰が大きい)上、縁返し使用による、これら特
性の劣化が大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また
反転現像の場合、地汚れを生じるという欠点を有してい
る。
セスに適用した場合、帯電性が低く、電荷保持特性が悪
い(暗減衰が大きい)上、縁返し使用による、これら特
性の劣化が大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また
反転現像の場合、地汚れを生じるという欠点を有してい
る。
また一般に、高感度感光体は、前露光疲労によって帯電
性が低下する。この前露光疲労は主に電荷生材料が吸収
する光によって起こることから、光吸収によって発生し
た電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時間
が長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労によ
る帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光吸
収によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作
をしても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が中
和される為、残留電荷が消費されるまで表面電位は上昇
しない、従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が遅
れることになり、見かけ上の帯電位は低くなる。
性が低下する。この前露光疲労は主に電荷生材料が吸収
する光によって起こることから、光吸収によって発生し
た電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時間
が長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労によ
る帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光吸
収によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作
をしても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が中
和される為、残留電荷が消費されるまで表面電位は上昇
しない、従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が遅
れることになり、見かけ上の帯電位は低くなる。
上述の欠点に対して、例えば、特開昭47−6341.
48−3544および48−12034号には硝酸セル
ロース系樹脂中間層が、特開昭48−47344.52
−25638.58−30757.58−63945.
58−95351.58−98739および60−66
258号にはナイロン系樹脂中間層が、特開昭49−6
9332および52−10138号にはマレイン酸系樹
脂中間層が、そして特開昭58−105155号にはポ
リビニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示されてい
る。また、中間層の電気抵抗を制御すべく種々の導電性
添加物を樹脂中に含有させた中間層が提案されている。
48−3544および48−12034号には硝酸セル
ロース系樹脂中間層が、特開昭48−47344.52
−25638.58−30757.58−63945.
58−95351.58−98739および60−66
258号にはナイロン系樹脂中間層が、特開昭49−6
9332および52−10138号にはマレイン酸系樹
脂中間層が、そして特開昭58−105155号にはポ
リビニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示されてい
る。また、中間層の電気抵抗を制御すべく種々の導電性
添加物を樹脂中に含有させた中間層が提案されている。
例えば、特開昭51−65942号にはカーボンまたは
カルコゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層が、特
開昭52−82238号には四級アンモニウム塩を添加
してインシアネート系硬化剤を用いた熱重合体中間層が
、特開昭55−1180451号には抵抗調節剤を添加
した樹脂中間層が、特開昭58−58556号にはアル
ミニウムまたはスズの酸化物を分散した樹脂中間層が、
特開昭58−93062号には有機金属化合物を添加し
た樹脂中間層が、特開昭58−93063.60−97
363および60−111255号には導電性粒子を分
散した樹脂中間層が、さらに特開昭59−84257.
59−93453および60−32054号にはT10
□とSnO□粉体とを分散した樹脂中間層が開示されて
いる。
カルコゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層が、特
開昭52−82238号には四級アンモニウム塩を添加
してインシアネート系硬化剤を用いた熱重合体中間層が
、特開昭55−1180451号には抵抗調節剤を添加
した樹脂中間層が、特開昭58−58556号にはアル
ミニウムまたはスズの酸化物を分散した樹脂中間層が、
特開昭58−93062号には有機金属化合物を添加し
た樹脂中間層が、特開昭58−93063.60−97
363および60−111255号には導電性粒子を分
散した樹脂中間層が、さらに特開昭59−84257.
59−93453および60−32054号にはT10
□とSnO□粉体とを分散した樹脂中間層が開示されて
いる。
しかしながら、繰り返し使用による帯電性の低下、とり
わけ帯電4位の立上りの遅れに関しては未だに不充分で
あり、より一暦の改善が望まれていた。
わけ帯電4位の立上りの遅れに関しては未だに不充分で
あり、より一暦の改善が望まれていた。
また、特開昭54−8528号公報には、電子供与性物
質および/又は電子受容性物質で被服した電荷発生物質
を樹脂中に分散した層を有する感光体が、特開昭54−
34240号公報、特開昭63−281167号公報に
は、電荷発生層中に電荷輸送材を含有させた積層型感光
体が開示されているが、これらはいずれも上記諸要求を
満足するものではなかった。
質および/又は電子受容性物質で被服した電荷発生物質
を樹脂中に分散した層を有する感光体が、特開昭54−
34240号公報、特開昭63−281167号公報に
は、電荷発生層中に電荷輸送材を含有させた積層型感光
体が開示されているが、これらはいずれも上記諸要求を
満足するものではなかった。
本発明は、高感度であるとともに前露光疲労による帯電
性の低下が著しくノJ)さく、しかも帯電と露光の繰り
返し後においても帯電電位の立上りの遅れのない電子写
真用感光体を提供することを目的とする。
性の低下が著しくノJ)さく、しかも帯電と露光の繰り
返し後においても帯電電位の立上りの遅れのない電子写
真用感光体を提供することを目的とする。
本発明によれば、導電性支持体上に少なくとも電荷発生
層と電荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光体にお
いて、該電荷発生層中に下記一般式口)で示される化合
物を含有してなることを特徴とする電子写真感光体が提
供される。
層と電荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光体にお
いて、該電荷発生層中に下記一般式口)で示される化合
物を含有してなることを特徴とする電子写真感光体が提
供される。
〔上式中、AはN−置換力ルバゾリル基またははM素環
基であり、R1及びR2は置換もしくは無置換のアルキ
ル基、または置換もしくは無置換のアリール基である)
、Rは、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子のい
ずれかであり、nはO〜4の整数であり、n≧2ではR
は同種でも異種でもよい。〕 上述したように、高感度の積層型有機電子写真感光体は
、くり返し使用によって、帯電の立上りの遅れを生じ、
その結果、!電性の低下をまねくが、本発明者らは、積
層型有機電子写真感光体の電荷発生層に一般的(1)で
示される化合物を含有させることによって、くり返し使
用後の帯電4位の立上りの遅れのない電子写真感光体が
得られることを見い出し、本発明を完成するに到った。
基であり、R1及びR2は置換もしくは無置換のアルキ
ル基、または置換もしくは無置換のアリール基である)
、Rは、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子のい
ずれかであり、nはO〜4の整数であり、n≧2ではR
は同種でも異種でもよい。〕 上述したように、高感度の積層型有機電子写真感光体は
、くり返し使用によって、帯電の立上りの遅れを生じ、
その結果、!電性の低下をまねくが、本発明者らは、積
層型有機電子写真感光体の電荷発生層に一般的(1)で
示される化合物を含有させることによって、くり返し使
用後の帯電4位の立上りの遅れのない電子写真感光体が
得られることを見い出し、本発明を完成するに到った。
以下、図面に沿って、本発明を説明する。
第1図は、本発明の電子写真感光体の構成例を示す断面
図であり、導電性支持体11上に電荷発生層151次い
で電荷輸送層17を設けた構成をとっている。
図であり、導電性支持体11上に電荷発生層151次い
で電荷輸送層17を設けた構成をとっている。
第2図は、本発明の別の構成例を示す断面図であり、導
電性支持体11と電荷発生層15の間に下引層13を設
けたものである。
電性支持体11と電荷発生層15の間に下引層13を設
けたものである。
第3図と第4図は、更に別の構成例を示す断面図であり
、第3図は電荷輸送層17の上に保護層19を設けたも
のであり、第4図は下引層と保護層を同時に設けたもの
である。
、第3図は電荷輸送層17の上に保護層19を設けたも
のであり、第4図は下引層と保護層を同時に設けたもの
である。
導電性支持体11としては、体積抵抗1010Ω(1)
以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッ
ケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属
、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着
又はスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状
のプラスチック、紙等に被覆したもの、あるいは、アル
ミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等
の板およびそれらをり、1..1.1.、押出し、引抜
き等の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面
処理した管等を使用することができる。
以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッ
ケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属
、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着
又はスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状
のプラスチック、紙等に被覆したもの、あるいは、アル
ミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等
の板およびそれらをり、1..1.1.、押出し、引抜
き等の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面
処理した管等を使用することができる。
次に、電荷発生層15について説明する。
電荷発生層15は、電荷発生物質と一般式(1)で示さ
れる化合物を主成分とする層で、必要に応じてバインダ
ー樹脂を用いることもある。
れる化合物を主成分とする層で、必要に応じてバインダ
ー樹脂を用いることもある。
バインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどが用いられる。
ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどが用いられる。
一般式(I)で示される化合物としては次の表−1に示
す化学構造式のものが好ましく用いられる。
す化学構造式のものが好ましく用いられる。
a)は無置換であることを示す。
表−1
電荷発生物質としては、
公知の材料を用いるこ
とができるが、
とりわけ以下に示すジスアゾある
いはトリスアゾ顔料が好適に用いられる。
(ただしcpはカップラー残基、
以下同様)
(ただしRは、
水素原子、
置換又は非置換の
アルキル基を表わす。
(ただしRは、
水素原子、
アルキル基、
)X 口
ゲン原子を表わす。
CP−PFN−◎−G−O’N=〜今
(ただしAは、
−Mト、
一缶、
−S−を表わす。
(ただしnは、
1−5の間の整数を表わす。
叶ぼりαN=N−Cp
これらのカップラー残基Cpとしては、たとえばフェノ
ール類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるい
はアミノ基とフェノール性水酸基を有するアミノナフト
ール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を
有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)などが
用いられ、好ましくは下記一般式(1)−(11)で表
わされるものである。
ール類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるい
はアミノ基とフェノール性水酸基を有するアミノナフト
ール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を
有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)などが
用いられ、好ましくは下記一般式(1)−(11)で表
わされるものである。
X : −OH,−N または −律鴎−R3(R
1およびR2は水素または置換もしくは無置換のアルキ
ル基を表わし、R3は置換もしくは無置換のアルキル基
または置換もしくは無置換のアリール基を表わす。) Yl:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ基
、スルホン基、置換もしくは無置換のスルファモイル基
または −CON−Y2R1 (R4は水素、アルキル基またその置換体、フェニル基
またはその置換体を表わし、Y2は炭化水素環基または
その置換体、複素環基また〔上記式(1)、 (2)
、 (3)および(4)中、X、Y、、Z、mおよびn
はそれぞれ以下のものを表わす。
1およびR2は水素または置換もしくは無置換のアルキ
ル基を表わし、R3は置換もしくは無置換のアルキル基
または置換もしくは無置換のアリール基を表わす。) Yl:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ基
、スルホン基、置換もしくは無置換のスルファモイル基
または −CON−Y2R1 (R4は水素、アルキル基またその置換体、フェニル基
またはその置換体を表わし、Y2は炭化水素環基または
その置換体、複素環基また〔上記式(1)、 (2)
、 (3)および(4)中、X、Y、、Z、mおよびn
はそれぞれ以下のものを表わす。
R5は炭化水素環基またはその置換体、複素環基または
その置換体あるいはスチリル基またはその置換体、R5
は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換体を表
わすか、あるいはR9及びR6はそれらに結合する炭素
原子と共に環を形成してもよい。)を示す。) 2:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 n:1または2の整数 l11=1または2の整数〕 R1・ Ar。
その置換体あるいはスチリル基またはその置換体、R5
は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換体を表
わすか、あるいはR9及びR6はそれらに結合する炭素
原子と共に環を形成してもよい。)を示す。) 2:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 n:1または2の整数 l11=1または2の整数〕 R1・ Ar。
〔式中、R8はアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シ基またはそのエステルを表わし、Ar1は炭化水素環
基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じである。
シ基またはそのエステルを表わし、Ar1は炭化水素環
基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じである。
〕
〔式(5)中、R7は置換もしくは無置換の炭化水素基
を表わし、Xは前記と同じである。〕〔式(6)中、A
は芳香族炭化水素の2価基または窒素原子を環内に含む
複素環の2価基を表わす。
を表わし、Xは前記と同じである。〕〔式(6)中、A
は芳香族炭化水素の2価基または窒素原子を環内に含む
複素環の2価基を表わす。
(これらの環は置換または無置換でもよい)。Xは前記
と同じ。〕 〔上記式(8)および(9)中、Rgは水素または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar2は炭化水
素環基またはその置換体釦表わす。〕前記一般式(1)
、 (2) 、 (3)または(4)のZの炭化水素環
としてはベンゼン環、ナフタレン環などが例示でき、ま
た複素環(i!換を持っていてもよい)としてはインド
ール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベンゾフラ
ン環などが例示できる。2の環における置換基としては
塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。
と同じ。〕 〔上記式(8)および(9)中、Rgは水素または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar2は炭化水
素環基またはその置換体釦表わす。〕前記一般式(1)
、 (2) 、 (3)または(4)のZの炭化水素環
としてはベンゼン環、ナフタレン環などが例示でき、ま
た複素環(i!換を持っていてもよい)としてはインド
ール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベンゾフラ
ン環などが例示できる。2の環における置換基としては
塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示できる。
Y2またはR5における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基、チエニル基、フリ
ル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、R5
およびR6が結合して形成する環としては、フルオレン
環などが例示できる。
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基、チエニル基、フリ
ル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、R5
およびR6が結合して形成する環としては、フルオレン
環などが例示できる。
Y2またはR5の炭化水素環基または複素環基あるいは
R6およびR5によって形成される環における置換基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチル
基などのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキ
シル基またはそのエステル、水酸基、−5O3Naなど
のスルホン酸塩基などが挙げられる。
R6およびR5によって形成される環における置換基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチル
基などのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキ
シル基またはそのエステル、水酸基、−5O3Naなど
のスルホン酸塩基などが挙げられる。
R4のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。
原子などのハロゲン原子が例示できる。
R7またはR9における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、フェニル基などのアリール基またはこれらの置
換体が例示できる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、フェニル基などのアリール基またはこれらの置
換体が例示できる。
R7またはR3の炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
Ar1またはAr2における炭化水素環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。
また、Xの中では特に水酸基が適当である。
上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式(
2) 、 (5) 、 (6) 、 (7) 、 C8
)および(9)で示されるものであり、この中でも一般
式におけるXが水酸基のものが好ましい。また、この中
でも一般式%式% (YlおよびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z、Y2およびR2は前記に同じ。)で表わされるカ
ップラー残基である。
2) 、 (5) 、 (6) 、 (7) 、 C8
)および(9)で示されるものであり、この中でも一般
式におけるXが水酸基のものが好ましい。また、この中
でも一般式%式% (YlおよびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z、Y2およびR2は前記に同じ。)で表わされるカ
ップラー残基である。
さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも一般
式(12)または(13) 2゛・z″ s (Z、R2,R5およびRGは前記に同じであり、また
R工。とじては上記のY2の置換基が例示できる。)で
表わされる。
式(12)または(13) 2゛・z″ s (Z、R2,R5およびRGは前記に同じであり、また
R工。とじては上記のY2の置換基が例示できる。)で
表わされる。
以上に示した一般式(1)で示される化合物および電荷
発生物質は各々単独であるいは2種以上併用して用いら
れる。
発生物質は各々単独であるいは2種以上併用して用いら
れる。
前記一般式(1)で示される化合物は電荷発生物質1重
量部に対して0.01重量部以上用いるのが適当であり
、好ましくは0.05重量部以上、更に好ましくは0.
1重量部以上である。
量部に対して0.01重量部以上用いるのが適当であり
、好ましくは0.05重量部以上、更に好ましくは0.
1重量部以上である。
バインダー樹脂は使用しなくてもかまわないが、使用し
た方が、本発明の効果を更に高めることができる。その
際のバインダー樹脂の使用量は電荷発生物質1重量部に
対して0.02〜3重量部が好ましく、更に好ましくは
0.2〜2重量部である。
た方が、本発明の効果を更に高めることができる。その
際のバインダー樹脂の使用量は電荷発生物質1重量部に
対して0.02〜3重量部が好ましく、更に好ましくは
0.2〜2重量部である。
電荷発生層は、一般式(I)式で示される化合物と電荷
発生物質を必要ならばバインダー樹脂とともに、テトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ルエタン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、
サンドミルなどにより分散し、分散液を適度に希釈して
塗布することにより形成できる。塗布は、浸漬塗工法や
スプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうこ
とができる。
発生物質を必要ならばバインダー樹脂とともに、テトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロ
ルエタン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、
サンドミルなどにより分散し、分散液を適度に希釈して
塗布することにより形成できる。塗布は、浸漬塗工法や
スプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうこ
とができる。
電荷発生層の膜厚は、0.01〜5声程度であり、好ま
しくは0.1〜2厚である。
しくは0.1〜2厚である。
電荷輸送層17は、電荷輸送物質およびバインダー樹脂
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥す
ることにより形成できる。
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥す
ることにより形成できる。
電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。
る。
電子輸送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7− トリニトロ−9−フルオレノ
ン、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン
、2,4,5.7−チトラニトロキサントン、2,4゜
8−トリニドロチオキサントン、2,6.8−トリニト
ロ−4)1〜インデノrl 、 2−b〕チオフェン−
4−オン、1,3.7トリニトロジベンゾチオフエノン
ー5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げら
れる。
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7− トリニトロ−9−フルオレノ
ン、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン
、2,4,5.7−チトラニトロキサントン、2,4゜
8−トリニドロチオキサントン、2,6.8−トリニト
ロ−4)1〜インデノrl 、 2−b〕チオフェン−
4−オン、1,3.7トリニトロジベンゾチオフエノン
ー5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げら
れる。
正孔輸送物質としては、以下の一般式で表わされる電子
供与性物質等が挙げられ、良好に用いられる。
供与性物質等が挙げられ、良好に用いられる。
(式中、R1,R2,R,およびR4は水素原子、置換
もしくは無置換のアリール基を表わし、Ar工は置換又
は無置換のアリール基を表わし、Ar1とR1は共用で
環を形成してもよく、またnはO又は1の整数である。
もしくは無置換のアリール基を表わし、Ar工は置換又
は無置換のアリール基を表わし、Ar1とR1は共用で
環を形成してもよく、またnはO又は1の整数である。
)
(但し、R工は低級アルキル基、低級アルコキシ基又は
ハロゲン原子を表わし、nはO〜4の整数を表わし、R
2,R,は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表
わす。) (式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
非置換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R2
,R,はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、01〜C4のヒドロキシアルキル
基、01〜C4のクロルアルキル基、あるいは置換又は
非置換のアラルキル基を表わし、またR2とR3は共同
で窒素を含む複素環を形成してもよく、R4,R,はそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子に表わす
。) (式中、R1は水素原子又はハロゲン原子を表わし、R
2は置換または非置換の芳香族残基あるいは複素環残基
(但し前記置換基はハロゲン、シアノ、ジ低級アルキル
アミノ、置換又は非置換のジアラルキルアミノ基、低級
アルキル基、低級アルコキシ基及びニトロ基よりなる群
から選ばれる。)を表わす。) バ2 (式中、R,、R,aは水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表
わし、R2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基、ハロゲン原子あるいはニトロ基を表わし、nはO
又は1を表わす。)く、水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、またはハ
ロゲン原子を表わす。) (式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル基
、インドリル基又はフリル基、あるいはそれぞれ置換ま
たは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基又は
アントリル基(但し前記置換基はジ低級アルキルアミノ
基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子
、アラルキルアミノ基又は、アミノ基からなる群から選
ばれる)を表わす。) (式中、R□は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低
級アルキル基を表わし、 Arは(ただし、 R2,R
,、R,は水素原子、置換又は無置換の低級アルキル基
あるいは置換又は無置換のベンジル基を表わし、R,、
R,は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基あるい
は低級アルコキシ基又はジ低級アルキルアミノ基を表わ
す。)(式中、R工?R2tR3は同一でも異なってい
てもよ(式中、J −R2、Ra 、R4、R&は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、置換又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベ
ンジルアミノ基を表わし、Rsは低級アルキル基又はベ
ンジル基を表わす。) (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環、スチリ
ル基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、Rは低級アルキル基又はベ
ンジル基を表わす。)k、 (式中、R工は低級アルキル基、2〜とドロキシエチル
基又は2−クロロエチル基を表わし、R2は低級アルキ
ル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R3は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ジ低級アルキルアミノ基又はニトロ基を表わす。) (式中、Rユは水素原子、低級アルキル基、クロルエチ
ル基又はヒドロキシエチル基を表わし、R2は水素原子
又はハロゲン原子を表わし、R3は低級アルキル基、ジ
低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換又は
無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳香環残基(芳
香環又はベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等
)、置換又は無置換の複素環残基(複素環はピリジン環
、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表わす。) (式中、R1は低級アルキル基を表わし、R2は低級ア
ルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳
香環残基(芳香環はベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環等)、置換又は無置換の複素環残基(複素環は
ピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表
わす。) (式中、R1,R2は同一でも異なっていてもよく、水
素原子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、
クロル低級アルキル基、アルキルの炭素数1〜2のアシ
ル基、アルキルの炭素数5〜6のシクロアルキル基、あ
るいは置換又は非置換のアラルキル基を表わす。) (式中、R”、R’及びR4は水素原子、アミノ基、ア
ルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メ
チレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、
ハロゲン原子又は置換もしくは無置換のアリール基を、
R2は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換の
アルキル基又はハロゲンを表わす。但し、R” 、R2
,R”およびR4がすべて水素原子である場合は除く。
ハロゲン原子を表わし、nはO〜4の整数を表わし、R
2,R,は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表
わす。) (式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
非置換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R2
,R,はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、01〜C4のヒドロキシアルキル
基、01〜C4のクロルアルキル基、あるいは置換又は
非置換のアラルキル基を表わし、またR2とR3は共同
で窒素を含む複素環を形成してもよく、R4,R,はそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子に表わす
。) (式中、R1は水素原子又はハロゲン原子を表わし、R
2は置換または非置換の芳香族残基あるいは複素環残基
(但し前記置換基はハロゲン、シアノ、ジ低級アルキル
アミノ、置換又は非置換のジアラルキルアミノ基、低級
アルキル基、低級アルコキシ基及びニトロ基よりなる群
から選ばれる。)を表わす。) バ2 (式中、R,、R,aは水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表
わし、R2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基、ハロゲン原子あるいはニトロ基を表わし、nはO
又は1を表わす。)く、水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、またはハ
ロゲン原子を表わす。) (式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル基
、インドリル基又はフリル基、あるいはそれぞれ置換ま
たは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基又は
アントリル基(但し前記置換基はジ低級アルキルアミノ
基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子
、アラルキルアミノ基又は、アミノ基からなる群から選
ばれる)を表わす。) (式中、R□は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低
級アルキル基を表わし、 Arは(ただし、 R2,R
,、R,は水素原子、置換又は無置換の低級アルキル基
あるいは置換又は無置換のベンジル基を表わし、R,、
R,は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基あるい
は低級アルコキシ基又はジ低級アルキルアミノ基を表わ
す。)(式中、R工?R2tR3は同一でも異なってい
てもよ(式中、J −R2、Ra 、R4、R&は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、置換又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベ
ンジルアミノ基を表わし、Rsは低級アルキル基又はベ
ンジル基を表わす。) (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環、スチリ
ル基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、Rは低級アルキル基又はベ
ンジル基を表わす。)k、 (式中、R工は低級アルキル基、2〜とドロキシエチル
基又は2−クロロエチル基を表わし、R2は低級アルキ
ル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R3は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ジ低級アルキルアミノ基又はニトロ基を表わす。) (式中、Rユは水素原子、低級アルキル基、クロルエチ
ル基又はヒドロキシエチル基を表わし、R2は水素原子
又はハロゲン原子を表わし、R3は低級アルキル基、ジ
低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換又は
無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳香環残基(芳
香環又はベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等
)、置換又は無置換の複素環残基(複素環はピリジン環
、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表わす。) (式中、R1は低級アルキル基を表わし、R2は低級ア
ルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳
香環残基(芳香環はベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環等)、置換又は無置換の複素環残基(複素環は
ピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表
わす。) (式中、R1,R2は同一でも異なっていてもよく、水
素原子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、
クロル低級アルキル基、アルキルの炭素数1〜2のアシ
ル基、アルキルの炭素数5〜6のシクロアルキル基、あ
るいは置換又は非置換のアラルキル基を表わす。) (式中、R”、R’及びR4は水素原子、アミノ基、ア
ルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メ
チレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、
ハロゲン原子又は置換もしくは無置換のアリール基を、
R2は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換の
アルキル基又はハロゲンを表わす。但し、R” 、R2
,R”およびR4がすべて水素原子である場合は除く。
またに、Q。
閣及びnは1,2.3又は4の整数であり、各々が2,
3又は4の整数の時は前記R1,R2,R3およびR4
は同一でも異なっていてもよい。
3又は4の整数の時は前記R1,R2,R3およびR4
は同一でも異なっていてもよい。
A−CH,CH2−Ar1−C)I2CH,−A(式中
、Ar1は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基また
は複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換のN−置
換力ルバゾリル基または−Ar2−N (ただし、A
r2は置換もしくは無置換ゝR・ の芳香族炭化水素基または複素環基であり、R1及びR
2は置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もし
くは無置換のアリール基である。)を表わす。) これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して用
いられる。
、Ar1は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基また
は複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換のN−置
換力ルバゾリル基または−Ar2−N (ただし、A
r2は置換もしくは無置換ゝR・ の芳香族炭化水素基または複素環基であり、R1及びR
2は置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もし
くは無置換のアリール基である。)を表わす。) これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して用
いられる。
バインダー樹脂としてはポリスチレン、スチレン−アク
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリアリレート樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール
、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェ
ノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化
性樹脂が挙げられる。
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリアリレート樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール
、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェ
ノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化
性樹脂が挙げられる。
溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トル
エン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチ
レンなどが用いられる。
エン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチ
レンなどが用いられる。
電荷輸送層17の厚さは5〜100声程度が適当である
。また、本発明において電荷輸送層17中に可塑剤やレ
ベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチ
ルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の
可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、
その使用量は、バインダー樹脂に対してO〜30重量%
程度が適当である。
。また、本発明において電荷輸送層17中に可塑剤やレ
ベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチ
ルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の
可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、
その使用量は、バインダー樹脂に対してO〜30重量%
程度が適当である。
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メ
チルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル
類が使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して、
0〜1重量x程度が適当である。
チルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル
類が使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して、
0〜1重量x程度が適当である。
支持体11と電荷発生層15との間に設けられる下引層
13は本発明の効果をいっそう向上すると共に、接着性
を向上する目的で設けられ、その材料としては5iO1
AQ20.、シランカップリング剤、チタンカップリン
グ剤、クロムカップリング剤等の無機材料やポリアミド
樹脂、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルブチラール、PVA等の接
着性の良いバインダー樹脂などが使用される。その他、
前記接着性の良い樹脂にZnO、TiO□、 ZnS等
を分散したものも使用できる。下引層の形成法としては
無機材料単独の場合はスパッタリング、蒸着等の方法が
、また有機材料を用いた場合は通常の塗布法が採用され
る。
13は本発明の効果をいっそう向上すると共に、接着性
を向上する目的で設けられ、その材料としては5iO1
AQ20.、シランカップリング剤、チタンカップリン
グ剤、クロムカップリング剤等の無機材料やポリアミド
樹脂、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルブチラール、PVA等の接
着性の良いバインダー樹脂などが使用される。その他、
前記接着性の良い樹脂にZnO、TiO□、 ZnS等
を分散したものも使用できる。下引層の形成法としては
無機材料単独の場合はスパッタリング、蒸着等の方法が
、また有機材料を用いた場合は通常の塗布法が採用され
る。
なお下引層の厚さは5声以下が適当である。
保護層19は感光体の表面保護の目的で設けられ、これ
に使用される材料としてABS樹脂、AC5樹脂、オレ
フィンルビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル
、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリ
アミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリア
リルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレ
ート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、
ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン
、 AS樹脂、ブタジェン−スチレン共重合体、ポリウ
レタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニデン、エポキシ
樹脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗
性を向上する目的でポリテトラフルオロエチレンのよう
な弗素樹脂、シリコーン樹脂、及びこれら樹脂に酸化チ
タン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散し
たもの等を添加することができる。保護層の形成法とし
ては通常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは0
.5〜10癖程度が適当である。
に使用される材料としてABS樹脂、AC5樹脂、オレ
フィンルビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル
、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリ
アミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリア
リルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレ
ート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、
ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン
、 AS樹脂、ブタジェン−スチレン共重合体、ポリウ
レタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニデン、エポキシ
樹脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗
性を向上する目的でポリテトラフルオロエチレンのよう
な弗素樹脂、シリコーン樹脂、及びこれら樹脂に酸化チ
タン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散し
たもの等を添加することができる。保護層の形成法とし
ては通常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは0
.5〜10癖程度が適当である。
更に本発明では電荷輸送/1i17と保護層19との間
に別の中間層(図示せず)を設けることも可能である。
に別の中間層(図示せず)を設けることも可能である。
次に、実施例によって、本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
なお、実施例中使用する部は、すべて重量部を表わす。
実施例1
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレート・
フィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送
層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0.2声厚の電荷
発生層および22〆厚の電荷輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
フィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送
層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0.2声厚の電荷
発生層および22〆厚の電荷輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 5部下記構造
式の一般式(1)の化合物 1部 塗工液、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順
次、塗布・乾燥して各々0.3μsの下引層、0.2声
の電荷発生層および20.の電荷輸送層を形成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。
式の一般式(1)の化合物 1部 塗工液、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順
次、塗布・乾燥して各々0.3μsの下引層、0.2声
の電荷発生層および20.の電荷輸送層を形成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。
シクロヘキサノン
2−ブタノン
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
200部
100部
8部
水
150部メタノール 2
00部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 5部ポリカー
ボネート (帝人化成■製パンライトL−1250) 10
部テトラヒドロフラン 70部実施
例2 実施例1と同じ支持体上に、下記組成の下引層しI′+
3 下記構造式の一般式CI)の化合物 3部 シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 250部 100部 9部 し馬 ポリカーボネート (帝人化成■製パンライトに−1300) 1
0部テトラヒドラフラン 80部実
施例3 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次・塗布・乾燥して、
各々2趣の下引層、0.3μsの電荷発生層および18
声の電荷輸送層に形成し、本発明の電子写真感光体を作
成した。
150部メタノール 2
00部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 5部ポリカー
ボネート (帝人化成■製パンライトL−1250) 10
部テトラヒドロフラン 70部実施
例2 実施例1と同じ支持体上に、下記組成の下引層しI′+
3 下記構造式の一般式CI)の化合物 3部 シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 250部 100部 9部 し馬 ポリカーボネート (帝人化成■製パンライトに−1300) 1
0部テトラヒドラフラン 80部実
施例3 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次・塗布・乾燥して、
各々2趣の下引層、0.3μsの電荷発生層および18
声の電荷輸送層に形成し、本発明の電子写真感光体を作
成した。
二酸化チタン 10部ポリエ
ステル (東洋紡績■製バイロン200) トルイレン−2,4−ジイソシアネート2−ブタノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1部 0.2部 100部 70部 5部 下記構造式の一般式(1)の化合物 3部 ポリビニルブチラール (UCC製XYHL) シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.5部 200部 200部 7部 テトラヒドロフラン 80部実施例
4 厚さ0.2mのアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥
して各々2.5−の電荷発生層および17声の電荷輸送
層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
ステル (東洋紡績■製バイロン200) トルイレン−2,4−ジイソシアネート2−ブタノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1部 0.2部 100部 70部 5部 下記構造式の一般式(1)の化合物 3部 ポリビニルブチラール (UCC製XYHL) シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.5部 200部 200部 7部 テトラヒドロフラン 80部実施例
4 厚さ0.2mのアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥
して各々2.5−の電荷発生層および17声の電荷輸送
層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 5部下記構造
式の一般式(I)の化合物 0.5部テトラヒドロ
フラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 150部 10部 塩化メチレン 90部実施
例5 厚さ0.1wmの電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引
層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および
保護層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0.3癖の下
引層、0.2虐の電荷発生層、18虐の電荷輸送層およ
び3μsの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
式の一般式(I)の化合物 0.5部テトラヒドロ
フラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 150部 10部 塩化メチレン 90部実施
例5 厚さ0.1wmの電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引
層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および
保護層塗工液を順次、塗布・乾燥して各々0.3癖の下
引層、0.2虐の電荷発生層、18虐の電荷輸送層およ
び3μsの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
ポリビニルアルコール
(電気化学工業■製デンカポバールH−20) 2部
水 メタノール 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 100部 100部 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 80部 3部 下記構造式の一般式(1)の化合物 6月− シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1部 200部 100部 酸化錫 80部トルエ
ン 170部2−ブタ
ノール 100部実施例6 実施例4と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
・乾燥して各々2;の下引層、0.4声の電荷発生層お
よび22厚の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感
光体を作成した。
水 メタノール 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 100部 100部 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 80部 3部 下記構造式の一般式(1)の化合物 6月− シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1部 200部 100部 酸化錫 80部トルエ
ン 170部2−ブタ
ノール 100部実施例6 実施例4と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
・乾燥して各々2;の下引層、0.4声の電荷発生層お
よび22厚の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感
光体を作成した。
二酸化チタン 8部9部
2−ブタノン
60部
酢酸エチル
〔電荷発生層塗工液〕
下記構造式の電荷発生物質
下記構造式の一般式(I)の化合物
トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 40部 4部 4部 塩化メチレン 50部1.2
−ジクロロエタン 25部実施例
7 φ60のAQ円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生層
塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順次
、塗布・乾燥して、各々0.2碑の電荷発生層、20部
mの電荷輸送層、および5癖の保護層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
ラン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 40部 4部 4部 塩化メチレン 50部1.2
−ジクロロエタン 25部実施例
7 φ60のAQ円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生層
塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順次
、塗布・乾燥して、各々0.2碑の電荷発生層、20部
mの電荷輸送層、および5癖の保護層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 3部0.01
部 400部 200部 下記構造式の一般式(1)の化合物 4部10部 シクロヘキサノン 130部 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 70部 9部 し、本発明の電子写真感光体を作成した。
部 400部 200部 下記構造式の一般式(1)の化合物 4部10部 シクロヘキサノン 130部 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 70部 9部 し、本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷輸送物質
5部
塩化メチレン
〔保護層塗工液〕
70部
下記構造式の一般式(1)の化合物
0.5部
導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタ
ノール 60部実施例8 φ80のAQの円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液および保護層塗工液を順次
、塗布・乾燥して、各々0.2牌の電荷発生層、〕9厚
の電荷輸送層及び5趣の保護層を形成トルイレン−2,
4−ジイソシアネートシクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.1部 150部 150部 8部 テトラヒドロフラン 200部比較
例1〜6 以上の様に作成した実施例1−6の感光体において、各
々の電荷発生層に一般式(1)の化合物を含有させない
他はすべて実施例1〜6と同様にして感光体を形成し、
比較例1〜6の感光体とした。
ン 220部n−ブタ
ノール 60部実施例8 φ80のAQの円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液および保護層塗工液を順次
、塗布・乾燥して、各々0.2牌の電荷発生層、〕9厚
の電荷輸送層及び5趣の保護層を形成トルイレン−2,
4−ジイソシアネートシクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.1部 150部 150部 8部 テトラヒドロフラン 200部比較
例1〜6 以上の様に作成した実施例1−6の感光体において、各
々の電荷発生層に一般式(1)の化合物を含有させない
他はすべて実施例1〜6と同様にして感光体を形成し、
比較例1〜6の感光体とした。
以上の各感光体の特性を、静電複写紙試験装置(川口電
機製作新製5P−428型)を用いて次のように評価し
た。
機製作新製5P−428型)を用いて次のように評価し
た。
まず、−5,8KVの放電々圧にて、コロナ帯電を20
秒間行ない、次いで20秒間暗減衰させ、その後6Qu
xのタングステン光を照射した。
秒間行ない、次いで20秒間暗減衰させ、その後6Qu
xのタングステン光を照射した。
この時の帯電開始後1秒と20秒後の表面電位〜11(
V)、V2O(v)および暗減衰20秒後の表面電位ν
40(V)を測定し、また、v4゜を半分の電位に光減
衰させるのに必要な露光量E工/2(Qux−see)
を測定した。
V)、V2O(v)および暗減衰20秒後の表面電位ν
40(V)を測定し、また、v4゜を半分の電位に光減
衰させるのに必要な露光量E工/2(Qux−see)
を測定した。
なお、暗減衰(D、D)は1次式で定義される。
D、D=■4o/■2゜
更に、上記条件の帯電と露光を同時に30分間行なって
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−1に示す。
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−1に示す。
比較例7〜8
以上の様に作成した実施例7〜8の感光体において、各
々の電荷発生層に一般式(1)の化合物を含有させない
他はすべて実施例7〜8と同様にして感光体を形成し、
比較例7−8の感光体とした。
々の電荷発生層に一般式(1)の化合物を含有させない
他はすべて実施例7〜8と同様にして感光体を形成し、
比較例7−8の感光体とした。
以上の様に形成された円筒状電子写真感光体は、特開昭
60−100167号公報に開示されている測定装置を
用いて以下の様に測定した。
60−100167号公報に開示されている測定装置を
用いて以下の様に測定した。
まず、−6,OKVの放電々圧にて、コロナ帯電を20
秒間行ない、次いで20秒間暗減衰させ、その後6Qu
xのタングステン光を照射した。
秒間行ない、次いで20秒間暗減衰させ、その後6Qu
xのタングステン光を照射した。
この時の帯電開始後1秒と20秒の表面電位Vl (v
)、V2o (v)および暗減衰20秒後の表面電位■
4o(v)を測定し、また、v4゜を半分の電位に光減
衰させるのに必要な露光量E□7□(Qux”5ec)
を測定した。なお。
)、V2o (v)および暗減衰20秒後の表面電位■
4o(v)を測定し、また、v4゜を半分の電位に光減
衰させるのに必要な露光量E□7□(Qux”5ec)
を測定した。なお。
暗減衰(D、D)は、次式で定義される。
D −D ” V4O/ V z。
更に、上記条件の帯電と露光を同時に30分間行なって
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−1に示す。
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−1に示す。
表−1
第1図〜第4図は各々本発明に係る電子写真感光体の模
式断面図である。 特許出願人 株式会社 リ コ
式断面図である。 特許出願人 株式会社 リ コ
Claims (1)
- (1)導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸
送層を順次積層してなる電子写真感光体において、該電
荷発生層中に下記一般式( I )で示される化合物を含
有してなることを特徴とする電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔上式中、AはN−置換カルバゾリル基または▲数式、
化学式、表等があります▼(ただし、Arは芳香族炭化
水素基または複素環基であり、R^1及びR^2は置換
もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置
換のアリール基である)、Rは、アルキル基、アルコキ
シ基、ハロゲン原子のいずれかであり、nは0〜4の整
数であり、n≧2ではRは同種でも異種でもよい。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175560A JPH0463355A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175560A JPH0463355A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0463355A true JPH0463355A (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=15998219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2175560A Pending JPH0463355A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0463355A (ja) |
-
1990
- 1990-07-02 JP JP2175560A patent/JPH0463355A/ja active Pending
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